JPS6344314A - 層間組成変移帯域を有する磁気記録媒体 - Google Patents
層間組成変移帯域を有する磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6344314A JPS6344314A JP18737386A JP18737386A JPS6344314A JP S6344314 A JPS6344314 A JP S6344314A JP 18737386 A JP18737386 A JP 18737386A JP 18737386 A JP18737386 A JP 18737386A JP S6344314 A JPS6344314 A JP S6344314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 17
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 title abstract 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 17
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 Fe-^u Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100520159 Arabidopsis thaliana PIS2 gene Proteins 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002549 Fe–Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000002615 epidermis Anatomy 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は磁気記録に関する各種媒体、例えば磁気テープ
、磁気ディスク、70ツピーデイスク等の磁気記録媒体
に関する。
、磁気ディスク、70ツピーデイスク等の磁気記録媒体
に関する。
磁気記録に於いて、その記録の高密度化が要求されるに
伴い、磁性層はバイング中に磁性粉をjう濁させた磁性
塗料を塗布して磁性粉が離散状態にある離散型磁性層か
ら、磁性体を稠密に充填でさる真空蒸着法、スパッタリ
ング法で磁性体を基板等の基面−hに連続的に或は断続
して成艮111積させる堆積型磁性層に移り、更に従来
の水射記録方式から飛躍的に高密化が図れる垂直記録方
式が着目され、実用化の段階に至った。 磁気記録の萌記一般的傾向は磁気ディスク分野に於いて
も反映されている。即ち3.5〜5インチディスク等の
小型高密度装置が開発されて小径のディスクが用いられ
るに及び、該小径ディスクと磁気ヘッド間の相対速度の
低下による再生出方、S/N比の劣化を出力の大きい高
密度化磁性層に換えることにより補償することが計られ
ている。 前記磁性層は高密度化を狙う限り堆積型であることが必
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、磁性体の柱状もしくは凡状結品のml集した形
状を有し、該柱、塊状のjlt li′L結晶の大ささ
、単位結晶間のフレパス状間隙の大小、形状は気相堆積
条件によって様々に変化する。 従ってこのような形状を有する磁性層は、保:/1層を
設けることが必要となる。 この堆積型磁性膜は、従来の塗布膜のように合成樹脂な
どのバインダを含む離散型磁性膜に比して磁性特性がよ
く、製造工程も簡単になる。また記録審度も向上し高蜜
度媒体として優れた特性を(fするものが得られており
、特にコバルト・ニッケル系合金膜は材質的にも硬く、
磁気記録媒体として非常に良好なものとして評価されて
いる。 前記したような磁気記録媒体の機能拡張、性能アップの
技術努力は素材、添加剤の広汎に亘る検討と同時に媒体
層構成にも及び、前記保護層に例をみるように、従来の
単純な磁性層単層では到底対処できず、保、JWi、防
錆層、潤滑層更に磁化補助層等複雑化した層構成を有す
る媒体の例が知られている。 層構成がi層化されるに従い層間波及効果、層境界効果
にも着目され、例えばクロム層を下地として有するコバ
ルト・ニッケル磁性層の磁気特性発現についてはクロム
層の結晶配向或はその厚さにその促進因子を蔵すると唱
えられ、逆に抑制因子としては腹りaム層表皮の酸化に
求められる等理論的考察がなされると同時に実質的に現
象論的探索が什なわれ、非磁性基板」ユに2層以上の気
相堆積層を有する磁気記録媒体、特に該基板上に非磁性
下地層を11する磁性層を設ける層I3成を探った媒体
の抗磁力や角型比(残留磁化/飽和磁化)の向上につい
て種々の努力が沸われ、その結果方法論としては、スパ
ッタ法、真空蒸着法等の気相堆積法によって0.2〜0
