JPS63302542A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63302542A JPS63302542A JP13836687A JP13836687A JPS63302542A JP S63302542 A JPS63302542 A JP S63302542A JP 13836687 A JP13836687 A JP 13836687A JP 13836687 A JP13836687 A JP 13836687A JP S63302542 A JPS63302542 A JP S63302542A
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- Japan
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- insulating resin
- chip
- semiconductor device
- thin plate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子（以下ＩＣチップと称する）をイ
ンナーリードポンディングした半導体装置のモールド構
造に関する。
ンナーリードポンディングした半導体装置のモールド構
造に関する。
従来のＩＣチップをインナーリードポンディングした半
導体装置のモールド構造は、第４図に示すごと＜、ＩＣ
チップ１の能動面５、および側面６をエポキシ、シリコ
ン等の絶縁性樹脂４によりモールドする構造が一般的で
あった。中には、図示しないがＩＣチップの能動面のみ
モールドしたり、またＩＣチップの裏面までモールドす
るものもあった。
導体装置のモールド構造は、第４図に示すごと＜、ＩＣ
チップ１の能動面５、および側面６をエポキシ、シリコ
ン等の絶縁性樹脂４によりモールドする構造が一般的で
あった。中には、図示しないがＩＣチップの能動面のみ
モールドしたり、またＩＣチップの裏面までモールドす
るものもあった。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では、半導体装置の使用温度変
化、特に半導体装置を、回路基板にリフロー等の方法で
半田付けする際の熱変化により、ＩＣチップをモールド
している絶縁性樹脂の伸縮によってイ／ナーリードポン
ディジグ部が断線したり、ＩＣチップ自体が割れてしま
う等の問題点があった。また、特にＩＣチップの側面を
モールドする場合には、ＩＣチップ面より突出している
リードに絶縁性樹脂の伸縮による応力が直接前わるため
、更にリードの断線が起きやすいという問題点があった
。
化、特に半導体装置を、回路基板にリフロー等の方法で
半田付けする際の熱変化により、ＩＣチップをモールド
している絶縁性樹脂の伸縮によってイ／ナーリードポン
ディジグ部が断線したり、ＩＣチップ自体が割れてしま
う等の問題点があった。また、特にＩＣチップの側面を
モールドする場合には、ＩＣチップ面より突出している
リードに絶縁性樹脂の伸縮による応力が直接前わるため
、更にリードの断線が起きやすいという問題点があった
。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは温度変化による絶縁性樹脂の伸縮
、特にＩＣチップから外側にある絶縁性樹脂の伸縮を抑
制し、ＩＣチップ割れや断線のない信頼性の高い半導体
装置のモールド構造を提供するところにある。
の目的とするところは温度変化による絶縁性樹脂の伸縮
、特にＩＣチップから外側にある絶縁性樹脂の伸縮を抑
制し、ＩＣチップ割れや断線のない信頼性の高い半導体
装置のモールド構造を提供するところにある。
本発明の半導体装置は、樹脂等からなる絶縁板の開口部
に突出する導体リードにインナーリードボンディングさ
れる半導体素子の少なくとも能動面および前記開口部周
囲の前記絶縁板が、絶縁性樹脂によりモールドされてな
る半導体装置において、前記間口部より大きい外形をな
しかつ前記絶縁性樹脂よりも低い熱膨張率を存する材質
の薄板を、前記半導体素子の能動面側に前記絶縁性樹脂
をはさみ込むような形で設け、ことに前記薄板は少なく
とも前記半導体素子のポンディング部から前記絶縁性樹
脂の外縁近傍を覆うことを特徴とする。
に突出する導体リードにインナーリードボンディングさ
れる半導体素子の少なくとも能動面および前記開口部周
囲の前記絶縁板が、絶縁性樹脂によりモールドされてな
る半導体装置において、前記間口部より大きい外形をな
しかつ前記絶縁性樹脂よりも低い熱膨張率を存する材質
の薄板を、前記半導体素子の能動面側に前記絶縁性樹脂
をはさみ込むような形で設け、ことに前記薄板は少なく
とも前記半導体素子のポンディング部から前記絶縁性樹
脂の外縁近傍を覆うことを特徴とする。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に右ける半導体装置の断面図で
ある。ＩＣチップ１はテープキャリア２０４体リード３
にインナーリードボンディングされており、更にポンデ
ィング部の保護、ＩＣの耐湿性の向上等の目的からエポ
キシ、シリコン等の絶縁性樹脂４で、その能動面５、お
