JPS63314836A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63314836A JPS63314836A JP62150638A JP15063887A JPS63314836A JP S63314836 A JPS63314836 A JP S63314836A JP 62150638 A JP62150638 A JP 62150638A JP 15063887 A JP15063887 A JP 15063887A JP S63314836 A JPS63314836 A JP S63314836A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- semiconductor device
- oxide film
- deposited
- annealing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、半導体基板に薄膜を堆積する前に半導体基板表面
に形成された酸化膜を弗化水酸系の水溶液によってあら
かじめエツチング除去することで、半導体基板と堆積さ
れた薄膜との界面に存在する酸化膜を除去していた。
に形成された酸化膜を弗化水酸系の水溶液によってあら
かじめエツチング除去することで、半導体基板と堆積さ
れた薄膜との界面に存在する酸化膜を除去していた。
第３図はこの従来の方法を示すものであシ、１はシリコ
ン基板である。８は例えば弗化水素酸と水を１：２０の
体積比で混合してつくったエツチング液である。９はエ
ツチング液８を溜める容器であシ、通例弗化水素酸に溶
けないテフロンなどを材料としている。
ン基板である。８は例えば弗化水素酸と水を１：２０の
体積比で混合してつくったエツチング液である。９はエ
ツチング液８を溜める容器であシ、通例弗化水素酸に溶
けないテフロンなどを材料としている。
以上のように構成された従来の方法においては、容器９
中のエツチング液８の中にシリコン基板１を適当な時間
浸たす。シリコン基板１の表面に形成された酸化Ｍはエ
ツチング液８へ溶解し除去される。
中のエツチング液８の中にシリコン基板１を適当な時間
浸たす。シリコン基板１の表面に形成された酸化Ｍはエ
ツチング液８へ溶解し除去される。
このような方法については、例えばジャーナルオブアプ
ライドフィジックス、ボリューム６７゜ナンバー４．１
５（１９８５）２月第１３２２頁から第１３２７頁（Ｊ
、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｇ、 ５７（４） 、 １５Ｆｅ
ｂｒｕａｒｙ １９８５ＰＰ １３２２−１３２７ ）
に発表されている。
ライドフィジックス、ボリューム６７゜ナンバー４．１
５（１９８５）２月第１３２２頁から第１３２７頁（Ｊ
、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｇ、 ５７（４） 、 １５Ｆｅ
ｂｒｕａｒｙ １９８５ＰＰ １３２２−１３２７ ）
に発表されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような方法では、シリコン基板１の
表面に存在する酸化膜をエツチング液８の中で除去して
も、その後シリコン基板１をエツチング液８から取り出
してシリコン基板１が大気に接するとシリコン基板１の
表面は大気中の酸素によってすぐに酸化されてしまうと
いう問題点を有していた。
表面に存在する酸化膜をエツチング液８の中で除去して
も、その後シリコン基板１をエツチング液８から取り出
してシリコン基板１が大気に接するとシリコン基板１の
表面は大気中の酸素によってすぐに酸化されてしまうと
いう問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
本発明は上述の問題点？ａ−ｓ決するため、半導体基板
表面に形成された酸化膜上に薄膜を堆積した後に還元性
を有する原子あるいは分子あるいはイオンを含んだ雰囲
気中においてアニールする方法上用いるものである。
表面に形成された酸化膜上に薄膜を堆積した後に還元性
を有する原子あるいは分子あるいはイオンを含んだ雰囲
気中においてアニールする方法上用いるものである。
作 用
還元性を有する原子あるいは分子あるいり＝イオンがア
ニールによって堆積された薄膜中を拡散し、半導体基板
と堆積された薄膜との界面に達しそこに存在する酸化膜
の少くとも一部を還元し、その酸化膜中の酸素と酸化膜
から拡散によって除去することを可能とする。
ニールによって堆積された薄膜中を拡散し、半導体基板
と堆積された薄膜との界面に達しそこに存在する酸化膜
の少くとも一部を還元し、その酸化膜中の酸素と酸化膜
から拡散によって除去することを可能とする。
実施例
この発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
第１実施例
この発明の第１実施例を、第１図を参照しながら説明す
る。この実施列ではシリコン基板１の上にシリコン３を
堆積する。シリコン３はアモルファスシリコン、多結晶
シリコンのどちらでも良く、またシリコン以外の材料で
も良い。シリコン基板１の表面は酸化しているためシリ
コン基板１と堆積されたシリコン３の界面には酸化膜２
が存在する。これらシリコン基板１と堆積されたシリコ
ン３に対して還元性を有する気体例えば水素４の気体雰
囲気中においてランプ電気炉６の赤外線輻射６を用いた
アニールを行う。アニール条件は８ｏＯ℃から１３００
℃９時間は１秒から１０分が最適である。
る。この実施列ではシリコン基板１の上にシリコン３を
堆積する。シリコン３はアモルファスシリコン、多結晶
シリコンのどちらでも良く、またシリコン以外の材料で
も良い。シリコン基板１の表面は酸化しているためシリ
コン基板１と堆積されたシリコン３の界面には酸化膜２
が存在する。これらシリコン基板１と堆積されたシリコ
ン３に対して還元性を有する気体例えば水素４の気体雰
囲気中においてランプ電気炉６の赤外線輻射６を用いた
アニールを行う。アニール条件は８ｏＯ℃から１３００
℃９時間は１秒から１０分が最適である。
アニールによって雰囲気中の水素４は堆積されたシリコ
ン３の中を拡散しく矢印ａ）、シリコン基板１と堆積さ
れたシリコン３との界面に存在する酸化膜２の少くとも
一部を還元除去する（矢印ｂ）。こうして、基板表面の
酸化膜をアニールによって容易に除去することが可能と
なる。
ン３の中を拡散しく矢印ａ）、シリコン基板１と堆積さ
れたシリコン３との界面に存在する酸化膜２の少くとも
一部を還元除去する（矢印ｂ）。こうして、基板表面の
酸化膜をアニールによって容易に除去することが可能と
なる。