.5μlのクロム層を形成し、部層に密着して0.1μ
l程度のコバルト系磁性層を堆積されると好ましい結果
を与えることが知られているが、そのlll!!論構成
は未だ不光分であり、また最適化条件に対する試行錯誤
の積重ねも不足している。
伴い、磁性層はバイング中に磁性粉をjう濁させた磁性
塗料を塗布して磁性粉が離散状態にある離散型磁性層か
ら、磁性体を稠密に充填でさる真空蒸着法、スパッタリ
ング法で磁性体を基板等の基面−hに連続的に或は断続
して成艮111積させる堆積型磁性層に移り、更に従来
の水射記録方式から飛躍的に高密化が図れる垂直記録方
式が着目され、実用化の段階に至った。 磁気記録の萌記一般的傾向は磁気ディスク分野に於いて
も反映されている。即ち3.5〜5インチディスク等の
小型高密度装置が開発されて小径のディスクが用いられ
るに及び、該小径ディスクと磁気ヘッド間の相対速度の
低下による再生出方、S/N比の劣化を出力の大きい高
密度化磁性層に換えることにより補償することが計られ
ている。 前記磁性層は高密度化を狙う限り堆積型であることが必
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、磁性体の柱状もしくは凡状結品のml集した形
状を有し、該柱、塊状のjlt li′L結晶の大ささ
、単位結晶間のフレパス状間隙の大小、形状は気相堆積
条件によって様々に変化する。 従ってこのような形状を有する磁性層は、保:/1層を
設けることが必要となる。 この堆積型磁性膜は、従来の塗布膜のように合成樹脂な
どのバインダを含む離散型磁性膜に比して磁性特性がよ
く、製造工程も簡単になる。また記録審度も向上し高蜜
度媒体として優れた特性を(fするものが得られており
、特にコバルト・ニッケル系合金膜は材質的にも硬く、
磁気記録媒体として非常に良好なものとして評価されて
いる。 前記したような磁気記録媒体の機能拡張、性能アップの
技術努力は素材、添加剤の広汎に亘る検討と同時に媒体
層構成にも及び、前記保護層に例をみるように、従来の
単純な磁性層単層では到底対処できず、保、JWi、防
錆層、潤滑層更に磁化補助層等複雑化した層構成を有す
る媒体の例が知られている。 層構成がi層化されるに従い層間波及効果、層境界効果
にも着目され、例えばクロム層を下地として有するコバ
ルト・ニッケル磁性層の磁気特性発現についてはクロム
層の結晶配向或はその厚さにその促進因子を蔵すると唱
えられ、逆に抑制因子としては腹りaム層表皮の酸化に
求められる等理論的考察がなされると同時に実質的に現
象論的探索が什なわれ、非磁性基板」ユに2層以上の気
相堆積層を有する磁気記録媒体、特に該基板上に非磁性
下地層を11する磁性層を設ける層I3成を探った媒体
の抗磁力や角型比(残留磁化/飽和磁化)の向上につい
て種々の努力が沸われ、その結果方法論としては、スパ
ッタ法、真空蒸着法等の気相堆積法によって0.2〜0
.5μlのクロム層を形成し、部層に密着して0.1μ
l程度のコバルト系磁性層を堆積されると好ましい結果
を与えることが知られているが、そのlll!!論構成
は未だ不光分であり、また最適化条件に対する試行錯誤
の積重ねも不足している。
本発明の目的は、磁気特性に於いて再現性のよい最適化
抗磁力、高角型比を有し、面内磁気異カ性のない磁気記
録媒体を提供することである。 尚、前記最適化抗磁力として400〜10000 e、
高角型比として0.75〜0.98を指向する。
抗磁力、高角型比を有し、面内磁気異カ性のない磁気記
録媒体を提供することである。 尚、前記最適化抗磁力として400〜10000 e、
高角型比として0.75〜0.98を指向する。
【発明の構成1
前記した本発明の目的は、非磁性基板上に磁性層を含み
互いに組成を異にする2層以上のl+M成層を有する磁
気記録媒体に於いて、前記構成層間の厚み方向に100
〜100OAの訊構成層組成相互の変移帯域を設けたこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。 尚本発明の態様は、各構成層用の塗料を調合し;’i
a yetの塗布によって屑を構成してもよいが、気相
tjk積によるWil+11戊の方が、効果として優れ
ており生産性が高く好ましい。 本発明に謂う構成層組成相互の変移帯域とは、第1図に
示す如く組成Aから成るA層と組成りからなるBWIの
積層された2層間の境界に介在し、It成ΔとBの含有
比率が相互に逓減、逓増して入換わる頭載であり、更に
定量的には面方向に薄層に削り取って組成を求める表面
分析(オージェ電子分光分析)法によってえられる組成
含有比率が、へ組成90w L%、B Jrl成10w
t%からA IL j&10II!t%、BAll成9
0wt%へ互いに遷移する範囲であって、第1図のA−
BK!Iである。 この場合の組成含有比率は着目する特性に関与する必須
