JPS63283214A - 高周波検出回路 - Google Patents
高周波検出回路Info
- Publication number
- JPS63283214A JPS63283214A JP62116766A JP11676687A JPS63283214A JP S63283214 A JPS63283214 A JP S63283214A JP 62116766 A JP62116766 A JP 62116766A JP 11676687 A JP11676687 A JP 11676687A JP S63283214 A JPS63283214 A JP S63283214A
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- JP
- Japan
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- diode
- voltage
- high frequency
- detection
- circuit
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/08—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear two-pole elements
- H03D1/10—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear two-pole elements of diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0043—Bias and operating point
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0094—Measures to address temperature induced variations of demodulation
- H03D2200/0096—Measures to address temperature induced variations of demodulation by stabilising the temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイオードを用いた高周波検出回路に関し、特
にその温度補償回路に関する。
にその温度補償回路に関する。
一般に、高周波検出回路では、広い入力範囲にわたって
直線性の良い検波出力を得るために、検波用ダイオード
に直流バイアス電流を流すことが多い、左ころが、ダイ
オードの順方向電圧は温度によって変化するために、特
に入力が小さい時に検波出力電圧の温度特性が問題とな
る。
直線性の良い検波出力を得るために、検波用ダイオード
に直流バイアス電流を流すことが多い、左ころが、ダイ
オードの順方向電圧は温度によって変化するために、特
に入力が小さい時に検波出力電圧の温度特性が問題とな
る。
上述したような低入力時の温度特性を改善するために、
従来では各種の温度補償回路が用いられており、例えば
第３図に示される回路が、Ｒ，Ｊ。
従来では各種の温度補償回路が用いられており、例えば
第３図に示される回路が、Ｒ，Ｊ。
Ｔｕｒｎｅｒ“Ａ ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ ５ＴＡＢ
ＩＬＩＺＥＤ ＲＦ ＤＥＴＥＣＴＯＲＷＩＴＨＥＸＴ
ＥＮＤＥＤ ＤＹＮＡＭＩＣＲＡＮＧＥ”３２ｎｄ Ｉ
Ｆ！ＨＥ Ｖｅｈｉ−ｃｕｌａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｒ
ｅｃｏｒｄＭａｙ ２３−２６１９８２．ｐｐ２３１〜
２４２に提案されている。
ＩＬＩＺＥＤ ＲＦ ＤＥＴＥＣＴＯＲＷＩＴＨＥＸＴ
ＥＮＤＥＤ ＤＹＮＡＭＩＣＲＡＮＧＥ”３２ｎｄ Ｉ
Ｆ！ＨＥ Ｖｅｈｉ−ｃｕｌａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｒ
ｅｃｏｒｄＭａｙ ２３−２６１９８２．ｐｐ２３１〜
