JPS63310879A - 光学活性オキシラン―2―カルボン酸エステルよりなる液晶混合物用ドーパント、該エステルを含有する液晶混合物および新規の光学活性オキシラン―2―カルボン酸エステル - Google Patents
光学活性オキシラン―2―カルボン酸エステルよりなる液晶混合物用ドーパント、該エステルを含有する液晶混合物および新規の光学活性オキシラン―2―カルボン酸エステルInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶混合物においてドーパントとして光学活
性のオキシラン−2−カルボン酸エステルを用いる方法
、該エステルを含有する液晶混合物および新規の光学活
性のオキシラン−2−カルボン酸エステルに関する。
性のオキシラン−2−カルボン酸エステルを用いる方法
、該エステルを含有する液晶混合物および新規の光学活
性のオキシラン−2−カルボン酸エステルに関する。
液晶は特に最近の10年間に、電気光学的性質およびデ
ィスプレー装置用の性質が要求される種々の技術分野(
例えば、時計−、ボケント型計算器−およびタイプライ
タ−用ディスプレー)に使用されている。これらのディ
スプレー装置の原理は、液晶化合物のネマチック−、コ
レステリック−および/またはスメクチック相において
誘電的配列効果にあり、その際に□誘電異方性に起因し
てm=化合物の分子長軸が印加された電場Gこおいて特
に有利な配列をする。
ィスプレー装置用の性質が要求される種々の技術分野(
例えば、時計−、ボケント型計算器−およびタイプライ
タ−用ディスプレー)に使用されている。これらのディ
スプレー装置の原理は、液晶化合物のネマチック−、コ
レステリック−および/またはスメクチック相において
誘電的配列効果にあり、その際に□誘電異方性に起因し
てm=化合物の分子長軸が印加された電場Gこおいて特
に有利な配列をする。
これらのディスプレーの場合の通例の切り換え時間は、
特異な性質の為に工業的に非常に有望な化合物である液
晶の多(の他の潜在的な用途分野にとって非常に長過ぎ
る。この欠点は、沢山の画像点を番地に分割しなければ
ならない時に特に顕著になる。これによって比較的に大
きな面積を持つ装置、例えばビデオ装置、オシログラフ
またはテレビジョン、レーダー、EDV−またはワード
プロセッサー用スクリーンの製造コストが高(成り過ぎ
る。
特異な性質の為に工業的に非常に有望な化合物である液
晶の多(の他の潜在的な用途分野にとって非常に長過ぎ
る。この欠点は、沢山の画像点を番地に分割しなければ
ならない時に特に顕著になる。これによって比較的に大
きな面積を持つ装置、例えばビデオ装置、オシログラフ
またはテレビジョン、レーダー、EDV−またはワード
プロセッサー用スクリーンの製造コストが高(成り過ぎ
る。
僅か二三年の間にネマチック液晶およびコレステリンク
液晶の他に光学活性のスメクチック液晶相も益々重要に
成ってきている。
液晶の他に光学活性のスメクチック液晶相も益々重要に
成ってきている。
クラーク(C1ark)やラガーウエル(Lagerw
all)は、非常に薄いセルにおいて強誘電性液晶系を
用いることが、慣用のTN“捩ネマチフク”セルに比較
して約1 、000倍までの迅速な切り換え時間を示す
電気光学的スイッチング装置またはディスプレー要素を
もたらすことを証明することができた(例えば、Lag
crwa l 1等、“ディスプレーの為の強誘電性液
晶(Ferroelectric LiquidCry
stals Displays)’ 、SIDシンポジ
ウム、1985年10月会議、サンジエゴ、カルフォル
ニア、米国 参照)。この有利な性質および他の有利な
性質□例えば双安定切り換え性および殆ど視角に無関係
なコントラスト□の為に、強誘電性液晶は原則として上
記の用途分野にとって、例えばマトリックス制御に良好
に適している。
all)は、非常に薄いセルにおいて強誘電性液晶系を
用いることが、慣用のTN“捩ネマチフク”セルに比較
して約1 、000倍までの迅速な切り換え時間を示す
電気光学的スイッチング装置またはディスプレー要素を
もたらすことを証明することができた(例えば、Lag
crwa l 1等、“ディスプレーの為の強誘電性液
晶(Ferroelectric LiquidCry
stals Displays)’ 、SIDシンポジ
ウム、1985年10月会議、サンジエゴ、カルフォル
ニア、米国 参照)。この有利な性質および他の有利な
性質□例えば双安定切り換え性および殆ど視角に無関係
なコントラスト□の為に、強誘電性液晶は原則として上
記の用途分野にとって、例えばマトリックス制御に良好
に適している。
エレクトロクリ−’−7り効果(elektrokl
1niceffect)と称される他の電気光学的効果
は、直交の(orthogonal)対掌性スメクチッ
ク相、例え(S、GaroffおよびR,B、Meye
r、 ”Phys、Rev、Lett、 ”共、848
(I977))は、傾斜角θが印加された電場に比例し
て変化する分子の、電場により示す傾斜を本質としてい
る。直交相の分子はそれ故に電場の変化に連続的に追従
しそして特に遮断周波数rcまで交番電場に追従し得て
、−力強誘電性系は特定の電場強度に達した際にその傾
斜角が飛ff??的に変化しそして相応する逆の電場が
印加されるまで持続している(双安定切り換え)。
1niceffect)と称される他の電気光学的効果
は、直交の(orthogonal)対掌性スメクチッ
ク相、例え(S、GaroffおよびR,B、Meye
r、 ”Phys、Rev、Lett、 ”共、848
(I977))は、傾斜角θが印加された電場に比例し
て変化する分子の、電場により示す傾斜を本質としてい
る。直交相の分子はそれ故に電場の変化に連続的に追従
しそして特に遮断周波数rcまで交番電場に追従し得て
、−力強誘電性系は特定の電場強度に達した際にその傾
斜角が飛ff??的に変化しそして相応する逆の電場が
印加されるまで持続している(双安定切り換え)。
両方の効果□強誘電性並びにエレクトロクリニック性果
□はそれらの個々の性質次第で電気光学的スインチング
ーおよび表示装置の作製に利用される。この目的の為に
は、傾斜したあるいは直交のスメクチック相を形成しそ
して自体光学活性である化合物かまたは、確かにスメク
チック相を形成するがそれ自体は光学活性でない化合物
を光学活性の化合物と一緒に混入することによって強誘
電性あるいはエレクトロクリニック性のスメクチック相
を生じさせることが必要である。か\る所望の相はこの
場合できるだけ広い温度範囲で安定しているべきである
。
□はそれらの個々の性質次第で電気光学的スインチング
ーおよび表示装置の作製に利用される。この目的の為に
は、傾斜したあるいは直交のスメクチック相を形成しそ
して自体光学活性である化合物かまたは、確かにスメク
チック相を形成するがそれ自体は光学活性でない化合物
を光学活性の化合物と一緒に混入することによって強誘
電性あるいはエレクトロクリニック性のスメクチック相
を生じさせることが必要である。か\る所望の相はこの
場合できるだけ広い温度範囲で安定しているべきである
。
電気光学的要素において良好なコントラスト挙動を達成
する為には、液晶が一様に平面的に相における良好な配
向は液晶混合物の相転移が温度の低下につれて以下のよ
うに成る場合に達成される: 等方性−No−れ−5C No−相におけるピッチ(螺旋のピッチ長さ)が非常に
