JPS6336667Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6336667Y2 JPS6336667Y2 JP1983099580U JP9958083U JPS6336667Y2 JP S6336667 Y2 JPS6336667 Y2 JP S6336667Y2 JP 1983099580 U JP1983099580 U JP 1983099580U JP 9958083 U JP9958083 U JP 9958083U JP S6336667 Y2 JPS6336667 Y2 JP S6336667Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- lead wire
- resistance
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の分野
この考案は、積層セラミツクコンデンサに関す
る。
る。
考案の背景
第１図は、コンデンサの等価回路図である。第
１図に示すように、コンデンサの等価回路は、容
量分Ｃと抵抗分Ｒとインダクタンス分Ｌの直列結
合で表わすことができる。ところで、積層セラミ
ツクコンデンサは他のコンデンサに比べて、電極
面の構成上、抵抗分Ｒとインダクタンス分Ｌが小
さいという特徴をもつ。このため積層セラミツク
コンデンサは、他のコンデンサよりも高い直列共
振周波数をもち、高周波領域においての使用に適
する。
１図に示すように、コンデンサの等価回路は、容
量分Ｃと抵抗分Ｒとインダクタンス分Ｌの直列結
合で表わすことができる。ところで、積層セラミ
ツクコンデンサは他のコンデンサに比べて、電極
面の構成上、抵抗分Ｒとインダクタンス分Ｌが小
さいという特徴をもつ。このため積層セラミツク
コンデンサは、他のコンデンサよりも高い直列共
振周波数をもち、高周波領域においての使用に適
する。
一方、フイードバツク回路を有する電子回路等
においては、これを安定化させる位相遅延回路が
よく用いられている。この位相遅延回路は見かけ
上第２図のような回路構成を有し、抵抗分Ｒ２と
容量分Ｃとインダクタンス分Ｌの直列部分には、
一般的には電解コンデンサが好んで使用される。
これは、位相遅延回路の抵抗分Ｒ２には比較的高
い値が必要とされ、かつ電解コンデンサがこれに
適した等価直列抵抗を有することによる。
においては、これを安定化させる位相遅延回路が
よく用いられている。この位相遅延回路は見かけ
上第２図のような回路構成を有し、抵抗分Ｒ２と
容量分Ｃとインダクタンス分Ｌの直列部分には、
一般的には電解コンデンサが好んで使用される。
これは、位相遅延回路の抵抗分Ｒ２には比較的高
い値が必要とされ、かつ電解コンデンサがこれに
適した等価直列抵抗を有することによる。
そこで、位相遅延回路の抵抗分Ｒ２と容量Ｃと
インダクタンスＬの直列部分に、電解コンデンサ
に代えて積層セラミツクコンデンサを使用しよう
とする場合、積層セラミツクコンデンサはその等
価直列抵抗が本来的に小さいため、これをそのま
まの形で流用することはできない。すなわち積層
セラミツクコンデンサは、通常はその等価直列抵
抗の小さいことが利点となつているのであるが、
使い途によつてはある程度等価直列抵抗の大きい
ほうが好ましい場合があるということである。特
に、積層セラミツクコンデンサを電解コンデンサ
と同じ使い方で用いる場合には、大きな等価直列
抵抗が必要とされる。
インダクタンスＬの直列部分に、電解コンデンサ
に代えて積層セラミツクコンデンサを使用しよう
とする場合、積層セラミツクコンデンサはその等
価直列抵抗が本来的に小さいため、これをそのま
まの形で流用することはできない。すなわち積層
セラミツクコンデンサは、通常はその等価直列抵
抗の小さいことが利点となつているのであるが、
使い途によつてはある程度等価直列抵抗の大きい
ほうが好ましい場合があるということである。特
に、積層セラミツクコンデンサを電解コンデンサ
と同じ使い方で用いる場合には、大きな等価直列
抵抗が必要とされる。
考案の目的
この考案の目的は、等価直列抵抗の値の調整が
容易でしかも所望の等価直列抵抗を有する、積層
セラミツクコンデンサを提供することである。
容易でしかも所望の等価直列抵抗を有する、積層
セラミツクコンデンサを提供することである。
考案の要約
この考案を要約すれば、積層セラミツクコンデ
ンサの外部電極の一方あるいは両方に、半田より
も高抵抗のリード線を接続し、このリード線の全
表面には、このリード線の抵抗値を調整するため
の半田が被覆されていることを特徴としている。
ンサの外部電極の一方あるいは両方に、半田より
も高抵抗のリード線を接続し、このリード線の全
表面には、このリード線の抵抗値を調整するため
の半田が被覆されていることを特徴としている。
以下、この考案を図面にしたがい詳細に説明す
る。
る。
実施例の説明
第３図はこの考案の積層セラミツクコンデンサ
の一実施例の外観斜視図であり、第４図はこれを
ケース内に収納した適用例を示す側断面図であ
