JPS63287737A - フルオロトラン系化合物 - Google Patents
フルオロトラン系化合物Info
- Publication number
- JPS63287737A JPS63287737A JP62120070A JP12007087A JPS63287737A JP S63287737 A JPS63287737 A JP S63287737A JP 62120070 A JP62120070 A JP 62120070A JP 12007087 A JP12007087 A JP 12007087A JP S63287737 A JPS63287737 A JP S63287737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- formula
- compound
- nematic
- compound expressed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規なフルオ
ロトラン系化合物に関する。
ロトラン系化合物に関する。
液晶表示セルの中で現在主流をなすものは、電界効果型
セルの一種のTN型セルである。このTN型セルにおい
ては、G、Bau@rによってMo 1 。
セルの一種のTN型セルである。このTN型セルにおい
ては、G、Bau@rによってMo 1 。
Crymt、Liq、Cr)r@t、 6345 (1
981)に報告されているように、セル外観を損う原因
となるセル表面での干渉縞の発生を防止するために、セ
ルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)とセ
ルの厚さくd)μmの積を成る特定の値に設定する必要
がある。実用的に使用される液晶表示セルでは、3口・
dO値が0.5 、1.0 、1.6又は2.2のいず
れか・に設定されている。このようにΔn−dの値が一
定値に設定されるから、Δnの値の大きな液晶材料を使
用すれば、dの値を小ならしめることができる。
981)に報告されているように、セル外観を損う原因
となるセル表面での干渉縞の発生を防止するために、セ
ルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)とセ
ルの厚さくd)μmの積を成る特定の値に設定する必要
がある。実用的に使用される液晶表示セルでは、3口・
dO値が0.5 、1.0 、1.6又は2.2のいず
れか・に設定されている。このようにΔn−dの値が一
定値に設定されるから、Δnの値の大きな液晶材料を使
用すれば、dの値を小ならしめることができる。
dの値が小となれば、応答時間(τ)は、工〈知られた
ταd2の関係式に従って小となる。従って、Δnの値
の大きな液晶材料は、応答速度が速く、然も干渉縞のな
い液晶表示セルを製作するのに極めて重要な材料である
。一方、実用可能な液晶材料の多くは、通常、室温付近
にネマチック相を有する化合物と室温よシ高い温度領域
にネマチック相を有する化合物から成る数種又はそれ以
上の成分を混合することによって調製される。現在実用
的に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくと
も一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘ってネマチック
相を有することが要求されているが、液晶表示セルの応
用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶温度範囲を更
に高温側に拡張した液晶材料が要望されておシ、このた
め、ネマチック相−等方性液体相(N−I )転移温度
(以下、N−I点という。)の高いネマチック液晶化合
物が必要とされている。
ταd2の関係式に従って小となる。従って、Δnの値
の大きな液晶材料は、応答速度が速く、然も干渉縞のな
い液晶表示セルを製作するのに極めて重要な材料である
。一方、実用可能な液晶材料の多くは、通常、室温付近
にネマチック相を有する化合物と室温よシ高い温度領域
にネマチック相を有する化合物から成る数種又はそれ以
上の成分を混合することによって調製される。現在実用
的に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくと
も一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘ってネマチック
相を有することが要求されているが、液晶表示セルの応
用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶温度範囲を更
に高温側に拡張した液晶材料が要望されておシ、このた
め、ネマチック相−等方性液体相(N−I )転移温度
(以下、N−I点という。)の高いネマチック液晶化合
物が必要とされている。
発明者らはこのような要求に応える大きなΔnと高いN
−I点を有するネマチック液晶化合物と(特開昭60−
152427号)。
−I点を有するネマチック液晶化合物と(特開昭60−
152427号)。
しかし、この化合物は、現在母体液晶として実用的に汎
用されているネマチック混合液晶との相溶性に劣るとい
う欠点がある。
用されているネマチック混合液晶との相溶性に劣るとい
う欠点がある。
本発明が解決しようとする問題点は、Δnが大きく、N
−I点が高く、尚かつ現在母体液晶として実用的に汎用
されているネマチック混合液晶との相溶性の良い新規な
ネマチック液晶化合物を提供することにある。
−I点が高く、尚かつ現在母体液晶として実用的に汎用
されているネマチック混合液晶との相溶性の良い新規な
