JPS6331147A - 半導体装置のリ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止される半導体装置に係シ、特に薄いリ
ードフレームを有する半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、モールド封止型半導体装置に使用されるリードフ
レームは、板厚が０．２５乃至０．３　ｍｍのものが使
用されている。しかし力から、カード電卓の様な厚さに
対して敏感なところに使用される半導体装置は、全体の
厚さを薄くする必要から、０．１乃至０．２　ｍｍ　厚
のリードフレームが使用されるに致った。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このようなモールド封止型の半導体装置は、使用される
際に一般にはんだ付けによシ実装される。

その際に、リードフレームの素子搭載部の裏主面は平坦
であ）、はんだ付けの加熱によ〕、リードフレームの裏
主面と樹脂との界面が剥れるという欠点がある。

従って、前述した従来のリードフレーム厚が０．２５乃
至０．３ｍｍのものけ、リードフレーム、の加工工程に
おいて、エツチング等で多数のくぼみをもうけることに
よ・す、樹脂との接着面積を増加し、密着力の向上を計
っている。しかしながら。

薄型に使用される０、　１乃至０．２　ｍｍ厚のものけ
。

多数のくぼみをもうけると、薄い為搭載部の強度が低下
して平坦度が悪くなシ、良好に素子を搭載出来ないとい
う欠点がある。

本発明の目的は、前記欠点が解決され、耐熱性及び耐湿
性にすぐれた半導体装置のリードフレームを提供するこ
とにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の構成は、樹脂封止される半導体装置のリードフ
レームにおいて、半導体素子搭載部の裏主面に多数の金
属突起を設けたことを特徴とする。

〔実施例〕

次に本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例の半導体装置のリードフレー
ムを示す断面図である。同図において、本実施例の半導
体装置のリードフレーム３＃：！：、半導体素子２の搭
載部の裏主面にモールド封止用のエポキシ樹脂からなる
封止樹脂１と比較的密着性の良好な金属、例えばＣｕ＋
５ｎ−Ｎｉ合金、　　Ｎｉ　−Ｐ合金、アルミニウム等
の金属突起５が多数形成されている。これによシ、基本
的密着力の向上と接着面積の増加を計ったものである。

この突起５をもける方法として、レジストによう部分め
っき法で行なうと、第２図の様な突起５の形状になる。

即ち、断面が略台形状になる。特に、Ｃｕ、５ｎ−Ｎｉ
。

Ｎ１−Ｐ等の金属突起は、めっき法で形成出来ることか
ら、密着特性にアンカー効果もあシ、有効である。

また、第３図に本発明の他の実施例の半導体装置のリー
ドフレームを示すように、めっき法で突起５の形成の出
来ないアルミニウム等は、事前にクラッド法や蒸着によ
り、全面に形成したのち、エツチング等で突起を形成す
る。この様に行なうと、第３図の様な逆台形状の突起５
′が得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、接着面積の増加
によって密着性が向上するばかシでなく、素材そのもの
の密着特性にとられれることなく、よシ封止樹脂と密着
性の良好な金属を選択出来るという効果が得られる。そ
の他に、特にめっき方法で形成した形状は、アンカー効
果もあることから、リードフレームの素子搭載部裏面と
樹脂との密着性は非常に強固となり、半導体装置におけ
る耐熱性並びに耐湿性が著しく向上するという効果が得
られる。

尚第１図において、リードフレーム３の各リードと、半
導体素子２の電極とけ、ボンディング・ワイヤで１気的
に接続されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体装置のリードフレー
ムの断面図、第２図は第１図の突起を示す断面図、第３
図は本発明の他の実施例の半導体装置のリードフレーム
の突起を示す断面図である。 同図において、 １・・・・・・封止樹脂、２・・−・・・半導体素子、
３・・・・・・リードフレーム、４・・・・・・ボンデ
ィング・ワイヤ、５゜５′・・・・・・突起。 ｒへ・、 代理人　弁理士　　内　原　　　１　　・′８、−ノ 表１回 茅２ツ 沼３　ゾ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　樹脂封止される半導体装置のリードフレームにおいて
   、半導体素子搭載部の裏主面に、多数の金属突起を設け
   たことを特徴とする半導体装置のリードフレーム。