JPS63316A - 芳香族ポリ（チオ）エ−テルケトンの製造方法 - Google Patents
芳香族ポリ（チオ）エ−テルケトンの製造方法Info
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- JPS63316A JPS63316A JP61143438A JP14343886A JPS63316A JP S63316 A JPS63316 A JP S63316A JP 61143438 A JP61143438 A JP 61143438A JP 14343886 A JP14343886 A JP 14343886A JP S63316 A JPS63316 A JP S63316A
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は結晶性熱可塑性芳香族ポリ（チオ）エーテルケ
トンの重合後の処理方法に関する。
トンの重合後の処理方法に関する。
一般式［１Ｎ〕
・・・・−・（１１
（〔■〕式中、Ｒ１、、、ＲＨは水素原子、ハロゲン原
子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは直接結
合、酸紫又は硫黄原子を示し、ｔはθ〜コの整数を示し
、ｍはθ〜３の整数を示し、ｎは０又はｌである）の構
造を持つ芳香族ポリ（チオ）エーテルケトン、特に構造
式〔Ｖ〕ＨＨＨＨ 及び（ＶＩＥ の構造を持つ芳香族ポリ←尭≠４エーテルケトンは高融
点（〔Ｖ〕、Ｔｍ −、？ ６ ｓ ｃ ； ［ＶＩＥ
、Ｔｍ−ＪＪ弘℃）且つ高ガラス転移点（〔■〕、 Ｔ
ｇ−ｉ ｓ ｌＩｃ ；（Ｖｌ）、Ｔｇ −／グダ０）
を有し。
子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは直接結
合、酸紫又は硫黄原子を示し、ｔはθ〜コの整数を示し
、ｍはθ〜３の整数を示し、ｎは０又はｌである）の構
造を持つ芳香族ポリ（チオ）エーテルケトン、特に構造
式〔Ｖ〕ＨＨＨＨ 及び（ＶＩＥ の構造を持つ芳香族ポリ←尭≠４エーテルケトンは高融
点（〔Ｖ〕、Ｔｍ −、？ ６ ｓ ｃ ； ［ＶＩＥ
、Ｔｍ−ＪＪ弘℃）且つ高ガラス転移点（〔■〕、 Ｔ
ｇ−ｉ ｓ ｌＩｃ ；（Ｖｌ）、Ｔｇ −／グダ０）
を有し。
耐熱性、機械的性質、電気的性質及び寸法安定性に優れ
、且つ吸水率が低く、物理的に非常に優れたポリマーで
ある事が知られている。又。
、且つ吸水率が低く、物理的に非常に優れたポリマーで
ある事が知られている。又。
濃硫酸以外の溶剤には不溶であり、耐薬品性も非常に優
れたポリマーである。
れたポリマーである。
一方その反面、これらのポリマーの製造方法トシては、
＜ｚ、ｌＩ’−ジフルオロペンゾフエノント１ＩＩＩＩ
′−ジヒドロキシベンゾフェノン又ハシヒドロキノンの
アルカリ金属塩をジフェニルスルホン中で反応させる方
法が知られているが、反応温度を３００℃以上にする必
我がある事やψ、り′−ジフルオロベンゾフェノンが高
価な事等、その製造方法には欠点が多い。
＜ｚ、ｌＩ’−ジフルオロペンゾフエノント１ＩＩＩＩ
′−ジヒドロキシベンゾフェノン又ハシヒドロキノンの
アルカリ金属塩をジフェニルスルホン中で反応させる方
法が知られているが、反応温度を３００℃以上にする必
我がある事やψ、り′−ジフルオロベンゾフェノンが高
価な事等、その製造方法には欠点が多い。
本発明者等は上記の点を鑑み、鋭意検討を行ない下式〔
■〕にみられるポリエーテルケトンを芳香族エーテルま
たはチオエーテルと芳香族カルボン酸シバライドとの反
応により合成出来ること チルケトン（ＶＩ〕 を芳香族（チオ）エーテルとホスゲンとの反応により、
ルイス酸存在下、非プロトン性有機溶媒中で室温付近の
温和な条件下で、しかも、著しく安価に製造する方法を
見出した。
■〕にみられるポリエーテルケトンを芳香族エーテルま
たはチオエーテルと芳香族カルボン酸シバライドとの反
応により合成出来ること チルケトン（ＶＩ〕 を芳香族（チオ）エーテルとホスゲンとの反応により、
ルイス酸存在下、非プロトン性有機溶媒中で室温付近の
温和な条件下で、しかも、著しく安価に製造する方法を
見出した。
しかしこのような方法で製造した芳香族ポリ（チオ）エ
ーテルケトンを触媒を失活させ、さらに除去するために
洗滌を行なった後、乾燥したポリマーを溶融加熱すると
ゲル化してしまうような熱的に不安定な欠点を有してい
た。
