JPS63295175A - ウエハ研摩装置 - Google Patents
ウエハ研摩装置Info
- Publication number
- JPS63295175A JPS63295175A JP62130772A JP13077287A JPS63295175A JP S63295175 A JPS63295175 A JP S63295175A JP 62130772 A JP62130772 A JP 62130772A JP 13077287 A JP13077287 A JP 13077287A JP S63295175 A JPS63295175 A JP S63295175A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- polishing
- cloth
- annular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体単結晶ウェハの研摩における平坦度の悪
化を防止する研摩装置に関するものである。
化を防止する研摩装置に関するものである。
一般にウェハの両面鏡面研摩は第４図（イ）（ロ）に示
す両面研摩装置で行なう。これは外周に歯車を形成した
円板状キャリア（１０）の円板側面に中心より等距離に
複数の貫通穴（１１）を設け、該貫通穴（１１）に上下
方向に研摩面をもつウェハ（１２）を取り付け、該キャ
リア（１０）をサンギヤ（１３）に外接させかつインタ
ーナルギヤ（１４）に内接させ、これらギヤ（１３）
（１４）を回転させることによりキャリア（１０）をサ
ンギヤ（１３）の回りに公転させながら自転させキャリ
ア（１０）の公転により掃く円環状の面に該キャリア（
１０）を上下から研摩布（１５）（１５）を貼着した円
環状の定盤（１）（２）により挟持してウェハ（１２）
の上下両面を該面に接触する研摩布（１５）（１５）に
より機械的に研摩し、かつ同時に上定盤（１）に穿設し
た研摩液供給穴（１６）より食刻又は腐食作用をもつ研
摩液を供給して化学研摩を施すものである。上記機械的
及び化学的研摩により表面状態の良好な鏡面ウェハが得
られる。
す両面研摩装置で行なう。これは外周に歯車を形成した
円板状キャリア（１０）の円板側面に中心より等距離に
複数の貫通穴（１１）を設け、該貫通穴（１１）に上下
方向に研摩面をもつウェハ（１２）を取り付け、該キャ
リア（１０）をサンギヤ（１３）に外接させかつインタ
ーナルギヤ（１４）に内接させ、これらギヤ（１３）
（１４）を回転させることによりキャリア（１０）をサ
ンギヤ（１３）の回りに公転させながら自転させキャリ
ア（１０）の公転により掃く円環状の面に該キャリア（
１０）を上下から研摩布（１５）（１５）を貼着した円
環状の定盤（１）（２）により挟持してウェハ（１２）
の上下両面を該面に接触する研摩布（１５）（１５）に
より機械的に研摩し、かつ同時に上定盤（１）に穿設し
た研摩液供給穴（１６）より食刻又は腐食作用をもつ研
摩液を供給して化学研摩を施すものである。上記機械的
及び化学的研摩により表面状態の良好な鏡面ウェハが得
られる。
従来の装置において研摩布は通常上記の如く円環状定盤
の全面に一定厚さのものが用いられる。ところが一般に
このような研摩布で研摩し鏡面に仕上ったウェハは周縁
近傍で縁だれを生じ中心部が周囲に比べて厚い凸状にな
ってしまう。この平坦度の悪いウェハはＩＣパターンを
形成する上で不良の原因となるため改善する必要があっ
た。
の全面に一定厚さのものが用いられる。ところが一般に
このような研摩布で研摩し鏡面に仕上ったウェハは周縁
近傍で縁だれを生じ中心部が周囲に比べて厚い凸状にな
ってしまう。この平坦度の悪いウェハはＩＣパターンを
形成する上で不良の原因となるため改善する必要があっ
た。
Ｃ問題点を解決するための手段）
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、ウェハ各点の研摩
間はそれぞれの点でのウェハと研摩イ「どの摩ｆｆ［に
比例することを知見し、ざらに従来の研摩装置において
ウェハの周縁部と中心部とが円環状の研摩布の半径方向
の各部とどのような大きざの摩１ｍを有するかを計算し
