JPS633423A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPS633423A
JPS633423A JP61147635A JP14763586A JPS633423A JP S633423 A JPS633423 A JP S633423A JP 61147635 A JP61147635 A JP 61147635A JP 14763586 A JP14763586 A JP 14763586A JP S633423 A JPS633423 A JP S633423A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
wire
clamper
thin metal
gold wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61147635A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanari Iwata
岩田　政成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61147635A priority Critical patent/JPS633423A/ja
Publication of JPS633423A publication Critical patent/JPS633423A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
    • H10W70/093—Connecting or disconnecting other interconnections thereto or therefrom, e.g. connecting bond wires or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521—Aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ＩＣ製造工程においてＩＣチ、・・ブ上の
電極と外部リードとを金属細線：こて接続するワイヤボ
ンディング方法に関するものである。
〔従来の技術〕
ｍ２図は、チー・ブ側ボンディング後キセピラリーが上
死点まで上昇した状態を説明する動作図である。因にお
いて（１）は昇降玖び水平面内の運動をする筒状のツー
ル（キャピラリーノであり、その内側を金線が通ってい
る。（２）はクランパでキセピラ’Ｊ−（１）と同様の
昇降運動お金線のクランプ及び開放のための開閉運動を
行う。（３）はチー、ブ電極（以下パー・ドと呼ぶ）上
に接合された金ボール、（４）は金線、（５）はＩＣチ
ーｌブ、（６）は外部リードを表わしている。ｈはルー
プ高さを示す。
次１こ動作について説明する。キ麺ピラＩＪ　−（１）
はパ・・・ド上に着地しパ、・・ド側に金線（４）を接
合した後上昇し、上死点まで上昇した後再び下降する。
この間にキャピラリー（１）は水平面内でも移動し７、
下降後はリード（６）側に着地する。
このときのキャピラリ−（１）とクランパ（２）の制御
方法は大別して２つのものがあつ１こ。その１つはクラ
ンパ（２）は開放したままでキャピラリー（１）先端ｉ
こ必要量以上の金線（４）７ｉ＝出しく第２図でｌｈ＞
１０の場合ノ、キャピラリ−（１）がり一μシこ着地す
るとき金線（４）の腰の強さで再び余分な量をキセピラ
！Ｊ−（１）内を通って戻す方法である。他の１つはキ
セピラＩＪ−（１）先端より必要量だけの金線（４）を
出しく第２図で１ｈ＝ｌＱ）、クランパ（２）を閉じて
キャピラリー（１）と同時ｉこリード側へ着地させる方
法であり、この場合づこは１度キャピラリー（１）を通
って出１こ金線（４）を再びキセピラＩＪ−（１）内を
通って戻す必要はない。
〔発明が解決しようさする問題点〕
従来のワイヤボンディング方法のうち金線（４）を余分
に出す方法は、キャピラ＋７−（１）が汚れてくると金
線（４）がキャピラリー（１）内を戻りにくくなり、ル
ープ出退ぎ、タレ等不良の原因となることが多かった。
まγこクランパ（２）で必要長さだけ出してクランプす
る方法は、実際に行ってみるａ１キャピラリー（１）ご
クランパ（２）間ｉこ金線（４）が１こるみ、所望のル
ープ高さが得られないことが明らかになつ１こ。
よってワイヤボンティング不良が発生するなどの問題点
があっ１こ。。
この発明は上記のような問題点を解消する１こめになさ
れ１こもので、ループ高さが十分あり、かつループ出退
ぎ、タレのないボンディング方法を提供することを目的
とする。
〔問題点を解決する１こめの手段〕 この発明に係るボンディング方法は、キャピラリー先端
より必要量以上の金属細線を出し、その後クランパによ
って金属細線をクランプした状態でキャピラリーから遠
のくように運動させ、キャピラリー先端から出ている余
分の金属細線を強制的１こ引き戻すようにしたものであ
る。
〔作用〕
この発明におけろボンディング方法は、キャピラリーが
チップ側に金属細線を接合してよ死点まで到達した後、
クランパはキャピラリーから見て上方へ相対運動する。
〔発明０）実施例〕 第１図はこの発明の一実施例１こよるボンディング方法
の位置関係を説明する動作図である。（１）〜（６）は
上記従来装置と全く同一のものである。
そして第１図（ａ）においてキャピラリ−（１）は上死
点にあり、ｌｈはキャピラリー（１）先端から引き出さ
れｔコ金線（４）の最大長さ、ｌＣはクランパ（２）か
ら見た金線（４）の引き出し量である。第２図（ｂ）に
おいてｌｏはワイヤボンディングされｔこ金線（４）の
長さ、ｈはｌレープ高さ、ｌｔはキャピラリー先端から
クランパ（２）までの金線（４）の長さを表わす。
上記のように構成され１こ装置１こおいて、ボンディン
グ方法は （１）　　ｌｈ＞１ｃｒ （ＩＩ）　　１１０　＝　ｌ　Ｏ＋　ｌ　ｔであり、金
線（４）は１度必要員以上＜ｌｈ）がキャピラリー（１
）先端より繰り出され、リード（６）側へキャピラリ−
（１）が着地するまでにクランパ（２）によりキｅＤう
ＩＪ−（１）後方（上方）へ＜Ｒｈ−１０）だけ引き戻
されろ。
この方法を実現才ろ１こめに、キャピラリ−（１）上下
とクランパ（２）Ｊ−下は独立しγこアクチュエーター
を持つこ亡が望ましいが、 （１）　　１ｈ＝ｋｌｏ　　　（ｋ＝−足）（Ｉｔ）　
　　　＜ｋ−１＞ｇｏ−１！　　ｔ　−（Ｅ　Ｃ−１ｈ
　　）が成り立つようｆこ機構をｍ成すれば１つのアク
チュエーターでも実現するこごが可能である。
なお、上記実施例では金属細線に金線（４）を用い１こ
