JPS63300972A - P−n判定器 - Google Patents

P−n判定器

Info

Publication number
JPS63300972A
JPS63300972A JP13752387A JP13752387A JPS63300972A JP S63300972 A JPS63300972 A JP S63300972A JP 13752387 A JP13752387 A JP 13752387A JP 13752387 A JP13752387 A JP 13752387A JP S63300972 A JPS63300972 A JP S63300972A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact
type
measured
contactor
power source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13752387A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Hosokawa
細川 理彰
Junichi Kobayashi
順一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NAPUSON KK
Original Assignee
NAPUSON KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NAPUSON KK filed Critical NAPUSON KK
Priority to JP13752387A priority Critical patent/JPS63300972A/ja
Publication of JPS63300972A publication Critical patent/JPS63300972A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、シリコンウェハーやシリコン単結晶棒のP−
N判定を簡単且つ確実に行う事の出来るP−N判定器の
改良に関する。
(従来技術とその問題点) 従来のP−N判定器(^2.コ・・・)は、シリコン単
結晶に第1接触子(TI)である金属ビンをポイント接
触させ、同時に第2接触子(T、)をオーミックコンタ
クトさせた時に発生するショットキー効果を利用したも
ので、整流式、熱電式、ホール効果を利用した方式など
各種のものが有り、それぞれの特徴に応じて使い分けが
なされている。第4図は整流式P−N判定器(^2)の
原理図で、交流電源(D)から導出され、被測定物(1
)に接触する第1接触子(T、)と、被測定物(1)に
オーミックコンタクト状に接触する第2接触子(T2)
と、第1接触子(T+>と第2接触子(Tz)との間で
通電した時の整流方向を検出する整流方向検出器(S>
とで構成されているものである。ポイント接触する第1
接触子(T+>は例えばダイオード特性の発現しやすい
ステンレス針を用い、第2接触子(T2)にはオーミッ
クコンタクトになりやすい例えばオスミウムが用いられ
、面接触となっている。このような状態の下で交流電源
(D)にて第1、第2接触子(T、)間に通電すると第
1接触子(T、)のポイント接触部分にてダイオード特
性による整流効果が生まれ、この整流方向を検出するこ
とにより、被測定物(1)がP型かN型か判定する事が
出来るのである。第5図は熱電方式P−N判定器(^、
)で、被測定物(1)に熱を加えて第1接触子(T+)
と第2接触子(T、)との間で熱起電力効果を発生させ
、その熱起電力の方向を検出してP型かNfiかを判定
する方式である。(H)はヒータコイルである。前者は
100Ω−C−〜IOKΩ−am程度の高抵抗率のもの
の測定に適し、後者は数―Ω−ell〜100Ω−cm
1程度の低抵抗率のものの測定に適する。
さて、このような従来のP−N判定器(^71.・・・
)では、 ■第2接触子(T2)と被測定物(1)との間にオーミ
ックコンタクトを必要とするが、被測定物(1)の表面
に薄いが絶縁性が高く接触抵抗の大きい酸化皮膜があり
、安定なオーミックコンタクトを得る事が意外に困難で
有った事。
■絶縁皮膜を破るために接触圧力を高める必要があるが
、被測定物け)がシリコンウェハーのようなものでは破
損する恐れが高く、余り高い接触圧力を加える事が出来
ず、再現性が不安定であった。
■逆に、シリコン単結晶棒のような場合は大きな接触圧
力を加える事が出来るが、接触圧力が大きすぎるとポイ
ント接触の部分がオーミックコンタクトになってしまい
、逆に測定不可能になる。
■従って、ポイント接触部分の接触圧力は10〜50g
