JPH02105449A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JPH02105449A
JPH02105449A JP63258673A JP25867388A JPH02105449A JP H02105449 A JPH02105449 A JP H02105449A JP 63258673 A JP63258673 A JP 63258673A JP 25867388 A JP25867388 A JP 25867388A JP H02105449 A JPH02105449 A JP H02105449A
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JP
Japan
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island
lead frame
semiconductor device
semiconductor element
island part
Prior art date
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Pending
Application number
JP63258673A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Tsuji
辻　清志
Seiichi Nishino
西野　誠一
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特に樹脂
封止型の半導体装置用リードフレームに関する。
〔従来の技術〕
従来、樹脂封止型の半導体装置用リードフレームは、Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金やＣｕ材をプレス法又は、エツチング法に
て型抜きされ、その板厚は一般的に０．１５〜０．３＋
ａｍである。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のリードフレームは、半導体素子搭載用の
アイランド部表面が平坦かつ滑らかな構造を有している
為、半導体用接着材とアイランド部との密着性が悪く、
多少の振動や衝撃によって接着界面にひびが入ったり、
界面がら剥がれるどう欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体素子搭
載用のアイランド部表面が多数の溝によって仕切られた
複数の凸部からなる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施
例のアイランド部の斜視図及びＡ−Ａ’線断面図である
。
この実施例のアイランド部は、表面に、既存のエツチン
グ法（ハーフエツチング法）により形成された行と列に
直交する多数の溝によって仕切られた面積３〜５　ｍｎ
ｆで高さ２０〜６０μｍの複数の凸部が形成されである
。
ここで、凸部のサイズは、表面積３−〜５−で高さは２
０μｍ〜６０μｍがよい。これよりサイズが大きいと、
アイランド部と銀ペーストとの界面でクラックが発生し
易くなり、又、サイズを小さ目にすると効果があまり望
めなくなる。
又、従来構造のリードフレームと本実施例との、アイラ
ンド部へ素子を搭載した場合の密着強度を比較してみる
と従来構造では８〜１０ｋｇであるが、本実施例では１
２〜１５ｋｇであった。
第２図は本実施例を使った半導体装置の断面図である。
この半導体装置は、アイランド部６の上に半導体素子４
を樹脂銀ペースト５を介して固着し、金属細線２でリー
ド部３へ電気的に接続し、これらを覆うように封止樹脂
１が設けられる。
第３図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第２の実施
例のアイランド部の斜視図、及びＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
この実施例の凸部７′の形成法としては、リードフレー
ムのアイランド部表面へ部分的にマスクを施しメツキ法
により凸部を形成する方法がある。この実施例の形成法
に於いてはＣｕメツキやＮｉメツキは析出速度が速いの
で好ましい。
その他、スクリーン印刷法を用いてガラスペーストで凸
部を形成する方法がある。
これらの方法によれば、リードフレームをプレスで作っ
た後に凸部を形成できるので安価に出来る利点がある。
又、メツキによる析出法で凸部を形成すると、凸部の形
状がきのこ型になるので、接着部のくさび効果によって
接着強度はより大きくなる。
更に又、本発明では、凸部の形状は、特に限定されず、
四角柱、三角柱１円柱、六角柱等、いすに於いても効果
がある。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、ハーフエツチング法やメツ
キ法、スクリーン印刷法等によってリードフレームのア
イランド部表面に多数の凸部を形成する事により、接着
材との接着面積を増加させ半導体素子とアイランド部と
の密着性が向上するという効果がある。
／ ７凸が
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施
例のアイランド部の斜視図及びＡ−Ａ’線線断断面図第
２図は本実施例を使った半導体装置の断面図、第３図（
ａ＞及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第２実施例のアイラ
ンド部の斜視面図、及びＢ−Ｂ’’断面図である。 １・・・封止樹脂、２・・・金属細線、３・・・リード
部、４・・・半導体素子、５・・・樹脂銀ペースト、６
・・・アイランド部、７，７′・・・凸部。 気　　１　　図 男　２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子搭載用のアイランド部表面が多数の溝によっ
    て仕切られた複数の凸部からなることを特徴とする半導
    体装置用リードフレーム。
JP63258673A 1988-10-13 1988-10-13 半導体装置用リードフレーム Pending JPH02105449A (ja)

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JP63258673A JPH02105449A (ja) 1988-10-13 1988-10-13 半導体装置用リードフレーム

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JP63258673A JPH02105449A (ja) 1988-10-13 1988-10-13 半導体装置用リードフレーム

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106498A (ja) * 1993-10-05 1995-04-21 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法 および樹脂封止型半導体装置
WO2001059828A3 (de) * 2000-02-14 2002-02-28 Epcos Ag Bauelement mit konstant verspannter verklebung und verfahren zur verklebung
DE10139681A1 (de) * 2001-08-11 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper
JP2007134394A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2022176744A (ja) * 2021-05-17 2022-11-30 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

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