２４２に提案されている。
第３図において、端子３の高周波電圧は、検波用ダイオ
ード１と、コンデンサ９．１０及びチョークコイル１１
によって検波、整流され、端子４に出力される。また、
検波用ダイオード１には、チョークコイル７とコンデン
サ８からなる高周波阻止回路２３及び抵抗１５を介して
バイアスＶ。
ード１と、コンデンサ９．１０及びチョークコイル１１
によって検波、整流され、端子４に出力される。また、
検波用ダイオード１には、チョークコイル７とコンデン
サ８からなる高周波阻止回路２３及び抵抗１５を介して
バイアスＶ。
が供給される。更に、前記端子４の出力は、ダイオード
１３．抵抗１６，２０．コンデンサ１８゜１９を通した
電圧と減算器２１において減算され端子２２に出力され
る。
１３．抵抗１６，２０．コンデンサ１８゜１９を通した
電圧と減算器２１において減算され端子２２に出力され
る。
ここで、抵抗１５，１６，１７．２０の抵抗値を夫々Ｒ
１３１ＲＩ６１ Ｒ１？、 Ｒｇ。とする。抵抗１７
の端子電圧、即ち端子４の電圧■。ｕｔｔは、直流バイ
アスによる電圧と、高周波電圧を整流して得られた検波
電圧の和となり、検波電圧をＶＤ’ＥＴ＋ダイオード１
の順方向電圧を■１とすると、Ｖｏｕｔ＋＝（Ｖｍ −
ＶＩ、ｔ）（Ｒ＋ｆｆ／（Ｒ＋ｓ＋Ｒ＋ｔ）） ＋ＶＤ
ＥＴ・・・（１） となる。
１３１ＲＩ６１ Ｒ１？、 Ｒｇ。とする。抵抗１７
の端子電圧、即ち端子４の電圧■。ｕｔｔは、直流バイ
アスによる電圧と、高周波電圧を整流して得られた検波
電圧の和となり、検波電圧をＶＤ’ＥＴ＋ダイオード１
の順方向電圧を■１とすると、Ｖｏｕｔ＋＝（Ｖｍ −
ＶＩ、ｔ）（Ｒ＋ｆｆ／（Ｒ＋ｓ＋Ｒ＋ｔ）） ＋ＶＤ
ＥＴ・・・（１） となる。
一方、ダイオード１３の順方向電圧を■。４．とすると
、抵抗２０の端子電圧Ｖ ＩＥＦは、Ｖ＊ｘｙ＝（νＩ
Ｉ −ＶＤｔ３）（Ｒｚｏ／（Ｒ＋ｂ ＋Ｒｚｏ）
） ・・・ （２）今、Ｒ，Ｓ＝Ｒい、Ｒ１？’＝Ｒ
１゜ とすることにより、（１）、 （２）式より、ｖＯｕ
ｔ、＝ＶｏｕｔｌＶＲ１：Ｆ −（ＶＤｔ−Ｖ、ｓ）（Ｒ＋ｔ／（Ｒ＋ｓ＋Ｒ＋ｔ））
＋ Ｖｏｔｔ・・・（３） となる。
、抵抗２０の端子電圧Ｖ ＩＥＦは、Ｖ＊ｘｙ＝（νＩ
Ｉ −ＶＤｔ３）（Ｒｚｏ／（Ｒ＋ｂ ＋Ｒｚｏ）
） ・・・ （２）今、Ｒ，Ｓ＝Ｒい、Ｒ１？’＝Ｒ
１゜ とすることにより、（１）、 （２）式より、ｖＯｕ
ｔ、＝ＶｏｕｔｌＶＲ１：Ｆ −（ＶＤｔ−Ｖ、ｓ）（Ｒ＋ｔ／（Ｒ＋ｓ＋Ｒ＋ｔ））
＋ Ｖｏｔｔ・・・（３） となる。
温度特性を問題にしているのは、ダイオード１゜１３の
順方向電圧Ｖ Ｄ ｌ ｌ Ｖ Ｄ ｌ ３であるの
で、双方に同じ特性のダイオードを用い、熱的に結合さ
せて実装すれば、 ＶＤ、−Ｖ。１． ・・・（４） とすることができ、 ■。□っ＝、ＶＤＥＴ ・・・（５）となる。
順方向電圧Ｖ Ｄ ｌ ｌ Ｖ Ｄ ｌ ３であるの
で、双方に同じ特性のダイオードを用い、熱的に結合さ
せて実装すれば、 ＶＤ、−Ｖ。１． ・・・（４） とすることができ、 ■。□っ＝、ＶＤＥＴ ・・・（５）となる。
このように、ダイオード１３を設けることによって、直
流バイアスによる温度変動分を引き去り、最終的な検出
電圧の温度変動を抑圧しているわけである。
流バイアスによる温度変動分を引き去り、最終的な検出
電圧の温度変動を抑圧しているわけである。
上述した従来例では、第４図のように、順方向電圧が温
度だけ依存し、電流には依存しないとした時のダイオー
ドの特性を示している。このように仮定した場合は、第
３図の回路によって完全に温度補償をすることができる
。
度だけ依存し、電流には依存しないとした時のダイオー
ドの特性を示している。このように仮定した場合は、第
３図の回路によって完全に温度補償をすることができる
。
しかしながら、実際のダイオードは、第４図のような理
想的な立上り特性を有しているわけではな（、第５図に
示したような形となる。
想的な立上り特性を有しているわけではな（、第５図に
示したような形となる。
すなわち、Ｔを温度とすると、
Ｖ、＝Ｖ４ （ｔ、’ｒ）
と表わせる。
今、温度Ｔを一定とした場合、ダイオード１３には一定
の電流ｉ□、が流れる。一方、ダイオード１には、前述