ネマチック液晶化合物を提供することにある。
本発明は、上記問題点を解決するために、一般式
〔式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、Xlはフルオロ基又はメチル基を表わし、X2は
フルオロ基又は炭素原子数1〜90直鎖状アルキル基を
表わす。但し、XlとX2の少なくとも一つはフルオロ
基を表わす。式中のシクロヘキサン環はトランス(エカ
トリアル−エカトリアル)配置である。〕で表わされる
化合物を提供するものである。
わし、Xlはフルオロ基又はメチル基を表わし、X2は
フルオロ基又は炭素原子数1〜90直鎖状アルキル基を
表わす。但し、XlとX2の少なくとも一つはフルオロ
基を表わす。式中のシクロヘキサン環はトランス(エカ
トリアル−エカトリアル)配置である。〕で表わされる
化合物を提供するものである。
本発明に係る式(1)の化合物は、次の製造方法に従っ
て製造することが゛できる。
て製造することが゛できる。
(上記式(It)及び(2)の各式におけるR、X、及
びX2は夫々、式(I)におけるR、X、及びX2と同
じ意味をもつ)。
びX2は夫々、式(I)におけるR、X、及びX2と同
じ意味をもつ)。
式(II)の化合物をジエチルアミンの如き塩基の存在
下に、N、N−ジメチルホルムアルデヒドの如き溶媒中
で、ジクロロ−ビス(トリフェニルホスフィン)ノ母ラ
ジウム(If)とヨウ化第1銅を触媒として、式(至)
の化合物と反応させて本発明に係る式(I)の化合物を
製造する。
下に、N、N−ジメチルホルムアルデヒドの如き溶媒中
で、ジクロロ−ビス(トリフェニルホスフィン)ノ母ラ
ジウム(If)とヨウ化第1銅を触媒として、式(至)
の化合物と反応させて本発明に係る式(I)の化合物を
製造する。
斯くして製造される式(1)の化合物の代表的なものの
転移温度を第1表に掲げる。
転移温度を第1表に掲げる。
第1表
(表中、Cは結晶相、Sはスメクチック相、Nはネマチ
ック相、■は等方性液体相を夫々表わす。)本発明に係
る式(1)の化合物は弱い正又は弱い負の誘電率異方性
を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、
負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合書の状態で動的光散乱型表示セルの材料として使
用することができ、また正又は負の誘電率異方性を有す
る他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電界効
果型表示セルの材料として使用することができる。
ック相、■は等方性液体相を夫々表わす。)本発明に係
る式(1)の化合物は弱い正又は弱い負の誘電率異方性
を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、
負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合書の状態で動的光散乱型表示セルの材料として使
用することができ、また正又は負の誘電率異方性を有す
る他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電界効
果型表示セルの材料として使用することができる。
このように、式(I)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えFi4−置換安
息香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘ
キサンカルデン[4’−を換フェニルエステル、4−を
換シクロヘキサンカルゴン酸4′−置換ビフェニルエス
テル、4−(4−[換シクロヘキサンカルボニルオキシ
)安息香酸4’−を換フェニルエステル、4−(4−置
換シクロヘキシル) 安息香酸4’ −を換フェニルエ
ステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4′
−置換シクロヘキシルエステル、 4−を換4’−を換
ヒフェ=ル、4−を換フェニルー4′−置換シクロヘキ
サン、4−置換4′−置換ターフェニル、4−置換ピフ
ェニル4’−[換シクロヘキサン、2−(4−置換フェ
ニル)−5−置換ビリミジンなどを挙げることができる
。
のできる好ましい代表例としては、例えFi4−置換安
息香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘ
キサンカルデン[4’−を換フェニルエステル、4−を
換シクロヘキサンカルゴン酸4′−置換ビフェニルエス
テル、4−(4−[換シクロヘキサンカルボニルオキシ
)安息香酸4’−を換フェニルエステル、4−(4−置
換シクロヘキシル) 安息香酸4’ −を換フェニルエ
ステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4′
−置換シクロヘキシルエステル、 4−を換4’−を換
ヒフェ=ル、4−を換フェニルー4′−置換シクロヘキ
サン、4−置換4′−置換ターフェニル、4−置換ピフ
ェニル4’−[換シクロヘキサン、2−(4−置換フェ
ニル)−5−置換ビリミジンなどを挙げることができる
。
第2表はネマチック液晶材料として現在母体液晶として
実用的に汎用されている混合液晶(4)の85重量%と
第1表に示した式(1)の化合物屋1〜5の各々の15
重i%とから成る各混合液晶について測定されたN−I
点と屈折率の異方性(Δn)を掲示し、比較のために混
合液晶固自体について測定されたN−I点とΔnを掲示
したものである。
実用的に汎用されている混合液晶(4)の85重量%と
第1表に示した式(1)の化合物屋1〜5の各々の15
