JPS6344564A - 新規なｔｃｎｑ錯体 - Google Patents
新規なｔｃｎｑ錯体Info
- Publication number
- JPS6344564A JPS6344564A JP18818386A JP18818386A JPS6344564A JP S6344564 A JPS6344564 A JP S6344564A JP 18818386 A JP18818386 A JP 18818386A JP 18818386 A JP18818386 A JP 18818386A JP S6344564 A JPS6344564 A JP S6344564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tcnq
- phenylpyridinium
- formula
- complex
- tcnq complex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性材料等として有用な新規ＴＣＮＱ錯体
に関する。
に関する。
ＴＣＮＱ錯体は、有機半導体として知られる電荷移動型
錯化合物であり、その構成成分であるＴＣＮＱが電子を
受は入れやすく、陽イオンと極めて安定なラジカル塩を
作り、ＴＣＮＱ自身が独自に積み重なるという構造的特
徴を有することに起因して高導電性を示す。
錯化合物であり、その構成成分であるＴＣＮＱが電子を
受は入れやすく、陽イオンと極めて安定なラジカル塩を
作り、ＴＣＮＱ自身が独自に積み重なるという構造的特
徴を有することに起因して高導電性を示す。
ＴＣＮＱ錯体は、軽量、電導の異方性、溶融性、フィル
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質と金属の［１をイ井でＡ−＝ｉろという有利
な点を存し、このため、高機能導電性分子膜、非線形光
学材料、帯電防止剤、分子素子、生物素子への応用、電
子機能をもつ高秩序分子集合体の設計に、或は電解コン
デンサや電池の固体電解質等、様々な有機半導体分野に
、その利用が大いに期待されている化合物である。
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質と金属の［１をイ井でＡ−＝ｉろという有利
な点を存し、このため、高機能導電性分子膜、非線形光
学材料、帯電防止剤、分子素子、生物素子への応用、電
子機能をもつ高秩序分子集合体の設計に、或は電解コン
デンサや電池の固体電解質等、様々な有機半導体分野に
、その利用が大いに期待されている化合物である。
ＴＣＮＱ錯体に関しては、これまでに多数の含窒素複素
環化合物カチオンＴＣＮＱ錯体が合成さ九ているが、本
来ＴＣＮＱ錯体は有機化合物であり、置換基や構成して
いる元素を代えることによってわずかずつ構造や性質を
変化させていくことができるので、これによって導電体
として要求される様々な性質の最適化を目的に応じては
かることが可能なため、それら各種ニーズに対応し得る
更に新たなＴＣＮＱ錯体の開発が望まれている。
環化合物カチオンＴＣＮＱ錯体が合成さ九ているが、本
来ＴＣＮＱ錯体は有機化合物であり、置換基や構成して
いる元素を代えることによってわずかずつ構造や性質を
変化させていくことができるので、これによって導電体
として要求される様々な性質の最適化を目的に応じては
かることが可能なため、それら各種ニーズに対応し得る
更に新たなＴＣＮＱ錯体の開発が望まれている。
本発明は、上記した如き現状に鑑みなされたもので、有
機導電性化合物であり、種々の電子化学的、或≠は光化
学的成果が期待できる新規なＴＣＮＱ錯体を提供するこ
とを目的とする。
機導電性化合物であり、種々の電子化学的、或≠は光化
学的成果が期待できる新規なＴＣＮＱ錯体を提供するこ
とを目的とする。
本発明は、式
（但し、ＲＩは炭素数１〜８のアルキル基を示し、ｎは
１〜８の整数を示す。）で表わされるＮ−アルコキシア
ルキル−４−フェニルピリジニウムカチオンと、７，７
，８．８−テトラシアノキノジメタンアニオンラジカル
（ＴＣＮＱ？）と中性ＴＣＮＱ （ＴＣＮ Ｑ ’）と
を構成成分とするＴＣＮＱ錯体の発明である。
１〜８の整数を示す。）で表わされるＮ−アルコキシア
ルキル−４−フェニルピリジニウムカチオンと、７，７
，８．８−テトラシアノキノジメタンアニオンラジカル
（ＴＣＮＱ？）と中性ＴＣＮＱ （ＴＣＮ Ｑ ’）と
を構成成分とするＴＣＮＱ錯体の発明である。
本発明のＴＣＮＱ錯体は、例えば下記の如く表わされる
。
。
（式中、Ｘは０．５≦Ｘ≦２．０なる任意の数を表わす
。） 本発明のＴＣＮＱ錯体に於て、トナ一部の式キシアルキ