て第５図に示した。なお第５図の横軸は上定盤に固定し
た研摩布の該定盤の内径側から半径方向に外径側へ測っ
た位置、縦軸は相対的な摩擦損を示し、折れ線（Ａ）は
ウェハ中心部、折れ線（８）はウェハ周縁部を示す。第
５図から明らかなようにウェハの周縁部は研摩布の中央
部での摩擦が大きいためにウェハの研摩量も大きく、ま
たウェハの中心部は逆に研摩布の中央部での摩擦は小さ
く、従って研摩量も小さいことが判り、ざらに検討の結
果、ウェハ周縁部の研摩量を小ざくしてウェハ研摩面の
平坦度を向上させたもので、インターナルギヤとサンギ
ヤにより該サンギヤの周囲を公転しながら自転する遊星
歯車上のキャリア側面に中心より等距離に複数個の貫通
穴を設けて両側面に研摩する面を露出させたウェハを取
付け、キャリアの両側面を研摩布を貼着した定盤により
挟持してウェハの両面を研摩する円環状の摩擦面を形成
し、該両面を機械研摩と同時に化学研摩する装置におい
て、上記円環状研摩面の中央部を円環状に非研摩面又は
研摩力の弱い面とすることを特徴とするものであり、円
環状研摩面の中央部を円環状に研摩イ５を設けず、また
該中央部の研摩布断面形状を凹状とし、さらに該中央部
に円環状で研摩力の弱い研摩布を貼着するものである。
間はそれぞれの点でのウェハと研摩イ「どの摩ｆｆ［に
比例することを知見し、ざらに従来の研摩装置において
ウェハの周縁部と中心部とが円環状の研摩布の半径方向
の各部とどのような大きざの摩１ｍを有するかを計算し
て第５図に示した。なお第５図の横軸は上定盤に固定し
た研摩布の該定盤の内径側から半径方向に外径側へ測っ
た位置、縦軸は相対的な摩擦損を示し、折れ線（Ａ）は
ウェハ中心部、折れ線（８）はウェハ周縁部を示す。第
５図から明らかなようにウェハの周縁部は研摩布の中央
部での摩擦が大きいためにウェハの研摩量も大きく、ま
たウェハの中心部は逆に研摩布の中央部での摩擦は小さ
く、従って研摩量も小さいことが判り、ざらに検討の結
果、ウェハ周縁部の研摩量を小ざくしてウェハ研摩面の
平坦度を向上させたもので、インターナルギヤとサンギ
ヤにより該サンギヤの周囲を公転しながら自転する遊星
歯車上のキャリア側面に中心より等距離に複数個の貫通
穴を設けて両側面に研摩する面を露出させたウェハを取
付け、キャリアの両側面を研摩布を貼着した定盤により
挟持してウェハの両面を研摩する円環状の摩擦面を形成
し、該両面を機械研摩と同時に化学研摩する装置におい
て、上記円環状研摩面の中央部を円環状に非研摩面又は
研摩力の弱い面とすることを特徴とするものであり、円
環状研摩面の中央部を円環状に研摩イ５を設けず、また
該中央部の研摩布断面形状を凹状とし、さらに該中央部
に円環状で研摩力の弱い研摩布を貼着するものである。
（作 用〕
円環状研摩面の中央部を円環状に非研摩面又は研摩力の
弱い面とするのは上記のようにウェハ周縁部と研摩布と
の摩擦を小さくすることによって該周縁部での研摩量を
小さくし、かつウェハ中心部と研摩布との摩擦を大きく
することによって該中心部での研摩布を大きくするため
であり、こうすることによってウェハ研摩面の平坦度を
向上させることができる。
弱い面とするのは上記のようにウェハ周縁部と研摩布と
の摩擦を小さくすることによって該周縁部での研摩量を
小さくし、かつウェハ中心部と研摩布との摩擦を大きく
することによって該中心部での研摩布を大きくするため
であり、こうすることによってウェハ研摩面の平坦度を
向上させることができる。
（実施例〕
次に本発明の一実施例について説明する。
実施例（１）
第１図（イ） （ロ）に示すように円環状の上下定盤（
１）（２）の中央部に円環状に無研摩布領域（３）を設
ける。即ち第５図に示すように定盤の内径側から外径側
に測った距離で１１と１２との間およびｉ３と１４との
間にのみ研摩布（４）（５）を貼着し、ウェハの中心部
が大きく研摩される部分には研摩布を残し、ウェハの周
縁部が大きく研摩される部分の研摩布は除去する。この
ような研摩面をもつ定盤（１）（２）を用いた研摩装置
によりウェハを研摩し縁だれのない良好な鏡面を得るこ
とができた。
１）（２）の中央部に円環状に無研摩布領域（３）を設
ける。即ち第５図に示すように定盤の内径側から外径側