大きいか(I0μ曙より大きい)またはピッチが更に良
好に完全に相殺されることが前提条件である(T、Ma
tsumoto等、S、468−470、Proc、o
f the 6th IntJisplay Re5e
ach Conf、、Japan Display 、
1986年9月30〜lO月 2日、東京、日本; M
、Murakami等、同文献、第344〜347頁)
。これは、N*−相において例えば左旋回螺旋を示す対
掌性液晶混合物に右旋回螺旋を生ぜしめる別の光学活性
ドーパントを、螺旋が直線に相殺されるような量で添加
することによて達成される。
する為には、液晶が一様に平面的に相における良好な配
向は液晶混合物の相転移が温度の低下につれて以下のよ
うに成る場合に達成される: 等方性−No−れ−5C No−相におけるピッチ(螺旋のピッチ長さ)が非常に
大きいか(I0μ曙より大きい)またはピッチが更に良
好に完全に相殺されることが前提条件である(T、Ma
tsumoto等、S、468−470、Proc、o
f the 6th IntJisplay Re5e
ach Conf、、Japan Display 、
1986年9月30〜lO月 2日、東京、日本; M
、Murakami等、同文献、第344〜347頁)
。これは、N*−相において例えば左旋回螺旋を示す対
掌性液晶混合物に右旋回螺旋を生ぜしめる別の光学活性
ドーパントを、螺旋が直線に相殺されるような量で添加
することによて達成される。
本発明者は、ドーパントとしての光学活性のオキシラン
−2−カルボン酸エステルが傾斜するスメクチック液晶
相において僅かな添加量で既に短い切り換え時間をもた
らしそして直交スメクチンク液晶相においては高いエレ
クトロクリニック係数をもたらすことを見出した。この
場合、N゛一層においてドーパントの混入によって示さ
れる螺旋のピンチ長さが、逆の旋回性を持つ捩相に最も
少なく添加することでその捩を補整できる程に僅かであ
ることは、特に驚(べきことである。
−2−カルボン酸エステルが傾斜するスメクチック液晶
相において僅かな添加量で既に短い切り換え時間をもた
らしそして直交スメクチンク液晶相においては高いエレ
クトロクリニック係数をもたらすことを見出した。この
場合、N゛一層においてドーパントの混入によって示さ
れる螺旋のピンチ長さが、逆の旋回性を持つ捩相に最も
少なく添加することでその捩を補整できる程に僅かであ
ることは、特に驚(べきことである。
それ故に本発明の対象は、光学活性でのオキソラン−2
−カルボン酸エステルをドーパントとして液晶系におい
て用いる方法である。本発明の別の対象は、このオキシ
ラン−2−カルボン酸エステルを含有する液晶系並びに
新規の光学活性オキソラン−2−カルボン酸エステルに
ある。
−カルボン酸エステルをドーパントとして液晶系におい
て用いる方法である。本発明の別の対象は、このオキシ
ラン−2−カルボン酸エステルを含有する液晶系並びに
新規の光学活性オキソラン−2−カルボン酸エステルに
ある。
本発明に従って用いられるオキソラン−2−カルボン酸
エステルは、一般式(I) 子数1〜16の直鎖状または分枝状アルキル基または炭
素原子数3〜16の直鎮状または分枝状アルケニル基で
あり、但しこれらの基自体が不斉炭素原子を有していて
もよく、隣接していない一つ以上の−C11□−が一〇
−1−S−1−CO−1−O−CO−および/または−
CO−0−で交換されていてもよく、そして一つ以上の
11がF、Cf、BrまたはCNで交換されていてもよ
く、R2は水素原子または炭素原子数1〜16のアルキ
ル基、またはシクロヘキシル基またはビシクロヘキシル
基であり、但しこれらは4あるいは4゛位で炭素原子数
1〜16のアルキル鎖で置換されていてもよく、 R3は水素原子または炭素原子数1〜16のアルキル基
であり、 jおよびlは0.1または2であり、 kおよびIはOまたは1であり、 nは01 lまたは2であり、 但し、jおよび/または!がOである場合にはkはOで
あり、nが0である場合にはmは0でありそしてj+
l +nの合計が最小で1であり最高で3であり、 −p、2は −M+および−M2は−CO−0、−0−CO、−CI
l□C1h−1−CII=CI(、−CHzO−1−0
CI+□であり、Xが0またはSである。〕 で表されるオキシラン−2−カルボン酸エステルに相当
する。
エステルは、一般式(I) 子数1〜16の直鎖状または分枝状アルキル基または炭
素原子数3〜16の直鎮状または分枝状アルケニル基で
あり、但しこれらの基自体が不斉炭素原子を有していて
もよく、隣接していない一つ以上の−C11□−が一〇
−1−S−1−CO−1−O−CO−および/または−
CO−0−で交換されていてもよく、そして一つ以上の
11がF、Cf、BrまたはCNで交換されていてもよ
く、R2は水素原子または炭素原子数1〜16のアルキ
ル基、またはシクロヘキシル基またはビシクロヘキシル
基であり、但しこれらは4あるいは4゛位で炭素原子数
1〜16のアルキル鎖で置換されていてもよく、 R3は水素原子または炭素原子数1〜16のアルキル基
であり、 jおよびlは0.1または2であり、 kおよびIはOまたは1であり、 nは01 lまたは2であり、 但し、jおよび/または!がOである場合にはkはOで
あり、nが0である場合にはmは0でありそしてj+
l +nの合計が最小で1であり最高で3であり、 −p、2は −M+および−M2は−CO−0、−0−CO、−CI
l□C1h−1−CII=CI(、−CHzO−1−0
CI+□であり、Xが0またはSである。〕 で表されるオキシラン−2−カルボン酸エステルに相当
する。
特に有利な実施形態において、一般式(I)中の各記号
は以下の意味を有する: R′は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数4
〜14の直鎖状または分岐枝アルキル−またはアルケニ
ル基、その際隣接していない一つ以上の−CH,−基が
一〇−、−CO−および/または−CO−O−で交換さ
れていてもよく、また一つ以上のHがCNで交換されて
いてもよく、または一つ以上のHがFで交換されていて
もよく、R3は水素原子または炭素原子数1〜10のア
ルキル基であり、 jおよびlはOまたは1であり、 k、 mおよびnは0または1である。
は以下の意味を有する: R′は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数4
〜14の直鎖状または分岐枝アルキル−またはアルケニ
ル基、その際隣接していない一つ以上の−CH,−基が
一〇−、−CO−および/または−CO−O−で交換さ
れていてもよく、また一つ以上のHがCNで交換されて
いてもよく、または一つ以上のHがFで交換されていて
もよく、R3は水素原子または炭素原子数1〜10のア
ルキル基であり、 jおよびlはOまたは1であり、 k、 mおよびnは0または1である。
本発明の特に有利な別の実施形態では、一般式(IV)
11H
〔式中、R4は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素
原子数6〜12の直鎖状または分枝状アルキル−または
アルケニル基であり、 −13は一〇、−s、−o−coまたは−COであり、
−八4 は で表されるオキシラン−2−カルボン酸エステルを用い
る。
原子数6〜12の直鎖状または分枝状アルキル−または
アルケニル基であり、 −13は一〇、−s、−o−coまたは−COであり、
