JPS6335544A - 無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル〕メタン、その製法及び安定化重合体組成物 - Google Patents
無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル〕メタン、その製法及び安定化重合体組成物Info
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- JPS6335544A JPS6335544A JP62183804A JP18380487A JPS6335544A JP S6335544 A JPS6335544 A JP S6335544A JP 62183804 A JP62183804 A JP 62183804A JP 18380487 A JP18380487 A JP 18380487A JP S6335544 A JPS6335544 A JP S6335544A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
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- C07C69/73—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of unsaturated acids
- C07C69/732—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of unsaturated acids of unsaturated hydroxy carboxylic acids
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
−(3.5一ジ第3級ブチル−4ーヒドロキシフェニル
)一ブロピオニルーオキシメチル〕メタン、その製法及
び特に有機重合体用の安定剤としての使用に係る。
)一ブロピオニルーオキシメチル〕メタン、その製法及
び特に有機重合体用の安定剤としての使用に係る。
テトラキス(3− (3.5−ジ第3級ブチル−4ーヒ
ドロキシフェニル)一プロピオニルーオキンメチル〕メ
タンは、構造式 を有する化合物であり、たとえば米国特許第3。
ドロキシフェニル)一プロピオニルーオキンメチル〕メ
タンは、構造式 を有する化合物であり、たとえば米国特許第3。
644 、 428号に開示されている如く、有機物質
、特に有機重合体用の安定剤として使用される。
、特に有機重合体用の安定剤として使用される。
さらに、このテトラキス(3− (3.5−ジ第3扱ブ
チル−4ーヒドロキシフェニル)一ブロビオニルーオキ
ンメチル〕メタンは、たとえばCiba−Geigy社
により IRGANOX(登録商標)totoとして販
売されているもの及びBozzetto社により 八N
OX(登録商標)20として販売されているものの如く
、すでに市販されている。
チル−4ーヒドロキシフェニル)一ブロビオニルーオキ
ンメチル〕メタンは、たとえばCiba−Geigy社
により IRGANOX(登録商標)totoとして販
売されているもの及びBozzetto社により 八N
OX(登録商標)20として販売されているものの如く
、すでに市販されている。
テトラキスC3− (3.5−ジ第3級プチルー4ー
ヒドロキノフェニル)一プロビオニルーオキンメチル〕
メタンの調製にあたり一般的に使用される方法は、上記
米国特許第3,644,428号に記載の如く、エステ
ル交換触媒の存在下で行なわれ一般式 (式中、Rはメチル基またはエチル基である)を有する
3−(3.5一ジ第3級ブチル−4ーヒドロキシフェニ
ル)プロピオン酸メチル又はエチルのペンタエリスリト
ールによるエステル交換反応によるものである。
ヒドロキノフェニル)一プロビオニルーオキンメチル〕
メタンの調製にあたり一般的に使用される方法は、上記
米国特許第3,644,428号に記載の如く、エステ
ル交換触媒の存在下で行なわれ一般式 (式中、Rはメチル基またはエチル基である)を有する
3−(3.5一ジ第3級ブチル−4ーヒドロキシフェニ
ル)プロピオン酸メチル又はエチルのペンタエリスリト
ールによるエステル交換反応によるものである。
このエステル交換反応から得られたテトラキス(3−(
3.5−ジ第3級ブチル−4ーヒドロキシフェニル)一
プロピオニルーオキシメチル〕メタンは、軟化点50−
60℃を有するガラス質固体、又は80−90℃で溶融
する固状物である。これらの多くは不純な生成物又は着
色した生成物であり、市販するには適さない。
3.5−ジ第3級ブチル−4ーヒドロキシフェニル)一
プロピオニルーオキシメチル〕メタンは、軟化点50−
60℃を有するガラス質固体、又は80−90℃で溶融
する固状物である。これらの多くは不純な生成物又は着
色した生成物であり、市販するには適さない。
従って、脱色処理を排除するため、又は少なくとも低減
するために、当分野では、有機溶媒からの再結晶等の処
理が通常行なわれているが、この処理では、融点120
℃程度の結晶性テトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキ
シメチルコメタンが生成される。この従来例については
、ヨーロッパ特許第32,459号の明細書(特に第2
頁)を参照する。
するために、当分野では、有機溶媒からの再結晶等の処
理が通常行なわれているが、この処理では、融点120
℃程度の結晶性テトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキ
シメチルコメタンが生成される。この従来例については
、ヨーロッパ特許第32,459号の明細書(特に第2
頁)を参照する。
実際には、市販のテトラキス(3−(3,5−ジ第3級
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−ブロピオニルーオ
キンメチル〕メタンは結晶性の固状物であり、各種の同
素体形で存在し、110ないし125℃の範囲の融点を
示す。
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−ブロピオニルーオ
キンメチル〕メタンは結晶性の固状物であり、各種の同
素体形で存在し、110ないし125℃の範囲の融点を
示す。
最後に、上述のヨーロッパ特許第32,459号には、
X線回折において特殊な挙動を示し、かつ融点111な
いし118℃を有する結晶性のテトラキス〔3−(3,
5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロ
ピオニルーオキンメチル〕メタンが開示されている。
X線回折において特殊な挙動を示し、かつ融点111な
いし118℃を有する結晶性のテトラキス〔3−(3,
5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロ
ピオニルーオキンメチル〕メタンが開示されている。
テトラキスI:3− (3,5−ジ第3級ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル
コメタンの融点が高いことは、重合体が比較的低い温度
で加工される応用分野、たとえば高密度ポリエチレンの
ブロー成形の場合、及び天然ゴムの加工の場合には、有
機重合体の安定化に関連する問題点となる。
−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル
コメタンの融点が高いことは、重合体が比較的低い温度
で加工される応用分野、たとえば高密度ポリエチレンの
ブロー成形の場合、及び天然ゴムの加工の場合には、有
機重合体の安定化に関連する問題点となる。
これらの場合、テトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキ
シメチルコメタンは溶融せず、従って、その安定化作用
を発揮できず、あるいは部分的にのみ溶融して、不均一
な分布に関連する問題を生じ、その結果、偏在する結晶
により、得られた最終製品内にもろい区域が形成される
ことになる。
チル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキ
シメチルコメタンは溶融せず、従って、その安定化作用
を発揮できず、あるいは部分的にのみ溶融して、不均一
な分布に関連する問題を生じ、その結果、偏在する結晶
により、得られた最終製品内にもろい区域が形成される
ことになる。
発明者らは、無定形構造及び低軟化点を有するテトラキ
スC3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンを得る
ことができ、これにより、上述の従来技術の欠点を解消
できることを見出し、本発明に至った。
スC3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンを得る
ことができ、これにより、上述の従来技術の欠点を解消
できることを見出し、本発明に至った。
従って、1つの態様によれば、本発明は、結晶性のテト
ラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)〜プロピオニル−オキソメチルコメタンを
溶融させ、溶融物を急激に冷却して凝固させることによ
る、無定形構造を有し、安定で、かつ低軟化点を有する
テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチルコメタ
ンの製法に係る。
ラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)〜プロピオニル−オキソメチルコメタンを
溶融させ、溶融物を急激に冷却して凝固させることによ
る、無定形構造を有し、安定で、かつ低軟化点を有する
テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチルコメタ
ンの製法に係る。
他の態様によれば、本発明は、無定形構造を有するテト
ラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)−ブロピオニルーオキンメチル〕メタンで
あって、示差走査熱量測定(DSC)により分析を行な
う場合、ガラス転移点(Tg)が40ないし50℃であ
り、温度50℃から200℃までの範囲に吸熱溶融ピー
クを示さず、DSCにおいて温度−100℃ないし +
100℃における少なくとも4回の加熱−冷却サイクル
の間では、上記特性が変化することなく維持されるもの
であることを特徴とする、無定形のテトラキスC3−(
3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−
ブロピオニルーオキシメチル〕メタンに係る。
ラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)−ブロピオニルーオキンメチル〕メタンで
あって、示差走査熱量測定(DSC)により分析を行な
う場合、ガラス転移点(Tg)が40ないし50℃であ
り、温度50℃から200℃までの範囲に吸熱溶融ピー
