JPS63283203A - 電力分配回路 - Google Patents
電力分配回路Info
- Publication number
- JPS63283203A JPS63283203A JP11676087A JP11676087A JPS63283203A JP S63283203 A JPS63283203 A JP S63283203A JP 11676087 A JP11676087 A JP 11676087A JP 11676087 A JP11676087 A JP 11676087A JP S63283203 A JPS63283203 A JP S63283203A
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- JP
- Japan
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- type branch
- circuit
- capacitors
- branch circuits
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract 1
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 description 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧａＡｓ ＦＥＴを用いた高周波電力増幅器に
おいて、特に内部整合化ＧａＡｓＦＥＴ電力増幅器の電
力分配回路に関する。
おいて、特に内部整合化ＧａＡｓＦＥＴ電力増幅器の電
力分配回路に関する。
従来、この種の電力分配回路は、２つの４波長線路でＹ
型分岐回路を構成することにより、分配。
型分岐回路を構成することにより、分配。
整合をとっている０例えば、第３図に示すように、膜回
路基板１の線路２にＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｘを対向して
配設し、これらＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｔの他端部に整合
用のコンデンサＣ，，Ｃ１と、ＧａＡｓＦＥＴチップ４
，５を配設し、これらをワイヤ９．１０で接続している
。なお、前記線路２にはコンデンサＣ１を設け、ワイヤ
８でＹ型分岐回路り、、Ｌ、に接続を行っている。Ｒ３
は抵抗である。
路基板１の線路２にＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｘを対向して
配設し、これらＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｔの他端部に整合
用のコンデンサＣ，，Ｃ１と、ＧａＡｓＦＥＴチップ４
，５を配設し、これらをワイヤ９．１０で接続している
。なお、前記線路２にはコンデンサＣ１を設け、ワイヤ
８でＹ型分岐回路り、、Ｌ、に接続を行っている。Ｒ３
は抵抗である。
上述した従来の電力分配回路は、Ｙ型分岐回路の線路長
と先端の容量で決まる周波数の共振モードを持っている
ため、増幅器においてそのモードにより発振が起こる場
合がある。即ち、第３図の例では、ＧａＡｓＦＥＴ４，
５をＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｘで並列運転する場合におい
て、インピーダンスの整合をとるため、ワイヤ９，１ｏ
によるインダクタンスと、コンデンサＣ，，Ｃ４を用い
ているが、この整合用コンデンサＣ３，Ｃ４とＹ型分岐
回路Ｌｒ、Ｌｔ長により決定される共振モードにより発
振が生じることがある。また、この発振により所望のＲ
Ｆ倍信号減衰されることになる。
と先端の容量で決まる周波数の共振モードを持っている
ため、増幅器においてそのモードにより発振が起こる場
合がある。即ち、第３図の例では、ＧａＡｓＦＥＴ４，
５をＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｘで並列運転する場合におい
て、インピーダンスの整合をとるため、ワイヤ９，１ｏ
によるインダクタンスと、コンデンサＣ，，Ｃ４を用い
ているが、この整合用コンデンサＣ３，Ｃ４とＹ型分岐
回路Ｌｒ、Ｌｔ長により決定される共振モードにより発
振が生じることがある。また、この発振により所望のＲ
Ｆ倍信号減衰されることになる。
本発明は発振を防止して所望ＲＦ倍信号減衰を防止する
ことができる電力分配回路を提供することを目的として
いる。
ことができる電力分配回路を提供することを目的として
いる。
本発明の電力分配回路は、並列運転される２個のＧａＡ
ｓＦＥＴを整合用容量を介して接続されるＹ型分岐回路
に、その略中間位置に容量と抵抗の並列回路を介挿し、
整合用容量とＹ型分岐回路長で決まる共振モードによる
発振を防止する構成としている。
ｓＦＥＴを整合用容量を介して接続されるＹ型分岐回路
に、その略中間位置に容量と抵抗の並列回路を介挿し、
整合用容量とＹ型分岐回路長で決まる共振モードによる
発振を防止する構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の上面図であり、第２図はそ
のＡＡ線に沿う縦断面図である。
のＡＡ線に沿う縦断面図である。
これらの図において、膜回路基板１には直流バイアスの
回路２及び中継部３を配設し、この中継部３に対して、
Ｙ型分岐回路Ｌｌ、Ｌｇを配設している。そして、これ
ら各Ｙ型分岐回路り、、 Ｌｇの一端部には夫々コンデ
ンサＣｒ、Ｃｚを配設し、かつ中継部３との間に抵抗Ｒ
１，Ｒｚを介挿している。またＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｘ
の各他端部にはコンデンサＣｓ、Ｃａ及びＣａＡｓＦＥ
Ｔチップ４，５を配設している。更に、前記回路２の端
部にはコンデンサＣ３を配設し、中継部３には抵抗Ｒ１
を接続している。
回路２及び中継部３を配設し、この中継部３に対して、
Ｙ型分岐回路Ｌｌ、Ｌｇを配設している。そして、これ
ら各Ｙ型分岐回路り、、 Ｌｇの一端部には夫々コンデ