成分量についての比率であって、比率計算からはコンタ
ミネーション成分量は除かれる。 前記変移(i?域を含むfO,界層の(Iが造には、塗
料を塗布する積層法にあっては、A、B[成比率を類大
変えた塗料の芝屑塗布によって形成するが、或は気相1
1積法にあっては、堆積素材A、Bの2元気化堆積に於
いて夫々の気化散と堆積速度を制御して形成して、面方
向に沿う微分薄層毎に夫)7均一組成を有し微分薄層の
集積としての厚み方向に所定の含有比率勾配を有する構
造をIJ、えることができる。 更にまた境界層補遺としては、気相堆積法を用いる時に
は一般に堆積層はフレパスを差挟んだ社塊状に生長した
単位結晶の螺装状態をなすことがら、気相堆積条件を選
んで註Qj位結晶及びフレバスの大きさ、形状を選択し
、積層した結果A層、8層の境界は組tlj、 A及び
Bが栴の歯状に交錯した構造とし、前記微分薄層面に組
成A、Bの不連続斑紋を有するが微分薄層毎の平均組成
含有比率が厚み方向に関し逓減もしくは逓増する構造に
してもよい。 いづれのM構造をとるにしても前記に定義した変移帯域
の厚みカ弓00〜100OAであれば本発明は);4足
される。 第2図にスパンタ法によってクロム層上にコバルト・ニ
アケル層を積層した時の組成含有比率の厚さ方向の遷移
曲線を示した。 尚本発明に於いては全構成層間に前記変移・ヤ域を設け
てよいし、着目する特性に特に効果を示す構成層間に限
ってもよい。 また、本発明に係る磁性体としてはFc、 Co、旧そ
の他の磁性金属あるいは、Fc−ロa、Fc−Co、F
c−^1.Fc−t4i、Co−Ni、Fe−5i、、
Fe−RI+、Fe−V、Fe−Cu、Fe−^u、C
o−Cr。 Co −P、 Co −V、 Co−5iSCo−Yl
Co−La、 Co−Cr、 Co−1’r、 Co−
5+1、Co−Mn、Co−r’t、、旧−Cu、 C
o −N i −Fe、 Fc−^l−旧、Co−旧−
^ε、Co−Hl−Cr、Co−Ni−2n、Co−5
i−へ1.Fe−5ニー^1.Hn −B 15Mn−
3ll、MLI−^e等の合金系磁性金属及びそれらの
酸化物(例えばγ−Fcz01、FezO5,8a7
xライト)等が挙げられる。ここで好ましくは、Coあ
るいはCo −N i合金(Ni含有率30wt%以下
)、あるいはCo−Cr合金(Cr含有率2GwL9j
)以下)である。磁性層厚は0.03〜0.6μsであ
ってもよい。 本発明1こ於いては、接′XI層、磁化補助)Vr、保
護層及ゾ/または潤滑層を設けるこがでさる。 接打屑としてはC,Ct・、Ta、Ti等を含有する二
帰こ化モリブデン或は炭化モリブデン等が用いられ、磁
化補助層には主としてクロムが用いられる。 本発明)こ適用しうる保護層の素材としでは、クロム、
モリブデン、マンガン、バナジウム、ナタン、アルミニ
ウム、ロノウム、白金、珪素、カーボンのIlj体或は
酸化物、窒化物、硫化物等或は高分子物質等が各素材の
特性に適した条件で適用される。更に素材としてはへ械
的な保護効果、過擦防止効果が大きく更に化学的に耐蝕
性の大きなものが好ましい。 更に保護層の作泪効果を上げるため特性を異にする複数
層としてもよい。 また保護層は出力のスペーシングロスを卯えるために薄
い方がよいが、薄すぎると保護効果を失うので、0.0
1〜0.15μlが好ましい。 潤滑層にはカーボン等の滑面性を与える素材が選ばれる
。 本発明に於いては保護層、磁性層等の構成層の形成には
気相11!:積法を適用することが好ましいが、該気相
堆積法としては真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーテング法、化学蒸着法或は対向ターデッドスパッ
タ法等が用いられる。 また基板としては、AI、陽極酸化?fL膜(例えばア
ルマイト処理)を設けたAN、N1−Pメツキ処理をほ
どこしたAP、ポリイミド、ポリアラミド、ポリカーボ
ネート、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチレン
、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン
、ポリサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラチル
オロエチレン、ポリプロピレン等のプラスチックがある
。基板は盤状、フィルム状4!?種々であってもよい。 【実施例】 次に実施例を上げて本発明を説明する。 実施例1 非磁性基板として厚さ1.905μlのアルミ合金基板
、及び1& 1eCA 44のクロム、フッ〈ルト・ニ
ンケル及び炭素のターデッドを真空槽内に設置し、順次
スパッタリングを施し磁2ディスク試料を作成し、抗磁
力、角型比を測定した。 尚クロム及びコバルト・ニッケルのスノ<7タリンクを
重畳し変移帯域の形成を確実にした。 スパッタリング条件: 到達真空度 5 X 10−’Torrア