る。そして第５図は、本考案に用いる抵抗性リー
ド線の断面図である。
の一実施例の外観斜視図であり、第４図はこれを
ケース内に収納した適用例を示す側断面図であ
る。そして第５図は、本考案に用いる抵抗性リー
ド線の断面図である。
まず、第３図を参照して、積層セラミツクコン
デンサ本体１には、図示しないが複数の内部電極
がそれぞれ対向して埋設されている。そして、積
層セラミツクコンデンサ本体１の一端には一方の
外部電極２が設けられ他端には他方の外部電極３
が設けられ、それぞれ内部電極と交互に電気的に
接続されている。このセラミツクコンデンサ本体
１はたとえば静電容量Ｃが50μFであり、等価直
列抵抗Ｒが１ないし2mΩの特性を有している。
外部電極２および３の一端には、第５図に示すこ
の考案の特徴となる、半田よりも比較的大きい電
気抵抗を有する金属線４たとえばCuーNi線に、
抵抗値調整用の半田５被覆した抵抗性リード線６
がそれぞれ電気的に接続されている。抵抗性リー
ド線６を接続したことにより、この積層セラミツ
クコンデンサは、たとえば20mΩの見かけ上の等
価直列抵抗をもつ。この実施例においては、外部
電極２および３の両方にそれぞれ抵抗性リード線
６を接続しているが、所望する等価直列抵抗の値
によつては、外部電極２，３のどちらか一方に抵
抗性リード線６に代えて一般的なリード線を接続
してもよい。この抵抗性リード線６と外部電極
２，３との接続には、この実施例においては半田
７が用いられている。このよう形成された本考案
の積層セラミツクコンデンサ８を実際に使用する
場合には、たとえば第４図に示すように、ケース
９が被せられる。そしてケース９の内面と積層セ
ラミツクコンデンサ８との間には、絶縁性樹脂１
０が封入される。外部電極２に接続された抵抗性
リード線６と他方の外部電極３とは、間隔ｄを確
保したうえで絶縁性樹脂１０が封入されている
が、これは抵抗性リード線６と外部電極３との電
気的接触を防止するためのものである。ただし、
抵抗性リード線６と外部電極３との絶縁方法はこ
の方法に限定されるものではなく、また使用形態
によつては、積層セラミツクコンデンサ８にケー
ス９を被せない場合も考えられる。
デンサ本体１には、図示しないが複数の内部電極
がそれぞれ対向して埋設されている。そして、積
層セラミツクコンデンサ本体１の一端には一方の
外部電極２が設けられ他端には他方の外部電極３
が設けられ、それぞれ内部電極と交互に電気的に
接続されている。このセラミツクコンデンサ本体
１はたとえば静電容量Ｃが50μFであり、等価直
列抵抗Ｒが１ないし2mΩの特性を有している。
外部電極２および３の一端には、第５図に示すこ
の考案の特徴となる、半田よりも比較的大きい電
気抵抗を有する金属線４たとえばCuーNi線に、
抵抗値調整用の半田５被覆した抵抗性リード線６
がそれぞれ電気的に接続されている。抵抗性リー
ド線６を接続したことにより、この積層セラミツ
クコンデンサは、たとえば20mΩの見かけ上の等
価直列抵抗をもつ。この実施例においては、外部
電極２および３の両方にそれぞれ抵抗性リード線
６を接続しているが、所望する等価直列抵抗の値
によつては、外部電極２，３のどちらか一方に抵
抗性リード線６に代えて一般的なリード線を接続
してもよい。この抵抗性リード線６と外部電極
２，３との接続には、この実施例においては半田
７が用いられている。このよう形成された本考案
の積層セラミツクコンデンサ８を実際に使用する
場合には、たとえば第４図に示すように、ケース
９が被せられる。そしてケース９の内面と積層セ
ラミツクコンデンサ８との間には、絶縁性樹脂１
０が封入される。外部電極２に接続された抵抗性
リード線６と他方の外部電極３とは、間隔ｄを確
保したうえで絶縁性樹脂１０が封入されている
が、これは抵抗性リード線６と外部電極３との電
気的接触を防止するためのものである。ただし、
抵抗性リード線６と外部電極３との絶縁方法はこ
の方法に限定されるものではなく、また使用形態
によつては、積層セラミツクコンデンサ８にケー
ス９を被せない場合も考えられる。
考案の効果
一般に金属線の抵抗値Ｒは、金属線の材質の抵
抗率ρ、金属線の長さＬ、金属線の断面積Ｓで表
わすと Ｒ＝ρL／Ｓ となる。すなわち金属線の抵抗値Ｒは、金属線
の材質の抵抗率ρ、金属線の長さＬ、金属線の断
面積Ｓのいずれか１つまたは複数を変化させるこ
とにより任意に選ぶことができる。ところが、こ
の考案に用いる抵抗性リード線には、金属線に半
田を被覆したものを使用しているため、金属線の
材質の抵抗率ρ、金属線の長さＬ、金属線の断面
積Ｓに加え、半田の厚みｔも抵抗性リード線の抵
抗値を決める要因となつている。このため、抵抗
性リード線の抵抗値の調整が極めて容易であり、
所望する積層セラミツクコンデンサの見かけ上の
等価直列抵抗の値を簡単に得ることができる。
抗率ρ、金属線の長さＬ、金属線の断面積Ｓで表
わすと Ｒ＝ρL／Ｓ となる。すなわち金属線の抵抗値Ｒは、金属線
の材質の抵抗率ρ、金属線の長さＬ、金属線の断
面積Ｓのいずれか１つまたは複数を変化させるこ