ルー４−フェニルピリジニウムカチオンのアルキル基Ｒ
′は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
等、炭素数１〜８のアルキル基を示し、直鎖状のもので
も分枝状のものでもよい。また、ｎは１〜８の任意の整
数を示す。
。） 本発明のＴＣＮＱ錯体に於て、トナ一部の式キシアルキ
ルー４−フェニルピリジニウムカチオンのアルキル基Ｒ
′は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
等、炭素数１〜８のアルキル基を示し、直鎖状のもので
も分枝状のものでもよい。また、ｎは１〜８の任意の整
数を示す。
本発明のＴＣＮＱ錯体は、自体公知の方法、例えばヨー
ドイオン ！−の遍元性を利用し、Ｎ−アルコキシ−４
−フェニルピリジニウムアイオダイとをモル比３：４で
反応させる方法により容易に得ることができる。Ｎ−ア
ルコキシアルキル−４−フェニルビジニウムアイオダイ
ドは、例えば、Ｊ、 Ａｍ、 （：ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、
、 ７２．１３３４（１９５０）等に記載の方法に従い
塩化アルキルと金属アルコラードからアルコキシアルキ
ルクロライドを合成し、次いで、これを常法によりヨウ
化アルカリと適当な溶媒中加熱反応させてアルコキシア
ルキルアイオダイドとした後、これを、要すれば適当な
溶媒の存在下４−フェニルピリジンと反応させることに
より容易に得ることができるので、このようにして得ら
れたものを用いることで足りる。また、本発明のＴＣＮ
Ｑ錯体は、Ｎ−アルコキシアルキル−ＴＣＮＱをドーピ
ングさせる方法によっても同様に合成し得ることはいう
までもない。
ドイオン ！−の遍元性を利用し、Ｎ−アルコキシ−４
−フェニルピリジニウムアイオダイとをモル比３：４で
反応させる方法により容易に得ることができる。Ｎ−ア
ルコキシアルキル−４−フェニルビジニウムアイオダイ
ドは、例えば、Ｊ、 Ａｍ、 （：ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、
、 ７２．１３３４（１９５０）等に記載の方法に従い
塩化アルキルと金属アルコラードからアルコキシアルキ
ルクロライドを合成し、次いで、これを常法によりヨウ
化アルカリと適当な溶媒中加熱反応させてアルコキシア
ルキルアイオダイドとした後、これを、要すれば適当な
溶媒の存在下４−フェニルピリジンと反応させることに
より容易に得ることができるので、このようにして得ら
れたものを用いることで足りる。また、本発明のＴＣＮ
Ｑ錯体は、Ｎ−アルコキシアルキル−ＴＣＮＱをドーピ
ングさせる方法によっても同様に合成し得ることはいう
までもない。
合成された本発明のＴＣＮＱ錯体は、電荷移動錯体特有
の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することがで
き、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトルの
測定から決定することができる。電気的性質、例えば比
抵抗値は、試料粉末をベレットに成型し二端子法で電流
電圧を測定して抵抗値Ｒを算出し、次式から求めること
ができる。ρ＝ Ｒ−Ａ／Ｉｌ、但し、ρは比抵抗値（
Ω・ｃ＋ｎ）、Ｒは抵抗（Ω）、Ａは電極接触面積（ｃ
ｒｎ’）Ｊ！は試料の厚さくｃｍ）である。また、熱的
性質は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定等の熱分析で測定
することができる。
の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することがで
き、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトルの
測定から決定することができる。電気的性質、例えば比
抵抗値は、試料粉末をベレットに成型し二端子法で電流
電圧を測定して抵抗値Ｒを算出し、次式から求めること
ができる。ρ＝ Ｒ−Ａ／Ｉｌ、但し、ρは比抵抗値（
Ω・ｃ＋ｎ）、Ｒは抵抗（Ω）、Ａは電極接触面積（ｃ
ｒｎ’）Ｊ！は試料の厚さくｃｍ）である。また、熱的
性質は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定等の熱分析で測定
することができる。
本発明の新規なＴＣＮＱ錯体は、特にその東独又は混合
品の導電性、加工及び成形性に優れているので、これを
高機能導電性分子膜、非線形光学材料、これらの分子素
子、生物素子への応用など電子機能をもつ高秩序分子集