クを示さず、DSCにおいて温度−100℃ないし +
100℃における少なくとも4回の加熱−冷却サイクル
の間では、上記特性が変化することなく維持されるもの
であることを特徴とする、無定形のテトラキスC3−(
3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−
ブロピオニルーオキシメチル〕メタンに係る。
ここで、「無定形」とは、本発明によるテトラキス[:
3−(3,5−ジ第3扱ブチル−4−ヒドロキソフェニ
ル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンがCuK−
スペクトル線及びニッケルフィルα ターを使用し、Ph1lips粉末ゴニオメータ−によ
って行なったX線分析において回折スペクトルを示さな
いことを意味する。
3−(3,5−ジ第3扱ブチル−4−ヒドロキソフェニ
ル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンがCuK−
スペクトル線及びニッケルフィルα ターを使用し、Ph1lips粉末ゴニオメータ−によ
って行なったX線分析において回折スペクトルを示さな
いことを意味する。
本発明によるテトラキス(3−(3,5−〕〕第3級ブ
チル−4−ヒドロキンフェニル−プロピオニル−オキシ
メチルコメタンの無定形の安定性は、ROTOVISC
O装置(MVII400システム; 7=57.6)に
おいて温度範囲80ないし 120℃で粘度を測定する
場合、−船釣に、次表に示す値が得られるとの事実によ
って確認される。
チル−4−ヒドロキンフェニル−プロピオニル−オキシ
メチルコメタンの無定形の安定性は、ROTOVISC
O装置(MVII400システム; 7=57.6)に
おいて温度範囲80ないし 120℃で粘度を測定する
場合、−船釣に、次表に示す値が得られるとの事実によ
って確認される。
温度(’C) 粘度(Pa−8)80
40Q、Q90
52.0100 7.
0120 1.0本発明に
よるテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチルコ
メタンの無定形の安定性を示す以外にも、これらの測定
された粘度の値は、たとえば60℃よりもわずかに高い
温度で行なわれる天然ゴムの素線りにおけるように、比
較的低温で加工される有機重合体の安定化に該化合物を
使用できることを示す。明らかなように、本発明による
無定形のテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチ
ルコメタンは、光及び/又は熱により起こる酸化劣化に
対して各種有機重合体(たとえば、ビニル重合体、オレ
フィン系重合体、ジオレフィン系重合体、ポリマーアロ
イ、ABS等)を安定化させるために使用される。
40Q、Q90
52.0100 7.
0120 1.0本発明に
よるテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチルコ
メタンの無定形の安定性を示す以外にも、これらの測定
された粘度の値は、たとえば60℃よりもわずかに高い
温度で行なわれる天然ゴムの素線りにおけるように、比
較的低温で加工される有機重合体の安定化に該化合物を
使用できることを示す。明らかなように、本発明による
無定形のテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチ
ルコメタンは、光及び/又は熱により起こる酸化劣化に
対して各種有機重合体(たとえば、ビニル重合体、オレ
フィン系重合体、ジオレフィン系重合体、ポリマーアロ
イ、ABS等)を安定化させるために使用される。
従って、他の態様によれば、本発明は、有機重合体及び
本発明による無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第
3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル
−オキシメチルコメタン(安定化剤としての1)でなる
安定化重合体組成物に係る。
本発明による無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第
3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル
−オキシメチルコメタン(安定化剤としての1)でなる
安定化重合体組成物に係る。
本発明のさらに他の態様は、結晶性のテトラキス[3−
(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
−プロピオニル−オキシメチルコメタンを融点以上に加
熱し、得られた溶融物を急激に冷却することからなる、
無定形のテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチ
ルコメタンの調製にある。
(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
−プロピオニル−オキシメチルコメタンを融点以上に加
熱し、得られた溶融物を急激に冷却することからなる、
無定形のテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチ
ルコメタンの調製にある。
この目的には、約100℃より高い融点、一般に107
ないし125℃の融点を有する各種の結晶性テトラキス
(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンを使用で
