JPS6329509A - 塗布膜の形成方法 - Google Patents
塗布膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6329509A JPS6329509A JP61171535A JP17153586A JPS6329509A JP S6329509 A JPS6329509 A JP S6329509A JP 61171535 A JP61171535 A JP 61171535A JP 17153586 A JP17153586 A JP 17153586A JP S6329509 A JPS6329509 A JP S6329509A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- coating film
- coating
- film
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置圧用いられる樹脂膜あるいは無機膜
の塗布膜の形成方法に関するものである。
の塗布膜の形成方法に関するものである。
樹脂被膜の形成方法として、例えば公開特許公報昭５８
−４２２４０に示されるように、被膜形成面の周辺部の
所定範囲をマイナスの傾斜面とした基板を用い、この基
板に樹脂溶液を回転塗布した後に硬化処理する樹脂被膜
の形成方法がある。
−４２２４０に示されるように、被膜形成面の周辺部の
所定範囲をマイナスの傾斜面とした基板を用い、この基
板に樹脂溶液を回転塗布した後に硬化処理する樹脂被膜
の形成方法がある。
上記従来技術は樹脂溶液を基板上に回転塗布する際、第
１図に示すような基板１の周辺部に生じる樹脂の盛上が
り部３を、第２図に示すような基板１の周辺に設けた面
取り部４で吸収するものであり、面取りによる基板価格
の上昇及び基板周辺部の製品歩留りの低下、不良品混入
による製品品質の低下に対する対策については考慮され
ていない。
１図に示すような基板１の周辺部に生じる樹脂の盛上が
り部３を、第２図に示すような基板１の周辺に設けた面
取り部４で吸収するものであり、面取りによる基板価格
の上昇及び基板周辺部の製品歩留りの低下、不良品混入
による製品品質の低下に対する対策については考慮され
ていない。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決した基板
周辺の塗布膜の盛上がりをなくす塗布膜の形成方法を提
供することにある。
周辺の塗布膜の盛上がりをなくす塗布膜の形成方法を提
供することにある。
上記目的は、基板周辺の所定の範囲に段差を設けて周辺
部を低くすることにより達成される。
部を低くすることにより達成される。
基板周辺部に設けられた段差部は、回転塗布によって生
じた塗布膜の盛上がりを段差寸法の分だけ相対的に少な
くするように作用する。それによって基板上の塗布膜が
平坦化され、密着露光におけるホトマスクとの密着性が
向上し、解像性が良くなって微細加工が可能となる。
じた塗布膜の盛上がりを段差寸法の分だけ相対的に少な
くするように作用する。それによって基板上の塗布膜が
平坦化され、密着露光におけるホトマスクとの密着性が
向上し、解像性が良くなって微細加工が可能となる。
以下、本発明の実施例を第３図ないし第６図により説明
する。
する。
実施例１゜
基板１として第３図に示したように周辺から寸法ｄの範
囲及び寸法ｄの範囲でペレットを除去した場合にペレッ
ト欠けを生じるペレットを除去した下地基板を用いる。
囲及び寸法ｄの範囲でペレットを除去した場合にペレッ
ト欠けを生じるペレットを除去した下地基板を用いる。
このような下地基板は栗初のホトリン工程から、この目
的に合ったホトマスクを用いて作製する。
的に合ったホトマスクを用いて作製する。
次に基板１の表面に第４図に示すように塗布膜として、
例えば感光性ポリイミド材ｐｈｏｔｏ ＰＡＬ、’１ｏ
