JPS63284834A - アルミニウム配線の形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS63284834A JPS63284834A JP11953987A JP11953987A JPS63284834A JP S63284834 A JPS63284834 A JP S63284834A JP 11953987 A JP11953987 A JP 11953987A JP 11953987 A JP11953987 A JP 11953987A JP S63284834 A JPS63284834 A JP S63284834A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- wafer
- amorphous silicon
- etching
- film
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置において断面が台形状であるアル
ミニウム配線の形成方法である。
ミニウム配線の形成方法である。
この発明はアルミニウム配線の形成において、アルミニ
ウム膜上にアモルファスシリコン膜を積層し、積層した
アモルファスシリコン膜上に、所望の形状にフォトレジ
ストを形成したウェハーを、シリコンエツチングにより
断面が台形状であるアモルファスシリコン膜を形成した
後に、断面が台形状であるアルミニウム配線を形成する
ようにアルミニウムエツチングを行ったものである。
ウム膜上にアモルファスシリコン膜を積層し、積層した
アモルファスシリコン膜上に、所望の形状にフォトレジ
ストを形成したウェハーを、シリコンエツチングにより
断面が台形状であるアモルファスシリコン膜を形成した
後に、断面が台形状であるアルミニウム配線を形成する
ようにアルミニウムエツチングを行ったものである。
従来は、シリコン基＠３上に順次、シリコン酸化１１！
２ 、アルミニウムＪｌｌｌを形成したウェハー（第
２図（ａ））上に、所望の形状にフォトレジストを形成
しく第２図（ｂｌ）、これをアルミニウムエツチングし
く第２図ＴＣ） ） 、最後に、レジストを剥離するこ
とによって、アルミニウム配線（第２図（ｄ））を形成
していた。
２ 、アルミニウムＪｌｌｌを形成したウェハー（第
２図（ａ））上に、所望の形状にフォトレジストを形成
しく第２図（ｂｌ）、これをアルミニウムエツチングし
く第２図ＴＣ） ） 、最後に、レジストを剥離するこ
とによって、アルミニウム配線（第２図（ｄ））を形成
していた。
しかし、上記の様な従来のアルミニウム配線の形成方法
では、フォトレジストの断面が台形状になりにくいため
断面が台形状のアルミニウム配線を形成することができ
ず、断面が長方形になるという問題点を有していた。ま
た、従来の方法により、アルミニウム配線の断面が台形
状になるように加工するには、複雑な形成方法を用いね
ばならなかった。
では、フォトレジストの断面が台形状になりにくいため
断面が台形状のアルミニウム配線を形成することができ
ず、断面が長方形になるという問題点を有していた。ま
た、従来の方法により、アルミニウム配線の断面が台形
状になるように加工するには、複雑な形成方法を用いね
ばならなかった。
上記問題点を解決するために、この発明においてはアル
ミニウム膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、その
上にフォトレジストを所望の形状に形成する。このウェ
ハーをまず断面が台形状になるようにシリコンエツチン
グを行い、その後、断面が台形状であるアルミニウム配
線を形成するようにアルミニウムエツチングを行ったも
のである。
ミニウム膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、その
上にフォトレジストを所望の形状に形成する。このウェ
ハーをまず断面が台形状になるようにシリコンエツチン
グを行い、その後、断面が台形状であるアルミニウム配
線を形成するようにアルミニウムエツチングを行ったも
のである。
上記のような方法によれば、断面が台形状であるアルミ
ニウム配線が容易に形成できる。
ニウム配線が容易に形成できる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。第１図（ａｌは、シリコン酸化膜とアルミニウム
膜を積層したウェハーであり、第１回（ｂ）は、第１図
（ａｔのウェハー上にアモルファスシリコン層を積層し
たものである。第１図（Ｃ）は、第１図（１））のウェ
ハー上に所望の形状のフォトレジストを形成したもので
ある。第１図（ｄｌは、第１図（１１，１のウェハーに
シリコンエツチングを行ったものであり、この時アモル
ファスシリコン膜の断面が台形状になるようにエツチン
グを行う。第１図（ｅ）は、 −第１図（ｄｉのウ
ェハーをフォトレジスト及びアモルファスシリコン膜を
マスクとして、マスクの端部がエツチングにより後退す