程度の範囲になければならないが、この条件出しが非常
に困難且つ再現性に欠けると言う欠点があった。
この点を数値で説明すると、通常のダイオ−トノ4 合
ハ(Vf)= 0.7V程度、(Vr)=数tov”r
その差が非常に大きく、何等かの原因により接触電気抵
抗により(Vf)の値が加算されたとしてもなお十分な
電圧差があり、明瞭な整流効果が得らる。これに対して
従来のP−N判定器(^7,3・・・)では(vr)=
062v程度、(Vr)=5V程度であってその差が小
さく、例えば酸化皮膜の接触抵抗が5にΩで交流電流が
1情^の場合は; 5にΩ×1−^=5Vと言う事になり、(Vf)= 5
 + 0.2= 5.2(T/) # 5 V(Vr)
と言う事になり、測定結果が不安定になる。
又、IOKΩの場合は; 10にΩ×1請^=10vと言う事になり、(Vf)=
 io+ o、z=+ 10.2(V)> 5 V(V
r)と言う事になり、測定不能と言う結果になる。
従って、従来のP−N判定器(^7.コ・・・)では測
定条件が非常に厳しく、接触抵抗いかんによっては安定
性を欠く事になった。
(発明の目的) 本発明の目的とするところは、このような条件設定が非
常に困難であり、再現性に欠け、微妙なP−N判定を掻
く簡単でしかも再現性・安定性が非常に高いP−N判定
器を提供するにある。
(問題解決の手段) 前記目的を達成するため、第1発明では;■交流電源(
D)から導出され、オーミックコンタクト状に被測定物
(1)に接触する第1接触子(T1)と、 ■交流電源(D)に接続せる金属体(14)にオーミッ
クコンタクト状に保持され、被測定物(1)と同一材料
にて構成され且つP型又はN型のいずれかである事が判
別している第2接触子(T2)と、■第1接触子(T、
)と第2接触子(T、)との間で通電した時の整流方向
を検出する整流方向検出器<S>とでP−N判定器<A
I)を構成し、 第2発明では; ■交流電源(Dp> (On)から導出され、オーミッ
クコンタクト状に被測定物(1)に接触する第1接触子
(T、)と、 ■交流電源(Dp)に接続せるP型側金属体(Np)に
オーミックコンタクト状に保持され、被測定物(1)と
同一材料にて構成され且つP型である事が判明している
P型接触子(Tp)と、 ■交流電源(On)に接続せるN型側金属体(Nn)に
オーミックコンタクト状に保持され、被測定物(1)と
同一材料にて構成され且つN型である事が判明している
N型接触子(To)と、 ■第1接触子(T1)とP型接触子(丁p)及び第1接
触子(T、)とN型接触子(’rn)との間で通電した
時の整流方向をそれぞれ検出する整流方向検出器(Sp
)(Sn)とでP−N判定器(^1)を構成する。
;と言う技術的手段を採用している。
(作  用) 第1発明では、 ■第1接触子(T、)と第2接触子(T2)とを被測定
物(1)に接触させる。
■このような状態の下で交流電源(D)にて第1接触子
(T、)と第2接触子(T2)との間に通電する。
■すると金属体(M)と、被測定物(1)と同一材料で
構成されている第2接触子(T、)との間が完全なオー
ミックコンタクト状態を呈し、且つ、第2接触子(T、
)と被測定物(1)とが同一材料であるためにオーミッ
クコンタクトが得られ易く、通常のダイオードと同様の
ダイオード特性による整流効果が生まれ、正確な整流方
向の検出が可能となる。
第2発明も同様で、 ■第1接触子(T+)、P型接触子(Tp)及びN型接
触子(Tn)を被測定物(1)に接触させ・る。
■このような状態の下で交流電源(Dp)(Dn)にて
第1接触子(T−)とP型接触子(Tp)とのtm及び
第1接触子(T+)とN型接触子(Tn)間にそれぞれ
通電する。
■するとP型、N型側金属体(Np)(Nn)と、被測
定物(1)と同一材料で構成されているP型接触子(T
p)及びN型接触子(Tn)との間が完全なオーミック
コンタクト状態を呈し、且つ、P型及びN型接触子(T
p) (Tn)と被測定物(1)とが同一材料であるた
めにオーミックコンタクトが得られ易く、通常のダイオ
ードと同様のダイオード特性による整流効果が生まれ、
正確な整流方向の検出が可能となる。
■この場合はP型及びN型接触子(Tp)(Tn)を同
時に用いているために1度の測定で被測定物(1)がP
型かN型か判定出来る事になる。
(実 施 例) 以下、本発明を図示実施例に従って詳述する。
第1図は第2発明の第1実施例の外画斜視図、第2図は
その原理図、第3図は第1発明の原理図である。第1発
明は接触子が1対であり、構成もほぼ第2発明と同じで
有るため、第2発明を中心に説明する。軸受け(6)に
は2本のアーム状の金属体(Np)(Mn)が回動自在
番こ支持されており、その先端に形成された挟持溝(2