−八4 は で表されるオキシラン−2−カルボン酸エステルを用い
る。
特に有利な実施形態において一般式(IV)において残
5R”は11と同一でなく、その結果オキシラン環中の
二つ目の炭素原子も対掌ではない。
5R”は11と同一でなく、その結果オキシラン環中の
二つ目の炭素原子も対掌ではない。
一般式(I)、特に(IV)の新規の化合物には、実施
例に名称を挙げて化合物が特に有利に属する。
例に名称を挙げて化合物が特に有利に属する。
一般式(I)の化合物を製造する為には、一般式(II
) R’(−A’)J(−M’)h(−A”)t(−A2)
、%(−A3)−−X−)1 (II)で表され
るメソジェニックのフェノール類または一チオフェノー
ル類を、式(III)HR3 〔式中、YはOH−基またはハロゲン原子を意味する。
) R’(−A’)J(−M’)h(−A”)t(−A2)
、%(−A3)−−X−)1 (II)で表され
るメソジェニックのフェノール類または一チオフェノー
ル類を、式(III)HR3 〔式中、YはOH−基またはハロゲン原子を意味する。
〕
で表されるオキシラン−2−カルボン酸の誘導体と反応
させる。Y、 OHではプレンステンド(Br。
させる。Y、 OHではプレンステンド(Br。
ens Led t)−またはルイス酸の存在下に、場
合によっては水結合剤の存在下に(■)、または縮合反
応剤、例えばN、N′−カルボニルジイミダゾール、ジ
シクロへキシルカルボジイミドまたはアゾジカルボン酸
エステル/ トリフェニルホスフィンを用いてエステル
化を行う9Y・ハロゲンでは(II)との反応を酸補足
剤、特にピリジンまたはトリエチルアミンの存在下に行
う。最後に(II)のアルカリ金属−またはアルカリ土
類金属塩を酸ハロゲニド〔Y・ハロゲンである(■)〕
と反応させて(N とすることもできる。反応生成物は
自体公知の手段、例えば再結晶化またはクロマトグラフ
ィー分離法によって精製することもできる。
合によっては水結合剤の存在下に(■)、または縮合反
応剤、例えばN、N′−カルボニルジイミダゾール、ジ
シクロへキシルカルボジイミドまたはアゾジカルボン酸
エステル/ トリフェニルホスフィンを用いてエステル
化を行う9Y・ハロゲンでは(II)との反応を酸補足
剤、特にピリジンまたはトリエチルアミンの存在下に行
う。最後に(II)のアルカリ金属−またはアルカリ土
類金属塩を酸ハロゲニド〔Y・ハロゲンである(■)〕
と反応させて(N とすることもできる。反応生成物は
自体公知の手段、例えば再結晶化またはクロマトグラフ
ィー分離法によって精製することもできる。
弐(n)のフェノール類あるいはチオフェノール類も公
知である。同様にオキシラン−2−カルボン酸(I[[
)の誘導体を製造する方法も公知である。例えば5ha
rpless等、J、Org、Chem、 46.39
36 (I981); Djerassi等、J、A
m、Chem、Soc、 10L、2408 (I98
3)。
知である。同様にオキシラン−2−カルボン酸(I[[
)の誘導体を製造する方法も公知である。例えば5ha
rpless等、J、Org、Chem、 46.39
36 (I981); Djerassi等、J、A
m、Chem、Soc、 10L、2408 (I98
3)。
本発明の液晶混合物は液晶相を形成しそして少なくとも
一種類の光学活性オキシラン−2−カルボン酸エステル
を含有している。
一種類の光学活性オキシラン−2−カルボン酸エステル
を含有している。
“液晶相”なる概念にはネマチック−、コレステリンク
−1直交性スメクチンクーまたは傾斜スメチンク相、特
にSa、SsおよびSc −相を意味する。この液晶混
合物は2〜20成分、2〜15成分より成り、その内の
少なくとも一種類が本発明の対掌性化合物である。
−1直交性スメクチンクーまたは傾斜スメチンク相、特
にSa、SsおよびSc −相を意味する。この液晶混
合物は2〜20成分、2〜15成分より成り、その内の
少なくとも一種類が本発明の対掌性化合物である。
他の成分は、ネマチック相、コレステリフク相および/
またはスメクチック相、例えばSA−相、および/また
は傾斜したスメクチック相を示す公知の化合物から選択
するのが有利である。
またはスメクチック相、例えばSA−相、および/また
は傾斜したスメクチック相を示す公知の化合物から選択
するのが有利である。
これら化合物には例えばシッフ塩基、ビスフェニル類、
チルフェール類(Terphenyle)、フェニルシ
クロヘキサン類、シクロへキシルビフェニール類、N−
1S−または〇−金含有テロ環化合物、例えばピリミジ
ン類、桂皮酸エステル、コレステリンエステル、p−ア
ルキル安息香酸の種々の、橋架した末端極性多核エステ
ルが属する。市販の液晶混合物は一般に、既に光学活性
化合物の添加前に、少なくとも一種類がメソジェニック
である□即ち、誘導体化された形または特定の共成分と
の混合状態である化合物として少なくとも一種類の互変
(清澄温度〉 溶融温度)のまたは単変(清澄温度〈
溶融温度)のメソ組形成が期待される液晶相を示す一種
々の成分の混合物として存在している。
チルフェール類(Terphenyle)、フェニルシ
クロヘキサン類、シクロへキシルビフェニール類、N−
1S−または〇−金含有テロ環化合物、例えばピリミジ
ン類、桂皮酸エステル、コレステリンエステル、p−ア
ルキル安息香酸の種々の、橋架した末端極性多核エステ
ルが属する。市販の液晶混合物は一般に、既に光学活性
化合物の添加前に、少なくとも一種類がメソジェニック
である□即ち、誘導体化された形または特定の共成分と
の混合状態である化合物として少なくとも一種類の互変
(清澄温度〉 溶融温度)のまたは単変(清澄温度〈
溶融温度)のメソ組形成が期待される液晶相を示す一種
々の成分の混合物として存在している。
液晶混合物は、本発明の光学活性化合物の少なくとも一
種類の他にsc−相を示すエステル化合物、例えばアル
コキシ安息香酸フェニルエステル、または窒素原子含有
へテロ環を持つビアロマチンク化合物、例えばアルキル
ピリミジニル−アルコキシ−ベンゼンを含有しているの
が好ましい。
種類の他にsc−相を示すエステル化合物、例えばアル
コキシ安息香酸フェニルエステル、または窒素原子含有
へテロ環を持つビアロマチンク化合物、例えばアルキル
ピリミジニル−アルコキシ−ベンゼンを含有しているの
が好ましい。
液晶混合物は本発明の化合物を一般にO,OS〜70重
量%、特に0.1〜50重量%含有している。
量%、特に0.1〜50重量%含有している。
本発明の化合物は傾斜したスメクチック液晶相の為のド
ーパントとして特に通している。何故ならば、本発明の
化合物はか\る液晶相を強誘電性液晶相に変えるからで
ある。25°Cでの自然な偏光(Ps)の値は、10モ
ル2のドーパント混入量で、約1〜15nC/cm”の
範囲にありそして純粋な化合物に直線的に外挿すると約
10〜150nC/cm”の範囲にあり、一部のものは
このPs−の値がそれどころか更に高い。
ーパントとして特に通している。何故ならば、本発明の
化合物はか\る液晶相を強誘電性液晶相に変えるからで
ある。25°Cでの自然な偏光(Ps)の値は、10モ
ル2のドーパント混入量で、約1〜15nC/cm”の
範囲にありそして純粋な化合物に直線的に外挿すると約
10〜150nC/cm”の範囲にあり、一部のものは
このPs−の値がそれどころか更に高い。
新規の系の切り換え時間は大抵は、10モルχのドーパ
