JPS6345006Y2 - - Google Patents
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- JPS6345006Y2 JPS6345006Y2 JP3828982U JP3828982U JPS6345006Y2 JP S6345006 Y2 JPS6345006 Y2 JP S6345006Y2 JP 3828982 U JP3828982 U JP 3828982U JP 3828982 U JP3828982 U JP 3828982U JP S6345006 Y2 JPS6345006 Y2 JP S6345006Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- stacked
- gap
- metal
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- Prior art date
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は同形の2個の半導体装置を上下に重ね
合せて構成した2段重ねの半導体装置に関する。
合せて構成した2段重ねの半導体装置に関する。
このような2段重ねの半導体装置の従来例を第
1図に示す。第1図において、DIP型の下側半導
体装置1の上に同型の上側半導体装置2が、その
リード2aの先端を下側の半導体装置1のリード
1aの肩の部分に乗りかかるようにして重ねら
れ、この部分を半田付けして2段重ねとしてい
る。しかして、この場合、装置稼動中に発生する
熱の放散をよくするため、下側半導体装置1と上
側半導体装置2との間には或る程度の隙間3があ
けられている。
1図に示す。第1図において、DIP型の下側半導
体装置1の上に同型の上側半導体装置2が、その
リード2aの先端を下側の半導体装置1のリード
1aの肩の部分に乗りかかるようにして重ねら
れ、この部分を半田付けして2段重ねとしてい
る。しかして、この場合、装置稼動中に発生する
熱の放散をよくするため、下側半導体装置1と上
側半導体装置2との間には或る程度の隙間3があ
けられている。
ところで、このように2段重ねとするには、両
半導体装置を上下に組合せた後、第2図aに示す
ように、溶融している接合金属液4の中に浸し、
重なり接触しているリード同志を接合している。
しかし、この場合、上下の両半導体装置の間の隙
間3に溶融接合金属が入りこみ、この接合金属液
4から引き上げられた後も、第2図bに示すよう
に、隙間3の金属が金属塊5として固まり残つて
しまう。そして、この2段重ねとした半導体装置
を装備機器実装後、何らかの拍子で隙間の金属塊
5が外に飛び出し、近辺の機器の導電体の間に引
つかかつて短絡事故を起すという欠点があつた。
半導体装置を上下に組合せた後、第2図aに示す
ように、溶融している接合金属液4の中に浸し、
重なり接触しているリード同志を接合している。
しかし、この場合、上下の両半導体装置の間の隙
間3に溶融接合金属が入りこみ、この接合金属液
4から引き上げられた後も、第2図bに示すよう
に、隙間3の金属が金属塊5として固まり残つて
しまう。そして、この2段重ねとした半導体装置
を装備機器実装後、何らかの拍子で隙間の金属塊
5が外に飛び出し、近辺の機器の導電体の間に引
つかかつて短絡事故を起すという欠点があつた。
本考案の目的は、このように2段重ねとした両
半導体装置の上下の隙間に、両半導体装置のリー
ドを接合する際の接合金属が入りこまないように
され、よつて短絡事故を起す不要な接合金属の塊
が隙間に残らないようにされた2段重ねの半導体
装置を提供するにある。
半導体装置の上下の隙間に、両半導体装置のリー
ドを接合する際の接合金属が入りこまないように
され、よつて短絡事故を起す不要な接合金属の塊
が隙間に残らないようにされた2段重ねの半導体
装置を提供するにある。
本考案の半導体装置は、下段側半導体装置の上
に上段側半導体装置を重ねて2段重ねとされ、か
つ、前記下段側半導体装置および上段側半導体装
置の両半導体装置の対向面の何れか一方の周辺に
沿つて環状の突起が設けられている構成を有す
る。
に上段側半導体装置を重ねて2段重ねとされ、か
つ、前記下段側半導体装置および上段側半導体装
置の両半導体装置の対向面の何れか一方の周辺に
沿つて環状の突起が設けられている構成を有す
る。
つぎに本考案を実施例により説明する。
第3図aは本考案の一実施例に係る2段重ね半
導体装置の上下のリード接合を説明するための断
面図、同図bは接合後の斜視図である。
導体装置の上下のリード接合を説明するための断
面図、同図bは接合後の斜視図である。
第3図aにおいて、下側半導体装置1の上に重
ねて組合された上側半導体装置12の下面には、
その周辺に沿つて環状の突起6が屏のように設け
られ、突起突端が下側半導体装置1の上面に密着
して重ねられている。このように組立てられ、溶
融接合金属液4に浸された場合、突起6で囲まれ
た内側の隙間7には、溶融接合金属液4が入り込
むことはできないので、当然、上下両半導体装置
を接合金属液4から引上げ後に、従来隙間にでき
たような接合金属の塊りは、第3図bに示すよう
に全く残らないので、その後の機器実装後に短絡
事故を起すことなどを完全になくすことができ
る。
ねて組合された上側半導体装置12の下面には、
その周辺に沿つて環状の突起6が屏のように設け
られ、突起突端が下側半導体装置1の上面に密着
して重ねられている。このように組立てられ、溶
融接合金属液4に浸された場合、突起6で囲まれ
た内側の隙間7には、溶融接合金属液4が入り込
むことはできないので、当然、上下両半導体装置
を接合金属液4から引上げ後に、従来隙間にでき
たような接合金属の塊りは、第3図bに示すよう
に全く残らないので、その後の機器実装後に短絡
事故を起すことなどを完全になくすことができ
る。
第1図は従来の2段重ね半導体装置の斜視図、
第2図aは第1図の半導体装置の接合工程を説明
するための断面図、同図bは接合後の断面図、第
3図aは本考案に係る半導体装置の接合工程を説
明するための断面図、同図bは接合後の斜視図で
ある。 1……下側半導体装置、2,12……上側半導
体装置、1a,2a,12a……リード、3,7
……隙間、4……溶融接合金属液、5……金属
塊、6……環状突起。
第2図aは第1図の半導体装置の接合工程を説明
するための断面図、同図bは接合後の断面図、第
3図aは本考案に係る半導体装置の接合工程を説
明するための断面図、同図bは接合後の斜視図で
ある。 1……下側半導体装置、2,12……上側半導
体装置、1a,2a,12a……リード、3,7
……隙間、4……溶融接合金属液、5……金属
塊、6……環状突起。
Claims (1)
- 下段側半導体装置の上に上段側半導体装置を重
ねて2段重ねとした半導体装置において、前記下
段側半導体装置および上段側半導体装置の両半導
体装置の対向面の何れか一方の周辺に沿つて環状
の突起が設けられていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3828982U JPS58140648U (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3828982U JPS58140648U (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140648U JPS58140648U (ja) | 1983-09-21 |
| JPS6345006Y2 true JPS6345006Y2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=30049637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3828982U Granted JPS58140648U (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140648U (ja) |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP3828982U patent/JPS58140648U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58140648U (ja) | 1983-09-21 |
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