重i%とから成る各混合液晶について測定されたN−I
点と屈折率の異方性(Δn)を掲示し、比較のために混
合液晶固自体について測定されたN−I点とΔnを掲示
したものである。
尚、混合液晶(4)は、
及び
から成るものである。
第2表
体) 54.0 0.0917体)十A 1
72.1 0.116囚十A2
69.2 0.118(4)+
43 67.0 0.115(4
)+44 69.0 0.114(
4)十A5 62.0 0.11
4第2表に掲示したデータから、式(I)の化合物は混
合液晶(4)のN−I点を実用上充分なまでに上昇させ
、而もΔnを大幅に上昇せしめ得ることが理解できる。
72.1 0.116囚十A2
69.2 0.118(4)+
43 67.0 0.115(4
)+44 69.0 0.114(
4)十A5 62.0 0.11
4第2表に掲示したデータから、式(I)の化合物は混
合液晶(4)のN−I点を実用上充分なまでに上昇させ
、而もΔnを大幅に上昇せしめ得ることが理解できる。
本発明の効果は、下記の比較実験によっても明らかにさ
れる。化学構造が本発明に係る式(I)の化合物に類似
しており、且つ混合液晶のN−I点及びΔnを高める目
的で開発された式 の公知化合物を前記の混合液晶(A)K添加したところ
、混合液晶(4)に対する一30℃での溶解度は6チで
あった。この時の混合液晶のN−I点は62.1℃でΔ
nは0.101であった。
れる。化学構造が本発明に係る式(I)の化合物に類似
しており、且つ混合液晶のN−I点及びΔnを高める目
的で開発された式 の公知化合物を前記の混合液晶(A)K添加したところ
、混合液晶(4)に対する一30℃での溶解度は6チで
あった。この時の混合液晶のN−I点は62.1℃でΔ
nは0.101であった。
これに対し本発明に係る化合物の1つ、即ち式の化合物
の混合液晶(4)に対する一30℃での溶解度は14チ
であった。この時の混合液晶のN−I点は70,8℃で
Δntj:0.113であった。
の混合液晶(4)に対する一30℃での溶解度は14チ
であった。この時の混合液晶のN−I点は70,8℃で
Δntj:0.113であった。
これらの事実から本発明に係る式(I)の化合物は代表
的な公知の類似化合物に比べて、現在母体液晶として実
用的に汎用されているネマチック混合液晶に多量に添加
し得るため、その結果N−I点とΔnを大幅に上昇させ
得ることが理解できるであろう。
的な公知の類似化合物に比べて、現在母体液晶として実
用的に汎用されているネマチック混合液晶に多量に添加
し得るため、その結果N−I点とΔnを大幅に上昇させ
得ることが理解できるであろう。
実施例1
(0,0100モル)をジエチルアミン4.11nlに
溶解し、この溶液にジクロロ−ビス(トリフェニルホス
フィン)ノぐラジウム(IO7■(o、o1oミリモル
)とヨウ化第1銅19mg(0,10ミリモル)を加え
、これらを室温で攪拌しながら、4−n−ブチル−2−
フルオロフェニルアセチレン1.769 (0,010
0モル)をN、N−ジメチルホルムアばド5ゴに溶かし
た溶液を滴下した後、室温で24時間放置した。
溶解し、この溶液にジクロロ−ビス(トリフェニルホス
フィン)ノぐラジウム(IO7■(o、o1oミリモル
)とヨウ化第1銅19mg(0,10ミリモル)を加え
、これらを室温で攪拌しながら、4−n−ブチル−2−
フルオロフェニルアセチレン1.769 (0,010
0モル)をN、N−ジメチルホルムアばド5ゴに溶かし
た溶液を滴下した後、室温で24時間放置した。
この反応液を冷希塩酸水溶液中に攪拌しながら加えて酸
性とした後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を
水洗、乾燥後、この液からトルエンを留去して、反応生
成物を得た。
性とした後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を
水洗、乾燥後、この液からトルエンを留去して、反応生
成物を得た。
得られた反応生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーによって分離精製した後、n−へキサンから再結
晶させて精製し、下記化合物1.43N (0,003
80モル)を得た。
フィーによって分離精製した後、n−へキサンから再結
晶させて精製し、下記化合物1.43N (0,003
80モル)を得た。
k゛
収率 38.0%
転移温度 56℃(C−+N)
182℃(N+! I )
実施例2
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収率 32.8%
転移温度 72℃(C−+N)
163℃(N、! x )
実施例3
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収率 61.2%
転移温度 89℃(C−+N )
148℃(N; I )
実施例4
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収率 57.1%
転移温度 76℃(C−+N )
161℃(NヰI)
実施例5
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
CH3
収率 64.5%
転移温度 56℃(C−+8 )
82℃(SヰN)
119℃(NヰI)
〔発明の効果〕
本発明の新規ネマチック液晶化合物はN−I転移温度が
高く、しかもΔnの大きいものであシ、現在母体液晶と
して実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合
することに工ってN−I点とΔnを引き上げることがで