場合を示したが、他の金属細線（八β、　ＣＵ、その他
２でも良いことは明らかである。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば金線を１度余分に繰り
出した後強制的疹こ引き戻すよう）こしたので、キャピ
ラリー、クランパ間で金線がｆころむことなくループ高
さの高いワイヤが張れワイヤボンディング不良を低減才
ろことができろきいつ１こ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるボンディング方法の
位置関係を説明才ろ動作図で、第１図（ａ）はキャピラ
リーが上死点；こあり、キャピラリーから引き出された
金線が最大長さの状態を示す動作図、第１図（ｈ）は金
線がパ・リド上に接合され、キャピラリーがリード上に
移動した状態を示す動作図、第２図は従来のチ、・・ブ
側ボンディング後キセピラリーが上死点まで上昇した状
態を説明する動作図である。 図ζこおいて、（１）はキルピラリ−１（２）はクラン
パ、（４）は金線、（５）はＩＣチップ、（６月はリー
ドである。 なお、各図中同一符号は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属細線をＩＣチップ上の電極と外部リードに圧着する
    ためのツール（キャピラリー）と、金属細線をリード側
    にて引きちぎるためのクランパを備えたワイヤボンダに
    おいて、チップ側ボンディング後キャピラリー下部より
    必要以上の金属細線が出る点までキャピラリーを上昇さ
    せ、その後キャピラリーをリード側に着地させる過程で
    クランパによつて金属細線をクランプした状態でキャピ
    ラリーから遠のくように運動させ、キャピラリー先端か
    ら出ている余分の金属細線を強制的に引き戻すことを特
    徴とするワイヤボンディング方法。
JP61147635A 1986-06-24 1986-06-24 ワイヤボンデイング方法 Pending JPS633423A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61147635A JPS633423A (ja) 1986-06-24 1986-06-24 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61147635A JPS633423A (ja) 1986-06-24 1986-06-24 ワイヤボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS633423A true JPS633423A (ja) 1988-01-08

Family

ID=15434791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61147635A Pending JPS633423A (ja) 1986-06-24 1986-06-24 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS633423A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6595400B2 (en) * 2000-08-22 2003-07-22 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60137031A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 Toshiba Corp ワイヤボンデイング方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60137031A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 Toshiba Corp ワイヤボンデイング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6595400B2 (en) * 2000-08-22 2003-07-22 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060175383A1 (en) Wire bonding method
DE102010000092A1 (de) Halbleiterpackage mit wedge-gebondetem Chip
JP3049515B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS633423A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH02273944A (ja) リード付き半導体素子の製造方法
JP4369401B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0256942A (ja) 半導体装置
US5207786A (en) Wire bonding method
JPS63244633A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS61159746A (ja) Ｉｃモジユ−ルのワイヤボンデイング方法
JPH1116934A (ja) ワイヤボンディング方法
KR100660821B1 (ko) 와이어본딩 방법
JPS63311732A (ja) 半導体素子の実装方法
JP2000106381A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5961038A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPH0346497Y2 (ja)
JPH0536697A (ja) バンプ電極形成装置
JPH07263477A (ja) 被覆ボンディング細線接合用キャピラリー
JPS6329409B2 (ja)
JPH11102925A (ja) バンプ形成方法
JPH07273141A (ja) ワイヤボンディング装置、キャピラリーおよびそれを用いたワイヤボンディング方法
JP2005303152A (ja) バンプワイヤのボンディング方法および半導体装置ならびにその製造方法
JPH01125960A (ja) 半導体装置
JPH04251948A (ja) 半導体装置の製造方法