のように抵抗値を選ぶことにより、高周波入力の無いと
きには、１ＤＩ−１ｌ、ｌ、が流れる。しかし、高周波
入力が存在し、検波電流が流れると、 １Ｄ１−１□ｓ＋１ｏｔｔ ・・・（６）となる。
の電流ｉ□、が流れる。一方、ダイオード１には、前述
のように抵抗値を選ぶことにより、高周波入力の無いと
きには、１ＤＩ−１ｌ、ｌ、が流れる。しかし、高周波
入力が存在し、検波電流が流れると、 １Ｄ１−１□ｓ＋１ｏｔｔ ・・・（６）となる。
ｉＩ）！アは検波作用による脈流の直流分である。
（６）式から明らかなように、ｉｏｎ”ｌ’１ｅｔ３で
あり、すなわち、 Ｖａ （ｉｏｎ、 ｔ）≠Ｖｄ （ｆｏｘｓ 、Ｔ
）であるから、（４）式の仮定は成り立たず、温度補償
は完全ではなくなる。
あり、すなわち、 Ｖａ （ｉｏｎ、 ｔ）≠Ｖｄ （ｆｏｘｓ 、Ｔ
）であるから、（４）式の仮定は成り立たず、温度補償
は完全ではなくなる。
抵抗１５，１６，１７．２０の値を適当に選べば、ある
高周波入力電圧のときのみ、ｉｏ＋＝ｉｏｔｓとするこ
とができるが、それ以外に入力電圧の時は、やはりｉｏ
ｎ ≠ｉＤｌ、となり、完全な温度補償は不可能であ
る。
高周波入力電圧のときのみ、ｉｏ＋＝ｉｏｔｓとするこ
とができるが、それ以外に入力電圧の時は、やはりｉｏ
ｎ ≠ｉＤｌ、となり、完全な温度補償は不可能であ
る。
本発明はいかなる高周波入力電圧に対しても確実に温度
補償された正確な高周波検出を可能とする高周波検出回
路を提供することを目的としている。
補償された正確な高周波検出を可能とする高周波検出回
路を提供することを目的としている。
本発明の高周波検出回路は、高周波入力端子に検波用ダ
イオードを接続し、かつこの検波用ダイオードにバイア
スを供給する高周波検出回路において、検波用ダイオー
ドの出力側と接地との間に、検波用ダイオードとは直流
電流に対して同一の極性で同一の電流が流れるように第
２のダイオードを抵抗とともに接続し、かつこの抵抗と
第２のダイオードの接続点の電圧に所定の直流電圧を加
算した電圧を高周波阻止回路を通して検波用ダイオード
に供給した構成としている。
イオードを接続し、かつこの検波用ダイオードにバイア
スを供給する高周波検出回路において、検波用ダイオー
ドの出力側と接地との間に、検波用ダイオードとは直流
電流に対して同一の極性で同一の電流が流れるように第
２のダイオードを抵抗とともに接続し、かつこの抵抗と
第２のダイオードの接続点の電圧に所定の直流電圧を加
算した電圧を高周波阻止回路を通して検波用ダイオード
に供給した構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例であり、図において１は検波
用ダイオード、２６はコンデンサ９，１０とチョークコ
イル１１とで構成した平滑回路であり、端子３に入力さ
れた高周波を検波、整流して端子４に出力させる。また
、２３はチョークコイル７とコンデンサ８とで構成した
高周波阻止回路である。そして、前記端子４と接地との
間に、抵抗５と第２のダイオード２を直列接続し、この
接続点の電圧をバイアス端子１２のバイアス電圧Ｖ、と
加算器６において加算し、このバイアス電圧Ｖ、ｌを前
記高周波阻止回路２３を通して検波用ダイオード１に供
給している。
用ダイオード、２６はコンデンサ９，１０とチョークコ
イル１１とで構成した平滑回路であり、端子３に入力さ
れた高周波を検波、整流して端子４に出力させる。また
、２３はチョークコイル７とコンデンサ８とで構成した
高周波阻止回路である。そして、前記端子４と接地との
間に、抵抗５と第２のダイオード２を直列接続し、この
接続点の電圧をバイアス端子１２のバイアス電圧Ｖ、と
加算器６において加算し、このバイアス電圧Ｖ、ｌを前
記高周波阻止回路２３を通して検波用ダイオード１に供
給している。
ここで、検波用ダイオード１と第２のダイオード２は、
検波用ダイオード１に加えられる直流電圧■３′の電流
閉路に関して同一極性であり、かつ同一の電流が流れる
ように接続している。すなわち、ダイオード１．２を流
れる電流Ｉ Ｄ１＋ Ｌ ＤＢは、常にｉＤ、＝ｔ□
となる。
検波用ダイオード１に加えられる直流電圧■３′の電流
閉路に関して同一極性であり、かつ同一の電流が流れる
