JPS6341245B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6341245B2 JPS6341245B2 JP15798482A JP15798482A JPS6341245B2 JP S6341245 B2 JPS6341245 B2 JP S6341245B2 JP 15798482 A JP15798482 A JP 15798482A JP 15798482 A JP15798482 A JP 15798482A JP S6341245 B2 JPS6341245 B2 JP S6341245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- mic
- field generator
- ferrite substrate
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は低磁界動作で且つ分布定数型のMIC
サーキユレータに関する。
サーキユレータに関する。
(2) 技術の背景
周知のとおりサーキユレータは入力および出力
の方向が多くの端子間で循環的に定まつているよ
うな回路をなし、導波管サーキユレータ、同軸サ
ーキユーレータ、MICサーキユレータ等の形式
でマイクロ波回路内に組み込まれる。これら形式
のうち本発明は特にMIC（Microwave
Integrated Circuit）サーキユレータについて言
及する。このMICサーキユレータはマイクロ波
回路のIC化に対処したものであり、量産性、再
現性、低廉化の面で優れている。
の方向が多くの端子間で循環的に定まつているよ
うな回路をなし、導波管サーキユレータ、同軸サ
ーキユーレータ、MICサーキユレータ等の形式
でマイクロ波回路内に組み込まれる。これら形式
のうち本発明は特にMIC（Microwave
Integrated Circuit）サーキユレータについて言
及する。このMICサーキユレータはマイクロ波
回路のIC化に対処したものであり、量産性、再
現性、低廉化の面で優れている。
このMICサーキユレータは基本的に、フエラ
イト基板と該フエライト基板を磁化するための直
流磁界発生器とからなり、該フエライト基板面に
薄膜又は厚膜の導体からなるパターンが施され
る。このような構成からなるMICサーキユレー
タにおいてその特性の向上を図る場合重要な要素
に１つとして、フエライト基板の直流磁界発生器
による均一磁化という問題がある。つまりフエラ
イト基板のどこをとつても同一の大きさの磁場を
形成することが要求される。
イト基板と該フエライト基板を磁化するための直
流磁界発生器とからなり、該フエライト基板面に
薄膜又は厚膜の導体からなるパターンが施され
る。このような構成からなるMICサーキユレー
タにおいてその特性の向上を図る場合重要な要素
に１つとして、フエライト基板の直流磁界発生器
による均一磁化という問題がある。つまりフエラ
イト基板のどこをとつても同一の大きさの磁場を
形成することが要求される。
(3) 従来技術と問題点
第１Ａ図は一般的なMICサーキユレータを示
す平面図である。本図において、１１はフエライ
ト基板であり、その表面には導体によるパターン
１２が施される。ただし、３つの入出力端子を備
える場合について例示する。
す平面図である。本図において、１１はフエライ
ト基板であり、その表面には導体によるパターン
１２が施される。ただし、３つの入出力端子を備
える場合について例示する。
第１Ｂ図は第１Ａ図の矢視１Ｂによる側面図で
ある。本図中、１３が直流磁界発生器であり、フ
エライト基板１１内に直流磁場を形成する。つま
りフエライト基板を磁化する。この磁化は最適の
磁束密度をもつて均一になされるのが望ましい。
ところが実際には直流磁界発生器１３（具体的且
つ実用的にはマグネツトであり、マグネツト１３
とも称す）本来の特性に起因し、そのような均一
磁化が困難である。第２図はマグネツトの一般的
な磁界分布を示すグラフである。本グラフ中、横
軸はマグネツトに対応する位置Ｌを示し、縦軸は
各位置での磁束密度Ｂを示す。本グラフ中の実線
のカーブがマグネツトの一般的な特性であり、全
体に曲面状をなし、フラツトな特性ではない。理
想的なフラツトな特性は本グラフ中の一点鎖線で
示されており、本発明はこのようなフラツトな特