ント混入量、25°Cおよび±10v/μmの切り換え
電圧にてしばしば100μs以下である。
ント混入量、25°Cおよび±10v/μmの切り換え
電圧にてしばしば100μs以下である。
R,R−立体配置を持ちそして最も高い自然極性並びに
最も短い切り換え時間を示す(第1表、用途例30参照
)実施例7の結果が最も卓越している。本発明の化合物
はまた直交性スメクチフク相(SA、SlおよびSE
)においてエレクトロクリニック効果を得るためにも用
いることもできる。
最も短い切り換え時間を示す(第1表、用途例30参照
)実施例7の結果が最も卓越している。本発明の化合物
はまた直交性スメクチフク相(SA、SlおよびSE
)においてエレクトロクリニック効果を得るためにも用
いることもできる。
次層11」
(2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチルチオ−ピリミジン−5−
イル)フェニルツーエステル 413mg (2,0mmo l )のジシクロへキシ
ルカルボジイミドを10dの乾燥cozc f 2に溶
解した溶液を攪拌しながら室温で、429mg (2m
mo 1 )の(2R13S)−3−ノニル−オキシラ
ン−2−カルボン酸、633mg (2mmo l )
の4−(2−n−オクチルチオピリミジン−5−イル)
フェノール並びに20mgの4−ジメチルアミノピリジ
ンと混合する。室温で4時間攪拌した後に反応溶液を減
圧下に濃縮する。
ン酸(4−(2−n−オクチルチオ−ピリミジン−5−
イル)フェニルツーエステル 413mg (2,0mmo l )のジシクロへキシ
ルカルボジイミドを10dの乾燥cozc f 2に溶
解した溶液を攪拌しながら室温で、429mg (2m
mo 1 )の(2R13S)−3−ノニル−オキシラ
ン−2−カルボン酸、633mg (2mmo l )
の4−(2−n−オクチルチオピリミジン−5−イル)
フェノール並びに20mgの4−ジメチルアミノピリジ
ンと混合する。室温で4時間攪拌した後に反応溶液を減
圧下に濃縮する。
クロマトグラフィー精製およびn−ヘキサンでの再結晶
処理の後に120mg(I2χ)の無色の結晶が得られ
る。この物質は以下の液晶相転移を示す二X 73
5A93.5 1 以下の実施例でも、同様にしてそれぞれの生成物を得る
。
処理の後に120mg(I2χ)の無色の結晶が得られ
る。この物質は以下の液晶相転移を示す二X 73
5A93.5 1 以下の実施例でも、同様にしてそれぞれの生成物を得る
。
1旌±」
(2R,3S)−3−ペンチル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(2−n−オクチルチオ−ピリミジン−5
−イル)フェニルツーエステル 相転移: X61.4SA 84.5 1実施斑」 (2R,3S)−3−ペンチル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(2−n−オクチルオキシ−ピリミジン−
5−イル)フェニルツーエステル 相転移: X 47.5 SR75,6S、 115
.8 1尖隻±」 (2R,3S)−3−ノニル=オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチルオキシ−ピリミジン−5
−イル)フェニルツーエステル 相転移: X ’55 S359 St 935A1
18 I尖施五」 (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチル−ピリミジン−5−イル
)フェニルツーエステル 相転移: X 48 s、 99 SA 105 I
実五〇辻玉 (2R,3S)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸(412−n−オクチル−ピリミジン−5−イル
)フェニルツーエステル 相転移: X66SA86 1 夫旌■ユ (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチル−ピリミジン−5−イル
)フェニルツーエステル 融点ニア7℃ 災旌斑」 (2R,3S)−3−オクチル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(5−n−ノニル−ピリミジン−2−イル
)フェニルツーエステル 相転移: X 535A63 N” 641実去l
九J (2R,3S)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(5−n−オクチル−ピリミジン−2−イ
ル)フェニルツーエステル 融点二62℃ 1丘■川 (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(5−n−オクチル−ピリミジン−2−イル
)フェニル)−エステル 融点:67℃ 裏施阻U (2R,3S)−3−(トランス−4−(トランス−4
−ヘプチルシクロヘキシル)シクロヘキシルツーオキシ
ラン−2−カルボン酸−(4−デシルオキシ−フェニル
)−エステル 相転移: X 67.2 sw 125.9 sa 1
64.4 I ゛スmユ (2R,3S)−3−()ランス−4−(トランス−4
゛−へブチルシクロヘキシル)シクロヘキシルツーオキ
シラン−2−カルボン酸−(4−ドデシルオキシ−フェ
ニル)−エステル 相転移: X79S、156 I 実車■且′ (2R,3S)−3−()ランス−4−ペンチル−シク
ロヘキシル)−オキシラン−2−カルボン酸−(4−ド
デシルオキシ−フェニル)−エステル ×−’e R2−OCsMll、 R3−)4]融点=
69°C 実m (2R,3S)−3−オクチル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4°−オクチルオキシ−ビフェニル−4−イ
ル)−エステル 相転移: X 117.5 St 118 sa 1
19 IスJL[L匝 (2R,3S)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−デシルオキシ−ベンゾイルオキシ
)相転移: X82.5 N”103.S I1
胤医用 (2R,3S)−3−オクチル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−デシルオキシ−ベンゾイルオキシ
)−ビフェニル−41−イル〕−エステル相転移:
X117 5z122sc186N 200 1ス1
11u (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4’−オクチルオキシ−ビフェニル−4
−カルボニルオキシ)−フェニル〕エステル 融点:139℃ 災旌桝J (2R,3S)−3−ノニル−オキシラジー2−カルボ
ン酸−(4−(4−(4−オクチルオキシ−ベンゾイル
オキ相転移: X118 5c167SA1778
207 1実隻1u (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4−オクチルオキシ−ベンゾイルオキシ
)−フェニル〕エステル 〔(■) 中−” ” Hj7c90* J 着 +
、−at伽−C、&−’ + 、−M”■−(H20#
融点:101°C 1廉五穀 (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4”−オクチル−ビフェニル−4−メチ