ように接続している。すなわち、ダイオード１．２を流
れる電流Ｉ Ｄ１＋ Ｌ ＤＢは、常にｉＤ、＝ｔ□
となる。
よって、ダイオード１．２を熱的に結合させておけば、
夫々の順方向電圧■□＋ＶＤｆは、Ｖ ｏ＋ ＝ Ｖ
ＤＩ （ｉｎ＋＋Ｔ） −Ｖ ｏｚ＝ Ｖ ｔ＋ｚ（ｉ
ｏｚ＋Ｔ）のように等しくなる。この時、高周波検波電
圧をＶ ＤＥＴとすれば、検波電圧出力端子４の電圧■
。ｕｔは、 Ｖ ｏｕｃ ＝ ｖｓ ”／ ＤＩ ＋ Ｖ Ｂａｙこ
こで、 Ｖｓ ’ ＝Ｖｍ ＋Ｖｏｘ＝Ｖｍ ＋Ｖ。１であるか
ら、 Ｖ。、ｔ ＝Ｖ＋＋ ＋Ｖｏ＋ Ｖｎｔ＋Ｖｏｘｙ−
Ｖ ｌ ＋ Ｖ ＤＥＴ ・・・（７）すなわち
、検出出力電圧■。□は、いかなる高周波入力、温度に
対してもダイオードの順方向電圧の変動を受けない。バ
イアス電圧■、′及び抵抗５の値は、検波用ダイオード
１の直接性を確保し、■。１ｔのダイナミックレンジが
所要の値となるように決めればよい。
夫々の順方向電圧■□＋ＶＤｆは、Ｖ ｏ＋ ＝ Ｖ
ＤＩ （ｉｎ＋＋Ｔ） −Ｖ ｏｚ＝ Ｖ ｔ＋ｚ（ｉ
ｏｚ＋Ｔ）のように等しくなる。この時、高周波検波電
圧をＶ ＤＥＴとすれば、検波電圧出力端子４の電圧■
。ｕｔは、 Ｖ ｏｕｃ ＝ ｖｓ ”／ ＤＩ ＋ Ｖ Ｂａｙこ
こで、 Ｖｓ ’ ＝Ｖｍ ＋Ｖｏｘ＝Ｖｍ ＋Ｖ。１であるか
ら、 Ｖ。、ｔ ＝Ｖ＋＋ ＋Ｖｏ＋ Ｖｎｔ＋Ｖｏｘｙ−
Ｖ ｌ ＋ Ｖ ＤＥＴ ・・・（７）すなわち
、検出出力電圧■。□は、いかなる高周波入力、温度に
対してもダイオードの順方向電圧の変動を受けない。バ
イアス電圧■、′及び抵抗５の値は、検波用ダイオード
１の直接性を確保し、■。１ｔのダイナミックレンジが
所要の値となるように決めればよい。
第２図は第１図を具体的に示した回路図であり、加算回
路６をオペアンプを用いて構成した例を示している。
路６をオペアンプを用いて構成した例を示している。
オペアンプ２４は高入力インピーダンスの反転型加算器
として用いられ、オペアンプ２５で再度反転し、低出力
インピーダンス出力の電圧源Ｖ、１となる。ここで、例
えばオペアンプ２４．２５のゲインを決める抵抗の抵抗
値を全て等しくＲとすれば、簡単に（７）式の結果が得
られることは明らかである。
として用いられ、オペアンプ２５で再度反転し、低出力
インピーダンス出力の電圧源Ｖ、１となる。ここで、例
えばオペアンプ２４．２５のゲインを決める抵抗の抵抗
値を全て等しくＲとすれば、簡単に（７）式の結果が得
られることは明らかである。
以上の説明で、高周波阻止回路２３及び検波電圧の平滑
回路２６は一例を示しているのみであるが、Ｖ、ｌの直
流閉路に関して、ダイオード１及び２に流れる電流が等
しくなるようなものなら、どのような回路でも良い。ま
た、第１図、第２図ではＶ、ｌは正の値を仮定している
が、負のバアイスをかける場合には、ダイオード１とダ
イオード２の極性を双方とも逆にすればよい。 ′
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、検波用ダイオードの出力
側と接地との間に、検波用ダイオードとは直流電流に対
して同一の極性で同一の電流が流れるように第２のダイ
オードを抵抗とともに接続し、かつこの抵抗と第２のダ
イオードの接続点の電圧に所定の直流電圧を加算した電
圧を高周波阻止回路を通して検波用ダイオードに供給し
ているので、最終的な検出電圧にはダイオードの順方向
電圧の影響が及ぶことはな（、これによりダイオードの
温度影響を無くすことができ、いかなる高周波入力電圧
のときも、確実に温度補償された非常に正確な高周波検
出を行うことができる効果がある。
回路２６は一例を示しているのみであるが、Ｖ、ｌの直
流閉路に関して、ダイオード１及び２に流れる電流が等
しくなるようなものなら、どのような回路でも良い。ま
た、第１図、第２図ではＶ、ｌは正の値を仮定している
が、負のバアイスをかける場合には、ダイオード１とダ
イオード２の極性を双方とも逆にすればよい。 ′
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、検波用ダイオードの出力
側と接地との間に、検波用ダイオードとは直流電流に対
して同一の極性で同一の電流が流れるように第２のダイ