ｏｏ（商品名９日立化成社製）を４００Ｏｒｐｍ 。
例えば感光性ポリイミド材ｐｈｏｔｏ ＰＡＬ、’１ｏ
ｏｏ（商品名９日立化成社製）を４００Ｏｒｐｍ 。
３０秒の条件で回転塗布し、これを８５℃、２０分の条
件でプリベークすると膜厚的５μｍの塗布膜５が形成さ
れ、周辺部に高さ約２μｍの盛上がり部３を生じるが、
段差部６が約３μｍ低くなっているため盛上がりを吸収
出来る。
件でプリベークすると膜厚的５μｍの塗布膜５が形成さ
れ、周辺部に高さ約２μｍの盛上がり部３を生じるが、
段差部６が約３μｍ低くなっているため盛上がりを吸収
出来る。
本実施例によれば、基板に塗布膜を回転塗布する際に基
板周辺に生じる盛上がりの影響がなくなり、密着露光時
における基板とホトマスクの密着性が良くなりパターン
解像性が向上し、微細加工が可能となる。
板周辺に生じる盛上がりの影響がなくなり、密着露光時
における基板とホトマスクの密着性が良くなりパターン
解像性が向上し、微細加工が可能となる。
実施例λ
基板１として第５図に示したように周辺のベレツト欠け
を生じるペレットを除去した下地基板を用いる。このよ
うな下地基板は最初のホトリン工程から、この目的に合
ったホトマスクを用いて作製する。
を生じるペレットを除去した下地基板を用いる。このよ
うな下地基板は最初のホトリン工程から、この目的に合
ったホトマスクを用いて作製する。
次に基板１の表面に第６図に示すように塗布膜として、
例えば感光性ポリイミド材ｐｈｏｔｏ ＰＡＬｌｏｏｏ
（商品名１日立化成社製）を４０００ｒｐｍ。
例えば感光性ポリイミド材ｐｈｏｔｏ ＰＡＬｌｏｏｏ
（商品名１日立化成社製）を４０００ｒｐｍ。
３０秒の条件で回転塗布し、これを８５℃、２０分の条
件でプリベークすると膜厚的５μｍの塗布膜５が形成さ
れ、周辺部に高さ約２μｍの盛上がり部３を生じるが、
段差部６が約６μｍ低くなっているため盛上がりを吸収
出来る。
件でプリベークすると膜厚的５μｍの塗布膜５が形成さ
れ、周辺部に高さ約２μｍの盛上がり部３を生じるが、
段差部６が約６μｍ低くなっているため盛上がりを吸収
出来る。
本実施例によれば、基板に塗布膜を回転塗布する際に基
板周辺に生じる盛上がりの影響がなくなり、密着露光時
における基板とホトマスクの密着性が良くなり、パター
ン解像性が向上し、微細加工が可能となる。しかも、基
板周辺で最初から除去するペレットは形成したとしても
ペレット欠けを生じて製品とならないものであり、歩留
りの低下の心配はなく、しかも、不良ペレット混入の可
能性も少なくなる効果もある。
板周辺に生じる盛上がりの影響がなくなり、密着露光時
における基板とホトマスクの密着性が良くなり、パター
ン解像性が向上し、微細加工が可能となる。しかも、基
板周辺で最初から除去するペレットは形成したとしても
ペレット欠けを生じて製品とならないものであり、歩留
りの低下の心配はなく、しかも、不良ペレット混入の可
能性も少なくなる効果もある。
なお実施例では感光性ポリイミド材料を回転塗布する場
合を想定したが、材料は有機材料に限らず、塗布方法も
回転塗布に限定するものではない。
合を想定したが、材料は有機材料に限らず、塗布方法も
回転塗布に限定するものではない。
本ゝ発明によれば、基板のコストｕｐ々しに、半導体等
の微細加工が可能となり、製品歩留シの向上及び不良品
混入をなくす効果がある。
の微細加工が可能となり、製品歩留シの向上及び不良品
混入をなくす効果がある。
第１図は従来例の断面図及びその部分拡大図、第２図は
公知例の断面図及びその部分拡大図である。第３図は本
発明の実施列１の平面図及びその部分拡大図、第４図は
第３図の断面図及びその部分拡大図である。 第５図は本発明の実施例２の平面図及びその部分拡大図