きる。
ないし125℃の融点を有する各種の結晶性テトラキス
(3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンを使用で
きる。
このような融点を有するテトラキス〔3,5−〕〕第3
級ブチル−4−ヒドロキシフェニル−プロピオニル−オ
キシメチルコメタンは、一般に95重量%以上の純度を
有する。
級ブチル−4−ヒドロキシフェニル−プロピオニル−オ
キシメチルコメタンは、一般に95重量%以上の純度を
有する。
溶融物の迅速な凝固を生じさせるための急激な冷却は、
当分野で公知の各種の方法により達成される。
当分野で公知の各種の方法により達成される。
好適な方法としては、溶融物を冷たい金属シート(たと
えば室温以下の温度)に注加する方法、水中、たとえば
室温又はそれ以下に維持した他の非反応性の冷たい液体
中に注加する方法噴射造粒法と類似した手段によりガス
(たとえば窒素ガス)内において溶融物を液滴として冷
却する方法がある。
えば室温以下の温度)に注加する方法、水中、たとえば
室温又はそれ以下に維持した他の非反応性の冷たい液体
中に注加する方法噴射造粒法と類似した手段によりガス
(たとえば窒素ガス)内において溶融物を液滴として冷
却する方法がある。
これら方法によれば、固状体(その後、スケーリング及
び/又は粉砕される)として、又は所望サイズを有する
自由流動性顆粒としてテトラキスC3−(3,5−ジ第
3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル
−オキシメチルコメタンを得ろことができる。
び/又は粉砕される)として、又は所望サイズを有する
自由流動性顆粒としてテトラキスC3−(3,5−ジ第
3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル
−オキシメチルコメタンを得ろことができる。
以下の実施例は、本発明を説明するためのらのであり、
限定するものではない。
限定するものではない。
実施例1
Bozzetto社(イタリー国)から商品名ANOX
(登録商標)20として市販されているテトラキス〔
3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンを使用した
。この製品は純度98.5重量%及び融点122.5℃
を有する乙のであり、エステル交換触媒の存在下、3−
(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオン酸メチルをペンタエリスリトールでエステル
交換させ、ついで有機溶媒から粗製反応生成物を結晶化
させることにより生成されたものである。
(登録商標)20として市販されているテトラキス〔
3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)−プロピオニル−オキシメチルコメタンを使用した
。この製品は純度98.5重量%及び融点122.5℃
を有する乙のであり、エステル交換触媒の存在下、3−
(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオン酸メチルをペンタエリスリトールでエステル
交換させ、ついで有機溶媒から粗製反応生成物を結晶化
させることにより生成されたものである。
撹拌機及び加熱流体循環用ジャケットを具備するガラス
反応器(容積I Q、’)ニANOX 202509を
充填した。
反応器(容積I Q、’)ニANOX 202509を
充填した。
ジャケット内に油を導入して、温度を140℃に上昇さ
せ、充填物を窒素雰囲気下で撹拌した。充填物が完全に
溶融した後、室温(20−25℃)に推持したアルミニ
ウムシート(50x 50cm)上に注加した。
せ、充填物を窒素雰囲気下で撹拌した。充填物が完全に
溶融した後、室温(20−25℃)に推持したアルミニ
ウムシート(50x 50cm)上に注加した。
シート上に透明な層が形成され、この層は凝固してガラ
ス質塊状物を形成した。該塊状物を乳鉢内において乳棒
によって粉砕して、平均粒径100−500 ミクロン
の粉末を得た。
ス質塊状物を形成した。該塊状物を乳鉢内において乳棒
によって粉砕して、平均粒径100−500 ミクロン
の粉末を得た。
このようにして、無定形のテトラキス〔3−(3,5−
ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオ
ニル−オキシメチルコメタンを得た後、下記の各分析に
供した。
ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオ
ニル−オキシメチルコメタンを得た後、下記の各分析に
供した。
DSC分析
サンプルをアルミニウムカプセル内に密閉し、装置(M
ettler TCtoプロセッサーを包含するMet
−tler TA 3000)のサンプルホルダー内に
導入し、窒素雰囲気下、10℃/分の速度で100℃ま
で加熱した。ついで、この温度に15分間維持し、最後
に一100℃に冷却させた。加熱の間に、吸熱ピークを
観察した。この吸熱ピークは48℃を中心とするもので
あった(第1A図)。さらに、冷却の間では、かかる吸
熱ピークが39.1”Cで観察された。
ettler TCtoプロセッサーを包含するMet
−tler TA 3000)のサンプルホルダー内に
導入し、窒素雰囲気下、10℃/分の速度で100℃ま
で加熱した。ついで、この温度に15分間維持し、最後
に一100℃に冷却させた。加熱の間に、吸熱ピークを
観察した。この吸熱ピークは48℃を中心とするもので
