JPS634542B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS634542B2
JPS634542B2 JP55101870A JP10187080A JPS634542B2 JP S634542 B2 JPS634542 B2 JP S634542B2 JP 55101870 A JP55101870 A JP 55101870A JP 10187080 A JP10187080 A JP 10187080A JP S634542 B2 JPS634542 B2 JP S634542B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxo
group
formula
heptane
azabicyclo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55101870A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5728090A (en
Inventor
Kenji Koga
Nobuo Ikota
Hisanari Shibata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyama Chemical Co Ltd
Original Assignee
Toyama Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyama Chemical Co Ltd filed Critical Toyama Chemical Co Ltd
Priority to JP10187080A priority Critical patent/JPS5728090A/ja
Publication of JPS5728090A publication Critical patent/JPS5728090A/ja
Publication of JPS634542B2 publication Critical patent/JPS634542B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Landscapes

  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式() 〔式中、Rは水素原子、カルボキシル基の保護
基又は塩形成陽イオンを表わす。〕 で表わされる(2R,5R)−3−オキソ−7−オ
キソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン
−2−カルボン酸類の製造法に関する。 近年有用な生物活性を有するチエナマイシン
(USP3950357)が見出されたのを契機に、種々
のカルバペネム類を純合成的に得ようとする研究
が活発に行なわれている。 カルバペネム類はその構造式から明らかなよう
に種々の異性体が存在するが、有用な化合物はあ
る特定の立体構造を持つた光学活性体である。 一般に光学活性体を合成するには、光学分割
法、不斉合成法、光学活性な化合物からの誘導法
等がある。しかし、例えば光学分割法において
は、最終目的物質を光学分割すると、少なくと
も、その半分は利用できないという欠点がある。
そこで本発明者等は、光学活性な中間体を得るこ
とができれば、種々の光学活性なカルバペネム類
に有利に誘導できることに着目し、光学活性な
()式の化合物の製造法について種々検討した
結果、これを新規な光学活性な中間体から誘導す
る方法を見出し、本発明を完成するに至つた。 本発明よれば、種々の有用カルバペネム類の中
間体として、あるいはそれ自体β−ラクタマーゼ
阻害剤としてその有用性が期待される新規な光学
活性な()式の化合物を、新規な光学活性な中
間体から誘導する新規な製造法を提供することが
できる。 すなわち、本発明方法はつぎに示す方法に係
る。 (1) 一般式() 〔式中、R1はカルボキシル基の保護基を、
R2はアミノ基の保護基を示す。〕 で表わされる(4R)−ジアゾ−2−アゼチジノ
ン類のアミノ基の保護基を脱離させて、一般式
() 〔式中、R1は前述の意味を示す。〕 で表わされる(4R)−ジアゾ−2−アゼチジノ
ン類を得、ついで閉環反応させ、所望により、
カルボキシル基の保護基を脱離させるか、ある
いは脱離させたのち塩化又は保護基を導入する
ことによつて一般式()で表わされる(2R,
5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−アザビシ
クロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸
類を製造する方法。 (2) 一般式() 〔式中、R2およびR4水素原子またはカルボ
キシル基の保護基を、R2は前述の意味を示