きる。更に公知の構造類似化合物と比べ、現在母体液晶
として実用的に汎用されているネマチック混合液晶に対
する低温での溶解度が大きいため、よシ高いN−I点と
Δnを有する混合液晶を作製することができる。
高く、しかもΔnの大きいものであシ、現在母体液晶と
して実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合
することに工ってN−I点とΔnを引き上げることがで
きる。更に公知の構造類似化合物と比べ、現在母体液晶
として実用的に汎用されているネマチック混合液晶に対
する低温での溶解度が大きいため、よシ高いN−I点と
Δnを有する混合液晶を作製することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、X_1はフルオロ基又はメチル基を表わし、X_
2はフルオロ基又は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル
基を表わす。但し、X_1とX_2の少なくとも一つは
フルオロ基を表わす。式中のシクロヘキサン環はトラン
ス(エカトリアル−エカトリアル)配置である〕 で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120070A JPH0813765B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | フルオロトラン系化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120070A JPH0813765B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | フルオロトラン系化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287737A true JPS63287737A (ja) | 1988-11-24 |
| JPH0813765B2 JPH0813765B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=14777149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120070A Expired - Lifetime JPH0813765B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | フルオロトラン系化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0813765B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62120070A patent/JPH0813765B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0813765B2 (ja) | 1996-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4193075B2 (ja) | アルケニルテルフェニル誘導体 | |
| JPS6327442A (ja) | メチルトラン系ネマチツク液晶化合物 | |
| JP3226045B2 (ja) | フルオロトラン系アルケニル化合物 | |
| JP2884732B2 (ja) | フルオロトラン系化合物 | |
| JP2500687B2 (ja) | ビシクロヘキシルトラン誘導体 | |
| JPS5855447A (ja) | 光学活性2−メチルブチルフエニル基を有するカルボン酸のシクロヘキサノ−ル誘導体 | |
| JPS5933566B2 (ja) | 1,4−ジ−(シクロヘキシルエチル)ビフエニル誘導体 | |
| JPH0629262B2 (ja) | ピリミジン誘導体 | |
| JP4034835B2 (ja) | トラン化合物およびそれを含有する液晶組成物 | |
| JP3569935B2 (ja) | フルオロトラン誘導体 | |
| JP3937185B2 (ja) | 2−フルオロビフェニル誘導体 | |
| JPS59141540A (ja) | 三環カルボン酸エステル誘導体 | |
| JP4083834B2 (ja) | トラン化合物を含有する液晶組成物および液晶表示装置 | |
| JP2503939B2 (ja) | トラン系炭化水素化合物 | |
| JPH0335302B2 (ja) | ||
| JP3958817B2 (ja) | トラン化合物およびそれを含有する液晶組成物および液晶表示装置 | |
| JPS61197533A (ja) | ハロトラン誘導体 | |
| JPH04217638A (ja) | トラン系液晶化合物 | |
| JPH0640971A (ja) | フルオロトラン誘導体 | |
| JPS63250332A (ja) | フルオロトラン系ネマチツク液晶化合物 | |
| JP4314643B2 (ja) | フェニルトラン誘導体 | |
| JPH0565280A (ja) | フルオロトラン系ジオキサン化合物 | |
| JPH0710785B2 (ja) | 4−置換フエニルクロチルエ−テル誘導体 | |
| JPH0813765B2 (ja) | フルオロトラン系化合物 | |
| JPH01245089A (ja) | 液晶材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080214 Year of fee payment: 12 |