よび側面６がモールドされている。この場合、絶縁性樹
脂４はその流動性によりテープキャリア２の開口部７の
周囲のポリイミド等からなる絶縁板８もモールドするこ
とになる。一方ＩＣチップ１の能動面５側には、薄板９
が絶縁性樹脂４をはさみ込む形で配置されている。上述
のような構造は、ＩＣチップとその周囲にＩＣチップの
能動面５側より、印刷もしくはディスペンサーによる吐
出により絶縁性樹脂４を塗布し、次いで薄板９を載せ軽
（加圧して絶縁性樹脂４を加熱硬化することにより得ら
れる。ここで用いられる薄板９は、絶縁性樹脂４よりも
熱膨張率の小さい、ガラス、セラミックや金属板等であ
り、金属板の場合は短絡を防ぐため、必要に応じて表面
に絶縁処理を施す、薄板８の厚さは材質により異なるが
、絶縁性樹脂４の温度変化による伸縮で変形、破損しな
い程度の厚さで、通常５０〜３００μｍ位とする。また
その大きさは、絶縁板８の開口部７の周囲に広がる絶縁
性樹脂４の面積とほぼ同等とする。
ある。ＩＣチップ１はテープキャリア２０４体リード３
にインナーリードボンディングされており、更にポンデ
ィング部の保護、ＩＣの耐湿性の向上等の目的からエポ
キシ、シリコン等の絶縁性樹脂４で、その能動面５、お
よび側面６がモールドされている。この場合、絶縁性樹
脂４はその流動性によりテープキャリア２の開口部７の
周囲のポリイミド等からなる絶縁板８もモールドするこ
とになる。一方ＩＣチップ１の能動面５側には、薄板９
が絶縁性樹脂４をはさみ込む形で配置されている。上述
のような構造は、ＩＣチップとその周囲にＩＣチップの
能動面５側より、印刷もしくはディスペンサーによる吐
出により絶縁性樹脂４を塗布し、次いで薄板９を載せ軽
（加圧して絶縁性樹脂４を加熱硬化することにより得ら
れる。ここで用いられる薄板９は、絶縁性樹脂４よりも
熱膨張率の小さい、ガラス、セラミックや金属板等であ
り、金属板の場合は短絡を防ぐため、必要に応じて表面
に絶縁処理を施す、薄板８の厚さは材質により異なるが
、絶縁性樹脂４の温度変化による伸縮で変形、破損しな
い程度の厚さで、通常５０〜３００μｍ位とする。また
その大きさは、絶縁板８の開口部７の周囲に広がる絶縁
性樹脂４の面積とほぼ同等とする。
以上のような構造にすると、半導体装置を温度変化の激
しｔ１環境で使用する場合や、特にそれを他の回路基板
にり７ｏ−等で半田付けする場合、絶縁性樹脂４の伸縮
によ勺応力を生ずるが、従来の構造であればＩＣチップ
１やポンディング部にその応力全部がかかっていたもの
を、薄板９とＩＣチップ１とで絶縁性樹脂４をはさみ込
むことによってこれを分散し、また薄板９を加圧するこ
とによって絶縁性樹脂４を充分に薄くすることが可能で
あるため、応力の絶対量を小さくすることができ、従っ
てチップ割れやポンディングオープンを防ぐことができ
る。更にＩＣチップ１の外側の絶縁性樹脂４の伸縮によ
る応力は、従来構造であれば導体リード３に全てかかり
断線しやすかったものが、これも薄板９に絶縁性樹脂４
が接着することによりその応力が抑制、緩和されてリー
ド断線を防ぐことが可能となる。
しｔ１環境で使用する場合や、特にそれを他の回路基板
にり７ｏ−等で半田付けする場合、絶縁性樹脂４の伸縮
によ勺応力を生ずるが、従来の構造であればＩＣチップ
１やポンディング部にその応力全部がかかっていたもの
を、薄板９とＩＣチップ１とで絶縁性樹脂４をはさみ込
むことによってこれを分散し、また薄板９を加圧するこ
とによって絶縁性樹脂４を充分に薄くすることが可能で
あるため、応力の絶対量を小さくすることができ、従っ
てチップ割れやポンディングオープンを防ぐことができ
る。更にＩＣチップ１の外側の絶縁性樹脂４の伸縮によ
る応力は、従来構造であれば導体リード３に全てかかり
断線しやすかったものが、これも薄板９に絶縁性樹脂４
が接着することによりその応力が抑制、緩和されてリー
ド断線を防ぐことが可能となる。
ｉ２図は本発明の別の実施例における半導体装置の断面
図である。ここで薄板１０は、その中央部に穴１１を設
け、ＩＣチップ１のポンディング部から絶縁性樹脂４の
外縁近傍までを覆う形状をしている。こうすることによ
り、特に強度的に弱いポンディング部と導体リード３に
加わる絶縁性樹脂４の応力を抑制して断線を防ぐ七共に
、絶縁性樹脂４が硬化する際に発生するガスを抜は易（
して樹脂内の気泡の発生を防ぎ、より信頼性の高い半導
体装置を提供することができる。尚この場合、薄板の形
伏としては第３図に示すように、薄板１２に小孔１３を
多数明けたものを用いても同様の効果が得られる。
図である。ここで薄板１０は、その中央部に穴１１を設
け、ＩＣチップ１のポンディング部から絶縁性樹脂４の
外縁近傍までを覆う形状をしている。こうすることによ
り、特に強度的に弱いポンディング部と導体リード３に
加わる絶縁性樹脂４の応力を抑制して断線を防ぐ七共に
、絶縁性樹脂４が硬化する際に発生するガスを抜は易（
して樹脂内の気泡の発生を防ぎ、より信頼性の高い半導
体装置を提供することができる。尚この場合、薄板の形
伏としては第３図に示すように、薄板１２に小孔１３を
多数明けたものを用いても同様の効果が得られる。