す。〕 で表わされる(4R)−4−〔3,3−ビス(カ
ルボキシ)−2−オキソプロピル〕−2−アゼチ
ジノン誘導体を、所望によりカルボキシル基の
保護基R3および/またはR4を脱離させたのち、
脱炭酸させ、脱炭酸後、所望により生成物のカ
ルボキシル基を保護して、一般式() 〔式中、R1はカルボキシル基の保護基を、
R2は前述の意味を示す。〕 で表わされる(4R)−4−(3−カルボキシ−
2−オキソプロピル)−2−アゼチジノン誘導
体を得、ついでこれにジアゾ化剤を作用させ
て、一般式()で表わされる(4R)−ジアゾ
−2−アゼチジノン類を得、ついで閉環反応さ
せ、所望により、カルボキシル基の保護基と脱
離させるか、あるいは、脱離させたのち塩化又
は保護基を導入することによつて一般式()
で表わされる(2R,5R)−3−オキソ−7−
オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプ
タン−2−カルボン酸類を製造する方法。 一般式()において、Rのカルボキシル基の
保護基としては、β−ラクタム化合物類のカルボ
キシル基の保護基として通常知られているすべて
の基を含み、例えば医薬的に使用しうる保護基又
は中間体として使用しうる保護基が挙げられる。 具体的には、例えば次のものが挙げられる。 (イ) アルキル基:特にメチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、sec.−ブチ
ル、イソブチル、tert.−ブチルおよびペンチル
のような直鎖もしくは分枝鎖アルキル基。 (ロ) 置換アルキル基;特にトリクロロメチル、ト
リブロモメチル、2,2,2−トリクロロエチ
ル、トリフルオロエチル、2−ブロモプロピ
ル、ヨードメチル、ジヨードメチル、−クロロ
エチル、2−ブロモエチル等の置換アルキル基
および次の置換基から選択された一つ以上の置
換基で置換されたアルキル基。 アセチル、プロピオニル、ピバロイル、ベン
ゾイル、p−ブロモベンゾイル、p−tert.−ブ
チルベンゾイル、アセトキシアセチル、ピバロ
イルオキシアセチル等のアシル基、1,4−ヘ
キサジエン−1−イル−メチル等のシクロアル
カジエニルメチル基、メトキシ、エトキシ、イ
ソプロポキシ、デシルオキシ等のアルコキシ
基、シクロヘキシルオキシ等のシクロアルキル
オキシ基、アセトキシ、ジメチルアミノアセト
キシ、プロピオニルオキシ、ピバロイルオキシ
等のアシルオキシ基、メチルアミノ、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ等のモノーおよびジ−
アルキルアミノ基、アセトアミド、フタルイミ
ド、サクシンイミド等のアシルアミノおよびイ
ミノ基、2−チエニル、2−フリル、3−tert.
−ブチル−5−イソチアゾリル、6−ピバロイ
ルオキシ−3−ピリダジル、5−フエニルチオ
−1−テトラゾリル等の複素環式基、フエノキ
シ、4−メトキシフエノキシ、4−クロロフエ
ノキシ、4−ニトロフエノキシ、4−ベンジル
オキシフエノキシ、4−メチルフエノキシ、4
−ベンジルオキシフエノキシ、2−メチルフエ
ノキシ、2−メトキシフエノキシ、4−アミノ
フエノキシ等のアリールオキシ基、フエニルチ
オ、4−メトキシフエニルチオ、4−クロロフ
エニルチオ等のアリールチオ基、ベンジルオキ
シ、4−ニトロベンジルオキシ、4−クロロベ
ンジルオキシ等のアルアルコキシ基、メチルチ
オ、エチルチオ、イソプロピルチオ、デシルチ
オ等のアルキルチオ基、シクロヘキシルチオ等
のシクロアルキルチオ基、テトラヒドロフル−
2−イル、テトラヒドロピラン−2−イル、フ
ル−2−イル、4−ピリジル等の複素環式器、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
tert.−ブチルオキシカルボニル、tert.−アシル
オキシカルボニル等のアルコキシカニボニル
基、ベンジルオキシカルボニル、ジフエニルメ
トキシカルボニル、トリフエニルメトキシカル
ボニル等のアルアルキルオキシカルボニル基、
p−メトキシフエニル、2,4,6−トリメチ
ルフエニル、9−アントリル等のアリール基、
アセチルチオ、ピバロイルチオ等のアシルチオ
基、シアノ基、アリールスルホニルメチル基、
2−ジメチルスルホニウムメチル基、フタリジ
ル基、カルボキシル基等。 (ハ) アルケニル基;アリル、2−プロペニル、2
−メチル−2−ロペニル、3−フエニル−2−
プロペニル、2−ブテニル、3−ブテニル、4
−ブテニル、3−メチル−3−ブテニル、3−
ペンテニル、4−ペンテニル、メタリル等のア
ルケニル基。 (ニ) アルキニル基;エチニル、プロパルギル、3
−ブチン−1−イル等のアルキニル基。 (ホ) アルアルキル基;ベンジル、ベンズヒドリ
ル、p−クロロベンジル、p−ニトロベンジ
ル、3,5−ジニトロベンジル、p−メトキシ
ベンジル、m−ベンゾイルベンジル、p−tert.
