JPS63288660A - 砥粒を用いた平面加工装置 - Google Patents

砥粒を用いた平面加工装置

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Publication number
JPS63288660A
JPS63288660A JP62124049A JP12404987A JPS63288660A JP S63288660 A JPS63288660 A JP S63288660A JP 62124049 A JP62124049 A JP 62124049A JP 12404987 A JP12404987 A JP 12404987A JP S63288660 A JPS63288660 A JP S63288660A
Authority
JP
Japan
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force
load
grinding
normal
workpiece
Prior art date
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Pending
Application number
JP62124049A
Other languages
English (en)
Inventor
Hikoyoshi Baba
彦良 馬場
Akira Takahashi
顕 高橋
Katsuo Shoji
庄司 克雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本装置は砥粒加工に関するものである。
〔従来技術〕
一般には遊離砥粒もしくは固定砥粒による加工の場合、
被加工物には静荷重か液圧等による一定荷重かが加えら
れる。又ロードセルで荷重を検知して一定の負荷が加わ
るよう制御する機構を持った装置も提案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしこの場合も、垂直方向の荷重のみを検出している
ため2例えば砥石の状態によって変化する水平方向(接
線方向)の力は感知し得ない。従って例えば砥石の目詰
シ等によって抵抗が小とな状態は説明の都合であとの本
発明の説明中に対比して示す。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、平板状の被加工物の主面を。
前記主面の法線方向に荷重を加えた状態で、遊離砥粒も
しくは固定砥粒を用いて加工を行う装置において、前記
加工中に前記被加工物に働く力を。
前記法線方向に働く第1の力と前記主面内で抵抗として
働く第2のj、力に分離して検出する手段と、。
前記検出した第1及び第2の力に基づいて前記第1の力
を所望の値に制御する制御手段とを備えたことを特徴と
する。遊離砥粒もしくは固定砥粒を用いた平面加工装置
が得られる。
上記のような構成によシ、加工中に例えば砥石に目詰力
等が発生し、研削力が低下し接線方向の力が小さくなっ
た時、その力の変化を感知して垂直荷重を増大させて研
削スピード(レート)を一定にすることが出来る。又必
要に応じ、被加工物に無理な力がかかった場合に荷重を
軽くすることが可能である。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である固定砥粒(ホーニング
加工)の場合の平面加工装置の構成を示す図である。砥
石1は砥石軸駆動装置2により回転するテーブル3に固
定され、被加工物4は試料ホルダー5を通じて試料台6
に固定される。試料台6にはモータ7で強制回転が与え
られる。荷重は弾性リング8から図には見えない動歪計
によシ夫々水平方向の分力(接線抵抗力Ft)及び垂直
方向の分力(法線方向のFn)で検出され、増巾器9か
らん生変換器10よシマイクロコンピュータ11に入り
、切込み機構駆動装置12を経て、指令された11ステ
ツピングモータ13によシコラム14とが−ルねじて可
動台16に上下方向の送りを与える。又コラム14はテ
ーブル駆動装置17によシ左右方向(砥石の半径方向)
への揺動も可能である。
上記の実施例では試料ホルダ5が回転シャフト18に固
定されているが、第2図のように球面接触とし被加工物
4は定盤の平面にならい、又定盤の回転によシ被加工物
は共回りするため、均一に研削される。
なお定盤の回転は必須のものではない。
なお第1図は片面加工の場合の説明図であるが。
被加工物の上下に定盤を置く両面研削盤についても勿論
応用出来るものである。
第3図はさきに説明を省略した従来方法における接線方
向抵抗力の時間的減少を示す一実験例を示す図である。
ホーニング荷重180kII、回&a1300 r、p
、m、 、ホーニング砥石GCす800レジンポンドで
Mn−Znフェライト(40φX10t)を研削した場
合の接線抵抗力F’jと法線方向の力Fnのキ寮労、比
が時間経過と共に低下し、目つぶれが顕著であることを
示している。
第4図は本発明の装置の加工能率と従来技術の加工能率
を比較して示す実験例の図である。Aは切線方向抵抗力
Fjが一定(40Pa)になるように法線方向の力Fn
を制御した本発明の場合の結果を示すもので、加工能率
が長期間一定に持続すること示している。これに対しB
は法線方向の力を一定(90Pa)に保つ従来技術の場
合を示すもので。
第3図と関連して時間と共に加工能率が相当低下するこ
とが分る。
以上ホーニング加工の一例であるが1本機構は遊離加工
法の一般のラップ盤にも適用出来る装置である。なお法
線方向の力Fiを制御するのに切線方向の力Ftを一定
に保つようにすることは極めて好ましいが、それに限定
されるものではなく、成る程度FtO値が変化しても実
用上差支えないものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように9本発明においては、切線方向の力
を一定に保持するように被加工物の主面の法線方向の荷
重の大きさを制御することにより。
研削スピードを低下させることなく研削することが可能
であり、又無理な力が掛ったときでも被加工物の破損や
スブラック化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である平面加工装置の構成を
示す図、第2図は試料ホルダが回転シャフトに球面接触
している構成を示す図、第3図は従来技術で法線方向の
力を一定にしておくと切線方向の力が時間と共に減少す
ることを示す実験例の図、第4図は本発明と従来技術で
加工能率(μm/m1n)を比較して示しだ図である。 記号の説明=1は砥石、2は砥石軸駆動装置。 3はテーブル、4は被加工物、5は試料ホルダー。 6は試料台、7はモータ、8は弾性リング、9は増巾器
、10は線変換器、11はマイクロコンピュータ、12
は切込み機構駆動装置、13はステッピングモータ、1
4idコラムe 15 iJ: y−ルねじ、16は可
動台、17はテーブル駆動装置。 18は回転シャフト、19は球面軸、20は試料ホルダ
テ、21は止?ルトをそれぞれあられしている。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、平板状の被加工物の主面を、前記主面の法線方向に
    荷重を加えた状態で、遊離砥粒もしくは固定砥粒を用い
    て加工を行う装置において、前記加工中に前記被加工物
    に働く力を、前記法線方向に働く第1の力と前記主面内
    で抵抗として働く第2の力に分離して検出する手段と、
    前記検出した第1及び第2の力に基づいて前記第1の力
    を所望の値に制御する制御手段とを備えたことを特徴と
    する、砥粒を用いた平面 加工装置。 2、前記制御手段が前記第1及び第2の力に基づいて前
    記第1の力を前記第2の力が一定になるように制御する
    制御手段であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    の砥粒を用いた平面加工装置。
JP62124049A 1987-05-22 1987-05-22 砥粒を用いた平面加工装置 Pending JPS63288660A (ja)

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JP62124049A JPS63288660A (ja) 1987-05-22 1987-05-22 砥粒を用いた平面加工装置

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JPS63288660A true JPS63288660A (ja) 1988-11-25

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2350077A (en) * 1998-11-09 2000-11-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus
CN111796362A (zh) * 2018-08-08 2020-10-20 杭州富通通信技术股份有限公司 用于预制尾纤的研磨设备

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US6283828B1 (en) 1998-11-09 2001-09-04 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer polishing apparatus
US6319106B2 (en) 1998-11-09 2001-11-20 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer polishing apparatus
GB2350077B (en) * 1998-11-09 2002-05-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus
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