合体の設計に、或≠は電解コンデンサや電池の固体電解
質として等様々な有機半導体分野に於て有効に用い得る
ことが期待できる。
品の導電性、加工及び成形性に優れているので、これを
高機能導電性分子膜、非線形光学材料、これらの分子素
子、生物素子への応用など電子機能をもつ高秩序分子集
合体の設計に、或≠は電解コンデンサや電池の固体電解
質として等様々な有機半導体分野に於て有効に用い得る
ことが期待できる。
以下に実施例を示すが、本発明はこれら実施例により同
等制約を受けるものではない。
等制約を受けるものではない。
実施例１゜
（１）４−メトキシブチルアイオダイドの合成アセトン
２５０ｍｊ中、４−メトキシブチルクロライド６１．３
ｇ （０，５モル）とヨウ化ナトリウム９０ｇを還流下
６時間反応させた。冷却後、不溶物を枦去し、炉液を濃
縮した。次いで残漬を減圧下蹟密分留し、１２ｆｉ 〜
１２７℃／１４０ｍｍＨｇの留分６５ｇを無色油状物と
して得た（収率 ６０．７％）゛。留分のＧＣ？＆量は
９８．５％であった。
２５０ｍｊ中、４−メトキシブチルクロライド６１．３
ｇ （０，５モル）とヨウ化ナトリウム９０ｇを還流下
６時間反応させた。冷却後、不溶物を枦去し、炉液を濃
縮した。次いで残漬を減圧下蹟密分留し、１２ｆｉ 〜
１２７℃／１４０ｍｍＨｇの留分６５ｇを無色油状物と
して得た（収率 ６０．７％）゛。留分のＧＣ？＆量は
９８．５％であった。
’ＨＮＭＲ：δｐｐｍ（ＣＤ Ｃ１２：＋）１．３９〜
２．３３ （４Ｈ、ｍ 、−ＣＨ２Ｃ１ｈＣ：Ｈ２Ｃ１
（ｚＯ（：ｔｌｓ） 、 ：１．２３（２Ｈ，ｔ、 Ｊ
−６Ｈｚ、−ＣＨｄ） ’＋ ３．３７ （３Ｈ，ｓ、
−０鴨） 。
２．３３ （４Ｈ、ｍ 、−ＣＨ２Ｃ１ｈＣ：Ｈ２Ｃ１
（ｚＯ（：ｔｌｓ） 、 ：１．２３（２Ｈ，ｔ、 Ｊ
−６Ｈｚ、−ＣＨｄ） ’＋ ３．３７ （３Ｈ，ｓ、
−０鴨） 。
３．４７（２Ｈ，ｔ、Ｊ−６Ｈｚ、 Ｃｔ（３ＱＣ旦
ニー）。
ニー）。
Ｉ Ｒ（Ｎｅａｔ）： ν （ｃｍ−’）１１２０（
−０ＣＬ）＊ ＋２１ Ｎ−（４−メトキシ）ブチル−４−フェニル
ピリジニウムアイオダイドの合成 ４−フェニルピリジン（和光純薬工業■製）６．９ ｇ
（４４モル）と（１）で得た４−メトキシブチルアイ
オダイド９．５ｇを１００〜１２０℃で１時間反応させ
た。反応液にアセトン及びメタノールを加えて目的物を
晶出させ、析出晶を枦取した後、アセトン−メタノール
混液より再結晶して１１．３ｇの黄色結晶を得た（収率
６９．０％）。
−０ＣＬ）＊ ＋２１ Ｎ−（４−メトキシ）ブチル−４−フェニル
ピリジニウムアイオダイドの合成 ４−フェニルピリジン（和光純薬工業■製）６．９ ｇ
（４４モル）と（１）で得た４−メトキシブチルアイ
オダイド９．５ｇを１００〜１２０℃で１時間反応させ
た。反応液にアセトン及びメタノールを加えて目的物を
晶出させ、析出晶を枦取した後、アセトン−メタノール
混液より再結晶して１１．３ｇの黄色結晶を得た（収率
６９．０％）。
ｍ ｐ ： １２０〜１２３℃。
元素分析！！（ＣＩ６８２０ Ｉ Ｎ Ｏ）計算値：０
％５２．０５． Ｈ％５．４Ｂ、Ｎ％３．７９実測値二
Ｃ％５２．００． Ｈ％５．４８．Ｎ％コ、９１゜凰Ｈ
ＮＭＲ： δｐｐｍ （ＣＤ ＣＩ２３）１．４７〜
２．６０（４Ｈ，ｍ：、Ｆ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２
０ＧＩＩ３） 、：１．２８（：ｌＩｌ、Ｓ、−０％）
、 ３．４５（２Ｈ，Ｌ、Ｊ−７Ｈｚ、 ；Ｎ−（
：ｌ（。ＣＨ２ＧＨ２蚤０ＣＨｉ） 、４．９８ （２
１１、ｔ 、Ｊ−７Ｈｚ 、 ％ ｅｌｌ、ｚ−）’、
７．４８〜８．００ （５１１、ｍ 、 ％’−） 、
８．３３ （２Ｈ、ｄ 、Ｊ−６１１ｚ 。
％５２．０５． Ｈ％５．４Ｂ、Ｎ％３．７９実測値二
Ｃ％５２．００． Ｈ％５．４８．Ｎ％コ、９１゜凰Ｈ
ＮＭＲ： δｐｐｍ （ＣＤ ＣＩ２３）１．４７〜
２．６０（４Ｈ，ｍ：、Ｆ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２
０ＧＩＩ３） 、：１．２８（：ｌＩｌ、Ｓ、−０％）
、 ３．４５（２Ｈ，Ｌ、Ｊ−７Ｈｚ、 ；Ｎ−（
：ｌ（。ＣＨ２ＧＨ２蚤０ＣＨｉ） 、４．９８ （２
１１、ｔ 、Ｊ−７Ｈｚ 、 ％ ｅｌｌ、ｚ−）’、
７．４８〜８．００ （５１１、ｍ 、 ％’−） 、
８．３３ （２Ｈ、ｄ 、Ｊ−６１１ｚ 。
ピリジン環Ｃ３，Ｃｓの水素）、９．５０ （２Ｈ，ｄ
。
。
Ｊ−６１１ｚ、ピリジン環Ｃ２，Ｃ６の水素）。
（３３Ｎ−（４−メトキシ）ブチル−４−フェニルピリ
ジニウムＴ ＣＮ Ｑｍ体の合成 アセトニトリル３００ｒｎｌにＴ ＣＮ Ｑ（和光純薬
工業■製） ７．４８ｇ（３６，６モル）を加温溶解し