あった(第1A図)。さらに、冷却の間では、かかる吸
熱ピークが39.1”Cで観察された。
これら加熱及び冷却の操作をさらに3回繰返して行なう
ことにより、Tgに関してそれぞれ下記の値を得た。
ことにより、Tgに関してそれぞれ下記の値を得た。
47.6℃ (加熱)
40.1’C(冷却)
46.8℃ (加熱)
40.0°C(冷却)
48.2℃ (加熱)
39.7℃ (冷却)
最後の冷却操作の後、サンプルを再度200℃まで加熱
した(20℃/分)。Tg=47℃が得られ、走査温度
範囲内では、他の熱現象は観察されなかった(第1B図
)。
した(20℃/分)。Tg=47℃が得られ、走査温度
範囲内では、他の熱現象は観察されなかった(第1B図
)。
X線分析
粉砕したサンプルを、Ph1lips粉末ゴニオメータ
−のサンプルホルダー内に入れ、CuK−スペクα トル線を使用して、回折スペクトルを記録した。
−のサンプルホルダー内に入れ、CuK−スペクα トル線を使用して、回折スペクトルを記録した。
得られた回折スペクトルを第3図に示す。これに対し、
処理剤の結晶性生成物ANOX 20の回折スペクトル
を第2図に示している。
処理剤の結晶性生成物ANOX 20の回折スペクトル
を第2図に示している。
IR分析
粉砕したサンプルをKBrと共に圧縮して錠剤とし、!
R吸収スペクトルを記録した。得られたIR吸収スペク
トルを第4図に示す。結晶性生成物ANOX20のもの
(第5図)と比較して低い分解能のバンドが観察される
。この低い分解能は非組織化系に特有のものであり、3
500cm−’にある同じヒドロキシ基のバンドも、よ
り広い(broad)ものとなっている。
R吸収スペクトルを記録した。得られたIR吸収スペク
トルを第4図に示す。結晶性生成物ANOX20のもの
(第5図)と比較して低い分解能のバンドが観察される
。この低い分解能は非組織化系に特有のものであり、3
500cm−’にある同じヒドロキシ基のバンドも、よ
り広い(broad)ものとなっている。
粘度分析
上述の如く分析を行ない、同様の結果を得た。
11PLc(高圧液体クロマトグラフ −分析サンプル
の滴定量は変化がなく (98,2%)、存在する不純
物の分布に変化が観察されなかった。結晶性生成物AN
OX 2GのIIPLC分析の結果を第6図に、相当す
る無定形サンプルについての結果を第7図に報告する。
の滴定量は変化がなく (98,2%)、存在する不純
物の分布に変化が観察されなかった。結晶性生成物AN
OX 2GのIIPLC分析の結果を第6図に、相当す
る無定形サンプルについての結果を第7図に報告する。
実施例2
温度140℃で溶融させた結晶性ANOX 20200
9を、電気的に加熱したキャピラリー(内径1m11)
を通って、ガラス容器内に収容した室温(20−25°
C)の脱イオン化水 2Qに4加した。
9を、電気的に加熱したキャピラリー(内径1m11)
を通って、ガラス容器内に収容した室温(20−25°
C)の脱イオン化水 2Qに4加した。
サイズ約5Hのビーズとして無定形でトラキスC3−(
3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−
プロピオニル−オキシメチルコメタンを得た。
3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−
プロピオニル−オキシメチルコメタンを得た。
この生成物にて実施例1と同じ分析を行なったところ、
全く同じ結果が得られた。
全く同じ結果が得られた。
実施例3
温度140℃で溶融させた結晶性ANOX 20200
9を、電気的に加熱したキャピラリー(内径1 ui)
を通って、窒素ガスがtM、量200C/時間で底部か
ら供給されるガラス管(長さ2x、直径2OCR)の頂
部で4加し ノこ。
9を、電気的に加熱したキャピラリー(内径1 ui)
を通って、窒素ガスがtM、量200C/時間で底部か
ら供給されるガラス管(長さ2x、直径2OCR)の頂
部で4加し ノこ。
管の底部で、無定形のテトラキス(3,5−ジ第3@ブ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキ
シメチルコメタンでなる直径約3R11の透明なビーズ
が得られた。
チル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキ
シメチルコメタンでなる直径約3R11の透明なビーズ
が得られた。
この生成物について実施例1と同じ分析を行なったとこ
ろ、全く同じ結果が得られた。
ろ、全く同じ結果が得られた。
実施例4
市販のポリプロピレンFLF 20(Ilimont社
[) 4009を、プラネタリ−ミキサーにおいて、市
販の結晶性酸化防止剤ANOX 200.41i+(0
,1重量%)と混合し、この混合物をブラベンダー押出
機(D = 19゜L=25D、 圧縮比−1:41
回転=50 rpIl、温度プロフィール= 190/
235/270/270)で7回押出した。奇数回の押
出操作の間、顆粒の一部を取出し、メルトフローインデ
ックス(MPIX190℃、2.16Kg)及びMac
beth比色計における黄変インデックス(Yl)の測
定に使用した。
[) 4009を、プラネタリ−ミキサーにおいて、市
販の結晶性酸化防止剤ANOX 200.41i+(0
,1重量%)と混合し、この混合物をブラベンダー押出
機(D = 19゜L=25D、 圧縮比−1:41
回転=50 rpIl、温度プロフィール= 190/
235/270/270)で7回押出した。奇数回の押
出操作の間、顆粒の一部を取出し、メルトフローインデ
ックス(MPIX190℃、2.16Kg)及びMac