第２実施例
この発明の第２実施例を第２図上参照しながら説明する
。同図において１はシリコン基板、２は酸化膜、３は堆
積されたシリコン、４Ｆｉ水素の雰囲気で、以上は第１
図の＃４成と同様なものである。
。同図において１はシリコン基板、２は酸化膜、３は堆
積されたシリコン、４Ｆｉ水素の雰囲気で、以上は第１
図の＃４成と同様なものである。
第１図の構成と異なるのは、アニールの方法としてＡ
ｒ ＣＷレーザービーム７を用いる点である。
ｒ ＣＷレーザービーム７を用いる点である。
水素４の気体雰囲気中において、シリコン基板１の上に
堆積されたシリコン３に対してＡ ｒ ＣＷレーザービ
ーム７を例えば出力１ｏＷ、試料面上のビーム直径約１
００μｍ、走査速度１ｏ１／秒の条件で照射し加熱する
。これによって水素４は、シリコン３の中を拡散しく矢
印ａ）、シリコン基板１と堆積されたシリコン３との界
面に存在する酸化Ａ２の少くとも一部ケ還元除去する（
矢印ｂ）。
堆積されたシリコン３に対してＡ ｒ ＣＷレーザービ
ーム７を例えば出力１ｏＷ、試料面上のビーム直径約１
００μｍ、走査速度１ｏ１／秒の条件で照射し加熱する
。これによって水素４は、シリコン３の中を拡散しく矢
印ａ）、シリコン基板１と堆積されたシリコン３との界
面に存在する酸化Ａ２の少くとも一部ケ還元除去する（
矢印ｂ）。
なお、第２実施例においてＡ ｒ ＣＷレーザービーム
７？Ｉ−高エネルギービームとして用いたが、 Ａ ｒ
ＣＷレーザービーム７を照射するかわりにイオンビー
ム例えば水素イオンビームｔ−１０ｍＡ／ｃｄ、数１０
ＫｅＶ 、走査速度１ｏａＩＩ／秒の条件で照射するか
。
７？Ｉ−高エネルギービームとして用いたが、 Ａ ｒ
ＣＷレーザービーム７を照射するかわりにイオンビー
ム例えば水素イオンビームｔ−１０ｍＡ／ｃｄ、数１０
ＫｅＶ 、走査速度１ｏａＩＩ／秒の条件で照射するか
。
電子ビーＡ ｆ １０ ｍＡ ／ｄ 、 ５ ＫｅＶ
、走査速度１０ｃ１１１／秒の条件で照射しても同様の
効果が得られる。そのさい雰囲気気体の圧力は１０
Ｔｏｒｒ程度の減圧状態で行う。
、走査速度１０ｃ１１１／秒の条件で照射しても同様の
効果が得られる。そのさい雰囲気気体の圧力は１０
Ｔｏｒｒ程度の減圧状態で行う。
また、還元性雰囲気は、還元性を有する原子あるいは分
子あるいはイオンのいずれでもよい。
子あるいはイオンのいずれでもよい。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、半導体基板と堆積さ
れた薄膜との間に存在する酸化膜の少くとも一部を薄膜
堆積後に還元除去することができ、半導体装置の製造に
おいてすぐれた実用的効果を発揮することが可能となる
。
れた薄膜との間に存在する酸化膜の少くとも一部を薄膜
堆積後に還元除去することができ、半導体装置の製造に
おいてすぐれた実用的効果を発揮することが可能となる
。
第１図は本発明の第１実施例のアニール状態の概略図、
第２図は本発明の第２実施例のアニール状態の概略図、
第３図は従来の酸化膜除去工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜、
３・・・・・・堆積されたシリコン、４・・・・・・水
素、６・・・・・・ランプ電気炉、６・・・・・・赤外
線輻射、７・・・・・・ＡｒＣＷレーザービーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 第３図 シソコン基叡 ９ 容呑
第２図は本発明の第２実施例のアニール状態の概略図、
第３図は従来の酸化膜除去工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜、
３・・・・・・堆積されたシリコン、４・・・・・・水
素、６・・・・・・ランプ電気炉、６・・・・・・赤外
線輻射、７・・・・・・ＡｒＣＷレーザービーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 第３図 シソコン基叡 ９ 容呑
Claims (4)
- （１）還元性を有する雰囲気において半導体基板、およ
び半導体基板上に堆積された薄膜に対してアニールを行
うことによって、前記半導体基板と前記半導体基板上に
堆積された薄膜との界面に存在する酸化膜を還元し、前
記酸化膜中の酸素の少くとも一部を除去することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - （２）アニールを赤外線輻射によって行うことを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方
法。 - （３）アニールを高エネルギービーム照射によって行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
装置の製造方法。 - （４）高エネルギービームが、紫外光、レーザービーム
、イオンビームもしくは電子ビームであることを特徴と
する特許請求の範囲第３項に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62150638A JPS63314836A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62150638A JPS63314836A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314836A true JPS63314836A (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15501221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62150638A Pending JPS63314836A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314836A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4896284A (ja) * | 1972-03-24 | 1973-12-08 |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP62150638A patent/JPS63314836A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4896284A (ja) * | 1972-03-24 | 1973-12-08 |
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