レンオキシ)−フェニル〕エステル 〔(I)中、”−H17CB # j−2e −Q’−
Q 、 k −+、−M’−CH20p1申n−0、
n= 1、−Q3−(トX −0,R2−C9)419
# R3−”融点:164°C 裏庭■■ ビス((2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−
カルボン酸)−4,4’−ビフェニル−エステル〔(■
)中、R’=(2R,3S)−3−ノニル−オキシラン
−2−カルボニルオキシ基、R”−CJI9 、R3=
H。
ボン酸(4−(2−n−オクチルチオ−ピリミジン−5
−イル)フェニルツーエステル 相転移: X61.4SA 84.5 1実施斑」 (2R,3S)−3−ペンチル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(2−n−オクチルオキシ−ピリミジン−
5−イル)フェニルツーエステル 相転移: X 47.5 SR75,6S、 115
.8 1尖隻±」 (2R,3S)−3−ノニル=オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチルオキシ−ピリミジン−5
−イル)フェニルツーエステル 相転移: X ’55 S359 St 935A1
18 I尖施五」 (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチル−ピリミジン−5−イル
)フェニルツーエステル 相転移: X 48 s、 99 SA 105 I
実五〇辻玉 (2R,3S)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸(412−n−オクチル−ピリミジン−5−イル
)フェニルツーエステル 相転移: X66SA86 1 夫旌■ユ (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(2−n−オクチル−ピリミジン−5−イル
)フェニルツーエステル 融点ニア7℃ 災旌斑」 (2R,3S)−3−オクチル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(5−n−ノニル−ピリミジン−2−イル
)フェニルツーエステル 相転移: X 535A63 N” 641実去l
九J (2R,3S)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸(4−(5−n−オクチル−ピリミジン−2−イ
ル)フェニルツーエステル 融点二62℃ 1丘■川 (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸(4−(5−n−オクチル−ピリミジン−2−イル
)フェニル)−エステル 融点:67℃ 裏施阻U (2R,3S)−3−(トランス−4−(トランス−4
−ヘプチルシクロヘキシル)シクロヘキシルツーオキシ
ラン−2−カルボン酸−(4−デシルオキシ−フェニル
)−エステル 相転移: X 67.2 sw 125.9 sa 1
64.4 I ゛スmユ (2R,3S)−3−()ランス−4−(トランス−4
゛−へブチルシクロヘキシル)シクロヘキシルツーオキ
シラン−2−カルボン酸−(4−ドデシルオキシ−フェ
ニル)−エステル 相転移: X79S、156 I 実車■且′ (2R,3S)−3−()ランス−4−ペンチル−シク
ロヘキシル)−オキシラン−2−カルボン酸−(4−ド
デシルオキシ−フェニル)−エステル ×−’e R2−OCsMll、 R3−)4]融点=
69°C 実m (2R,3S)−3−オクチル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4°−オクチルオキシ−ビフェニル−4−イ
ル)−エステル 相転移: X 117.5 St 118 sa 1
19 IスJL[L匝 (2R,3S)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−デシルオキシ−ベンゾイルオキシ
)相転移: X82.5 N”103.S I1
胤医用 (2R,3S)−3−オクチル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−デシルオキシ−ベンゾイルオキシ
)−ビフェニル−41−イル〕−エステル相転移:
X117 5z122sc186N 200 1ス1
11u (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4’−オクチルオキシ−ビフェニル−4
−カルボニルオキシ)−フェニル〕エステル 融点:139℃ 災旌桝J (2R,3S)−3−ノニル−オキシラジー2−カルボ
ン酸−(4−(4−(4−オクチルオキシ−ベンゾイル
オキ相転移: X118 5c167SA1778
207 1実隻1u (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4−オクチルオキシ−ベンゾイルオキシ
)−フェニル〕エステル 〔(■) 中−” ” Hj7c90* J 着 +
、−at伽−C、&−’ + 、−M”■−(H20#
融点:101°C 1廉五穀 (2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4”−オクチル−ビフェニル−4−メチ
レンオキシ)−フェニル〕エステル 〔(I)中、”−H17CB # j−2e −Q’−
Q 、 k −+、−M’−CH20p1申n−0、
n= 1、−Q3−(トX −0,R2−C9)419
# R3−”融点:164°C 裏庭■■ ビス((2R,3S)−3−ノニル−オキシラン−2−
カルボン酸)−4,4’−ビフェニル−エステル〔(■
)中、R’=(2R,3S)−3−ノニル−オキシラン
−2−カルボニルオキシ基、R”−CJI9 、R3=
H。
j=に=1=m= 01n= 2、−3−Q−X−O)
融点:158℃ 実新lホダ (2R,3S)−3〜ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4−デシルオキシ−ベンゾイルオキシ)
フェニル]エステル R”= H) 相転移: X 915c102 N” 1051裏隻
■刹 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−n−オクチル−ピリミジン−5−
イル)融点:83°C 災施N且 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(−(5−n−オクチル−ピリミジン−2−イ
ル)フェニル)エステル 融点:40°C 実新ビんは (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−n−オクチルチオ−ピリミジン−5
−イ融点二67°C 夫旌拠酋 (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−n−オクチルオキシ−ピリミジン−
5−融点:97°C 夫血拠釘 (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−(S)−7−メチルノニルオキシ)
−ピリジR’:I+ ) 融点=87°C 災脂■刈 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(S)−7−メチルノニルオキシ