beth比色計における黄変インデックス(Yl)の測
定に使用した。
実施例!で得られた無定形化合物0.49を使用して同
じ操作を行った。
じ操作を行った。
これらテストの結果をそれぞれ第1表及び第2表に示す
。
。
第 1 表
押出操作
の回数 1 3 5 7
MP+ 5.87 7.54 9.04 10.7
8Yl −0,752,693,867,59第
2 表 押出操作 の回数 1 3 5 7 MF+ 5.57 7.18 L69 10.2
8Yl −2,231,ll 4.09 7.4
0これら2つのテストでは実験誤差の範囲内で同じ結果
を示すものと考えられる。
8Yl −0,752,693,867,59第
2 表 押出操作 の回数 1 3 5 7 MF+ 5.57 7.18 L69 10.2
8Yl −2,231,ll 4.09 7.4
0これら2つのテストでは実験誤差の範囲内で同じ結果
を示すものと考えられる。
これら事実は、無定形の安定剤はその安定剤としての特
性を全く損なわない物であることを表している。
性を全く損なわない物であることを表している。
第1A図及び第1B図はDSC分析の結果を表すチャー
ト、第2図及び第3図はそれぞれ本発明の処理の面後に
於けるX線分析の結果を表すチャート、第4図及び第5
図は同様のIR分析の結果を表すチャート、及び第6図
及び第7図は同様の11PLc分析の結果を表わすチャ
ートである。
ト、第2図及び第3図はそれぞれ本発明の処理の面後に
於けるX線分析の結果を表すチャート、第4図及び第5
図は同様のIR分析の結果を表すチャート、及び第6図
及び第7図は同様の11PLc分析の結果を表わすチャ
ートである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 無定形構造を有するテトラキス〔3−(3,5−ジ
第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニ
ル−オキシメチル〕メタンであって、示差走査熱量測定
(DSC)により分析を行なう場合、ガラス転移点(T
g)が40ないし50℃であり、温度50℃から200
℃までの範囲に吸熱溶融ピークを示さず、DSCにおい
て温度−100℃ないし+100℃における少なくとも
4回の加熱−冷却サイクルの間では、上記特性が変化す
ることなく維持されるものであることを特徴とする、無
定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル
〕メタン。 2 特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、CuK
^−_αスペクトル線を使用するX線分析では第3図の
挙動を示し、IR分析(KBr錠剤)では第4図の挙動
を示す、無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オ
キシメチル〕メタン。 3 示差走査熱量測定(DSC)により分析を行なう場
合、ガラス転移点(Tg)が40ないし50℃であり、
温度50℃から200℃までの範囲に吸熱溶融ピークを
示さず、DSCにおいて温度−100℃ないし+100
℃における少なくとも4回の加熱−冷却サイクルの間で
は、上記特性が変化することなく維持されるものである
無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチ
ル〕メタンの製法において、純度95重量%以上、融点
100℃以上を有する結晶性のテトラキス〔3−(3,
5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロ
ピオニル−オキシメチル〕メタンを溶融させ、急激な冷
却により溶融物を凝固させることを特徴とする、無定形
のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル〕メ
タンの製法。 4 特許請求の範囲第3項記載の製法において、前記急
激な冷却を、溶融物を冷たい金属シート上に注加するこ
とによって行なう、無定形のテトラキス〔3−(3,5
−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピ
オニル−オキシメチル〕メタンの製法。 5 特許請求の範囲第3項記載の製法において、前記急
激な冷却を、溶融物を水に注加することによって行なう
、無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメ
チル〕メタンの製法。 6 特許請求の範囲第3項記載の製法において、前記急
激な冷却を、噴射造粒法と同様の操作によって、溶融物
を滴としてガスと接触させることによって行なう、無定
形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル〕
メタンの製法。 7 有機重合体に、示差走査熱量測定(DSC)により
分析を行なう場合、ガラス転移点(Tg)が40ないし
50℃であり、温度50℃から200℃までの範囲に吸
熱溶融ピークを示さず、DSCにおいて温度−100℃
ないし+100℃における少なくとも4回の加熱−冷却
サイクルの間では、上記特性が変化することなく維持さ
れるものである無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ
第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニ
ル−オキシメチル〕メタンを安定剤として必要な量で添