性を有する直流磁界発生器１３を提案することを
狙いとする。直流磁界発生器１３がフラツトな特
性を有する直流磁界であれば当然フエライト基板
１１は均一に磁化される。
ある。本図中、１３が直流磁界発生器であり、フ
エライト基板１１内に直流磁場を形成する。つま
りフエライト基板を磁化する。この磁化は最適の
磁束密度をもつて均一になされるのが望ましい。
ところが実際には直流磁界発生器１３（具体的且
つ実用的にはマグネツトであり、マグネツト１３
とも称す）本来の特性に起因し、そのような均一
磁化が困難である。第２図はマグネツトの一般的
な磁界分布を示すグラフである。本グラフ中、横
軸はマグネツトに対応する位置Ｌを示し、縦軸は
各位置での磁束密度Ｂを示す。本グラフ中の実線
のカーブがマグネツトの一般的な特性であり、全
体に曲面状をなし、フラツトな特性ではない。理
想的なフラツトな特性は本グラフ中の一点鎖線で
示されており、本発明はこのようなフラツトな特
性を有する直流磁界発生器１３を提案することを
狙いとする。直流磁界発生器１３がフラツトな特
性を有する直流磁界であれば当然フエライト基板
１１は均一に磁化される。
従来、叙上の如きフラツトな特性の直流磁界の
発生を狙つて磁性板を介在させるという手法が実
用的であつた。第３Ａ図は従来のMICサーキユ
レータの第１例を示す側面図、第３ｂ図は従来の
MICサーキユレータの第２例を示す側面図であ
る。第３Ａ図において、３１が既述の磁性板であ
り、具体的には鉄板である。第３Ｂ図は、第２の
磁生板３２がフエライト基板１１の上面側にも配
置された例を示す。このように磁性板３１，３２
を介在させることにより幾分かは直流磁界の形成
が分散的になり、第２図の実線カーブ程、顕著な
曲面状を呈することがなくなる。然し、実測によ
れば、同図中の一点鎖線の特性程は均一化されて
いない。かくして、MICサーキユレータにおけ
るフエライト基板１１内の均一磁化は完全でな
く、例えばマイクロ波回路の広帯域化ならびに低
損失化が十分でないという問題があつた。
発生を狙つて磁性板を介在させるという手法が実
用的であつた。第３Ａ図は従来のMICサーキユ
レータの第１例を示す側面図、第３ｂ図は従来の
MICサーキユレータの第２例を示す側面図であ
る。第３Ａ図において、３１が既述の磁性板であ
り、具体的には鉄板である。第３Ｂ図は、第２の
磁生板３２がフエライト基板１１の上面側にも配
置された例を示す。このように磁性板３１，３２
を介在させることにより幾分かは直流磁界の形成
が分散的になり、第２図の実線カーブ程、顕著な
曲面状を呈することがなくなる。然し、実測によ
れば、同図中の一点鎖線の特性程は均一化されて
いない。かくして、MICサーキユレータにおけ
るフエライト基板１１内の均一磁化は完全でな
く、例えばマイクロ波回路の広帯域化ならびに低
損失化が十分でないという問題があつた。
(4) 発明の目的
上記の問題に鑑み本発明は、フエライト基板内
の均一磁化を可能にした低磁界動作で且つ分布定
数型のMICサーキユレータを提案することを目
的とするものである。
の均一磁化を可能にした低磁界動作で且つ分布定
数型のMICサーキユレータを提案することを目
的とするものである。
(5) 発明の構成
上記目的を達成するために本発明は、直流磁界
発生器における一対の直流磁界発生磁極部のうち
少なくとも一方が略円錐形状をなすようにしたこ
とを特徴とするものである。
発生器における一対の直流磁界発生磁極部のうち
少なくとも一方が略円錐形状をなすようにしたこ
とを特徴とするものである。
(6) 発明の実施例
第４図は本発明に基づくMICサーキユレータ
に用いられる直流磁界発生器の第１実施例を示す
側面図である。本図において直流磁界発生器４１
の図中上下面が一対の直流磁界発生磁極部となる
が、このうちの少なくとも一方（図では上面側）
が略円錐形状をなす。このようにすれば発生磁界
の大きさは、発生器４１のどの部分をとつても大
体同じになる。このことを図解的に示したのが図
中の点線の矢印である。本発明の原理は次のよう
に考えられる。一般に一対の磁極部間には磁気双
極子（ダイポール）が形成されるが、その厚みが
厚い程磁界の大きさが増加する。第４図に示すと
おり中央部の厚みを増すことは、従つて、磁界の
大きさを増すことにつながる。そこで、このよう
に増大した磁界をもつて、第２図に示す如く、磁