ンサＣｒ、Ｃｚを配設し、かつ中継部３との間に抵抗Ｒ
１，Ｒｚを介挿している。またＹ型分岐回路Ｌｒ、Ｌｘ
の各他端部にはコンデンサＣｓ、Ｃａ及びＣａＡｓＦＥ
Ｔチップ４，５を配設している。更に、前記回路２の端
部にはコンデンサＣ３を配設し、中継部３には抵抗Ｒ１
を接続している。
しかる上で、中継部３と前記各コンデンサＣＩ＋Ｃｚ、
Ｃｓはワイヤ６．７．８で接続し、各Ｙ型分岐回路り、
、Ｌ、とコンデンサＣ，，Ｃ，はワイヤ９で接続し、コ
ンデンサＣｓ、ＣａとＣａＡｓＦＥＴチップ４，５とは
ワイヤ１０で接続して、各ＧａＡｓＦＥＴ４，５のゲー
トに直流バイアスを供給し、両ＧａＡｓＦＥＴ４，５を
並列運転可能に構成している。
Ｃｓはワイヤ６．７．８で接続し、各Ｙ型分岐回路り、
、Ｌ、とコンデンサＣ，，Ｃ，はワイヤ９で接続し、コ
ンデンサＣｓ、ＣａとＣａＡｓＦＥＴチップ４，５とは
ワイヤ１０で接続して、各ＧａＡｓＦＥＴ４，５のゲー
トに直流バイアスを供給し、両ＧａＡｓＦＥＴ４，５を
並列運転可能に構成している。
したがって、この構成によれば、ＧａＡｓ ＦＥＴ４．
５をＹ型分岐回路り、、Ｌ、で並列運転する場合におい
て、インピーダンスの整合をとるためにワイヤ９．１０
によるインダクタンスと、コンデンサＣ，，Ｃ４を用い
ているが、Ｙ型分岐回路Ｌｒ、Ｌ、ｚの略中心点付近に
容量Ｃ，，Ｃ，と抵抗Ｒ１，Ｒｚの並列回路が挿入され
ているので、前記整合用コンデンサＣｓ、Ｃ４とＹ型分
岐回路Ｌｌ、Ｌｇ長により決定される共振モードによる
発振が有効に防止できる。
５をＹ型分岐回路り、、Ｌ、で並列運転する場合におい
て、インピーダンスの整合をとるためにワイヤ９．１０
によるインダクタンスと、コンデンサＣ，，Ｃ４を用い
ているが、Ｙ型分岐回路Ｌｒ、Ｌ、ｚの略中心点付近に
容量Ｃ，，Ｃ，と抵抗Ｒ１，Ｒｚの並列回路が挿入され
ているので、前記整合用コンデンサＣｓ、Ｃ４とＹ型分
岐回路Ｌｌ、Ｌｇ長により決定される共振モードによる
発振が有効に防止できる。
この場合、所望のＲＦ倍信号ワイヤ６．７．コンデンサ
Ｃ，，Ｃ，を通って減衰することなしに分配され、また
ゲート直流バイアスは抵抗Ｒ１゜Ｒ２を通り供給され得
る。
Ｃ，，Ｃ，を通って減衰することなしに分配され、また
ゲート直流バイアスは抵抗Ｒ１゜Ｒ２を通り供給され得
る。
以上説明したように本発明は、ＧａＡｓＦＥＴに整合用
容量を介して接続されるＹ型分岐回路の略中間位置に容
量と抵抗の並列回路を介挿しているので、Ｙ型電力分配
回路の分岐回路長と整合用コンデンサ決まる周波数の共
振モードによる増幅器の発振を防止し、所望ＲＦ倍信号
対しては減衰なしに分配することを可能にし、かつ一方
ではゲート直流バイアスを抵抗を通してＧａＡｓＦＥＴ
に供給することができる。
容量を介して接続されるＹ型分岐回路の略中間位置に容
量と抵抗の並列回路を介挿しているので、Ｙ型電力分配
回路の分岐回路長と整合用コンデンサ決まる周波数の共
振モードによる増幅器の発振を防止し、所望ＲＦ倍信号
対しては減衰なしに分配することを可能にし、かつ一方
ではゲート直流バイアスを抵抗を通してＧａＡｓＦＥＴ
に供給することができる。
第１図は本発明の一実施例の要部の平面図、第２図は第
１図のＡＡ線断面図、第３図は従来のＹ型分岐回路によ
る電力分配回路の一部の平面図である。 １・・・膜回路基板、２・・・回路、３・・・中継部１
．４，５−−−ＧａＡｓＦＥＴチップ、６〜１０・・・
ワイヤ、Ｌ、、Ｌ、・・・Ｙ型分岐回路、ＣＩ”’ Ｃ
ｓ・・・コンデンサ、Ｒ３−Ｒ３・・・抵抗。
１図のＡＡ線断面図、第３図は従来のＹ型分岐回路によ
る電力分配回路の一部の平面図である。 １・・・膜回路基板、２・・・回路、３・・・中継部１
．４，５−−−ＧａＡｓＦＥＴチップ、６〜１０・・・
ワイヤ、Ｌ、、Ｌ、・・・Ｙ型分岐回路、ＣＩ”’ Ｃ
ｓ・・・コンデンサ、Ｒ３−Ｒ３・・・抵抗。
Claims (2)
- （１）並列運転される２個のＧａＡｓＦＥＴを整合用容
量を介してＹ型分岐回路に接続してなる電力分配回路に
おいて、前記Ｙ型分岐回路の略中間位置に容量と抵抗の
並列回路を介挿したことを特徴とする電力分配回路。 - （２）Ｙ型分岐回路はＧａＡｓＦＥＴのゲート直流バイ
アス回路である特許請求の範囲第１項記載の電力分配回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11676087A JPS63283203A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 電力分配回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11676087A JPS63283203A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 電力分配回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283203A true JPS63283203A (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14695059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11676087A Pending JPS63283203A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 電力分配回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013106293A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11676087A patent/JPS63283203A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013106293A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
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