オードを抵抗とともに接続し、かつこの抵抗と第２のダ
イオードの接続点の電圧に所定の直流電圧を加算した電
圧を高周波阻止回路を通して検波用ダイオードに供給し
ているので、最終的な検出電圧にはダイオードの順方向
電圧の影響が及ぶことはな（、これによりダイオードの
温度影響を無くすことができ、いかなる高周波入力電圧
のときも、確実に温度補償された非常に正確な高周波検
出を行うことができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は第１図を
具体化した回路図、第３図は従来の回路図、第４図及び
第５図はダイオードの温度特性を示す図である。 １・・・検波用ダイオード、２・・・第２のダイオード
、３．４・・・端子、５・・・抵抗、６・・・加算器、
１２・・・バイアス端子、１３・・・ダイオード、１４
・・・バイアス端子、２１・・・減算器、２２・・・端
子、２３・・・高周波阻止回路、２４．２５・・・オペ
アンプ、２６・・・平滑／ｆＲアンア 第３図 第４図 ｄ 第５図
具体化した回路図、第３図は従来の回路図、第４図及び
第５図はダイオードの温度特性を示す図である。 １・・・検波用ダイオード、２・・・第２のダイオード
、３．４・・・端子、５・・・抵抗、６・・・加算器、
１２・・・バイアス端子、１３・・・ダイオード、１４
・・・バイアス端子、２１・・・減算器、２２・・・端
子、２３・・・高周波阻止回路、２４．２５・・・オペ
アンプ、２６・・・平滑／ｆＲアンア 第３図 第４図 ｄ 第５図
Claims (1)
- （１）高周波入力端子に検波用ダイオードを接続し、か
つこの検波用ダイオードにバイアスを供給する高周波検
出回路において、前記検波用ダイオードの出力側と接地
との間に、検波用ダイオードとは直流電流に対して同一
の極性で同一の電流が流れるように第２のダイオードを
抵抗とともに接続し、かつこの抵抗と第２のダイオード
の接続点の電圧に所定の直流電圧を加算した電圧を高周
波阻止回路を通して検波用ダイオードに供給したことを
特徴とする高周波検出回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116766A JPS63283214A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 高周波検出回路 |
| DE88304380T DE3886257D1 (de) | 1987-05-15 | 1988-05-13 | Temperaturstabilisierter RF-Detektor. |
| US07/193,835 US4820995A (en) | 1987-05-15 | 1988-05-13 | Temperature stabilized RF detector |
| EP88304380A EP0291345B1 (en) | 1987-05-15 | 1988-05-13 | A temperature stabilized RF detector |
| KR1019880005650A KR920003859B1 (ko) | 1987-05-15 | 1988-05-14 | 온도 안정화 rf 검출기 |
| AU16183/88A AU592741B2 (en) | 1987-05-15 | 1988-05-16 | Temperature stabilized rf detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116766A JPS63283214A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 高周波検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283214A true JPS63283214A (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14695203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116766A Pending JPS63283214A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 高周波検出回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4820995A (ja) |