ルゴン〃ス圧 I X 1O−2Torril
l積j東度 160八
/分磁化補助槽(クロム層) 0.35μl変移帯
域 120^ Ja性層(コバルトニッケル層) 0.08μl 保:a層(炭素層) 0.02μl実施例2 実施例1と同様の層構成を与え、変移帯域を975^と
じた。 比較例1 同様な層構成で変移帯域は75八であった。 比較例2 同様な層構成で変移帯域は1150^であった。 各媒体について磁気特性を評価し以下のようになった5 なお各媒体とも面内磁気異方性はない。用いられる媒体
としてはハードディスク、70ノビ−デイ1クテーブ等
がある。 また、得られる効果は磁気特性に限らず、耐用性につい
ても効果的である。最上層に炭素層を設けたハードディ
スク媒体の場合、炭素層とその直下の層、例えば磁性層
との変移帯域が上記の実施例1.2及ゾ比較例1.2の
場合と同じものを乍製しC3S酎久性の実験を行った。 その結果実施例1.2ではcssio万回においでら出
力低下は10%以下であり、一方比較例については52
,000回及び:13,000回において出力が10%
低下した。 【発明の効果1 構成層間に変移帯域を設けることによって磁気特性及び
耐用性を向」二し、特性の再現性のみならず品質保証に
もイf利となった。
互いに組成を異にする2層以上のl+M成層を有する磁
気記録媒体に於いて、前記構成層間の厚み方向に100
〜100OAの訊構成層組成相互の変移帯域を設けたこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。 尚本発明の態様は、各構成層用の塗料を調合し;’i
a yetの塗布によって屑を構成してもよいが、気相
tjk積によるWil+11戊の方が、効果として優れ
ており生産性が高く好ましい。 本発明に謂う構成層組成相互の変移帯域とは、第1図に
示す如く組成Aから成るA層と組成りからなるBWIの
積層された2層間の境界に介在し、It成ΔとBの含有
比率が相互に逓減、逓増して入換わる頭載であり、更に
定量的には面方向に薄層に削り取って組成を求める表面
分析(オージェ電子分光分析)法によってえられる組成
含有比率が、へ組成90w L%、B Jrl成10w
t%からA IL j&10II!t%、BAll成9
0wt%へ互いに遷移する範囲であって、第1図のA−
BK!Iである。 この場合の組成含有比率は着目する特性に関与する必須
成分量についての比率であって、比率計算からはコンタ
ミネーション成分量は除かれる。 前記変移(i?域を含むfO,界層の(Iが造には、塗
料を塗布する積層法にあっては、A、B[成比率を類大
変えた塗料の芝屑塗布によって形成するが、或は気相1
1積法にあっては、堆積素材A、Bの2元気化堆積に於
いて夫々の気化散と堆積速度を制御して形成して、面方
向に沿う微分薄層毎に夫)7均一組成を有し微分薄層の
集積としての厚み方向に所定の含有比率勾配を有する構
造をIJ、えることができる。 更にまた境界層補遺としては、気相堆積法を用いる時に
は一般に堆積層はフレパスを差挟んだ社塊状に生長した
単位結晶の螺装状態をなすことがら、気相堆積条件を選
んで註Qj位結晶及びフレバスの大きさ、形状を選択し
、積層した結果A層、8層の境界は組tlj、 A及び
Bが栴の歯状に交錯した構造とし、前記微分薄層面に組
成A、Bの不連続斑紋を有するが微分薄層毎の平均組成
含有比率が厚み方向に関し逓減もしくは逓増する構造に
してもよい。 いづれのM構造をとるにしても前記に定義した変移帯域
の厚みカ弓00〜100OAであれば本発明は);4足
される。 第2図にスパンタ法によってクロム層上にコバルト・ニ
アケル層を積層した時の組成含有比率の厚さ方向の遷移
曲線を示した。 尚本発明に於いては全構成層間に前記変移・ヤ域を設け
てよいし、着目する特性に特に効果を示す構成層間に限
ってもよい。 また、本発明に係る磁性体としてはFc、 Co、旧そ
の他の磁性金属あるいは、Fc−ロa、Fc−Co、F
c−^1.Fc−t4i、Co−Ni、Fe−5i、、
Fe−RI+、Fe−V、Fe−Cu、Fe−^u、C
o−Cr。 Co −P、 Co −V、 Co−5iSCo−Yl
Co−La、 Co−Cr、 Co−1’r、 Co−
5+1、Co−Mn、Co−r’t、、旧−Cu、 C
o −N i −Fe、 Fc−^l−旧、Co−旧−
^ε、Co−Hl−Cr、Co−Ni−2n、Co−5
i−へ1.Fe−5ニー^1.Hn −B 15Mn−
3ll、MLI−^e等の合金系磁性金属及びそれらの
酸化物(例えばγ−Fcz01、FezO5,8a7
xライト)等が挙げられる。ここで好ましくは、Coあ
るいはCo −N i合金(Ni含有率30wt%以下
)、あるいはCo−Cr合金(Cr含有率2GwL9j
)以下)である。磁性層厚は0.03〜0.6μsであ
ってもよい。 本発明1こ於いては、接′XI層、磁化補助)Vr、保