−ブチルベンジル、m−フエノキシベンジル、
p−アセトキシベンジル、p−ピパロイルベン
ジル、p−ベンゾイルベンジル、3,5−ジク
ロロ−4−ヒドロキシベンジル、p−メトキシ
カルボニルベンジル、p−カルボキシベンジル
(これは遊離酸、エステル又はナトリウム塩で
ある)、2,4,6−トリメチルベンジル、p
−ピパロイルオキシベンジル、p−tert.−ブト
キシカルボニルベンジル、p−メトキシベンズ
ヒドリル、2,2−ジメチル−5−クマランメ
チル、5−インダニルメチル、p−トリメチル
シリルベンジル、イソプロボキシベンジル、
3,5−ビス−tert.−ブトキシ−4−ヒドロキ
シベンジル、フエニルエチル、2−(p−メチ
ルフエニル)エチル、トリチル等のアルアルキ
ル基。 (ヘ) アリール基;フエニル、4−メチルフエニ
ル、4−ヒドロキシフエニル、4−tert.−ブチ
ルフエニル、4−ニトロフエニル、3,5−ジ
ニトロフエニル、カルボキシフエニル、(これ
は遊離酸またはナトリウム塩形態にある)等の
アリール基。 (ト) その他;フタリジル基、インダニル基、クロ
ノラクトン−3−イル基、フリル基、キノリル
基、N−(メチルピリジル)基。 Rの塩形成陽イオンとしては、例えば、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、ベ
リリウム、カルシウム、マグネシウム等のアルカ
リ土類金属があげられる。 また、一般式(),()および()におい
て、R2のアミノ基の保護基としては、通常のア
ミノ保護基があげられるが、少なくとも水酸基で
置換されたアルアルキル基であることが好まし
く、さらに好ましくは一般式() 〔式中、A,B,C,Dはそれぞれ水素原子、
アルキル基、水酸基、ハロゲン原子、アミノ基、
アシルアミノ基、ニトロ基、アシルオキシ基、ア
ルコキシ基であるか、あるいは、AとB(又はC
とD)が結合してC5〜C7の炭素環式環を形成し
ていることを示す。〕 で表わされる基があげられ、具体的には、例えば
3,5−ジ−tert.−ブチル−4−ヒドロキシベン
ジル基があげられる。また一般式(),(),
(),()においてR1,R3,R4のカルボキシル
保護基としては、β−ラクタム類のカルボキシル
保護基として知られているすべてのものを含む
が、具体的には例えば水によつて脱離する保護
基、酸によつて脱離する保護基、還元処理によつ
て脱離する保護基、酵素によつて脱離する保護基
等があげられる。好ましいものとしては、例え
ば、tert.−ブチル基のようなアルキル基、2,
2,2−トリクロロエチル基のようなハロゲノア
ルキル基、メトキシメチル基のようなアルコキシ
アルキル基、ピバロイルオキシメチル基のような
アシルオキシアルキル基、アセトニトリル基のよ
うなアルカノイルアルキル基、1−エトキシカル
ボニルオキシエチル基のような1−アルコキシカ
ルボニルオキシアルキル基、ベンズヒドリル基、
p−ニトロベンジル基のようなアルアルキル基、
トリメチルシリル基のようなトリアルキルシリル
基、フタリジル基またはインダニル基等があげら
れる。 本発明方法の原料である一般式()で表わさ
れる化合物は、例えば、次に示す方法によつて得
ることができる。 〔式中、R2,R3,R4は前述した意味を示し、
R5およびR6はカルボキシル基の保護基を、R7
アミノ基の保護基を、R8はカルボキシル基の保
護基を示す。〕 すなわち、 (1) 一般式()で表わされる化合物は、L−ア
スパラギン酸から、例えば日本化学雑誌82
601,(1961)の方法に準じて得ることができ
る。R5のカルボキシル保護基としては、容易
に脱離しうる基、例えばメチル、エチル等のア
ルキル基、又はベンジル、ジフエニルメチル、
トリチル等のアルアルキル基等が好適である。 (2) 一般式()又は()で表わされる化合物
は、L−アスパラギン酸又は一般式()で表
わされる化合物に、アミノ基を保護する通常の
反応によつて得ることができる。R7のアミノ
基の保護基としては、容易に脱離しうる基、例
えばtert.−ブトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル等のアルコキシカルボニル又はア
ルアルコキシカニボニル基等が好ましい。 (3) 一般式(XI)で表わされる化合物は、一般式
()で表わされる化合物を、例えば、通常の
エステル化反応に付すことにより容易に得るこ
とができる。 (4) 一般式(XI)で表わされる化合物から一般式
()で表わされる化合物を得るには、例えば