ーテルケトンを触媒を失活させ、さらに除去するために
洗滌を行なった後、乾燥したポリマーを溶融加熱すると
ゲル化してしまうような熱的に不安定な欠点を有してい
た。
本発明者等は上記の点を改良すぺく、さらに鋭意検討を
重ねた結果、重合後の後処理工程において下記一般式〔
１ｖ〕で示されるシラン化合物の存在下で処理すること
により、熟女定性が著しく改良されることを見出し本発
明に到った。
重ねた結果、重合後の後処理工程において下記一般式〔
１ｖ〕で示されるシラン化合物の存在下で処理すること
により、熟女定性が著しく改良されることを見出し本発
明に到った。
（式中、人１、Ａ２、ＡＳは置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、シクロアルキル基およびアラ
ルキル基、または水素原子である。
アルキル基、アリール基、シクロアルキル基およびアラ
ルキル基、または水素原子である。
但しＡ１、Ａ２、Ａ３すべてが水素原子である場合を除
く。） すなわち、本発明の要旨は一般式（［〕・・・・・・〔
Ｉ〕 （〔■〕式中、Ｒ１−８２°は水素原子、ハロゲン原子
、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは直接結合
、酸素、又は硫黄原子を示し、ｔはＯ−一の整数をポー
、ｍはＯ〜３の整数を示し、ｎはＯ又はｌである） の芳香族ポリ（チオ）エーテルケトンを製造す埋するこ
とＫよる重合物の熱安定性の改良に存する。
く。） すなわち、本発明の要旨は一般式（［〕・・・・・・〔
Ｉ〕 （〔■〕式中、Ｒ１−８２°は水素原子、ハロゲン原子
、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは直接結合
、酸素、又は硫黄原子を示し、ｔはＯ−一の整数をポー
、ｍはＯ〜３の整数を示し、ｎはＯ又はｌである） の芳香族ポリ（チオ）エーテルケトンを製造す埋するこ
とＫよる重合物の熱安定性の改良に存する。
本発明の詳細な説明するＫ、この様な芳香族ポリ（チオ
）エーテルケトンの重合は、一般式（〔Ｉ〕式式中 Ｒ
’−ＲＩ２は水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、又
はアルコキシ基を示し、Ｘは直接結合、酸素原子又は硫
黄原子を示し、ｔはＯ−一の整数でおる） で表わされる芳香族（チオ）エーテルと、一般式（ＩＩ
） （〔１３式中、Ｒ１３〜Ｒ２０は水素原子、ノ・ロゲン
原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは直接
結合・酸素原子又は硫黄原子を示し、Ｙはハロゲン原子
を示し、ｍはＯ〜３の整数である） で表わされる芳香族ジカルボン酸シバライドまたはホス
ゲンとを、ルイス酸の存在下、非プロトン性有機溶媒中
で重合反応させた後の後処理工程において一般式ＣＩＶ
） （式中、Ａ１、Ａ２、ＡＦ基は置換基を有してもよいア
ルキル基、アリール基、シクロアルキル基およびアラル
キル基または水素原子であり、但しＡ’、Ａ”、および
Ａ３のすべてが水素原子である場合を除く） で表わされるシラン化合物で還元処理することにより達
成される。
）エーテルケトンの重合は、一般式（〔Ｉ〕式式中 Ｒ
’−ＲＩ２は水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、又
はアルコキシ基を示し、Ｘは直接結合、酸素原子又は硫
黄原子を示し、ｔはＯ−一の整数でおる） で表わされる芳香族（チオ）エーテルと、一般式（ＩＩ
） （〔１３式中、Ｒ１３〜Ｒ２０は水素原子、ノ・ロゲン
原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは直接
結合・酸素原子又は硫黄原子を示し、Ｙはハロゲン原子
を示し、ｍはＯ〜３の整数である） で表わされる芳香族ジカルボン酸シバライドまたはホス
ゲンとを、ルイス酸の存在下、非プロトン性有機溶媒中
で重合反応させた後の後処理工程において一般式ＣＩＶ
） （式中、Ａ１、Ａ２、ＡＦ基は置換基を有してもよいア
ルキル基、アリール基、シクロアルキル基およびアラル
キル基または水素原子であり、但しＡ’、Ａ”、および
Ａ３のすべてが水素原子である場合を除く） で表わされるシラン化合物で還元処理することにより達
成される。
上述した一般式［ＩＶ）での後処理は溶媒として酸の存
在下、特にカルボン酸の存在下で行なわれ、カルボン酸
をポリマーに対して大過剰、あるいはカルボン酸と他の
溶媒との混合物中で行なわれる。
在下、特にカルボン酸の存在下で行なわれ、カルボン酸
をポリマーに対して大過剰、あるいはカルボン酸と他の
溶媒との混合物中で行なわれる。
使用するシラン化合物の具体例としては、トリエチルシ
ラン、トリｎ−プロピルシラン、トリｎ−オクチルシラ
ン、ジエチルシラン、トリフェニルシラン、ジフェニル
シラン、フェニルシラン、ジエチルフェニルシラン、ジ
フェニルエチルシラン、トリーｐ−メトキシフェニルシ
ランなどがあげられるがこれらに限定されず、一般式Ｃ
ＩＶＩで示されるシラン化合物はいずれも使用可能であ
る。またシラン化合物としてトリエチルシランが最も好
−ましい。シラン化合物の使用量はポリマー中のエーテ
ル結合のモル数に対して１モル係以上、好ましくはｉｏ
モルチ以以上上使用れる。また共用する酸としてはカル
ボン酸類が好ましく、その具体例としてＩｒｉ酢酸、ト
リフロロ酢酸、ジクロル酢酸、モノクロル酢酸、１０ピ
オン酸、酪酸等いずれのカルボン酸も使用可能であるが
それらの中でジクロル酢酸、トリフルオロ酢酸が特に好
ましい。カルボン酸は二種以上混合して使用してもよい
し、他の溶媒と組合せて使用してもよい。
ラン、トリｎ−プロピルシラン、トリｎ−オクチルシラ
ン、ジエチルシラン、トリフェニルシラン、ジフェニル
シラン、フェニルシラン、ジエチルフェニルシラン、ジ
フェニルエチルシラン、トリーｐ−メトキシフェニルシ
ランなどがあげられるがこれらに限定されず、一般式Ｃ
ＩＶＩで示されるシラン化合物はいずれも使用可能であ
る。またシラン化合物としてトリエチルシランが最も好
−ましい。シラン化合物の使用量はポリマー中のエーテ
ル結合のモル数に対して１モル係以上、好ましくはｉｏ
モルチ以以上上使用れる。また共用する酸としてはカル
ボン酸類が好ましく、その具体例としてＩｒｉ酢酸、ト
リフロロ酢酸、ジクロル酢酸、モノクロル酢酸、１０ピ
オン酸、酪酸等いずれのカルボン酸も使用可能であるが
それらの中でジクロル酢酸、トリフルオロ酢酸が特に好
ましい。カルボン酸は二種以上混合して使用してもよい
し、他の溶媒と組合せて使用してもよい。
反応は室温（ユＯ−コ５ｒ２）で行った。反応温度は特
に限定はされないが、加熱下で行ってもよい□又、加圧
下で反応を行なってもよい。
に限定はされないが、加熱下で行ってもよい□又、加圧
下で反応を行なってもよい。
反応時間は反応条件により異なるが一般に５分以上で行
なわれる。
なわれる。
また本発明に用いられる前記一般式〔Ｉ〕で表わされる
芳香、族（チオ）エーテルとしては、ジフェニルエーテ
ル、／、９−ジフェノキシベンゼン、ビフェニル、ビス
（ターフエノキシフェニル）エーテル、≠、ｌｌ’−ビ
ス（ｔＩ−フェノキシフェニル）ジフェニルエーテル、
３．．３’ −シメｆｋフェニルエーテル、／、クー
ビス（３−メチルフェノキシ）ベンゼン、３．３′−ジ
メトキシフェニルエーテル、／、ＬＡ−ビス（３−メト
キシフェノキシ）ベンゼン、 ／、４’−ビス（２〜ク
ロロフエノキシ）ベンゼン、ジフェニルサルファイド、
ｑ−フェノキシジフェニルサルファイド、 ／、４（−
ヒス−（フェニルメルカプト）ベンゼン、ターフェニル
、ｌＩ−フェノキシビフェニル％ＩＩ、 ４（’−ジフ
エノキシビフェニルなどが挙ケラレルカ、一般式（１１
で表わされるものはいずれも使用可能であシ、必ずしも
これらに限定されるものではない。又、これらの芳香族
（チオ）エーテルは単独もしくは混合して使用してもよ
い。
芳香、族（チオ）エーテルとしては、ジフェニルエーテ
ル、／、９−ジフェノキシベンゼン、ビフェニル、ビス
（ターフエノキシフェニル）エーテル、≠、ｌｌ’−ビ
ス（ｔＩ−フェノキシフェニル）ジフェニルエーテル、
３．．３’ −シメｆｋフェニルエーテル、／、クー
ビス（３−メチルフェノキシ）ベンゼン、３．３′−ジ
メトキシフェニルエーテル、／、ＬＡ−ビス（３−メト
キシフェノキシ）ベンゼン、 ／、４’−ビス（２〜ク
ロロフエノキシ）ベンゼン、ジフェニルサルファイド、
ｑ−フェノキシジフェニルサルファイド、 ／、４（−
ヒス−（フェニルメルカプト）ベンゼン、ターフェニル
、ｌＩ−フェノキシビフェニル％ＩＩ、 ４（’−ジフ
エノキシビフェニルなどが挙ケラレルカ、一般式（１１
で表わされるものはいずれも使用可能であシ、必ずしも
これらに限定されるものではない。又、これらの芳香族
（チオ）エーテルは単独もしくは混合して使用してもよ
い。
又、本発明に用いられる前記一般式［１１）で表わされ
る芳香族ジカルボン酸シバライドとしては、テレフタル
酸ジクロライド、イソフタル酸シクロライト、シフェニ
ルエーテルーダ、≠′−ジカルボン酸ジクロライド、／
、４’−ビス＜４１−クロロホルミルフェニル）ベンゼ
ン１，２．！−ジメチルテレフタル酸ジクロライド、ジ
フェニルサルファイド−ｐ、ＩＩ’−ジカルボン酸ジク
ロライド、ｌＩ、ｌｌ’−ジフェン酸ジクロライド、ユ
、６−ナフタレンジカルボン酸ジクロライドなどが挙げ
られるが一般式〔１〕で示されるものはいずれも使用可
能であり、必ずしもこれらに限定されるものではない。
る芳香族ジカルボン酸シバライドとしては、テレフタル
酸ジクロライド、イソフタル酸シクロライト、シフェニ
ルエーテルーダ、≠′−ジカルボン酸ジクロライド、／
、４’−ビス＜４１−クロロホルミルフェニル）ベンゼ
ン１，２．！−ジメチルテレフタル酸ジクロライド、ジ
フェニルサルファイド−ｐ、ＩＩ’−ジカルボン酸ジク
ロライド、ｌＩ、ｌｌ’−ジフェン酸ジクロライド、ユ
、６−ナフタレンジカルボン酸ジクロライドなどが挙げ
られるが一般式〔１〕で示されるものはいずれも使用可
能であり、必ずしもこれらに限定されるものではない。
又、これらの芳香族ジカルボン酸シバライドは単独もし
くは混合して使用してもよい。又、これらの芳香族ジカ
ルボン酸シバライドはホスゲンとも混合して使用しても
よい。
くは混合して使用してもよい。又、これらの芳香族ジカ
ルボン酸シバライドはホスゲンとも混合して使用しても
よい。
本発明で用いられる非プロトン性有機溶媒としては、塩
化メチレン、塩化エチレン、／、Ｕ −ジクロルエタン
、ｉ、ｉ、コ、コーチトラクロルエタン、クロロホルム
、四塩化炭素、ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、エチルエーテル、ジブチルエーテル、ペンタン、
ヘキサン。
化メチレン、塩化エチレン、／、Ｕ −ジクロルエタン
、ｉ、ｉ、コ、コーチトラクロルエタン、クロロホルム
、四塩化炭素、ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、エチルエーテル、ジブチルエーテル、ペンタン、
ヘキサン。
ヘプタン、オルトジクロルベンゼンなどが用いられるが
必ずしもこれらに限定されるものではない。溶媒の使用
量は、用いられるジフェニルエーテルの／−！；００倍
量（重量比）好ましくは！−１００倍量（重量比）であ
る。
必ずしもこれらに限定されるものではない。溶媒の使用
量は、用いられるジフェニルエーテルの／−！；００倍
量（重量比）好ましくは！−１００倍量（重量比）であ
る。
本発明に用いられるルイス酸としては、無水三塩化アル
ミニウム、無水三臭化アルミニウム。
ミニウム、無水三臭化アルミニウム。
無水三塩化力゛リウム、三沸化硼素エチルエーテルコン
プレックス、塩化第二スズ、塩化第−スズ、塩化第二鉄
、四塩化チタン、三塩化硼素、五塩化アンチモン、三塩
化リン、五塩化リン、五塩化テルル、五塩化ニオブ、六
塩化タングスン化物、特に塩化アルミニウムは好ましい
。これらのルイス酸の使用量は芳香族（チオ）エーテル
に対して１モル比でｏ、ｏｉ〜１００、好ましくはＱ、
／ −７０，０である。また必要に応じてＬＩＣＩ
等の無機塩基、アミド、アミン、エーテル化合物のよう
な有機塩基等一般にルイス酸とコンプレックスを作るも
の（但しモノマーは除く）を反応系に添加してもよい。
プレックス、塩化第二スズ、塩化第−スズ、塩化第二鉄
、四塩化チタン、三塩化硼素、五塩化アンチモン、三塩
化リン、五塩化リン、五塩化テルル、五塩化ニオブ、六
塩化タングスン化物、特に塩化アルミニウムは好ましい
。これらのルイス酸の使用量は芳香族（チオ）エーテル
に対して１モル比でｏ、ｏｉ〜１００、好ましくはＱ、
／ −７０，０である。また必要に応じてＬＩＣＩ
等の無機塩基、アミド、アミン、エーテル化合物のよう
な有機塩基等一般にルイス酸とコンプレックスを作るも
の（但しモノマーは除く）を反応系に添加してもよい。
尚、重合温度は特に制限はないが−１０’Ｃ以上（通′
Ｑ ／ ｏ ｏ℃以下）という温和な条件下で行なわれ
る。また加圧下で反応を行なってもよい。
Ｑ ／ ｏ ｏ℃以下）という温和な条件下で行なわれ
る。また加圧下で反応を行なってもよい。
以下、本発明な実施例によシさらに詳細に説明する。
尚、溶融加熱後の熱安定性の評１曲は島津製作所製高化
式フローテスターＣＦＴ−３００１を用いて、ダθＱ℃
に於て所定時間数ｉ後押し出されたストランドの押し出
し性、押出し物の外観および硫酸に対してポリマーを１
１７ｔｕ濃度において溶解させた場合の溶解性および７
＝の測定等よシ判断した。
式フローテスターＣＦＴ−３００１を用いて、ダθＱ℃
に於て所定時間数ｉ後押し出されたストランドの押し出
し性、押出し物の外観および硫酸に対してポリマーを１
１７ｔｕ濃度において溶解させた場合の溶解性および７
＝の測定等よシ判断した。
実施例／
ジフェニルエーテル？、／ ｙ−（０，Ｏ１７１モル）
、無水三塩化アルミニウム／ ７．９ ｐ （０，／
３）１モル）と塩化リチウムハｔ ｆ （０，ＯＩＩ
２モル）を含む／、２−ジクロルエタンｑｓ−に、水冷
下。
、無水三塩化アルミニウム／ ７．９ ｐ （０，／
３）１モル）と塩化リチウムハｔ ｆ （０，ＯＩＩ
２モル）を含む／、２−ジクロルエタンｑｓ−に、水冷
下。
ホスゲンダｐ、ｒｙを導入した。反応混合物を室温でコ
ダ時間攪拌した。反応混合物は溶液部とケゝ プル状部に分離していた。溶液部をデカンテーションで
除きゲル状部をメチルアルコール、１００づ中に庄ざ込
み析出したポリマーを単離した。
ダ時間攪拌した。反応混合物は溶液部とケゝ プル状部に分離していた。溶液部をデカンテーションで
除きゲル状部をメチルアルコール、１００づ中に庄ざ込
み析出したポリマーを単離した。
単離したポリマーを榔騰メチルアルコール、熱り０．１
．３ｄｌ／ｆであった。
．３ｄｌ／ｆであった。
次に上記ポリマーＳ１を／１０−のジクロル酢酸に溶解
し、トリエチル７ランーーを加え窒素下で室温で１時間
反応後、ポリマー溶液を水中に析出させ、水洗をＪＯＯ
ｒｄの熱蒸留水でユ回行ない次にアセトン３００ｍ１で
還流下加熱を２回行ない、／ ２０Ｃ減圧下終夜乾燥し
た。そのポリマーについて高化式フローテスター（島津
製作所製ＣＦＴ−ｓ００に’）を用いてｐｏｏｃで５分
間熔融加熱を行なった後押出したストランドは容易に押
出すことが出来、さら江押出されたサンプルを９ｔ％硫
酸に／ｆ／ｄｔの９度で溶？であった。
し、トリエチル７ランーーを加え窒素下で室温で１時間
反応後、ポリマー溶液を水中に析出させ、水洗をＪＯＯ
ｒｄの熱蒸留水でユ回行ない次にアセトン３００ｍ１で
還流下加熱を２回行ない、／ ２０Ｃ減圧下終夜乾燥し
た。そのポリマーについて高化式フローテスター（島津
製作所製ＣＦＴ−ｓ００に’）を用いてｐｏｏｃで５分
間熔融加熱を行なった後押出したストランドは容易に押
出すことが出来、さら江押出されたサンプルを９ｔ％硫
酸に／ｆ／ｄｔの９度で溶？であった。
比較例１
実施例１と同様に重合し、後処鳴を行なわなと
かったサンプルを実施例１ψ同様に高化式フローテスタ
ーを用いｔｔｏｏｃで５分間熔融加熱を行なったところ
押出し性も悪く、さら罠押出されたサンプルなｑｔｓ硫
酸に／ ｊｉ’ ／ ｔｉｔの濃度で以上のように本発
明によると生成物の熱安定性が改良され、ポリマーを溶
融加熱してもゲル化がおこるような不都合がない。
ーを用いｔｔｏｏｃで５分間熔融加熱を行なったところ
押出し性も悪く、さら罠押出されたサンプルなｑｔｓ硫
酸に／ ｊｉ’ ／ ｔｉｔの濃度で以上のように本発
明によると生成物の熱安定性が改良され、ポリマーを溶
融加熱してもゲル化がおこるような不都合がない。
出願人 三菱化成工業株式会社
代理人 弁理士 長谷用 −
ほか１名
Claims (5)
- （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
〕 （〔 I 〕式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾２は水素原子、ハロ
ゲン原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは
直接結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、ｌは０〜２の
整数である） で表わされる芳香族（チオ）エーテルと、一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔II〕 （〔II〕式中、Ｒ＾１＾３〜Ｒ＾２＾０は水素原子、ハ
ロゲン原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘ
は直接結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、Ｙはハロゲ
ン原子を示し、ｍは０〜３の整数である） で表わされる芳香族ジカルボン酸ジハライド、又は、ホ
スゲンとを、ルイス酸の存在下、非プロトン性有機溶媒
中で反応させて、一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・〔III〕 （〔III〕式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾２＾０は水素原子、ハロ
ゲン原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Ｘは
直接結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、をは０〜２の
整数を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎは０又は１で
ある） の繰り返し単位を有する芳香族ポリ（チオ）エーテルケ
トンを製造する方法に於て、重合反応後に芳香族ポリ（
チオ）エーテルケトンを一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
〔IV〕 （式中、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３基は置換基を有しても
よいアルキル基、アリール基、シクロアルキル基および
アラルキル基または水素原子である。 但し、Ａ＾１、Ａ＾２およびＡ＾３すべてが水素原子で
ある場合を除く で表わされる化合物の存在下で後処理することを特徴と
する芳香族ポリ（チオ）エーテルケトンの製造方法。 - （２）一般式〔IV〕とカルボン酸の存在下で後処理を行
なう特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （３）一般式〔IV〕で表わされる化合物をポリマー中の
エーテル結合のモル数に対して１モル％以上使用するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （４）ルイス酸として固体の周期律表第III族ハロゲン
化物を用いる特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （５）ルイス酸として、無水ハロゲン化アルミニウム又
は無水ハロゲン化ガリウムを用いる特許請求の範囲第１
項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143438A JPS63316A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 芳香族ポリ（チオ）エ−テルケトンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143438A JPS63316A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 芳香族ポリ（チオ）エ−テルケトンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316A true JPS63316A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15338706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143438A Pending JPS63316A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 芳香族ポリ（チオ）エ−テルケトンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63316A (ja) |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143438A patent/JPS63316A/ja active Pending
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