JPS63299510A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
- Publication number
- JPS63299510A JPS63299510A JP62135101A JP13510187A JPS63299510A JP S63299510 A JPS63299510 A JP S63299510A JP 62135101 A JP62135101 A JP 62135101A JP 13510187 A JP13510187 A JP 13510187A JP S63299510 A JPS63299510 A JP S63299510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- variable capacitance
- phase shifter
- capacitance diode
- inductance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、広範囲な位相可変が可能な移相器に関するも
のであり、特に高周波用移相器として有効なものである
。
のであり、特に高周波用移相器として有効なものである
。
従来の技術
第６図は、従来の一般的な移相器の溝底例を示すもので
あり、図ａは相互インダクタンス結合による複同調回路
で構成された移相器、図すは容量結合による複同調回路
で構成された移相器の各々−例を示す。なお、本説明図
において、同じ作用をする素子には同一の符号をつける
ことにする。
あり、図ａは相互インダクタンス結合による複同調回路
で構成された移相器、図すは容量結合による複同調回路
で構成された移相器の各々−例を示す。なお、本説明図
において、同じ作用をする素子には同一の符号をつける
ことにする。
第１図ａでは、中間タップ付インダクタンスＬ、。
容量Ｃ１，可変容量ダイオードＤ１ で形成される第１
の同調回路と、中間タップ付インダクタンスＬ２．容量
Ｃ２，可変容量ダイオードＤ２ で形成される第２の同
調回路が相互インダクタンスＭにより結合され、複同調
回路を形成している。入力端子１とり、の中間タップと
の間に結合容量Ｃ３゜出力端子２とＬ２の中間タップと
の間に結合容量Ｃ４が各々接続されている。又、制御電
圧端子３より抵抗Ｒ４およびＲ２を介して、各々の可変
容量ダイオードへ制御電圧を印加する構成になっている
。
の同調回路と、中間タップ付インダクタンスＬ２．容量
Ｃ２，可変容量ダイオードＤ２ で形成される第２の同
調回路が相互インダクタンスＭにより結合され、複同調
回路を形成している。入力端子１とり、の中間タップと
の間に結合容量Ｃ３゜出力端子２とＬ２の中間タップと
の間に結合容量Ｃ４が各々接続されている。又、制御電
圧端子３より抵抗Ｒ４およびＲ２を介して、各々の可変
容量ダイオードへ制御電圧を印加する構成になっている
。
第５図すにおいて、同図ａと異なっている点はり、、Ｃ
，、Ｄ、 による第１の同調回路と、Ｌ２゜Ｃ２，Ｄ２
による第２の同調回路が結合容量Ｃ５によって結合され
複同調回路を形成していることである。
，、Ｄ、 による第１の同調回路と、Ｌ２゜Ｃ２，Ｄ２
による第２の同調回路が結合容量Ｃ５によって結合され
複同調回路を形成していることである。
上記の従来例とも、広帯域な複同調回路を形成し、可変
容量ダイオードＤ１．Ｄ２の容量を可変して、同調周波
数を可変させることにより、ある周波数の点での位相が
変化するようになる。
容量ダイオードＤ１．Ｄ２の容量を可変して、同調周波
数を可変させることにより、ある周波数の点での位相が
変化するようになる。
発明が解決しようとする問題点
従来例の構成のような移相器の問題点をあげる。
第１に、第６図ａ、ｂの移相器とも、広帯域に低挿入損
の複同調回路を構成することが困難であること、第２に
、特に相互インダクタンス結合による複同調回路では、
Ｍの値がばらつくため、入出力間の位相遅れにバラツキ
が生じやすく不安定になること、第３に、両従来例とも
回路構成が若干複雑であるため（実装状態も含めて）、
入出力間の位相遅れにバラツキが生じやすいこと、など
があげられる。特にこれらの問題は高周波帯になるほど
大きくなってくる。
の複同調回路を構成することが困難であること、第２に
、特に相互インダクタンス結合による複同調回路では、
Ｍの値がばらつくため、入出力間の位相遅れにバラツキ
が生じやすく不安定になること、第３に、両従来例とも