通常の加水分解反応に付すことにより容易に得
ることができる。 (5) 一般式(XII)で表わされる化合物は、一般式
()で表わされる化合物に、塩基の存在下、
例えばイソブチルクロロホルメートのようなハ
ロ炭酸エステルを反応させて、混合酸無水物を
生成させたのち、ジアゾメタンを反応させるか
あるいは一般式()で表わされる化合物を常
法により酸ハライド誘導体としたのちジアゾメ
タンを反応させることにより得ることができ
る。この反応は、まず、ベンゼン、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒド
ロフラン等の溶媒中で、冷却乃至常温で数十分
から数時間行なうことによつて混合酸無水物を
生成させ、これにジアゾメタンを冷却下に反応
させることによつて実施される。 (6) 一般式()で表わされる化合物は、一般
式(XII)で表わされる化合物に、トリエチルア
ミン、ピリジン等の塩基の存在下または不存在
下に、酢酸銀、安息香酸銀等の触媒を作用させ
ることによつて得られる。この反応は、通常、
アルコール類の存在下に必要に応じてジオキサ
ン等の反応に関与しない溶媒中、常温乃至溶媒
還流下で数十分から数時間行えばよい。R6
カルボキシル基の保護基は、通常の加水分解反
応によつて脱離する基、例えばメチル、エチル
等のアルキル基あるいは通常の還元反応によつ
て脱離する基、例えばベンジル、ジフエニルメ
チル、トリチル等のアルアルキル基が好適であ
る。 (7) 一般式()で表わされる化合物は、一般
式()で表わされる化合物のアミノ基の保
護基を、通常の方法で脱離することによつて得
ることができる。この反応は、通常、酢酸エチ
ル、水、テトラヒドロフラン等の溶媒中、ハロ
ゲン化水素等を用いて冷却乃至常温下で数時間
行なえばよい。 (8) 一般式()で表わされる化合物は、一般
式()で表わされる化合物に、アルデヒド
類、例えばベンズアルデヒド等を反応させ、得
られる化合物を還元処理することによつて得る
ことができる。 この反応において、還元処理として例えば、
パラジウム炭素等の触媒の存在下常温常圧で、
水素により接触還元をすれば、一般式()
で表わされる化合物と、アルデヒド類が反応し
て得られたシツフの塩基が還元され、またR5
の保護基が脱離される。また、還元処理として
シツフ塩基を水素化ホウ素ナトリウムで還元し
たのち、パラジウム炭素等の触媒の存在下常温
常圧にて水素による接触還元をしても同様に一
般式()の化合物を得ることができる。
R2のアミノ基の保護基としては容易に脱離し
うる基であればよく、例えばベンジル、ジフエ
ニルメチル、トリチル等のアルアルキル基ある
いは少なくとも水酸基で置換されたアルアルキ
ル基等が好適に利用できる。 (9) 一般式()で表わされる化合物から一般
式()で表わされる化合物を得るには、一
般式()で表わされる化合物を閉環反応に
付すことにより得ることができる。閉環反応に
は、溶媒の存在下もしくは不存在下に、塩化チ
オニル、三塩化リン、五塩化リン等の活性ハロ
ゲン化合物を作用させた後、トリエチルアミ
ン、ピリジン、N,N−ジメチルアニリン等の
塩基を作用させることによつて行なわれる。使
用される溶媒としては、反応に関与しない溶媒
であれば、特に限定されないが、例えば、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、クロロホルム、ベンゼン、トリエン等が挙
げられる。反応は冷却乃至加温下にて1〜10時
間行なえばよい。 (10) 一般式()で表わされる化合物は、一般
式()で表わされる化合物を、例えば、通
常の加水分解反応に付すことにより得ることが
できる。 (11) 得られた一般式()で表わされる化合物
を、そのカルボキシ基における反応性誘導体に
導き、ついで、一般式()で表わされるマ
ロン酸誘導体のアルカリ金属エノレートを反応
させ、所望により、カルボキシル基の保護基を
常法により脱離すれば、一般式()で表わさ
れる化合物が得られる。 一般式()で表わされる化合物のカルボ
キシル基における反応性誘導体しては、例えば
混合酸無水物および酸クロリドがあげられ、こ
れらはそれぞれ常法によつて生成させることが
できる。得られた一般式()で表わされる
化合物のカルボキシル基における反応性誘導体
に、反応に関与しない溶媒、例えば、塩化メチ
レン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン等の1種又は2種の混合溶媒中、