)に導電性ゴム(3)を介してP型接触子(Tp)とN
型接触子(Tn)とがそれぞれ挟持されている。導電性
ゴム(3)は接触子(Tp) (Tn)の破損防止用で
ある。勿論、これに限られず、接触子(Tp)(1’n
)の挟持部分の人血に金属鍍金を施し、より完全なオー
ミックコンタクトが得られるようにしても良い、アーム
状金属体04IJ) (Mn)の側面には摺動清(4)
が長手方向に凹設されており、重錘(5)が摺動自在に
配設されており、ねじ固定されるようになっている。接
触子(丁p)(Tn)は被測定物(1)と同一の材料、
例えば、被測定物(1)がシリコン単結晶棒の場合はシ
リコンウェハーを用い、P型又はN型のいずれか明確に
分かっているものを使用する。第i!IR−触子(T+
)は図示実施例では導′51を性ゴムを使用しているが
、勿論これに限られず、従来のような針状のものでも良
い、1対の交流電源(Op) (On)の接続点に前記
第1接触子(T、)を接続し、図のように被測定物(1
)(この場合はシリコン単結晶棒であるが、勿論これに
限られない、)の下に敷く、P型接触子(Tp)及びN
型接触子(’rn)はそれぞれ交流電源(Dp) (O
n)に接続されており、接触子(Tp) (Tn)と交
流電源(Dp) (On)との接続コードに整流方向検
出器(Sp)(Sn)が並列接続されているものである
0両接触子(Tp) (1°n)は図のようにシリコン
単結晶棒の上に並べて載置され、重錘〈5)を移動させ
て負荷を調節し、然る後ねじ固定する。このように設定
した後、第1接触子(T、)とP型接触子(Tp)及び
第1接触子(T、)とNを接触子(Tn)の間に交流電
流を流し、整流方向を検出し、被測定物(1)がP型か
N型か又は羊結晶でないためにそのいずれでもないかな
どを判定する。
第1発明は接触子(T+)(Tn)が第1と第2の一対
であり、第2接触子(T2)を交換して測定する事によ
り、P型かN型か又は単結晶でないためにそのいずれで
もないかなどを判定する。尚、1度の測定では被測定物
(1)がP(N)型でない時は逆のN(P)型かそれと
も噴結晶でないかと言う事になる。
(効  果) 第1発明は叙上のように、オーミックコンタクト状に交
流電源から再出され、被測定物に接触する第1接触子と
、交流電源に接続せる金成体辷オーミックコンタクト状
に保持され、被測定物と同一材料にて構成され且つP型
又はN型のいずれかである事が判別している第2接触子
と、第1接触子と第2接触子との間で通電した時の整流
方向を検出する整流方向検出器とで構成されているので
、オーミックコンタクトが完全に得られ、その結果通常
のダイオードと同様のダイオード特性が保証され、安定
且つ確実なP−N判定が可能となり、第2発明は交流電
源から導出され、オーミックコンタクト状に被測定物に
接触する第1接触子と、交流電源に接続せるP型側金属
体にオーミックコンタクト状に保持され、被測定物と同
一材料にて構成され且つP型である事が判明しているP
型接触子と、交流電源に接続せるN型側金属体にオーミ
ックコンタクト状に保持され、被測定物と同一材料にて
構成され且つN型である事が判明しているNff1接触
子と、第1接触子とP型接触子及び第1接触子とNfi
接触子との間で通電した時の整流方向をそれぞれ検出す
る整流方向検出器とで構成されているので、前述のよう
な安定且つ確実なP−N判定は勿論の事、1度の測定で
正確なP−N判定が可能になると言う利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図・・・第2発明の1実施例の斜視図、第2図・・
・第2発明の原理図、 第3図・・・第1判定の原理図、 第4図・・・従来の整流式P−N判定器の原理図、第5
図・・・従来の熱電式P−N判定器の原理図。 (八−)・・・本発明のP−N判定器 (^鵞)(^、)・・・従来のP−N判定器(D)(D
p)(Dn)・・・交流電源()I)・・・ヒータコイ
ル  (M)・・・金属体(Np)・・・P型側金属体
 (Mn)・・・N型側金属体(S) (Sp)(So
)・・・整流方向検出器(T1〉・・・第1接触子  
(T2)・・・第2接触子(Tp)・・・P型接触子 
 (Tn)・・・N型接触子り1)・・・被測定物  
 (2)・・・挟持溝(3)・・・導電性ゴム   (
4)・・・WJ動溝(5)・・・重n      (6
)・・・軸受は発明者 細用 理彰 発明者 小林 順−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)交流電源から導出され、オーミックコンタクト状
    に被測定物に接触する第1接触子と、交流電源に接続せ
    る金属体にオーミックコンタクト状に保持され、被測定