護層及ゾ/または潤滑層を設けるこがでさる。 接打屑としてはC,Ct・、Ta、Ti等を含有する二
帰こ化モリブデン或は炭化モリブデン等が用いられ、磁
化補助層には主としてクロムが用いられる。 本発明)こ適用しうる保護層の素材としでは、クロム、
モリブデン、マンガン、バナジウム、ナタン、アルミニ
ウム、ロノウム、白金、珪素、カーボンのIlj体或は
酸化物、窒化物、硫化物等或は高分子物質等が各素材の
特性に適した条件で適用される。更に素材としてはへ械
的な保護効果、過擦防止効果が大きく更に化学的に耐蝕
性の大きなものが好ましい。 更に保護層の作泪効果を上げるため特性を異にする複数
層としてもよい。 また保護層は出力のスペーシングロスを卯えるために薄
い方がよいが、薄すぎると保護効果を失うので、0.0
1〜0.15μlが好ましい。 潤滑層にはカーボン等の滑面性を与える素材が選ばれる
。 本発明に於いては保護層、磁性層等の構成層の形成には
気相11!:積法を適用することが好ましいが、該気相
堆積法としては真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーテング法、化学蒸着法或は対向ターデッドスパッ
タ法等が用いられる。 また基板としては、AI、陽極酸化?fL膜(例えばア
ルマイト処理)を設けたAN、N1−Pメツキ処理をほ
どこしたAP、ポリイミド、ポリアラミド、ポリカーボ
ネート、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチレン
、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン
、ポリサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラチル
オロエチレン、ポリプロピレン等のプラスチックがある
。基板は盤状、フィルム状4!?種々であってもよい。 【実施例】 次に実施例を上げて本発明を説明する。 実施例1 非磁性基板として厚さ1.905μlのアルミ合金基板
、及び1& 1eCA 44のクロム、フッ〈ルト・ニ
ンケル及び炭素のターデッドを真空槽内に設置し、順次
スパッタリングを施し磁2ディスク試料を作成し、抗磁
力、角型比を測定した。 尚クロム及びコバルト・ニッケルのスノ<7タリンクを
重畳し変移帯域の形成を確実にした。 スパッタリング条件: 到達真空度 5 X 10−’Torrア
ルゴン〃ス圧 I X 1O−2Torril
l積j東度 160八
/分磁化補助槽(クロム層) 0.35μl変移帯
域 120^ Ja性層(コバルトニッケル層) 0.08μl 保:a層(炭素層) 0.02μl実施例2 実施例1と同様の層構成を与え、変移帯域を975^と
じた。 比較例1 同様な層構成で変移帯域は75八であった。 比較例2 同様な層構成で変移帯域は1150^であった。 各媒体について磁気特性を評価し以下のようになった5 なお各媒体とも面内磁気異方性はない。用いられる媒体
としてはハードディスク、70ノビ−デイ1クテーブ等
がある。 また、得られる効果は磁気特性に限らず、耐用性につい
ても効果的である。最上層に炭素層を設けたハードディ
スク媒体の場合、炭素層とその直下の層、例えば磁性層
との変移帯域が上記の実施例1.2及ゾ比較例1.2の
場合と同じものを乍製しC3S酎久性の実験を行った。 その結果実施例1.2ではcssio万回においでら出
力低下は10%以下であり、一方比較例については52
,000回及び:13,000回において出力が10%
低下した。 【発明の効果1 構成層間に変移帯域を設けることによって磁気特性及び
耐用性を向」二し、特性の再現性のみならず品質保証に
もイf利となった。
第1図は本発明に係る変移帯域を有する層構成の説明断
面図である。PIS2図は表面分析によりえちれた厚さ
方向の組成含有比率の遷移曲線である。
面図である。PIS2図は表面分析によりえちれた厚さ
方向の組成含有比率の遷移曲線である。
Claims (1)
- 非磁性基板上に、磁性層を含み互いに組成を異にする2
層以上の構成層を有する磁気記録媒体に於いて、前記構
成層間の厚み方向に100〜1000Åの該構成層組成