)−ピリミジン−5−イル)フヱニル〕エステル融点:
45°C 尖施斑刹 (2)1,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カ
ルボン酸−(4−(2−オクチルオキシ−ピリミジン−
5−イル)フェニル〕エステル 融点:62°C ス11ホ曵 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(5−オクチルオキシ−ピリミジン−2
−融点=67°C 1隻斑■ (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(2−(4−オクチルオキシ−フェニル)−ピ
リミジン−5−イルツーエステル 融点二83℃ 叉立拠皿 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−オクチルオキシ−ベンゾイルオキ
シ)−ビフェニル−4°−イル〕−エステル相転移:
X (3,121N 123) 131 1去旋■
η (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(I0−ウンデセン−1−イル)
オキシ−ピリミジン−5−イル)フェニルツーエステル
融点:61”C 災施五」 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(I,1−H−ベルフルオルオク
チル)オキシ−ピリミジン−5−イル)フェニル〕−ニ
ス融点:99℃ スlホ伎 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(5−オクチル−1,3−ジオキサン−
2−イル)フェニルツーエステル 融点:59°C 実施■皿 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−ノニルオキシ−ピリミジン−5−
イ融点:68°C 尖施斑釘 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−デシルオキシ−ピリミシン−5−
イル)フェニル〕−エステル 融点ニア0°C 実11牢坦 (2R、31’り −3−プロピル−オキシラン−2−
カルボン酸−(4−(5−オクチル−ピリミジン−2−
イル)フェニルツーエステル 融点:53°C 実施■皿 (2L3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(2−(4−ペンチルオキシ−カルボニル−フェ
ニル)−ピリミジン−5−イル)〕−エステル融点:8
2°C 夫施斑剋 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−トランス−ペンチルシクロヘキシ
ル)−フェニルツーエステル (2R,3R)−3−プロピル−オキソラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(4−へキシルオキシ−フェニル
)ピリミジン−5−イル)−フェニルツーエステル〔(
I)中、R’=H+3ChO、j=I=n= 1、k=
m= OlC3+1 ?、R3= H) 相転移: X 121 Sa 151 11施
貫婬 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(2−(4−(5−オキソ−ヘキシル)オキシ
−フェニル)−ピリミジン−5−イル〕−エステル融点
:84°C スJd江担 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(5−オクチル−1,3= ジチアン−
2−イル)フェニルツーエステル 融点:102°C 1施ta (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(2−(4−(4−)ランス−プロピルシクロ
ヘキシル)−力ルボニルオキシ−フェニル)ピリミジン
−5−イル〕−エステル 〔(り中、R’= H−rcs 、j=に=1=n=
1 、m=o 。
融点:158℃ 実新lホダ (2R,3S)−3〜ノニル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(4−デシルオキシ−ベンゾイルオキシ)
フェニル]エステル R”= H) 相転移: X 915c102 N” 1051裏隻
■刹 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−n−オクチル−ピリミジン−5−
イル)融点:83°C 災施N且 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(−(5−n−オクチル−ピリミジン−2−イ
ル)フェニル)エステル 融点:40°C 実新ビんは (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−n−オクチルチオ−ピリミジン−5
−イ融点二67°C 夫旌拠酋 (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−n−オクチルオキシ−ピリミジン−
5−融点:97°C 夫血拠釘 (2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−(S)−7−メチルノニルオキシ)
−ピリジR’:I+ ) 融点=87°C 災脂■刈 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(S)−7−メチルノニルオキシ
)−ピリミジン−5−イル)フヱニル〕エステル融点:
45°C 尖施斑刹 (2)1,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カ
ルボン酸−(4−(2−オクチルオキシ−ピリミジン−
5−イル)フェニル〕エステル 融点:62°C ス11ホ曵 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(5−オクチルオキシ−ピリミジン−2
−融点=67°C 1隻斑■ (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(2−(4−オクチルオキシ−フェニル)−ピ
リミジン−5−イルツーエステル 融点二83℃ 叉立拠皿 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−オクチルオキシ−ベンゾイルオキ
シ)−ビフェニル−4°−イル〕−エステル相転移:
X (3,121N 123) 131 1去旋■
η (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(I0−ウンデセン−1−イル)
オキシ−ピリミジン−5−イル)フェニルツーエステル
融点:61”C 災施五」 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(I,1−H−ベルフルオルオク
チル)オキシ−ピリミジン−5−イル)フェニル〕−ニ
ス融点:99℃ スlホ伎 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(5−オクチル−1,3−ジオキサン−
2−イル)フェニルツーエステル 融点:59°C 実施■皿 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−ノニルオキシ−ピリミジン−5−
