JPS6343298A - プラズマ中のサ−ジ電圧測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、サージ電圧測定方法に関し、特にプラズマ中
に発生するサージ電圧測定方法に関する。

〔従来の技術〕

プラズマ中で発生するサージ電圧の測定は、真空室の壁
に、ターミナルを設け、そのターミナルからリード線を
、真空室内に仲ばず。そのリード線間に生じるサージ電
圧を、オシロスコープ等で測定する。

第３図は、従来の方法によるサージ電圧測定方法を示す
。真空室６の壁にターミナル７を設け、測定したい場所
まで内部リード線８を引き込む。

ターミナル７にオシロスコープ９を接続し、サージ電圧
を測定する。しかし、サージ電圧が、内部リード線８の
先端からターミナル７までの間のどの位置で生じたのか
、不明である。従ってサージ電圧の分布を測定すること
ができない。

し発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来の方法では、サージが、リード線の先端か
らターミナルの間のどの位置で生じたのか不明確である
。従って、真空室内のサージ電圧の分布データは取れな
い。その結果、被エツチングサンプルの設置可能な領域
が判らないという欠点がある。また、真空室に、ターミ
ナルを、特別に設けなければならない。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のサージ電圧測定方法は、サージ耐量値が分かつ
ている半導体素子を組み込んだ半導体装置を所望のプラ
ズマ中にさらし、破壊の有無をチェックすることを特徴
とする。

［、実施例］ 次に、本発明について図面を参照して説明する。

第２図は本発明の実施例で使用する半導体装置の断面図
である。別に用意したサージ電圧発生器によりサージ耐
量値が分かつている半導体素子１は、カンケース２にマ
ウントされ、ボンディングワイヤ３で外部リート４に接
続され、外部リード４により半導体素子１の破壊チェッ
クができるようになっている。

第１図は本発明によるサージ電圧測定方法の実施例を示
す。第１図に示した半導体装置５を、真空室６内の、サ
ージ電圧を測定しようとする任意の場所に置く。次に真
空室６内にプラズマを発生させる。このとき、外部リー
ド４間にサージ電圧が加わり、その値が半導体素子１の
耐量より大きいとき、半導体素子１は、破壊される。サ
ージ耐量の分かっている半導体素子１と放水準用いるこ
とにより、プラズマ中に生じるサージ電圧の測定精度を
上げることができる。このサージ電圧の測定は、任意の
場所で行なえる為、真空室内のサージ電圧の分布も知る
ことができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、サージ耐量値が分かつて
いる半導体素子を組み込んだ半導体装置を用いることに
より、真空室内のサージ電圧の分布を測定できる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の模式図、第２図は第１図の
半導体装置を示す断面図、第３図は従来例の模式図であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. サージ耐量値が分かっている半導体素子を組み込んだ半
   導体装置を所望のプラズマ中にさらし、破壊の有無をチ
   ェックすることを特徴とするプラズマ中のサージ電圧測
   定方法。