に測った距離で１１と１２との間およびｉ３と１４との
間にのみ研摩布（４）（５）を貼着し、ウェハの中心部
が大きく研摩される部分には研摩布を残し、ウェハの周
縁部が大きく研摩される部分の研摩布は除去する。この
ような研摩面をもつ定盤（１）（２）を用いた研摩装置
によりウェハを研摩し縁だれのない良好な鏡面を得るこ
とができた。
実施例（２）
第２図に示すように円環状の上下定盤（１）（２）に断
面中央部が滑らかな凹状をなした円環状の研摩布（６）
を貼着する。即ち実施例（１）と同様に定盤の内径面か
ら外径面に測った距離で１１と１２との間および１３と
１４との間の研摩イ［を盛り上げることで中央部を凹状
としている。
面中央部が滑らかな凹状をなした円環状の研摩布（６）
を貼着する。即ち実施例（１）と同様に定盤の内径面か
ら外径面に測った距離で１１と１２との間および１３と
１４との間の研摩イ［を盛り上げることで中央部を凹状
としている。
このような研摩面をもつ定盤（１）（２）を用いてウェ
ハを研摩したところ、縁だれを生じていない鏡面を得る
ことができた。
ハを研摩したところ、縁だれを生じていない鏡面を得る
ことができた。
実施例（３）
第３図に示すように円環状の上下定盤（１）（２）の内
径側から外径側に測った距離で１３と１４との間に最も
研摩力の強い研摩布（７）を円環状に貼着し、１１と１
２との間にこれよりも弱い研摩力をもつ研摩布（８）を
円環状に貼着し、さらに１２と１３との間および最内周
と最外周に最も研摩力の弱い研摩布（９）をいずれも円
環状に貼着する。このような研摩面をもつ定盤（１）（
２）を用いた研摩装置によりウェハを研摩して縁だれの
ない良好な鏡面を得ることができた。
径側から外径側に測った距離で１３と１４との間に最も
研摩力の強い研摩布（７）を円環状に貼着し、１１と１
２との間にこれよりも弱い研摩力をもつ研摩布（８）を
円環状に貼着し、さらに１２と１３との間および最内周
と最外周に最も研摩力の弱い研摩布（９）をいずれも円
環状に貼着する。このような研摩面をもつ定盤（１）（
２）を用いた研摩装置によりウェハを研摩して縁だれの
ない良好な鏡面を得ることができた。
このように本発明によれば高精度の平坦度を有するウェ
ハの研摩が可能となり、高品質のＩＣパターンを形成で
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
ハの研摩が可能となり、高品質のＩＣパターンを形成で
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
第１図（イ）（ロ）は本発明の一実施例を示すもので（
イ）は平面図、（ロ）は（イ）のｘ−ｘ’線断面図、第
２図及び第３図は本発明の他の実施例を示すそれぞれ断
面図、第４図（イ）（ロ）はウェハ研摩装置を示すもの
で（イ）は説明図、（ロ）は（イ）のＹ−Ｙ’線断面図
、第５図はウェハの周縁部と中心部とが円環状定盤の半
径方向での研摩布の各部分と生ずる摩擦量を示した関係
図である。 １・・・上定盤 ２・・・下定盤 ３・・・無研摩布領域 ４．５，６，７，８，９．１５・・・研摩布１０・・・
円板状キャリア １１・・・貫通穴 １２・・・ウェハ １３・・・サンギヤ １４・・・インターナルギヤ １６・・・研摩液供給穴 Ａ・・・ウェハ中心部 Ｂ・・・ウェハ周縁部 第１図（イ） 第２図 第３図 ＩＪｊ＋に２８ ｒａ Ｏ１＋ ／２ ム！４
第４図（イ） 第５図
イ）は平面図、（ロ）は（イ）のｘ−ｘ’線断面図、第
２図及び第３図は本発明の他の実施例を示すそれぞれ断
面図、第４図（イ）（ロ）はウェハ研摩装置を示すもの
で（イ）は説明図、（ロ）は（イ）のＹ−Ｙ’線断面図
、第５図はウェハの周縁部と中心部とが円環状定盤の半
径方向での研摩布の各部分と生ずる摩擦量を示した関係
図である。 １・・・上定盤 ２・・・下定盤 ３・・・無研摩布領域 ４．５，６，７，８，９．１５・・・研摩布１０・・・
円板状キャリア １１・・・貫通穴 １２・・・ウェハ １３・・・サンギヤ １４・・・インターナルギヤ １６・・・研摩液供給穴 Ａ・・・ウェハ中心部 Ｂ・・・ウェハ周縁部 第１図（イ） 第２図 第３図 ＩＪｊ＋に２８ ｒａ Ｏ１＋ ／２ ム！４