イ融点:68°C 尖施斑釘 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−デシルオキシ−ピリミシン−5−
イル)フェニル〕−エステル 融点ニア0°C 実11牢坦 (2R、31’り −3−プロピル−オキシラン−2−
カルボン酸−(4−(5−オクチル−ピリミジン−2−
イル)フェニルツーエステル 融点:53°C 実施■皿 (2L3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(2−(4−ペンチルオキシ−カルボニル−フェ
ニル)−ピリミジン−5−イル)〕−エステル融点:8
2°C 夫施斑剋 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(4−トランス−ペンチルシクロヘキシ
ル)−フェニルツーエステル (2R,3R)−3−プロピル−オキソラン−2−カル
ボン酸−(4−(2−(4−へキシルオキシ−フェニル
)ピリミジン−5−イル)−フェニルツーエステル〔(
I)中、R’=H+3ChO、j=I=n= 1、k=
m= OlC3+1 ?、R3= H) 相転移: X 121 Sa 151 11施
貫婬 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(2−(4−(5−オキソ−ヘキシル)オキシ
−フェニル)−ピリミジン−5−イル〕−エステル融点
:84°C スJd江担 (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(4−(5−オクチル−1,3= ジチアン−
2−イル)フェニルツーエステル 融点:102°C 1施ta (2R,3R)−3−プロピル−オキシラン−2−カル
ボン酸−(2−(4−(4−)ランス−プロピルシクロ
ヘキシル)−力ルボニルオキシ−フェニル)ピリミジン
−5−イル〕−エステル 〔(り中、R’= H−rcs 、j=に=1=n=
1 、m=o 。
R’ C*Ht、R’= H)
融点:141℃
災搭拠旦
(2R,3R)−3−メチル−オキシラン−2−カルボ
ン酸−(4−(2−((S)−8−メチル−デシル)−
ピリミジン−5−イル)フェニル〕−エステル 融点ニア3°C 月】■Iu二1四− 傾斜したスメクチック相を示す液晶系においての強誘電
性ドーパントとしての上記の化合物の能力を試験する為
に、これらの化合物をそれぞれ10モルχの濃度で式 で表されるラセミ体化合物(A)の4−(5−オクチル
−ピリミジン−2−イル)−1−(6−メチル−オクト
−1−オキシ)ベンゼンあるいは式 で表されるラセミ体化合物(B)の4〜(4−デシルオ
キシ−フェニル−1−カルボニルオキシ)−1−(4−
メチル−ヘキシル−オキシ)−ベンゼンあるいは下記の
相転移 K 13 Sc 515A 62 N 67 1
(C)を示す非対掌性基本混合物(C)あるいは下記
の相転移 に12.5 sc 83 SA 95 N 1001
(D)を示す非対掌性基本混合物(D)と混合する
。
ン酸−(4−(2−((S)−8−メチル−デシル)−
ピリミジン−5−イル)フェニル〕−エステル 融点ニア3°C 月】■Iu二1四− 傾斜したスメクチック相を示す液晶系においての強誘電
性ドーパントとしての上記の化合物の能力を試験する為
に、これらの化合物をそれぞれ10モルχの濃度で式 で表されるラセミ体化合物(A)の4−(5−オクチル
−ピリミジン−2−イル)−1−(6−メチル−オクト
−1−オキシ)ベンゼンあるいは式 で表されるラセミ体化合物(B)の4〜(4−デシルオ
キシ−フェニル−1−カルボニルオキシ)−1−(4−
メチル−ヘキシル−オキシ)−ベンゼンあるいは下記の
相転移 K 13 Sc 515A 62 N 67 1
(C)を示す非対掌性基本混合物(C)あるいは下記
の相転移 に12.5 sc 83 SA 95 N 1001
(D)を示す非対掌性基本混合物(D)と混合する
。
それぞれに混合物の自然偏光(Ps : nC/cm−
”)の値、切り換え時間τ (μS)の値およびSc
−相の光学的傾斜角θ(°)を測定する。ps−値はI
l、Diamant等の方法(Rev、Sci、 In
5tr、、訊、30、(I957) )に従って測定し
、その際にτ−値およびθ−値も測定される特別な測定
用セル[5karp等、Ferroelectric
Letters 、第6巻、67 (I986) ]を
用いる。約2μmのセル層の厚さの場合には、剪断力に
よってSC−相において液晶の均一な平面的配向が達成
される(SSFLC−Technik 、 C1ark
等、Appl、Phys、Lett、 36.899(
I980) )。τおよびθを測定する為に、上記の測
定用セルを交差した検偏器と偏光子との間の偏光顕微鏡
の回転台の上に固定する。最大から最小の光透過量まで
測定用セルを回転させることによって光学的傾斜角ある
いは切り換え角2θを測定する。光ダイオードにより、
10から90χの信号高さに光信号が増加する時間を測
定することによって切り換え時間τの測定を行う。
”)の値、切り換え時間τ (μS)の値およびSc
−相の光学的傾斜角θ(°)を測定する。ps−値はI
l、Diamant等の方法(Rev、Sci、 In
5tr、、訊、30、(I957) )に従って測定し
、その際にτ−値およびθ−値も測定される特別な測定
用セル[5karp等、Ferroelectric
Letters 、第6巻、67 (I986) ]を
用いる。約2μmのセル層の厚さの場合には、剪断力に
よってSC−相において液晶の均一な平面的配向が達成
される(SSFLC−Technik 、 C1ark
等、Appl、Phys、Lett、 36.899(
I980) )。τおよびθを測定する為に、上記の測
定用セルを交差した検偏器と偏光子との間の偏光顕微鏡
の回転台の上に固定する。最大から最小の光透過量まで
測定用セルを回転させることによって光学的傾斜角ある
いは切り換え角2θを測定する。光ダイオードにより、
10から90χの信号高さに光信号が増加する時間を測
定することによって切り換え時間τの測定を行う。
切り換え電圧は±to V/μmである。PS 、τ、
2θの値の他に各混合物のSc−範囲を示す。
2θの値の他に各混合物のSc−範囲を示す。
表中の括弧内の値はSc−範囲の過冷却可能な下限温度
を示している。
を示している。
第1表に結果を総括掲載する。
1、 A21およびA30
相順序■ →N−>SA−+S、を示す非対掌性液晶混
合物(C)中にそれぞれ本発明の化合物の内の一種類を
混入しそしてそれの涙じれ能力(螺旋構造の発生)をネ
マチック相およびSc相において試験する。生じる螺旋
のピッチの測定は、例えば、P、Kassubek等、
Mo1.Cryst、Liq。
合物(C)中にそれぞれ本発明の化合物の内の一種類を
混入しそしてそれの涙じれ能力(螺旋構造の発生)をネ
マチック相およびSc相において試験する。生じる螺旋
のピッチの測定は、例えば、P、Kassubek等、
Mo1.Cryst、Liq。
Cryst、、第8巻、第305〜314頁、1969
に記載されているように、配向層を持つ模型セル中にお
いて偏光顕微鏡により混合吸収線(Versetzu、
ngs−1inien)を測定することによって行う。
に記載されているように、配向層を持つ模型セル中にお