、これに（２）で得たＮ−（４−メトキシ）ブチル−４
−フェニルピリジニウムアイオダイド１０．２ｇを溶解
したアセトニトリル２００−を滴下し、還流下、１時間
反応させた。反応液を冷却し、析出晶を枦取し、アセト
ニトリルより再結晶して黒紫色針状結晶５．７ｇを得た
（収率４７．９％）。
ジニウムＴ ＣＮ Ｑｍ体の合成 アセトニトリル３００ｒｎｌにＴ ＣＮ Ｑ（和光純薬
工業■製） ７．４８ｇ（３６，６モル）を加温溶解し
、これに（２）で得たＮ−（４−メトキシ）ブチル−４
−フェニルピリジニウムアイオダイド１０．２ｇを溶解
したアセトニトリル２００−を滴下し、還流下、１時間
反応させた。反応液を冷却し、析出晶を枦取し、アセト
ニトリルより再結晶して黒紫色針状結晶５．７ｇを得た
（収率４７．９％）。
元素分析値（Ｃ４゜Ｈ２ａＮｓＯ）
計算値＝Ｃ％７３．８３． Ｈ％４．３４．Ｈ％１９．
３７実測値：０％７３．５１． Ｈ％４．５８．Ｈ％１
９．４７゜比抵抗値：１３Ω・ｃａｎ。
３７実測値：０％７３．５１． Ｈ％４．５８．Ｈ％１
９．４７゜比抵抗値：１３Ω・ｃａｎ。
ＤＳＣ：吸熱点２２１’Ｃ：発熱分解点２１ｉ４℃。
ＴＣＮＱ’／ＴＣＮＱ’比＝０．９９゜尚、中性ＴＣＮ
Ｑ（ＴＣＮＱ’ｈ表示）とアニオンラジカルＴＣＮＱ（
ＴＣＮＱ？と表示）との錯体構成比（ＴＣＮＱ＠／ＴＣ
ＮＱ”）は文献（Ａ、ＲｅＬＩＩｂａｕｍ ｅＬ ａｌ
、。
Ｑ（ＴＣＮＱ’ｈ表示）とアニオンラジカルＴＣＮＱ（
ＴＣＮＱ？と表示）との錯体構成比（ＴＣＮＱ＠／ＴＣ
ＮＱ”）は文献（Ａ、ＲｅＬＩＩｂａｕｍ ｅＬ ａｌ
、。
、１． Ａｍ、 （：ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、、 ９３．２
５３２ （１９７１））に従い紫外線吸収スペクトル測
定方法で求めた。また、吸熱点及び発熱分解点について
は示差走査熱量（ＤＳＣ）測定で求めた。電気的特性値
については錯体をベレットとし、以下常法に従って試料
作製の後２５℃で電流電圧測定（二端子法）を行ない、
前記計算式に基づいて比抵抗値ｐ（Ω・ＣＩＩ＋）を求
めた。
５３２ （１９７１））に従い紫外線吸収スペクトル測
定方法で求めた。また、吸熱点及び発熱分解点について
は示差走査熱量（ＤＳＣ）測定で求めた。電気的特性値
については錯体をベレットとし、以下常法に従って試料
作製の後２５℃で電流電圧測定（二端子法）を行ない、
前記計算式に基づいて比抵抗値ｐ（Ω・ＣＩＩ＋）を求
めた。
（発明の効果）
以上述べた如く、本発明は、これまでＴＣＮＱ錯体に用
いられていなかったＮ−アルコキシアルキル−４−フェ
ニルピリジニウムカチオンをドナーとして用いた点に特
徴を存する発明であり、従来にない種々の電子化学的或
≠は光学的成果が期待できる新規なＴＣＮＱ錯体を提供
し得るものである点に一顕著な効果を奏するものであり
、斯業に貢献するところ大なる発明である。
いられていなかったＮ−アルコキシアルキル−４−フェ
ニルピリジニウムカチオンをドナーとして用いた点に特
徴を存する発明であり、従来にない種々の電子化学的或
≠は光学的成果が期待できる新規なＴＣＮＱ錯体を提供
し得るものである点に一顕著な効果を奏するものであり
、斯業に貢献するところ大なる発明である。
特許出願人和光純薬工業株式会社
手続補正書
昭和６２年 ２月 ２７日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１は炭素数１〜８のアルキル基を示し、ｎ
は１〜８の整数を示す。）で表わされるＮ−アルコキシ
アルキル−４−フェニルピリジニウムカチオンと、７、
７、８、８−テトラシアノキノジメタンアニオンラジカ
ル（ＴＣＮＱ＾−）と中性ＴＣＮＱ（ＴＣＮＱ＾４）と
を構成成分とするＴＣＮＱ錯体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18818386A JPS6344564A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 新規なｔｃｎｑ錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18818386A JPS6344564A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 新規なｔｃｎｑ錯体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344564A true