第４図（イ） 第５図
Claims (4)
- （１）インターナルギヤとサンギヤにより該サンギヤの
周囲を公転しながら自転する遊星歯車状のキャリア側面
に中心より等距離に複数個の貫通穴を設けて両側面に研
摩する面を露出させたウエハを取付け、キャリアの両側
面を研摩布を貼着した定盤により挟持してウエハの両面
を研摩する円環状の研摩面を形成し、該両面を機械研摩
と同時に化学研摩する装置において上記円環状の研摩面
の中央部を円環状に非研摩面又は研摩力の弱い面とする
ことを特徴とするウエハ研摩装置。 - （２）円環状研摩面の中央部に円環状に研摩布を設けな
い特許請求の範囲第（１）項記載のウエハ研摩装置。 - （３）円環状研摩面の中央部の研摩布断面形状を凹状と
する特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載の
ウエハ研摩装置。 - （４）円環状研摩面の中央部に円環状で研摩力の弱い研
摩布を貼着する特許請求の範囲第（１）項、第（２）項
または第（３）項記載のウエハ研摩装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62130772A JP2593474B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ウエハ研摩装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62130772A JP2593474B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ウエハ研摩装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295175A true JPS63295175A (ja) | 1988-12-01 |
| JP2593474B2 JP2593474B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=15042298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62130772A Expired - Lifetime JP2593474B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ウエハ研摩装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2593474B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015058501A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 日本電気硝子株式会社 | ワークの研磨装置及びワークの製造方法 |
| CN116175399A (zh) * | 2023-02-10 | 2023-05-30 | 无锡吴越半导体有限公司 | 一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮及装置 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62130772A patent/JP2593474B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015058501A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 日本電気硝子株式会社 | ワークの研磨装置及びワークの製造方法 |
| CN116175399A (zh) * | 2023-02-10 | 2023-05-30 | 无锡吴越半导体有限公司 | 一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2593474B2 (ja) | 1997-03-26 |
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