、第６図は第５図の断面図及びその部分拡大図である。 １・・・・・・基板 ６・・・・・・盛上がり部 ５・・・・・・塗布膜 ６・・・・・・段差部 ７・・・・・・ペレット □Ｎ。 ｌ＼ 代理人 弁理士 小川勝勇、 ２．１ 第 １ 図 （α）（ｂ） 児 ２図 Ｃ（１）（ｂ） ５；ゲ操蛎 ６：！Ｌゑ酔 第 ８図 （へ）（ｂ） 第４図 （へ）（ｂ） ５；１４眼 ６．杖先部 第 ５１￥］ （α） （ｂ） １ −１ ’）ｐＦｌ＝、 ｚｏ ；１ミ
引）’Ｉ：１３ 、 盛り上か′す９ ４− 面）
、°）苦い第 ６図 （α）（ｂ） １ ： 」ト 本５．． ２
： Ｊ！’（８旨 Ａ臭３、益すヱがり吉Ｐ ４
：面瓶り害曾手続補正書（自発） 事件の表示 昭和 ６１ 年特許願第 １７１５５５号発明の名称
塗布膜の形成方法 補正をする者 １１件との関係 特 許 出 願 人名 称
’５１０１株式会リ 日す 立 衷 作所代
理 人 補正の内容 １、 明細書第２頁、第１０行目の「第１図」を、「第
５図」に訂正する。 ２ 明細書第２頁、第１１行目の「第２図」を、「第６
図」に訂正する。 五 明細書第３頁、第１１行目の「第３図ないし第６図
」を、「第１図ないし第４図Ｊに訂正する。 ４、 明細書第３頁、第１４行目の「第３図」を、「第
１図」に訂正する。 １ 明細書第３頁、第１８行目の「ホトリン」を礒。 「ホトリソ」Ｋ訂正する。 ＆ 明細書第３頁、第２０行目の「第４図」を、「第２
図」に訂正する。 ７、 明細書第４頁、第１ 行［’） ＩＰ”ＯｔＯ
ＰＡＬ／Ｊヲ。 ｇＦｉｏｉｏ −ＰＡＬ Ｊ Ｋ ’ＥＴ 正する。 ＆ 明細書第４頁、第１４行目の「第５図」を、「第６
図」に訂正する。 ９ 明細書第４頁、第１６行目の「ホトリン」を、「ホ
トリソ」に訂正する。 １［Ｌ 明細書第４頁、第１９行目の「第６図」を、
「第４図」に訂正する。 １１、明細書第４頁、第２０行の臣んｏｔｏ ｐ厄」を
、Ｌ；、／’Ａ ｏ ｔ ｏ−ＰＡＬ Ｊに訂正する。 １２、明細書第６頁、第４行目から第１１行目を、以下
のように訂正する。 「第１図は本発明の実施例１の平面図及びその部分拡大
図、第２図は第１図の断面図及びその部分拡大図、第３
図は本発明の実施例２の平面図及びその部分拡大図、第
４図は第３図の断面図及びその部分拡大図、第５図は従
来例の断面図及びその拡大図、第６図は公知例の断面図
及びその部分拡大図である。」 以 上
公知例の断面図及びその部分拡大図である。第３図は本
発明の実施列１の平面図及びその部分拡大図、第４図は
第３図の断面図及びその部分拡大図である。 第５図は本発明の実施例２の平面図及びその部分拡大図
、第６図は第５図の断面図及びその部分拡大図である。 １・・・・・・基板 ６・・・・・・盛上がり部 ５・・・・・・塗布膜 ６・・・・・・段差部 ７・・・・・・ペレット □Ｎ。 ｌ＼ 代理人 弁理士 小川勝勇、 ２．１ 第 １ 図 （α）（ｂ） 児 ２図 Ｃ（１）（ｂ） ５；ゲ操蛎 ６：！Ｌゑ酔 第 ８図 （へ）（ｂ） 第４図 （へ）（ｂ） ５；１４眼 ６．杖先部 第 ５１￥］ （α） （ｂ） １ −１ ’）ｐＦｌ＝、 ｚｏ ；１ミ
引）’Ｉ：１３ 、 盛り上か′す９ ４− 面）
、°）苦い第 ６図 （α）（ｂ） １ ： 」ト 本５．． ２
： Ｊ！’（８旨 Ａ臭３、益すヱがり吉Ｐ ４
：面瓶り害曾手続補正書（自発） 事件の表示 昭和 ６１ 年特許願第 １７１５５５号発明の名称
塗布膜の形成方法 補正をする者 １１件との関係 特 許 出 願 人名 称
’５１０１株式会リ 日す 立 衷 作所代
理 人 補正の内容 １、 明細書第２頁、第１０行目の「第１図」を、「第
５図」に訂正する。 ２ 明細書第２頁、第１１行目の「第２図」を、「第６
図」に訂正する。 五 明細書第３頁、第１１行目の「第３図ないし第６図
」を、「第１図ないし第４図Ｊに訂正する。 ４、 明細書第３頁、第１４行目の「第３図」を、「第
１図」に訂正する。 １ 明細書第３頁、第１８行目の「ホトリン」を礒。 「ホトリソ」Ｋ訂正する。 ＆ 明細書第３頁、第２０行目の「第４図」を、「第２
