JPS63303868A - 誘電体セラミックスの製造方法 - Google Patents
誘電体セラミックスの製造方法Info
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- JPS63303868A JPS63303868A JP62138286A JP13828687A JPS63303868A JP S63303868 A JPS63303868 A JP S63303868A JP 62138286 A JP62138286 A JP 62138286A JP 13828687 A JP13828687 A JP 13828687A JP S63303868 A JPS63303868 A JP S63303868A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、温度補償用磁着コンデンサやマイクロ波用誘
電体共振器等に用いられる誘電体セラミックスの製造方
法に関する。
電体共振器等に用いられる誘電体セラミックスの製造方
法に関する。
（従来の技術）
温度補償用磁器コンデンサやマイクロ波用誘電体共振器
等では、誘電体セラミックスとして比誘電率（ε１）及
び無負荷Ｑ （Ｑｕ）が大きく、共振周波数の温度係数
（τＩ）がＯを中心として正又は負の任意の値が得られ
ることが必要とされている。
等では、誘電体セラミックスとして比誘電率（ε１）及
び無負荷Ｑ （Ｑｕ）が大きく、共振周波数の温度係数
（τＩ）がＯを中心として正又は負の任意の値が得られ
ることが必要とされている。
このような誘電体セラミックスの比誘電率（ε１）及び
無負荷Ｑ（Ｑｕ）の値は、焼結体に存在する空孔の割合
に大きく左右される。空孔の少ない高密度の焼結体を得
るには、成形段階において成形密度を上げておくことが
必要である。
無負荷Ｑ（Ｑｕ）の値は、焼結体に存在する空孔の割合
に大きく左右される。空孔の少ない高密度の焼結体を得
るには、成形段階において成形密度を上げておくことが
必要である。
従来、成形密度を上げるためには、成形圧力をできる限
り高める方法が用いられていた。
り高める方法が用いられていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の成形圧力を高める方法では、いく
ら成形圧力を高めても、成形密度には限界があった。ま
た、ある一定の圧力以上をかけると成形体が破壊してし
まうという問題点があった。
ら成形圧力を高めても、成形密度には限界があった。ま
た、ある一定の圧力以上をかけると成形体が破壊してし
まうという問題点があった。
本発明は、以上述べた問題点を改善するためになされた
ものであり、成形密度を高め、焼成後高密度の焼結体を
得ることのできる誘電体セラミックスの製造方法を゛提
供することを目的とする。
ものであり、成形密度を高め、焼成後高密度の焼結体を
得ることのできる誘電体セラミックスの製造方法を゛提
供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、誘電体セラミックスの製造方法において、成
形と粉砕をくり返した後、成形体を所定の温度で焼成す
るようにしたものである。
形と粉砕をくり返した後、成形体を所定の温度で焼成す
るようにしたものである。
（作 用）
成形と粉砕をくり返すことにより、成形密度が高まる。
したがって、成形と粉砕を数回くり返し、充分成形密度
を高めた後、所定の温度で焼成することにより、高密度
の焼結体が得られる。
を高めた後、所定の温度で焼成することにより、高密度
の焼結体が得られる。
（実 施 例）
９下この発明の実施例について説明する。
実施例としては、酸化バリウム（Ｂａｄ） 、二酸化チ
タン（ＴｉＯ２）、酸化サマリウＡ （Ｓｍ２０３）お
よび酸化セリウム（Ｃｅ Ｏ，）からなるマイクロ波用
誘電体セラミックスを取り上げる。
タン（ＴｉＯ２）、酸化サマリウＡ （Ｓｍ２０３）お
よび酸化セリウム（Ｃｅ Ｏ，）からなるマイクロ波用
誘電体セラミックスを取り上げる。
まず、化学的に高純度の炭酸バリウム（ＢａＣＯ，）
。
。
二酸化チタ：／ （ＴｉＯ２） 、酸化サマリウＡ （
Ｓｍ２０３）および酸化セリウム（Ｃｅ Ｏ２）を、そ
れぞれ、１６．７モル％、６６４モル％、１３．４モル
％および７．０モル％の組成比率になるように正確に秤
量し、純水と共にポットミルで湿式混合した。次に、そ
れを脱水乾燥後、１０８０℃の温度で空気中において２
時間仮焼した。得られた仮焼物を再びポットミルで湿式
粉砕し、脱水乾燥後、バインダーを添加し造粒し、３２
メツシユのふるいを通して整粒した。得られた粉体を金
型と油圧プレスを用いて２ ｔ ｏ ｎ／ａｄの成形圧
力で成形した。次に、得られた成形体を撞潰機を用いて
粉砕し、粉粒体にもどし、再び金型と油圧プレスを用い
て成形した。以上の操作を成形密度が限界となるまで数
回くり返し、最後に直径１２＋ｍ厚さ７腫の円板状の成
形体とした。次に、得られた成形体を高純度のアルミナ
匣に入れ１２５０℃〜１４００℃で２時間空気中で焼成
し、焼結体を得た。得られた焼結体の比誘電率（Ｃ１）
と無負荷Ｑ （Ｑｕ）はハラキー・コールマンの方法に
よって測定した。
Ｓｍ２０３）および酸化セリウム（Ｃｅ Ｏ２）を、そ
れぞれ、１６．７モル％、６６４モル％、１３．４モル
％および７．０モル％の組成比率になるように正確に秤
量し、純水と共にポットミルで湿式混合した。次に、そ
れを脱水乾燥後、１０８０℃の温度で空気中において２
時間仮焼した。得られた仮焼物を再びポットミルで湿式
粉砕し、脱水乾燥後、バインダーを添加し造粒し、３２
メツシユのふるいを通して整粒した。得られた粉体を金
型と油圧プレスを用いて２ ｔ ｏ ｎ／ａｄの成形圧
力で成形した。次に、得られた成形体を撞潰機を用いて
粉砕し、粉粒体にもどし、再び金型と油圧プレスを用い
て成形した。以上の操作を成形密度が限界となるまで数
回くり返し、最後に直径１２＋ｍ厚さ７腫の円板状の成
形体とした。次に、得られた成形体を高純度のアルミナ
匣に入れ１２５０℃〜１４００℃で２時間空気中で焼成
し、焼結体を得た。得られた焼結体の比誘電率（Ｃ１）
と無負荷Ｑ （Ｑｕ）はハラキー・コールマンの方法に
よって測定した。
次に、得られた結果について説明する。第１図に、成形
回数と成形密度の関係を示す。また、第２図に、成形回
数と１３００℃で焼成した場合の焼結体の比重の関係を
示す。これらの図から明らかなように、成形と粉砕をく
り返すにしたがって成形密度は太き（なり、５回目の成
形で約１０％増となり限界となる。また、焼結体の比重
も同様の傾向であり、成形回数５回のものが約２％増と
なり限界となる。
回数と成形密度の関係を示す。また、第２図に、成形回
数と１３００℃で焼成した場合の焼結体の比重の関係を
示す。これらの図から明らかなように、成形と粉砕をく
り返すにしたがって成形密度は太き（なり、５回目の成
形で約１０％増となり限界となる。また、焼結体の比重
も同様の傾向であり、成形回数５回のものが約２％増と
なり限界となる。
また、各成形回数での焼結体の誘電特性を下記第１表に
示す。
示す。
第１表
なお、第１表に示す誘電特性の測定周波数２よ４〜５
ＧＨｚであり、※印を付した例は本発明の範囲外の比較
例であり、それ以外の例が本発明の範囲内の実施例であ
る。第１表の結果（こよれｔｆ１成形と粉砕を多（くす