| EP (1) | EP0291345B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63283214A (ja) |
| KR (1) | KR920003859B1 (ja) |
| AU (1) | AU592741B2 (ja) |
| DE (1) | DE3886257D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9423158D0 (en) * | 1994-11-17 | 1995-01-04 | At & T Global Inf Solution | Radio frequency detector circuit |
| JP3154207B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-04-09 | ソニー株式会社 | 検波器及び送信機 |
| GB2318004A (en) * | 1996-10-01 | 1998-04-08 | Nokia Mobile Phones Ltd | A diode detector |
| RU2208900C1 (ru) * | 2001-11-19 | 2003-07-20 | Войсковая часть 25714 | Амплитудный детектор |
| US6762647B1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-07-13 | Triquint Semiconductor, Inc. | Active protection circuit for load mismatched power amplifier |
| US6825715B2 (en) * | 2003-05-02 | 2004-11-30 | Biode, Inc. | Temperature compensated, high efficiency diode detector |
| US9702911B2 (en) * | 2012-09-07 | 2017-07-11 | Keysight Technologies, Inc. | Adjustable power sensor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2077920B1 (ja) * | 1970-02-24 | 1973-10-19 | Thomson Csf | |
| US4490681A (en) * | 1982-02-16 | 1984-12-25 | At&T Bell Laboratories | Signal level detector with automatic switching between extended linear and square law dynamic ranges |
| JP2586495B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 高周波検出回路 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62116766A patent/JPS63283214A/ja active Pending
-
1988
- 1988-05-13 EP EP88304380A patent/EP0291345B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-13 US US07/193,835 patent/US4820995A/en not_active Expired - Lifetime
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