相互の変移帯域を設けたことを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18737386A JPS6344314A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 層間組成変移帯域を有する磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18737386A JPS6344314A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 層間組成変移帯域を有する磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344314A true JPS6344314A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16204870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18737386A Pending JPS6344314A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 層間組成変移帯域を有する磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344314A (ja) |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18737386A patent/JPS6344314A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834085A (en) | Grain isolated multilayer perpendicular recording medium | |
| JPH07114016B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US7105240B2 (en) | Perpendicular media with improved corrosion performance | |
| JP2002367153A (ja) | クロム・ニッケル・プレシード層を有する薄膜磁気記録ディスク | |
| US6593009B2 (en) | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi | |
| US6432562B1 (en) | Magnetic recording medium with a nialru seedlayer | |
| US6129981A (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording disk device | |
| JPH0613237A (ja) | 磁気記録媒体及びその保磁率を増加する方法 | |
| US6168861B1 (en) | High coercivity, high signal-to-noise ratio dual magnetic layer media | |
| JPH0349020A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6344314A (ja) | 層間組成変移帯域を有する磁気記録媒体 | |
| US6045931A (en) | Magnetic recording medium comprising a cobalt-samarium magnetic alloy layer and method | |
| JPS634419A (ja) | 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 | |
| JPH0817032A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6313118A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0770037B2 (ja) | 面内磁化記録用金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPS62236116A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| Onishi et al. | Substrate effects on the magnetic characteristics of sputtered media | |
| JPH0262888B2 (ja) | ||
| JPS63193322A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02210614A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2538123B2 (ja) | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 | |
| JPS62283416A (ja) | モリブデン−炭素層を有する磁気記録媒体 | |
| JPS62283415A (ja) | 二硫化モリブデン層を有する磁気記録媒体 | |
| JPH01232522A (ja) | 磁気ディスク |