回路構成が若干複雑であるため（実装状態も含めて）、
入出力間の位相遅れにバラツキが生じやすいこと、など
があげられる。特にこれらの問題は高周波帯になるほど
大きくなってくる。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、第１および第２の
中間タップ付インダクタンス素子の各々の一方の端子を
接地し、各々の他方の端子に第１および第２の可変容量
ダイオードのアノード端子を接続し、第１および第２の
可変容量ダイオードのカソード端子に第３の可変容量ダ
イオードのカソード端子を接続し、第３の可変容量ダイ
オードのアノード端子を接地し、前記第１．第２．第３
の可変容量ダイオードのカソード端子を電圧制御端子を
接続し、前記第１および第２のインダクタンス素子の中
間タップに結合容量を介して、入出力端子を接続するも
のである。
中間タップ付インダクタンス素子の各々の一方の端子を
接地し、各々の他方の端子に第１および第２の可変容量
ダイオードのアノード端子を接続し、第１および第２の
可変容量ダイオードのカソード端子に第３の可変容量ダ
イオードのカソード端子を接続し、第３の可変容量ダイ
オードのアノード端子を接地し、前記第１．第２．第３
の可変容量ダイオードのカソード端子を電圧制御端子を
接続し、前記第１および第２のインダクタンス素子の中
間タップに結合容量を介して、入出力端子を接続するも
のである。
作用
本発明は上記した構成により、２つの可変容量ダイオー
ドのカソード端子と接地端子の間に可変容量ダイオード
を接続することにより、より簡単な構成で、容量結合型
の広帯域な複同調回路を有する移相器を実現できる。
ドのカソード端子と接地端子の間に可変容量ダイオード
を接続することにより、より簡単な構成で、容量結合型
の広帯域な複同調回路を有する移相器を実現できる。
実施例
第１図は本発明の移相器の基本回路構成を示す。
第１の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子Ｌ１
．可変容量ダイオードＤ１．及びＤ３ で形成され、第
２の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子Ｌ２．
可変容量ダイオードＤ２．及びＤ５で形成されている。
．可変容量ダイオードＤ１．及びＤ３ で形成され、第
２の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子Ｌ２．
可変容量ダイオードＤ２．及びＤ５で形成されている。
２つの同調回路は共通の可変容量ダイオードＤ５で容量
結合され、広帯域な複同調回路を形成している。入力端
子１とり。
結合され、広帯域な複同調回路を形成している。入力端
子１とり。
の中間タップ間に結合容量Ｃ３が、出力端子２とＬ２の
中間タップ間に結合容量Ｃ４が接続され、可変容量ダイ
オードＤ、、Ｄ２の各々のカソード端子には高抵抗Ｒ５
を介して制御電圧端子３より制御電圧が印加され、各々
の可変容量ダイオードの容量が可変されることにより、
広帯域な複同調回路の同調周波数が変化し、ある周波数
の点での位相が広範囲に可変される。ここで、結合容量
は可変ダイオードで構成する事により、比帯域がほぼ一
定な可変同調回路を形成できるので、広範囲に位相の直
線性が良好になり、挿入損も一定になる事が特徴である
。
中間タップ間に結合容量Ｃ４が接続され、可変容量ダイ
オードＤ、、Ｄ２の各々のカソード端子には高抵抗Ｒ５
を介して制御電圧端子３より制御電圧が印加され、各々
の可変容量ダイオードの容量が可変されることにより、
広帯域な複同調回路の同調周波数が変化し、ある周波数
の点での位相が広範囲に可変される。ここで、結合容量
は可変ダイオードで構成する事により、比帯域がほぼ一
定な可変同調回路を形成できるので、広範囲に位相の直
線性が良好になり、挿入損も一定になる事が特徴である
。
次に第２図、第３図に、本発明にょる移相器の具体的な
実施例を示して説明する。
実施例を示して説明する。
第２図は片面基板による本発明の移相器の一実施例を示
し、同図ａは裏面図、ｂは側面図、Ｃは表面図を示す。
し、同図ａは裏面図、ｂは側面図、Ｃは表面図を示す。
図のように片面基板４の表面から中間タップ付インダク
タンス素子り、、Ｌ２ として金属棒を挿入し、裏面に
は、第１図の基本回路で示した各素子をチヮプ部品を使
用して実装している。第１図で示した各素子の符号は各
々対応している。６はグランドパターンを示し、１．２