図」に訂正する。 ７、 明細書第４頁、第１ 行［’） ＩＰ”ＯｔＯ
ＰＡＬ／Ｊヲ。 ｇＦｉｏｉｏ −ＰＡＬ Ｊ Ｋ ’ＥＴ 正する。 ＆ 明細書第４頁、第１４行目の「第５図」を、「第６
図」に訂正する。 ９ 明細書第４頁、第１６行目の「ホトリン」を、「ホ
トリソ」に訂正する。 １［Ｌ 明細書第４頁、第１９行目の「第６図」を、
「第４図」に訂正する。 １１、明細書第４頁、第２０行の臣んｏｔｏ ｐ厄」を
、Ｌ；、／’Ａ ｏ ｔ ｏ−ＰＡＬ Ｊに訂正する。 １２、明細書第６頁、第４行目から第１１行目を、以下
のように訂正する。 「第１図は本発明の実施例１の平面図及びその部分拡大
図、第２図は第１図の断面図及びその部分拡大図、第３
図は本発明の実施例２の平面図及びその部分拡大図、第
４図は第３図の断面図及びその部分拡大図、第５図は従
来例の断面図及びその拡大図、第６図は公知例の断面図
及びその部分拡大図である。」 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体その他電子部品などの製造に際して、素子を
分割するための分割溝を有する基板において、基板周辺
の所定の範囲に段差を設け、この基板の被膜形成面に被
膜溶液を塗布したのちに硬化処理して被膜を形成するこ
とを特徴とする塗布膜の形成方法。 ２、基板周辺の素子欠けを生じる部分のみに段差を設け
ることを特徴とする特許請求範囲１項の塗布膜の形成方
法。 ３、基板周辺の所定の範囲に最初の製造工程から素子を
形成せずに分割溝と同じ深さの平面部を形成することを
特徴とする特許請求範囲１項及び２項の塗布膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171535A JPS6329509A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 塗布膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171535A JPS6329509A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 塗布膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329509A true JPS6329509A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15924923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61171535A Pending JPS6329509A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 塗布膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9513551B2 (en) | 2009-01-29 | 2016-12-06 | Digiflex Ltd. | Process for producing a photomask on a photopolymeric surface |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61171535A patent/JPS6329509A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9513551B2 (en) | 2009-01-29 | 2016-12-06 | Digiflex Ltd. | Process for producing a photomask on a photopolymeric surface |
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