加してなる、安定化重合体組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8621258A IT1213462B (it) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Quale stablizzante tetrakis[3-(3,5-di-t-butil-4-idrossifenil)propionilossimetil]metano con struttura amorfa,procedimento per la sua preparazione e suo uso |
| IT21258A/86 | 1986-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335544A true JPS6335544A (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=11179149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62183804A Pending JPS6335544A (ja) | 1986-07-25 | 1987-07-24 | 無定形のテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオニル−オキシメチル〕メタン、その製法及び安定化重合体組成物 |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4886900A (ja) |
| EP (1) | EP0255743B2 (ja) |
| JP (1) | JPS6335544A (ja) |
| KR (1) | KR900003300B1 (ja) |
| CN (1) | CN1021321C (ja) |
| AT (1) | ATE66460T1 (ja) |
| BR (1) | BR8704156A (ja) |
| CA (1) | CA1282427C (ja) |
| DE (1) | DE3772291D1 (ja) |
| DK (1) | DK380087A (ja) |
| ES (1) | ES2026521T3 (ja) |
| GR (1) | GR3002633T3 (ja) |
| IN (1) | IN170211B (ja) |
| IT (1) | IT1213462B (ja) |
| NO (1) | NO167567C (ja) |
| RU (1) | RU1795964C (ja) |
| ZA (1) | ZA875316B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989009202A1 (fr) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Yoshitomi Pharmaceutical Industries, Ltd. | PROCEDE DE CRISTALLISATION ET DE PURIFICATION PERMETTANT D'OBTENIR DES beta CRISTAUX STABLES DE TETRAKIS[3-(3,5-DI-BUTYLE TERTIAIRE-4-HYDROXYPHENYL)PROPIONYLOXYMETHYL]METHANE A L'ECHELLE INDUSTRIELLE |
| JPH052614U (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-19 | 三菱農機株式会社 | 植付け機における植付け部のシユーターの取付け構造 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1247941B (it) * | 1991-05-17 | 1995-01-05 | Enichem Sintesi | Processo per l'ottenimento di forme granulari di additivi per polimeri organici |
| AU7043298A (en) | 1997-04-15 | 1998-11-11 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Preparation of low-dust stabilisers |
| IT1300058B1 (it) * | 1998-04-23 | 2000-04-05 | Great Lakes Chemical Italia | Modificazione cristallina di miscele di un nichel-quencher e di un benzofenone e procedimento per la sua preparazione |
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| JPS59104348A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 球状もしくは半球状のテトラキス〔3―(3,5―ジ―t―ブチル―4―ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンの製造方法 |
Family Cites Families (3)
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