は各々入出力端子、３は制御電圧端子、Ｃ６は接地容量
を示す。
タンス素子り、、Ｌ２ として金属棒を挿入し、裏面に
は、第１図の基本回路で示した各素子をチヮプ部品を使
用して実装している。第１図で示した各素子の符号は各
々対応している。６はグランドパターンを示し、１．２
は各々入出力端子、３は制御電圧端子、Ｃ６は接地容量
を示す。
第３図は両面基板による本発明の移相器の一実施例を示
し、同図ａは表面図、ｂは側面図を示す。
し、同図ａは表面図、ｂは側面図を示す。
図のように、両面基板６の裏面は全面グランドパターン
７になっており、表面に第２図の基本回路で示した各素
子が千ノブ部品を使用して実装されている。ここでの特
徴は、中間タップ付インダクタンス素子を、第３図のよ
うにストリップライン型インダクタンスとして形成して
いることである。
７になっており、表面に第２図の基本回路で示した各素
子が千ノブ部品を使用して実装されている。ここでの特
徴は、中間タップ付インダクタンス素子を、第３図のよ
うにストリップライン型インダクタンスとして形成して
いることである。
第２図、第３図で示した中間タップ付インダクタンスは
一例であり、その他にも面積を小さくするためにジグザ
グのインダクタンスとして実装してもよい。
一例であり、その他にも面積を小さくするためにジグザ
グのインダクタンスとして実装してもよい。
第４図は、第２図で示した本発明の実施例による移相器
の特性を示す。定数としては、Ｌ、、Ｌ２は直径１．０
鵡、長さ約３ｏ鵡の金属棒、Ｃ３＝Ｃ４は２２ＰＦ、
Ｄ、 、 ｆ）２． Ｄ、はＭム３３４、などを使用
した場合の５００ＭＨｚ帯における位相９、挿入損１ｏ
の特性を示す。位相については、約１ｓ Ｏ”／１．５
〜１１．５Ｖ、挿入損については１．５〜３．０ ｄＢ
７１．５〜１１．５ Ｖと、広範囲に直線性良好で、低
挿入損の特性が得られている。又、上記範囲内での入出
カリターンロスも７ｄＢ以上が得られている。
の特性を示す。定数としては、Ｌ、、Ｌ２は直径１．０
鵡、長さ約３ｏ鵡の金属棒、Ｃ３＝Ｃ４は２２ＰＦ、
Ｄ、 、 ｆ）２． Ｄ、はＭム３３４、などを使用
した場合の５００ＭＨｚ帯における位相９、挿入損１ｏ
の特性を示す。位相については、約１ｓ Ｏ”／１．５
〜１１．５Ｖ、挿入損については１．５〜３．０ ｄＢ
７１．５〜１１．５ Ｖと、広範囲に直線性良好で、低
挿入損の特性が得られている。又、上記範囲内での入出
カリターンロスも７ｄＢ以上が得られている。
第３図で示しだ本発明による実施例の特性もほぼ同等の
ものが得られている。
ものが得られている。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように、本発明によると次の
ような効果がある。
ような効果がある。
（１）２つの中間タップ付インダクタンス素子の各各の
一方の端子を接地し、各々の開放端子側に可変容量ダイ
オードのアノード端子を接続し、カソード端子同志と、
接地端子間に可変容量ダイオードによる結合容量を接続
し、カソード端子は電圧制御端子、インダクタンス素子
の中間タップは結合容量を介して入力端子、または出力
端子に接続することにより、簡単な回路構成で、低損失
で直線性良好な位相の広範囲可変が可能な移相器を実現
できる。
一方の端子を接地し、各々の開放端子側に可変容量ダイ
オードのアノード端子を接続し、カソード端子同志と、
接地端子間に可変容量ダイオードによる結合容量を接続
し、カソード端子は電圧制御端子、インダクタンス素子
の中間タップは結合容量を介して入力端子、または出力
端子に接続することにより、簡単な回路構成で、低損失
で直線性良好な位相の広範囲可変が可能な移相器を実現
できる。
（２）実施例のごとく中間タップ付インダクタンス素子
として金属棒を用い、基板面にそって配置する実装構造
にすることにより、Ｖ結合が少なく、Ｑが高い移相器が
実現でき、位相バラツキが少なく、低損失のものとなる
。
として金属棒を用い、基板面にそって配置する実装構造
にすることにより、Ｖ結合が少なく、Ｑが高い移相器が
実現でき、位相バラツキが少なく、低損失のものとなる
。
（３）実施例のごとく中間タップ付インダクタンス素子
を、基板の裏面がグランドプレーンとした表面上に、ス
トリップライン型インダクタンスを用いて構成すること
により、インダクタンスの値のバラツキが少なく、高周
波的に安定な移相器が実現できる。合わせて、小型化も
可能となる。
を、基板の裏面がグランドプレーンとした表面上に、ス
トリップライン型インダクタンスを用いて構成すること