いて偏光顕微鏡により混合吸収線(Versetzu、
ngs−1inien)を測定することによって行う。
S、−相におけるピンチの測定はHe−Ne−レーザー
光線の差パターンによって(K、Kondo等、Jpn
、J、Appl。
光線の差パターンによって(K、Kondo等、Jpn
、J、Appl。
Phy、21.224(I982)並びに偏光顕微鏡に
おける混合吸収線の測定によって行う。結果を第2表に
総括掲載する。
おける混合吸収線の測定によって行う。結果を第2表に
総括掲載する。
実施例10の化合物の極端に大きい捩能力(用途例A2
1)は特に顕著である。それ故にこの化合物はN1−に
おいてもSc−相においても液晶混合物においてピッチ
を補整するのに適している。
1)は特に顕著である。それ故にこの化合物はN1−に
おいてもSc−相においても液晶混合物においてピッチ
を補整するのに適している。
1己え表
10 A21 62 7.5
ど3 八22 25
15.I S。
ど3 八22 25
15.I S。
60 11、、i N“
7 A23 25 15.6
5C26八24 63 8.3
N”27 A25 62
.5 9.5 N”28 A26
91.5 4.6 N’″29
A27 91.5 5.8 N”30
428 94 4.5 N
”31 429 89 9、I
N”36 八30 92
5.8 N13) HT
P (螺旋の捩じれ力)= (XXP)−’X= M
本混合物(C)中のドーパントの分子分率 P: ピンチ 月j」11丼 式(I)の化合物は直交性スメクチック相(SA。
5C26八24 63 8.3
N”27 A25 62
.5 9.5 N”28 A26
91.5 4.6 N’″29
A27 91.5 5.8 N”30
428 94 4.5 N
”31 429 89 9、I
N”36 八30 92
5.8 N13) HT
P (螺旋の捩じれ力)= (XXP)−’X= M
本混合物(C)中のドーパントの分子分率 P: ピンチ 月j」11丼 式(I)の化合物は直交性スメクチック相(SA。
SR、St )において、差係数(dθ/dE)によっ
て大きさが表されるエレクトロクリニック効果を示す。
て大きさが表されるエレクトロクリニック効果を示す。
θは電場Eによって生じる傾斜角である。それの大きさ
の測定はS、−相において行うが、同じ相の“本棚的(
bookshelf)”配向状態においておよび偏光測
定の為にも用いた同じセル中でも行う(用途例A1〜A
20参照)。電場によって生じる傾斜角は偏光顕微鏡に
おいて交差した偏光子の所で、暗所を見出し、それに関
連する角度を回転台で読みとりそしてそれから電場のな
い状態で測定される角度を引くことによって測定する。
の測定はS、−相において行うが、同じ相の“本棚的(
bookshelf)”配向状態においておよび偏光測
定の為にも用いた同じセル中でも行う(用途例A1〜A
20参照)。電場によって生じる傾斜角は偏光顕微鏡に
おいて交差した偏光子の所で、暗所を見出し、それに関
連する角度を回転台で読みとりそしてそれから電場のな
い状態で測定される角度を引くことによって測定する。
化合物(I)の能力を試験する為に、用途例A9に規定
した混合物のエレクトロクリニック係数を48°Cの温
度で測定する。(dθ/dE)= 2.5 Xl0−9
rad m/V)が得られる。
した混合物のエレクトロクリニック係数を48°Cの温
度で測定する。(dθ/dE)= 2.5 Xl0−9
rad m/V)が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)液晶混合物においてドーパントとして光学活性のオ
キシラン−2−カルボン酸エステルを用いる方法。 2)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは炭素原 子数1〜16の直鎖状または分枝状アルキル基または炭
素原子数3〜16の直鎖状または分枝状アルケニル基で
あり、但しこれらの基自体が不斉炭素原子を有していて
もよく、隣接していない一つ以上の−CH_2−が−O
−、−S−、−CO−、−O−CO−および/または−
CO−O−で交換されていてもよく、そして一つ以上の
HがF、Cl、BrまたはCNで交換されていてもよく
、 R^2は水素原子または炭素原子数1〜16のアルキル
基、またはシクロヘキシル基またはビシクロヘキシル基
であり、但しこれらは4あるいは4′位で炭素原子数1
〜16のアルキル鎖で置換されていてもよく、 R^3は水素原子または炭素原子数1〜16のアルキル
基であり、 jおよびlは0、1または2であり、 kおよびmは0または1であり、 nは0、1または2であり、 但し、jおよび/またはlが0である場合にはkは0で
あり、nが0である場合にはmは0でありそしてj+l
+nの合計が最小で1であり最高で3であり、 −A^1および−A_2は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼であり、 −A^3は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
であり −M^1および−M_2は−CO−O、−O−CO、−
CH_2CH_2、−CH=CH、−CH_2O−、−
OCH_2であり、XがOまたはSである。〕 で表されるオキシラン−2−カルボン酸エステルを用い
る請求項1に記載の方法。 3)一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 〔式中、R^4は不斉炭素原子を含有していてもよい炭
素原子数6〜12の直鎖状または分枝状アルキル−また
はアルケニル基であり: −M^3は−O、−S、−O−COまたは−COであり
、−A^4は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼である。〕 で表されるオキシラン−2−カルボン酸エステルを用い
る請求項2に記載の法。 4)請求項2に記載の一般式( I )で表される光学活
性オキシラン−2−カルボン酸エステル。 5)請求項3に記載の一般式(IV)で表される光学活性
オキシラン−2−カルボン酸エステル。 6)少なくとも一種類の光学活性のオキシラン−2−カ
ルボン酸エステルを含有する液晶混合物。 7)請求項2に記載の一般式( I )で表される少なく
とも一種類の光学活性のオキシラン−2−カルボン酸エ
ステルを含有する液晶混合物。 8)請求項3に記載の一般式(IV)で表される少なくと
も一種類の光学活性のオキシラン−2−カルボン酸エス
テルを含有する液晶混合物。 9)請求項6に記載の液晶混合物を含有する電気光学的
スイッチング−または表示装置。 10)請求項2に記載の一般式( I )の光学活性のオ
キシラン−2−カルボン酸エステルを製造するに当たっ
て、一般式(II) R^1(−A^1)_j(−M^1)_k(−A^2)
_l(−M^2)_m(−A^3)_n−X−H(II)
で表されるメソジエニックのフェノール類あるいはチオ
フェノール類を一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、YがOH−基またはハロゲン原子を意味する。 〕 で表されるオキシラン−2−カルボン酸の誘導体と反応
させることを特徴とする、上記光学活性オキソラン−2
−カルボン酸エステルの製造方法。
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