ることを利用して、アルミニウムエツチングを行ったも
のである。第１図（ｆｌは、第１図（８１のウェハー上
のフォトレジスト及びアモルファスシリコン膜を剥離し
たものである。これらの方法により、断面が台形状のア
ルミニウム配線が形成できる。
する。第１図（ａｌは、シリコン酸化膜とアルミニウム
膜を積層したウェハーであり、第１回（ｂ）は、第１図
（ａｔのウェハー上にアモルファスシリコン層を積層し
たものである。第１図（Ｃ）は、第１図（１））のウェ
ハー上に所望の形状のフォトレジストを形成したもので
ある。第１図（ｄｌは、第１図（１１，１のウェハーに
シリコンエツチングを行ったものであり、この時アモル
ファスシリコン膜の断面が台形状になるようにエツチン
グを行う。第１図（ｅ）は、 −第１図（ｄｉのウ
ェハーをフォトレジスト及びアモルファスシリコン膜を
マスクとして、マスクの端部がエツチングにより後退す
ることを利用して、アルミニウムエツチングを行ったも
のである。第１図（ｆｌは、第１図（８１のウェハー上
のフォトレジスト及びアモルファスシリコン膜を剥離し
たものである。これらの方法により、断面が台形状のア
ルミニウム配線が形成できる。
この発明は、断面が台形状のアルミニウム配線が形成さ
れることによって、上層膜の段差被覆性が著しく改善さ
れるという効果がある。
れることによって、上層膜の段差被覆性が著しく改善さ
れるという効果がある。
第１図ｆａ）〜（ｆｌは、この発明の実施例を示す工程
順断面図、第２図ｉａｌ〜（ｄｌは、従来の技術を示す
工程順断面図である。 １・・・アルミニウム膜 ２・・・シリコン酸化膜 ３・・・シリコン基板 ４・・・アモルファスシリコン膜 ５・・・フォトレジスト 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ノリコノ （α）（ｄ） （ｂ）
（ｅン本光明のフルミニ仏Ｇ乙麩形八
方六の工ｍＰ頃り示１尉匣圓＄ １ 図 （α） （ｂ） ９Ｌ来のフルミニウス配諜形成 第 （Ｃ） （ｄ） 方忌氏の】二１嘔り用勇Ｉと力（Ｔ痙乍σｂじ１２図
順断面図、第２図ｉａｌ〜（ｄｌは、従来の技術を示す
工程順断面図である。 １・・・アルミニウム膜 ２・・・シリコン酸化膜 ３・・・シリコン基板 ４・・・アモルファスシリコン膜 ５・・・フォトレジスト 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ノリコノ （α）（ｄ） （ｂ）
（ｅン本光明のフルミニ仏Ｇ乙麩形八
方六の工ｍＰ頃り示１尉匣圓＄ １ 図 （α） （ｂ） ９Ｌ来のフルミニウス配諜形成 第 （Ｃ） （ｄ） 方忌氏の】二１嘔り用勇Ｉと力（Ｔ痙乍σｂじ１２図
Claims (1)
- ウェハー上に積層されたアルミニウム膜上に、アモルフ
ァスシリコン膜を積層する工程と、前記アモルファスシ
リコン膜上に、フォトリソグラフィーによって所望の形
状が得られるようにフォトレジストを形成する工程と、
前記工程で得られたウェハーを断面が台形状になるよう
にシリコンエッチングを行う工程と、前記シリコンエッ
チングを行ったウェハーを前記フォトレジスト及び前記
アモルファスシリコン膜をマスクとしてアルミニウムエ
ッチングを行い断面が台形状であるアルミニウム配線を
形成する工程とから成るアルミニウム配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11953987A JPS63284834A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | アルミニウム配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11953987A JPS63284834A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | アルミニウム配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284834A true JPS63284834A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14763792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11953987A Pending JPS63284834A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | アルミニウム配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284834A (ja) |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11953987A patent/JPS63284834A/ja active Pending
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