    物と同一材単結晶棒にて構成され且つP型又はN型のい
    ずれかである事が判別している第2接触子と、第1接触
    子と第2接触子との間で通電した時の整流方向を検出す
    る整流方向検出器とで構成された事を特徴とするP−N
    判定器。
  2. (2)交流電源から導出され、オーミックコンタクト状
    に被測定物に接触する第1接触子と、交流電源に接続せ
    るP型側金属体にオーミックコンタクト状に保持され、
    被測定物と同一材料にて構成され且つP型である事が判
    明しているP型接触子と、交流電源に接続せるN型側金
    属体にオーミックコンタクト状に保持され、被測定物と
    同一材料にて構成され且つN型である事が判明している
    N型接触子と、第1接触子とP型接触子及び第1接触子
    とN型接触子との間で通電した時の整流方向をそれぞれ
    検出する整流方向検出器とで構成された事を特徴とする
    P−N判定器。
JP13752387A 1987-05-30 1987-05-30 P−n判定器 Pending JPS63300972A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13752387A JPS63300972A (ja) 1987-05-30 1987-05-30 P−n判定器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13752387A JPS63300972A (ja) 1987-05-30 1987-05-30 P−n判定器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63300972A true JPS63300972A (ja) 1988-12-08

Family

ID=15200668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13752387A Pending JPS63300972A (ja) 1987-05-30 1987-05-30 P−n判定器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63300972A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1354777A (en) Methods of determining the sheet resistance of a layer
US11693028B2 (en) Probe for testing an electrical property of a test sample
JPS63300972A (ja) P−n判定器
JPS5871423A (ja) 温度測定用回路装置
JP5743582B2 (ja) レールボンド抵抗測定装置及びレールボンド抵抗測定方法
US7005307B2 (en) Apparatus and method for detecting soft breakdown of a dielectric layer of a semiconductor wafer
JPH0428067Y2 (ja)
JP2567441B2 (ja) 熱伝導率の測定方法、測定装置およびサーミスタ
JPS643071Y2 (ja)
JPS63199058U (ja)
US5081412A (en) Current conduction probe circuit
US4392044A (en) Method for detecting whether dissimilar metals are being welded
JP2922909B2 (ja) 抵抗測定用電極装置
CN216525942U (zh) 一种用于测量主变低压侧直流电阻的线夹
JPH046844A (ja) 拡がり抵抗測定装置
JP2557235Y2 (ja) リード線検出装置
JPH01138423A (ja) 液体窒素液量計
JPH0333002Y2 (ja)
JPS6346829Y2 (ja)
SU739442A1 (ru) Способ измерени величины неоднородности магнитного пол
JPH0975419A (ja) 良導絡センサー
JPS5817304A (ja) 表面あらさ測定方法
JPH0792127A (ja) 絶縁被覆の亀裂測定方法および装置
SU428231A1 (ru) Устройство для питания электрического нагревателя и контроля его температуры
JPH0345171Y2 (ja)