とにより任意に選ぶことができる。ところが、こ
の考案に用いる抵抗性リード線には、金属線に半
田を被覆したものを使用しているため、金属線の
材質の抵抗率ρ、金属線の長さＬ、金属線の断面
積Ｓに加え、半田の厚みｔも抵抗性リード線の抵
抗値を決める要因となつている。このため、抵抗
性リード線の抵抗値の調整が極めて容易であり、
所望する積層セラミツクコンデンサの見かけ上の
等価直列抵抗の値を簡単に得ることができる。
このように本考案の積層セラミツクコンデンサ
は、従来の積層セラミツクコンデンサに比べて大
きな見かけ上の等価直列抵抗をもつため、電解コ
ンデンサと同じようにそのままフイードバツク回
路安定のための位相遅延回路等に使用することが
できる。
は、従来の積層セラミツクコンデンサに比べて大
きな見かけ上の等価直列抵抗をもつため、電解コ
ンデンサと同じようにそのままフイードバツク回
路安定のための位相遅延回路等に使用することが
できる。
また、所望の抵抗値を抵抗性リード線によつて
形成しているためケース内部の特別のスペースを
必要とせず、全体の形状は従来とほとんど同じで
ある。これは、他のコンデンサよりも小型である
という積層セラミツクコンデンサの長所を損なう
ことなく、大きな見かけ上の等価直列抵抗を得て
いることになる。
形成しているためケース内部の特別のスペースを
必要とせず、全体の形状は従来とほとんど同じで
ある。これは、他のコンデンサよりも小型である
という積層セラミツクコンデンサの長所を損なう
ことなく、大きな見かけ上の等価直列抵抗を得て
いることになる。
第１図はコンデンサの等価回路図、第２図は位
相遅延回路の基本構成図、第３図は本考案の積層
セラミツクコンデンサの一実施例の外観斜視図、
第４図はこれを適用した例を示す側断面図、第５
図は本考案に用いる抵抗性リード線の断面図であ
る。 １……積層セラミツクコンデンサ本体、２，３
……外部電極、４……金属線、５……半田、６…
…抵抗性リード線。
相遅延回路の基本構成図、第３図は本考案の積層
セラミツクコンデンサの一実施例の外観斜視図、
第４図はこれを適用した例を示す側断面図、第５
図は本考案に用いる抵抗性リード線の断面図であ
る。 １……積層セラミツクコンデンサ本体、２，３
……外部電極、４……金属線、５……半田、６…
…抵抗性リード線。
Claims (1)
- 複数の内部電極が埋設され、かつその両端部に
外部電極が形成された積層セラミツクコンデンサ
の外部電極の一方あるいは両方に、半田よりも高
抵抗の材質よりなるリード線を取り付け、このリ
ード線の全表面には、リード線の抵抗値を調整す
る半田が被覆されていることを特徴とする積層セ
ラミツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9958083U JPS606219U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9958083U JPS606219U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606219U JPS606219U (ja) | 1985-01-17 |
| JPS6336667Y2 true JPS6336667Y2 (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=30235926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9958083U Granted JPS606219U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606219U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4536125B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2010-09-01 | 三菱電機株式会社 | 電子部品 |
| JP2017126704A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
| US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4837337U (ja) * | 1971-09-07 | 1973-05-07 | ||
| JPS4983574U (ja) * | 1972-11-09 | 1974-07-19 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP9958083U patent/JPS606219U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606219U (ja) | 1985-01-17 |
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