JPS6344564A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16219216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18818386A Pending JPS6344564A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 新規なｔｃｎｑ錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344564A (ja) |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18818386A patent/JPS6344564A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6344564A (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| Takimiya et al. | Improved Synthesis of Double‐Bridged Tetraselenafulvalenophanes and Formation of Their Conductive Radical Cation Salts | |
| JPS6296470A (ja) | 新規ｔｃｎｑ錯体 | |
| Iyoda et al. | Synthesis and Electroconductive Properties of Radical Salts Derived from Tetrathiafulvalene Dimers | |
| JPS6344566A (ja) | 新規ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6344563A (ja) | Ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPH0684351B2 (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS61254561A (ja) | 新規ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6317863A (ja) | Ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPH0684352B2 (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS61204173A (ja) | 導電性有機化合物 | |
| JPH0714915B2 (ja) | 有機導電性錯体 | |
| JPS61263963A (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6348276A (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6391386A (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6263571A (ja) | 新規ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS63233976A (ja) | 新規ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS61257971A (ja) | Ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPH0730023B2 (ja) | 有機導電性錯体の製造法 | |
| JPS61282363A (ja) | 置換ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPH0684350B2 (ja) | 新規ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS63216868A (ja) | Ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6263574A (ja) | 新規なｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS62281862A (ja) | Ｔｃｎｑ錯体 | |
| JPS6377867A (ja) | Ｎ−置換−ベンゾチアゾ−ル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |