JPS6332953A - ガラス封止型半導体装置 - Google Patents

ガラス封止型半導体装置

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Publication number
JPS6332953A
JPS6332953A JP61176007A JP17600786A JPS6332953A JP S6332953 A JPS6332953 A JP S6332953A JP 61176007 A JP61176007 A JP 61176007A JP 17600786 A JP17600786 A JP 17600786A JP S6332953 A JPS6332953 A JP S6332953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
pellet
diode
semiconductor pellet
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61176007A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Takahashi
高橋　政夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6332953A publication Critical patent/JPS6332953A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の第１１用分野〕 本発明はガラス封止された半導体装置、特に面実装用の
電子部品であるダブルヒートシンク構造のガラス封止型
半導体に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の従来のガラス気密封止型のダブルヒート
シンクダイオードは、第３図に示すように、半導体ペレ
ット４をアウターリード２の取り付けられたジュメット
線１ではさんでガラス３で気密封止していた。特に、半
導体ペレット４自身はなん牧破覆を施すことなくガラス
３に封入されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のガラス気密封止型ダイオードは半導体ペ
レット４をジュメット線１および外周ガラス３にて気密
封止しているだけであるので半導体ペレット４と外周ガ
ラス３との間に導電性の物体（例えばカーボン、鉄など
）が製造工程で入りた場合、導電性の物体の大きさによ
りダイオードがショート状態のままになったり、また導
電性の物体が振動により動いてダイオードの特性が不特
定の時期にショート状態になったりする特性の不安定性
を引き起す欠点がある。
また、この様に導電性の物体の入ったダイオードを電気
的特性チエツク、あるいはタタキテスト等で取り除かな
ければならなく、このチエツクテストに費用がかかり安
価に出来ない欠点がある。
更に導電性の物体の入ったダイオードが上述チェツクテ
ストで完全に取り除くことが出来ない場合も多く、実装
装置の信頼度が低下する欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、半導体ペレットを絶縁体樹脂で覆うか
または半導体ペレットと外周ガラスの空間にガラスを挿
入したガラス気密封止型ダイオードとしているため、半
纏体ペレットと外周ガラスの空間に導電ｔトの物体が入
っても、ダイオードがショート状態になったり、特性が
不安定になったりすることがない。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照してより詳細に説明する。
本発明の一実施例によるガラス気密封止型ダブルヒート
シンクダイオードは第１図に示すように半導体ペレット
４を絶縁性樹脂５で覆ってアウターリード２の取り付け
られたジュメット線１ではさみ、ガラス３で気密封止し
ている。また、本発明の他の実施例によれば、第２図に
示すように、ガラス５′　を外周のガラス３と半導体ペ
レット４との空間に挿入してジュメット線１で半導体ペ
レット４をはさみガラス３で気密に封止している。
この場合絶縁体樹脂５の長さり、の範囲は半導体ペレッ
ト４の厚さＬｌ　より長くジーメット線１の間隔Ｌｓ　
より短かくしなければならない。また同様に、ガラス５
′　の長さＬ２の範囲も半導体ペレット１の厚さＬｌ　
より長く、ジーメット線１の間隔Ｌ３より短かくしなけ
ればならない。
この様にすると、半導体ペレット４と外周ガラス３との
空間に導電性の物体が入っても信頼性の高いまた安価な
ガラス気密封止型ダイオードが出来る。
〔発明の効果〕
以上説明したよう罠、本発明は半導体ペレットを絶縁性
樹脂で被覆するかまたは半導体ペレットと外周ガラスと
の空間にガラスを挿入してガラスで気密封止することに
より、半導体ペレット周辺の空間に導電性の物体が入っ
た場合でも、ダイオードがショート状態となったり、ま
だダイオード特性が不安定になる様なことがなく信頼性
の昼い、また安価なガラス気密封止型ダイオードを製造
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本発明の各実施例によるガラス気密封
止型ダイオードの断面図である。第３図は従来のガラス
気密封止型ダイオードの断面図である。 １・・・・・・ジュメット線、２・・・・・・アウター
リード、３・・・・・・ガラス、４・・・・・・半導体
ペレット、５・・・・・・絶縁性樹脂、５′・・・・・
・ガラス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラス気密封止の半導体において、半導体ペレットの外
    周側面を該半導体ペレットの厚さ以上におおってガラス
    で気密に封止したことを特徴とするガラス封止型半導体
    装置。
JP61176007A 1986-07-25 1986-07-25 ガラス封止型半導体装置 Pending JPS6332953A (ja)

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JP61176007A JPS6332953A (ja) 1986-07-25 1986-07-25 ガラス封止型半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6192288A (ja) * 1984-10-11 1986-05-10 ライト工業株式会社 掘削装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6192288A (ja) * 1984-10-11 1986-05-10 ライト工業株式会社 掘削装置

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