界の弱い中央部を補強することができる。
に用いられる直流磁界発生器の第１実施例を示す
側面図である。本図において直流磁界発生器４１
の図中上下面が一対の直流磁界発生磁極部となる
が、このうちの少なくとも一方（図では上面側）
が略円錐形状をなす。このようにすれば発生磁界
の大きさは、発生器４１のどの部分をとつても大
体同じになる。このことを図解的に示したのが図
中の点線の矢印である。本発明の原理は次のよう
に考えられる。一般に一対の磁極部間には磁気双
極子（ダイポール）が形成されるが、その厚みが
厚い程磁界の大きさが増加する。第４図に示すと
おり中央部の厚みを増すことは、従つて、磁界の
大きさを増すことにつながる。そこで、このよう
に増大した磁界をもつて、第２図に示す如く、磁
界の弱い中央部を補強することができる。
第５図は略円錐形状の磁極部をマグネツトの上
面および下面に形成した第２実施例を示す側面図
である。叙上の原理に基づけば、一対の直流磁界
発生磁極部の両方に設けても同様の効果を生ずる
ことは明らかである。
面および下面に形成した第２実施例を示す側面図
である。叙上の原理に基づけば、一対の直流磁界
発生磁極部の両方に設けても同様の効果を生ずる
ことは明らかである。
次に第４図に示した直流磁界発生器４１を例に
とつて（第５図の場合も同様）、その構成例を示
す。第６図は第４図の直流磁界発生器の一構成例
を示す断面図である。本図に示すとおり、この構
成例によれば、略円錐形状の部分も含めて、全体
がマグネツト６１から構成される。通常、マグネ
ツトは焼結体であり、一度押型を作れば、かよう
な形状のマグネツトを量産することは容易であ
る。
とつて（第５図の場合も同様）、その構成例を示
す。第６図は第４図の直流磁界発生器の一構成例
を示す断面図である。本図に示すとおり、この構
成例によれば、略円錐形状の部分も含めて、全体
がマグネツト６１から構成される。通常、マグネ
ツトは焼結体であり、一度押型を作れば、かよう
な形状のマグネツトを量産することは容易であ
る。
第７図は第４図の直流磁界発生器の他の構成例
を示す断面図であり、一般的な平板状のマグネツ
ト７１に対し、磁性体からなるポールピース７２
を固着し、その１つの磁極部（他方はマグネツト
７１の直流磁界発生磁極部に固着されている）を
略円錐形状としている。
を示す断面図であり、一般的な平板状のマグネツ
ト７１に対し、磁性体からなるポールピース７２
を固着し、その１つの磁極部（他方はマグネツト
７１の直流磁界発生磁極部に固着されている）を
略円錐形状としている。
第８Ａ，８Ｂ，８Ｃおよび８Ｄ図は本発明によ
る直流磁界発生器のMICサーキユレータ中にお
ける位置付けを略解的に表わした側面図である。
ただし、第４図のものを用いた例を示す。これら
の図に示すとおり、直流磁界発生器４１はフエラ
イト基板１１の上面に置かれても、下面に置かれ
ても良い。又、直流磁界発生器４１は適当な接着
剤（図示せず）によりフエライト基板１１に固着
される。
る直流磁界発生器のMICサーキユレータ中にお
ける位置付けを略解的に表わした側面図である。
ただし、第４図のものを用いた例を示す。これら
の図に示すとおり、直流磁界発生器４１はフエラ
イト基板１１の上面に置かれても、下面に置かれ
ても良い。又、直流磁界発生器４１は適当な接着
剤（図示せず）によりフエライト基板１１に固着
される。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明したとおり、本発明によれば、
フエライト基板の均一磁化が可能となり、広帯域
化、低損失化の面で特性の改善されたMICサー
キユレータが実現される。
フエライト基板の均一磁化が可能となり、広帯域
化、低損失化の面で特性の改善されたMICサー
キユレータが実現される。
第１Ａ図は一般的なMICサーキユレータを示
す平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図の矢視１Ｂによる
側面図、第２図はマグネツトの一般的な磁界分布
を示すグラフ、第３Ａ図は従来のMICサーキユ
レータの第１例を示す側面図、第３Ｂ図は従来の
MICサーキユレータの第２例を示す側面図、第
４図は本発明に基づくMICサーキユレータに用
いられる直流磁界発生器の第１実施例を示す側面
図、第５図は略円錐形状の磁極部をマグネツトの