により、インダクタンスの値のバラツキが少なく、高周
波的に安定な移相器が実現できる。合わせて、小型化も
可能となる。
第１図は本発明の一実施例による移相器の基本回路構成
１第２図ａ−ｃは片面基板による本発明の移相器の一実
施例を示す裏面図、側面図１表面図、第３図ａ、ｂは両
面基板による本発明の移相器の一実施例を示す表面図、
側面図、第４図は本発明による移相器の特性例を示す図
、第５図ａ。 ｂはともに従来の複同調型移相器の構成を示す回路図で
ある。 １・・・・・・入力端子、２・・・・・・出力端子、３
・・・・・・制御電圧端子、４・・・・・・片面基板、
６・・・・・・両面基板、Ｌ、、Ｌ２・・・・・・中間
夕・ンプ付インダクタンス素子、Ｃ１〜Ｃ６・・・・・
・容量、Ｒ１−Ｒ３・・・・・・抵抗、Ｄ、。 Ｄ２． Ｄ３・・・・・・可変容量ダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｉｌ＋御電ｒＬ浦子 第２図 第３図 第 ４ 図 ０ ２ ４ ６ ８ＩＱ
１２制瀞電７圧 （Ｖ）
１第２図ａ−ｃは片面基板による本発明の移相器の一実
施例を示す裏面図、側面図１表面図、第３図ａ、ｂは両
面基板による本発明の移相器の一実施例を示す表面図、
側面図、第４図は本発明による移相器の特性例を示す図
、第５図ａ。 ｂはともに従来の複同調型移相器の構成を示す回路図で
ある。 １・・・・・・入力端子、２・・・・・・出力端子、３
・・・・・・制御電圧端子、４・・・・・・片面基板、
６・・・・・・両面基板、Ｌ、、Ｌ２・・・・・・中間
夕・ンプ付インダクタンス素子、Ｃ１〜Ｃ６・・・・・
・容量、Ｒ１−Ｒ３・・・・・・抵抗、Ｄ、。 Ｄ２． Ｄ３・・・・・・可変容量ダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｉｌ＋御電ｒＬ浦子 第２図 第３図 第 ４ 図 ０ ２ ４ ６ ８ＩＱ
１２制瀞電７圧 （Ｖ）
Claims (3)
- （１）第１および第２の中間タップ付インダクタンス素
子の各々の一方の端子を接地し、各々の他方の端子に第
１および第２の可変容量ダイオードのアノード端子を接
続し、第１および第２の可変容量ダイオードのカソード
端子に第３の可変容量ダイオードのカソード端子を接続
し、第３の可変容量ダイオードのアノード端子を接地し
、前記第１、第２、第３の可変容量ダイオードのカソー
ド端子に電圧制御端子を接続し、前記第１および第２の
インダクタンス素子の中間タップには結合容量を介して
入力端子と出力端子の一方を接続した移相器。 - （２）中間タップ付インダクタンス素子として金属棒を
用い、回路基板面に配置した特許請求の範囲第１項記載
の移相器。 - （３）中間タップ付インダクタンス素子は、基板の裏面
がグランドプレーンとした表面上に、ストリップライン
型インダクタンスを設けて構成した特許請求の範囲第１
項記載の移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13510187A JP2506770B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13510187A JP2506770B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299510A true JPS63299510A (ja) | 1988-12-07 |
| JP2506770B2 JP2506770B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15143862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13510187A Expired - Fee Related JP2506770B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506770B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13510187A patent/JP2506770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2506770B2 (ja) | 1996-06-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |