JPS6331149A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6331149A
JPS6331149A JP61174854A JP17485486A JPS6331149A JP S6331149 A JPS6331149 A JP S6331149A JP 61174854 A JP61174854 A JP 61174854A JP 17485486 A JP17485486 A JP 17485486A JP S6331149 A JPS6331149 A JP S6331149A
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JP
Japan
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stage
semiconductor device
resin package
moisture
resin
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JP61174854A
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Toshimi Kawahara
川原　登志実
Rikuro Sono
薗　陸郎
Hiroaki Hayashi
林　浩明
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体装置において、ステージより延出するス
テージバーが樹脂パッケージの側面までは延在せず樹脂
パッケージの内部で終端となる構成とし、樹脂パッケー
ジ自体が、水分が上記ステージバーに到るまでの段階で
水分の侵入を阻止すべく効果的に機能するようにしたも
のである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に半導体素子を樹脂パッケージ
で封止してなる半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置の構造を第８図（Ａ）、（Ｂ）に示す
。各図中、１は半導体素子であり、ステージ２上に固着
しである。３．４はステージバー、５はリード、６はこ
れらを封止する樹脂パッケージである。
ステージ２より両側に延出するステージバー３゜４は、
樹脂パッケージ６の側面まで延出しこれより露出し、こ
）で終端３ａ、４ｂとなっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
半導体装置がプリント基板上に実装された使用状態にお
いて、外部の水分はステージバー３．４の終端３ａ、４
ａよりステージバー３．４の表面を矢印Ａ、Ｂで示すよ
うに伝って半導体装置内に徐々に侵入する。ステージパ
ー３．４は終端３ａ。
４ａよりステージ２まで延在しているため、水分は遂に
はステージ２に到り半導体素子１に悪影響を及ぼし、半
導体装置は特性が劣化したり、故障したりする。即ち、
従来の半導体装置はその構造上耐湿性に問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、半導体チップがこれが固着されるステージ、
ステージパー及び該半導体チップとワイヤ接続されたリ
ードと共に樹脂で封止されてなる半導体装置において、 上記ステージより延出する上記ステージパーが上記樹脂
パッケージの側面までは延在せず、該樹脂パッケージの
内部で終端となる構成としたものである。
〔作用〕
上記の構成は、ステージパーの終端を被う樹脂パッケー
ジ自体が、水分がステージパーに到達することを阻止し
て、水分の半導体素子までの侵入を防止する。
〔実施例〕
第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の一実施例にな
る半導体装置１０を示す。各図中、１１は半導体素子で
あり、ステージ１２上に固着してあり、これとリード１
３との間がワイヤ１４で接続しである。１５．１６はス
テージパーである。
１７は偏平直方体形状の樹脂パッケージであり、後述す
るように、第１の封脂成形体１８と第２の封脂形成体１
つとよりなり、上記の半導体素子１１、ステージ１２、
リード１３、ワイヤ１４、ステージパー１５．１６を封
止している。
ステージ１２より延出するステージパー１５゜１６は、
樹脂パッケージ１７の側面１７ａ、１７ｂまでは到らず
、樹脂パッケージ１７の内部で終端１５ａ、１６ａとな
っている。
このようにステージ−バー１５．１６の終端１５ａ、１
６ａは樹脂パッケージ１７により被われて樹脂パッケー
ジ１７の側面１７ａ、１７ｂには露出していないため、
樹脂パッケージ１７は半導体素子１１に到る水分侵入路
の入口が完全に塞がれたと同等の状態となり、半導体装
置１０は従来に比べて格段に優れた耐湿性を有する。
次に上記半導体装置１０の製造方法について説明する。
まず第２図＜Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体素子１
１が固着されワイヤボンディングされたリードフレーム
２０を、上型２１と下型２２との間に挾み、１回目の成
形を行なう。２３は偏平な球形状のキャビティ、２４は
ランナ、２５はゲートである。２６．２７はステージパ
ーであり、ステージ１２と、リードフレーム２０の両側
のフレーム２８．２９との間に延在しており、ステージ
１２を支持している。
１回目の成形により、金型よりは、第３図（Ａ）（８）
に示すように、半導体素子１１、ステージ１２、ワイヤ
１４、ステージパー２６．２７のステージ１２側の部分
、及びリード１３の半導体素子１１寄りの部分が第１の
封止形成体１８により封止された半完成半導体装Ｕ３０
が取り出される。
次いで、第４図に示すように、ステージパー２６．２７
のフレーム２８．２９の部分を切断して除去する。これ
により、ステージパー２６゜２７が上記のステージパー
１５．１６となった半完成半導体装置３１となる。ステ
ージパー２６゜２７が切断されるとステージ１２のステ
ージパー２６．２７による支持は無くなるが、ステージ
１２は複数のリード１３により第１の封止成形体１８を
介して支持され、不都合は無い。
次いで、この半完成半導体装置３１を、第５図（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、上型３２と下型３３との間に挾み
、２回目の成形を行なう。３４は偏平直方体形状のキャ
ビティ、３５はランナ、３６はゲートである。２回目の
成形により、第１の封止成形体１８、ステージバー１５
．１６、及びリード１３を被うように第２の封止形成体
１９が形成される。第２の封止形成体１９及び第１の封
止形成体１８が、前記の樹脂パッケージ１７を構成する
。
２回目の成形後に金型より取り出し、リード１３のタイ
バー３７．３８側を切断し、下方に折り曲げ、第１図（
△）乃至（Ｃ）に示す半導体装置１０が得られる。
封止のための合成樹脂としては、熱膨張係数がエポキシ
樹脂より小さいフィラー（例えばシリカ粉末）が７５〜
９０重量部と高充填されたエポキシ樹脂を使用する。こ
の樹脂は、上記シリカ粉が高充填されていることにより
、熱膨張係数が半導体素子１１の熱膨張係数に極めて近
く、熱応力の点で従来の樹脂より優れており、しかも吸
湿性が減少し、耐湿性が優れている。しかし、シリカ粉
が高充填されており、流動性が悪く、成形には適さない
が、キャビティ２３が上記のように曲面で囲まれる小ス
ペースであるため、第１の封止成形体１８はワヤイ１４
を損（セさせずに形成される。
第６図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の別の実施例になる半導
体装置４０を示す。同図中、第１図（Ａ）乃至（Ｃ）に
示す構成部分と対応する部分には同一符号を付しその説
明は省略する。この半導体装置４０においては、ステー
ジパー４１−１、４１−２　、４２−＋　、　４２−２
は第３図（Ａ＞、（Ｂ）中のステージパー２６．２７が
途中の個所を一部切断除去された構成である。ステージ
１２より延出するステージパー４１−１、４２−＋は樹
脂パッケージ１７内で終端４１　　＋　ａ、４２−＋　
ａとなっており、ステージパー４１−１と４１−２の間
及びステージパー４２−１と４２−２との間には夫々樹
脂パッケージ１７の一部が介在している。
ステージパー４１−１、４２−１より分離しているステ
ージパー４１−２．４２−２の＠４ｌ−２ａ、４２ｚａ
ｌ；！樹脂パッケージ１７の側面１７ａ、１７ｂに露出
しており、水分はステージパー４１−２．４２−２の端
４１　　ｚａ、４２−２ａよりこれに沿って矢印Ｃ，Ｄ
で示すように樹脂パッケージ１ア内に侵入するも、水分
の侵入はステージパー４１　２．４２　２の他端４ｌ−
ｚｂ、４２ｚｌ）の個所で制限され、それ以上は内部へ
は侵入せず、半導体装置４０は、上記の半導体装置１０
と同様に優れた耐湿性を有する。
第７図は第３図に示す半完成半導体装置の変形例を示す
。この半完成半導体装置５０は、ゲート及びエアベント
が共に二個所の金型で成形したものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば。ステージより延出したステージパーの
先端は樹脂パッケージの側面までは延在していないため
、水分が水分の侵入路となりうるステージパーに到達す
ることが樹脂パッケージ自体により確実に防止出来、耐
湿性の大幅な向上を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）は本発明の半導体装置の一実施例の平面図
、 第１図（Ｂ）、（Ｃ）は夫々第１図（Ａ＞中ＩＢ−ＩＢ
線、ＩＣ−ＩＣ線に沿う断面矢視図、第２図（Ａ）、（
Ｂ）は第１図の半導体装置を製造する１回目の成形工程
を説明する図、第３図（Ａ）、ＣＢ）は夫々１回の成形
工程で得た半完成半導体装置の平面図及び正面図、第４
図はステージバー切断後の半完成半導体装置を示す図、 第５図（Ａ）、（８）は２回目の成形工程を説明する図
、 第６図（Ａ）は本発明の別の実施例になる半導体装置の
平面図、 第６図（Ｂ）は同図（Ａ）中ＶＴＢ−ＶＩＢ線に沿う断
面矢視図、 第７図は第３図（Ａ）の半完成半導体装置の変形例の平
面図、 第８図（Ａ）は従来の半導体装置の１例の平面図、 第８図（Ｂ）は同図（Ａ）中■Ｂ−■Ｂ線に沿う断面矢
視図である。 第１図乃至第７図中、 １０．４０は半導体装置、 １１は半導体素子、 １２はステージ、 １３はリード、 １４はワイヤ、 １５．１６．４１　　１、４２　　＋・・・ステージバ
ー　、 １５ａ、１６ａ、４１−＋　　ａ、４２−＋　　８は終
端、 １７は樹脂パッケージ、 １８は第１の封止形成体、 １９は第２の封止形成体、 ２０はリードフレーム、 ３０．３１．５０は半完成半導体装置である。 （Ａ） （Ｂ） 第２図 （Ａｌ ２回目のへ゛形工操Ｓ言見ヨ月寸ろ図 第５図 （Ａｌ （Ｂ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　半導体チップがこれが固着されるステージ、ステージ
    バー及び該半導体チップとワイヤ接続されたリードと共
    に樹脂で封止されてなる半導体装置において、 上記ステージ（１２）より延出する上記ステージバー（
    １５、１６、４１−＿１、４２−＿１）が上記樹脂パッ
    ケージ（１７）の側面（１７ａ、１７ｂ）までは延在せ
    ず、該樹脂パッケージの内部で終端（１５ａ、１６ａ、
    ４１−＿１ａ、４２−＿１ａ）となる構成を特徴とする
    半導体装置。
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US07/077,292 US4788583A (en) 1986-07-25 1987-07-24 Semiconductor device and method of producing semiconductor device
EP87401745A EP0258098B1 (en) 1986-07-25 1987-07-24 Encapsulated semiconductor device and method of producing the same
DE8787401745T DE3769400D1 (de) 1986-07-25 1987-07-24 Verkapselte halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung.

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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4974057A (en) * 1986-10-31 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package with circuit board and resin
JP2708191B2 (ja) 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
US5208467A (en) * 1988-07-28 1993-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a film-covered packaged component
JP2522524B2 (ja) * 1988-08-06 1996-08-07 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
EP0361194A3 (de) * 1988-09-30 1991-06-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Umhüllen von elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Baugruppen und Umhüllung für elektrische oder elektronische Bauelemente oder Baugruppen
US5018003A (en) * 1988-10-20 1991-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Lead frame and semiconductor device
US4989063A (en) * 1988-12-09 1991-01-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hybrid wafer scale microcircuit integration
US5008213A (en) * 1988-12-09 1991-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hybrid wafer scale microcircuit integration
US5047834A (en) * 1989-06-20 1991-09-10 International Business Machines Corporation High strength low stress encapsulation of interconnected semiconductor devices
JPH0350758A (ja) * 1989-07-18 1991-03-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5349136A (en) * 1989-08-02 1994-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mold tool assembly
US5030796A (en) * 1989-08-11 1991-07-09 Rockwell International Corporation Reverse-engineering resistant encapsulant for microelectric device
JP2515406B2 (ja) * 1989-09-05 1996-07-10 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US5300459A (en) * 1989-12-28 1994-04-05 Sanken Electric Co., Ltd. Method for reducing thermal stress in an encapsulated integrated circuit package
JP2890662B2 (ja) * 1990-04-25 1999-05-17 ソニー株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法とそれに用いるリードフレーム
FR2667441B1 (fr) * 1990-09-27 1997-03-28 Sgs Thomson Microelectronics Procede de moulage pour boitiers de circuit integre et moule.