返した場合はど焼結体の比誘電率（Ｃ１）と無負荷Ｑ
（Ｑｕ）は大きくなる。特ζこ、Ｑｕは成形回数５回の
もので約８００太き（なる。
ＧＨｚであり、※印を付した例は本発明の範囲外の比較
例であり、それ以外の例が本発明の範囲内の実施例であ
る。第１表の結果（こよれｔｆ１成形と粉砕を多（くす
返した場合はど焼結体の比誘電率（Ｃ１）と無負荷Ｑ
（Ｑｕ）は大きくなる。特ζこ、Ｑｕは成形回数５回の
もので約８００太き（なる。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明は、誘電体セラミックス製造
工程において、成形と粉砕をくり返すことにより、成形
密度を高め焼成後高密度の焼結体とし、比誘電率（ε２
〕および無負荷Ｑ （Ｑｕ）の大きい誘電体セラミック
スを得ることができる。したがって、本発明は、マイク
ロ波用誘電体共振器あるいは温度補償用磁器コンデンサ
等に使用する誘電体セラミックスの製造方法として有効
である。
工程において、成形と粉砕をくり返すことにより、成形
密度を高め焼成後高密度の焼結体とし、比誘電率（ε２
〕および無負荷Ｑ （Ｑｕ）の大きい誘電体セラミック
スを得ることができる。したがって、本発明は、マイク
ロ波用誘電体共振器あるいは温度補償用磁器コンデンサ
等に使用する誘電体セラミックスの製造方法として有効
である。
第１図は成形・粉砕の成形回数と成形密度の関係を示す
特性図、第２図は成形回数と焼結体の比重の関係を示す
特性図である。 特許出願人 沖電気工業株式会社 ３．５［ ｌ へ千ＩｌＯ数 Ａ形０李ズとぺ形ツ屋ｎ閣係 ！！ Ｉ Ｉａ Ａ形回奪気
特性図、第２図は成形回数と焼結体の比重の関係を示す
特性図である。 特許出願人 沖電気工業株式会社 ３．５［ ｌ へ千ＩｌＯ数 Ａ形０李ズとぺ形ツ屋ｎ閣係 ！！ Ｉ Ｉａ Ａ形回奪気
Claims (1)
- 成形と粉砕をくり返した後、成形体を所定の温度で焼成
することを特徴とする誘電体セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138286A JPS63303868A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 誘電体セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138286A JPS63303868A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 誘電体セラミックスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303868A true JPS63303868A (ja) | 1988-12-12 |
Family
ID=15218347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138286A Pending JPS63303868A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 誘電体セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303868A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6977256B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-12-20 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin S inhibitors |
| US7030116B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-04-18 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin inhibitors |
| US7064123B1 (en) | 2000-12-22 | 2006-06-20 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin inhibitors |
| US7196099B2 (en) | 2001-09-14 | 2007-03-27 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin inhibitors |
| JP2013014487A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Miyagawa Kasei Ind Co Ltd | 導電性セラミックスの製造方法 |
| CN111153694A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-15 | 浙江嘉康电子股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及制备方法 |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP62138286A patent/JPS63303868A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7030116B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-04-18 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin inhibitors |
| US7064123B1 (en) | 2000-12-22 | 2006-06-20 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin inhibitors |
| US7196099B2 (en) | 2001-09-14 | 2007-03-27 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin inhibitors |
| US6977256B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-12-20 | Aventis Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions as cathepsin S inhibitors |
| JP2013014487A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Miyagawa Kasei Ind Co Ltd | 導電性セラミックスの製造方法 |
| CN111153694A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-15 | 浙江嘉康电子股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及制备方法 |
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