上面および下面に形成した第２実施例を示す側面
図、第６図は第４図の直流磁界発生器の一構成例
を示す断面図、第７図は第４図の直流磁界発生器
の他の構成例を示す断面図、第８Ａ，８Ｂ，８Ｃ
および８Ｄ図は本発明による直流磁界発生器の
MICサーキユレータ中における位置付けを略解
的に表わした側面図である。 １１……フエライト基板、１２……導体パター
ン、４１，４２……本発明による直流磁界発生
器。
す平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図の矢視１Ｂによる
側面図、第２図はマグネツトの一般的な磁界分布
を示すグラフ、第３Ａ図は従来のMICサーキユ
レータの第１例を示す側面図、第３Ｂ図は従来の
MICサーキユレータの第２例を示す側面図、第
４図は本発明に基づくMICサーキユレータに用
いられる直流磁界発生器の第１実施例を示す側面
図、第５図は略円錐形状の磁極部をマグネツトの
上面および下面に形成した第２実施例を示す側面
図、第６図は第４図の直流磁界発生器の一構成例
を示す断面図、第７図は第４図の直流磁界発生器
の他の構成例を示す断面図、第８Ａ，８Ｂ，８Ｃ
および８Ｄ図は本発明による直流磁界発生器の
MICサーキユレータ中における位置付けを略解
的に表わした側面図である。 １１……フエライト基板、１２……導体パター
ン、４１，４２……本発明による直流磁界発生
器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に所定の導体パターンが施されるフエラ
イト基板と、該フエライト基板内を磁化するため
の直流磁界発生器とを含んでなる、低磁界動作で
且つ分布定数型のMICサーキユレータにおいて、 前記直流磁界発生器が有する一対の直流磁界発
生磁極部のうち少なくとも一方を略円錐形状とな
し、前記フエライト基板内の磁化を均一にするこ
とを特徴とするMICサーキユレータ。 ２ 直流磁界発生器がマグネツトからなり該マグ
ネツトの直流磁界発生磁極部が略円錐形状をなす
特許請求の範囲第１項記載のMICサーキユレー
タ。 ３ 直流磁界発生器がマグネツトおよび該マグネ
ツトの直流磁界発生磁極部に固着されたポールピ
ースからなり、該ポールピースの１つの磁極部が
略円錐形状をなす特許請求の範囲第１項記載の
MICサーキユレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15798482A JPS5947805A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｍｉｃサ−キユレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15798482A JPS5947805A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｍｉｃサ−キユレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947805A JPS5947805A (ja) | 1984-03-17 |
| JPS6341245B2 true JPS6341245B2 (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=15661696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15798482A Granted JPS5947805A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｍｉｃサ−キユレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947805A (ja) |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP15798482A patent/JPS5947805A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5947805A (ja) | 1984-03-17 |
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