US5214846A (en) * 1991-04-24 1993-06-01 Sony Corporation Packaging of semiconductor chips
US5221812A (en) * 1991-06-28 1993-06-22 Vlsi Technology, Inc. System for protecting leads to a semiconductor chip package during testing, burn-in and handling
KR930006868A (ko) * 1991-09-11 1993-04-22 문정환 반도체 패키지
US5197183A (en) * 1991-11-05 1993-03-30 Lsi Logic Corporation Modified lead frame for reducing wire wash in transfer molding of IC packages
US5331205A (en) * 1992-02-21 1994-07-19 Motorola, Inc. Molded plastic package with wire protection
US5358905A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having die pad locking to substantially reduce package cracking
US5381599A (en) * 1993-04-12 1995-01-17 Delco Electronics Corp. Liquid crystal polymer encapsulated electronic devices and methods of making the same
US5430331A (en) * 1993-06-23 1995-07-04 Vlsi Technology, Inc. Plastic encapsulated integrated circuit package having an embedded thermal dissipator
US5585600A (en) * 1993-09-02 1996-12-17 International Business Machines Corporation Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same
US5641997A (en) * 1993-09-14 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic-encapsulated semiconductor device
US5436203A (en) * 1994-07-05 1995-07-25 Motorola, Inc. Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same
DE9413550U1 (de) * 1994-08-23 1996-01-11 Dylec Ltd., Saint Peter Port, Guernsey Halbleiteranordnung mit wenigstens einem Halbleiterbauelement
GB2295722B (en) * 1994-11-30 1997-12-17 Motorola Ltd Method of packaging integrated circuits
JP2871591B2 (ja) * 1996-05-14 1999-03-17 日本電気株式会社 高周波用電子部品および高周波用電子部品の製造方法
JPH10116940A (ja) * 1996-10-09 1998-05-06 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
WO1999016132A2 (de) * 1997-09-22 1999-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers sowie kunststoffverbundkörper
US6188897B1 (en) 1998-08-17 2001-02-13 At&T Wireless Svcs. Inc. Mobile station roaming in a multiple service provider area
US6339253B1 (en) * 1999-08-30 2002-01-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor package
US6576988B2 (en) * 1999-08-30 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor package
US6384487B1 (en) 1999-12-06 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Bow resistant plastic semiconductor package and method of fabrication
US6700210B1 (en) 1999-12-06 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Electronic assemblies containing bow resistant semiconductor packages
US6818968B1 (en) * 2000-10-12 2004-11-16 Altera Corporation Integrated circuit package and process for forming the same
JP4620303B2 (ja) * 2001-09-20 2011-01-26 株式会社東海理化電機製作所 半導体装置及びその製造方法
JP2003133484A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Tokai Rika Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6955949B2 (en) * 2003-10-16 2005-10-18 Kulicke & Soffa Investments, Inc. System and method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep
US7179688B2 (en) * 2003-10-16 2007-02-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method
US6847122B1 (en) 2003-10-16 2005-01-25 Kulicke & Soffa Investments, Inc. System and method for preventing and alleviating short circuiting in a semiconductor device
CN101040361B (zh) * 2004-08-17 2011-03-30 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板及其制造方法
US7435625B2 (en) * 2005-10-24 2008-10-14 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device with reduced package cross-talk and loss
DE102006012615A1 (de) * 2006-03-20 2007-10-11 Kromberg & Schubert Gmbh & Co. Kg Umhülltes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006047938A1 (de) * 2006-10-10 2008-04-17 Robert Bosch Gmbh Gespritztes Kunststoffbauteil mit Einlegeteil
US7821116B2 (en) * 2007-02-05 2010-10-26 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including leadframe with die attach pad with folded edge
DE102009026804A1 (de) * 2009-06-08 2010-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauteile
CN102104028B (zh) * 2010-11-05 2012-12-12 南通富士通微电子股份有限公司 半导体塑封体及分层扫描方法
US9069380B2 (en) 2011-06-10 2015-06-30 Aliphcom Media device, application, and content management using sensory input
US20120313272A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Aliphcom, Inc. Component protective overmolding
US20120313296A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Aliphcom Component protective overmolding
JP5930566B1 (ja) * 2014-09-29 2016-06-08 新電元工業株式会社 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ
JP6693441B2 (ja) * 2017-02-27 2020-05-13 オムロン株式会社 電子装置およびその製造方法
IT202200024642A1 (it) * 2022-11-30 2024-05-30 St Microelectronics Srl Procedimento per produrre dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3902148A (en) * 1970-11-27 1975-08-26 Signetics Corp Semiconductor lead structure and assembly and method for fabricating same
US3778685A (en) * 1972-03-27 1973-12-11 Nasa Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same
JPS5227360A (en) * 1975-08-27 1977-03-01 Hitachi Ltd Resin seal-type semiconductor unit
NL189379C (nl) * 1977-05-05 1993-03-16 Richardus Henricus Johannes Fi Werkwijze voor inkapselen van micro-elektronische elementen.
JPS5588358A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device
JPS5793553A (en) * 1980-12-03 1982-06-10 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS57100752A (en) * 1980-12-16 1982-06-23 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS57159032A (en) * 1981-03-27 1982-10-01 Hitachi Ltd Forming method for package of electronic timepiece
JPS58110061A (ja) * 1981-12-23 1983-06-30 Fujitsu Ltd 半導体装置等のパッケージ製造方法
JPS58161349A (ja) * 1982-03-19 1983-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS58191457A (ja) * 1982-05-04 1983-11-08 Toshiba Corp 半導体装置
JPS58197864A (ja) * 1982-05-14 1983-11-17 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS59181034A (ja) * 1983-03-31 1984-10-15 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS6046058A (ja) * 1983-08-24 1985-03-12 Nec Corp 半導体装置
JPS60189940A (ja) * 1984-03-09 1985-09-27 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の製法
JPS61144853A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0258098B1 (en) 1991-04-17
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KR910002292B1 (ko) 1991-04-11

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