（発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、ＩＣチップをモール
ドする絶縁性樹脂の温度変化によ−る伸縮によって生ず
る応力を、その上に設けた薄板で抑制することにより、
チップ割れや、ポンディング部、導体リードの断線を防
ぐことができ、信頼性の高い半導体装置を得ることがで
きる。また薄板の厚みは加わるが、絶縁性樹脂の厚みは
薄（することができ、全体として薄く、厚みバラツキの
少ない半導体装置を得るととも可能である。尚、このモ
ールド構造は特に断線やチップ割れの生じやすい、チッ
プサイズの大きい半導体ＨＦＩに対して有効である。
ドする絶縁性樹脂の温度変化によ−る伸縮によって生ず
る応力を、その上に設けた薄板で抑制することにより、
チップ割れや、ポンディング部、導体リードの断線を防
ぐことができ、信頼性の高い半導体装置を得ることがで
きる。また薄板の厚みは加わるが、絶縁性樹脂の厚みは
薄（することができ、全体として薄く、厚みバラツキの
少ない半導体装置を得るととも可能である。尚、このモ
ールド構造は特に断線やチップ割れの生じやすい、チッ
プサイズの大きい半導体ＨＦＩに対して有効である。
第１図は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図、第
２図は本発明の半導体装置の別の実施例を示す断面図、
第３図は本発明の半導体装置に用いる薄板の別の実施例
を示す平面図、！４図は従来の半導体８１７１を示す断
面図である。 １・・・ＩＣＣチップ ２・・・テープキャリア３・・
・導体リード ４・・・絶縁性樹脂５・・・能動面
６・・・側面 ７・・・開口部 ８・・・絶縁板９．１０．１２
・・・薄板 １１・・・穴 １３・・・小孔以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名′、： ＼
２図は本発明の半導体装置の別の実施例を示す断面図、
第３図は本発明の半導体装置に用いる薄板の別の実施例
を示す平面図、！４図は従来の半導体８１７１を示す断
面図である。 １・・・ＩＣＣチップ ２・・・テープキャリア３・・
・導体リード ４・・・絶縁性樹脂５・・・能動面
６・・・側面 ７・・・開口部 ８・・・絶縁板９．１０．１２
・・・薄板 １１・・・穴 １３・・・小孔以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名′、： ＼
Claims (2)
- （１）樹脂等からなる絶縁板の開口部に突出する導体リ
ードにインナーリードボンディングされる半導体素子の
少なくとも能動面および前記開口部周囲の前記絶縁板が
絶縁性樹脂によりモールドされてなる半導体装置におい
て、前記開口部より大きい外形をなし、かつ前記絶縁性
樹脂よりも低い熱膨張率を有する材質の薄板を、前記半
導体素子の能動面側に前記絶縁性樹脂をはさみ込むよう
な形で設けたことを特徴とする半導体装置。 - （２）前記薄板は少なくとも前記半導体素子のボンディ
ング部から前記絶縁性樹脂の外縁近傍を覆うことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13836687A JPS63302542A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13836687A JPS63302542A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302542A true JPS63302542A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15220250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13836687A Pending JPS63302542A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63302542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173764A (en) * | 1991-04-08 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a particular lid means and encapsulant to reduce die stress |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP13836687A patent/JPS63302542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173764A (en) * | 1991-04-08 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a particular lid means and encapsulant to reduce die stress |
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