−60゜〜0℃で、数十分ないし数時間、一般式
()で表わされるマロン酸誘導体のアルカ
リ金属エノレートの1〜3倍当量、好ましくは
2倍当量を反応させ、所望によりカルボキシル
基の保護基を常法により脱離させれば、一般式
()で表わされる化合物が得られる。ここで
一般式()で表わされるマロン酸誘導体に
おいてR8のカルボキシル基の保護基としては、
一般式(),(),(),()で表わされる
化合物のカルボキシル保護基、R1,R3,R4
例として先に掲げた基等があげられる。次に具
体的に本発明方法について説明する。 すなわち、 (12) 一般式()で表わされる化合物は、一般式
()で表わされる化合物を、所望によりカル
ボキシル保護基R3および/またはR4を脱離さ
せてから脱炭酸させ、所望により生成物のカル
ボキシル基を保護することにより、得ることが
できる。具体的に説明すれば、例えば次のa)
〜d)の方法があげられる。 a R3およびR4のカルボキシル保護基の一方
を常法により脱離させ、脱炭酸させる方法。 b R3およびR4のカルボキシル保護基双方を
常法により脱離させ、脱炭酸させたのち、生
成物のカルボキシル基を再び常法により保護
する方法。 c R3およびR4のいずれか一方が水素原子で
ある化合物を脱炭酸させる方法。 d R3およびR4が共に水素原子である化合物
を脱炭酸させたのち生成物のカルボキシル基
を再び常法により保護する方法。 これらの方法のうち(a)法を実施するに当つて
は、一般式()で表わされる化合物のいずれ
か一方のカルボキシル保護基を残存させ得るよ
う、R3およびR4のカルボキシル保護基の適切
な組み合わせを選ぶ必要がある。そのような組
み合わせのうち、好ましいものは、以下の如く
である。 一方が酸又は水によつて脱離され、他方が還
元処理によつて脱離される基である組み合わ
せ、 一方が還元処理によつて脱離され、他方が酵
素によつて脱離される基である組み合わせ、 一方が酸又は水によつて脱離され、他方が酵
素によつて脱離される基である組み合わせ、 等である。 (a)法、(b)法におけるカルボキシル保護基の脱離
方法としては、例えば水処理、又は還元処理等
があげられる。 水処理としては水を作用させる方法が、酸処
理としては、アニソール等の溶媒中、トリフル
オロ酢酸を作用させる方法が、また還元処理と
しては、パラジウム炭素等の触媒の存在下、エ
タノール、酢酸エチル等の溶媒中、常圧ないし
加圧下で水素を作用させる方法があげられる。
また脱炭酸は、通常、カルボキシル保護基を脱
離させたのち、生成物を酸で処理するか、又は
加熱することにより、容易に行わせることがで
きる。 また(b)法及び(d)法において、脱炭酸させたの
ち再び保護基を導入するのは、常法により容易
に行なうことができる。 (13) 一般式()で表わされる化合物はテトラ
ヘドロン・レターズ(Tetrahedron Letters)
vol.21,pp31〜34(1980)に記載の反応を利用
して、一般式()で表わされる化合物とジア
ゾ化剤を反応させることによつて得ることがで
きる。ジアゾ化剤としては例えばp−カルボキ
シベンゼンスルホニルアジド、p−トルエンス
ルホニルアジド及びベンゼンスルホニルアジド
等があげられる。この反応は好ましくはトリエ
チルアミン、ピリジン等の塩基の存在下、反応
に無関係な溶媒、例えば、アセトニトリル、プ
ロピオニトリル中、−10℃〜加温下で、数十分
から数時間行なえばよい。 (14) 一般式()で表わされる化合物は一般式
()で表わされる化合物のアミノ保護基を常
法等によつて脱離させることにより容易に得る
ことができる。R2のアミノ保護基を脱離させ
る場合、R2のアミノ保護基としては前述した、
少なくとも水酸基によつて置換されたアルアル
キル基が好ましく、さらに好ましくは一般式
)で表わされる基、特に3,5−ジ−tert.−
ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジル基が好まし
い。一般式()で表わされる化合物のアミノ
保護基R2が一般式()で表わされる基等の
少なくとも水酸基で置換されたアルアルキル基
である場合、その脱離反応は、例えば以下の各
段階を経て行なうのが好ましい。すなわち、 (イ) 酸化剤を作用させてR2をキノン誘導体
()とし、これに (ロ) 求核試剤を付加させ、得られる付加体(
)を (ハ) 加水分解する。 上の酸化反応は塩化メチレン、ジエチルエエー
テル、ベンゼン、テトラヒドロフラン等の如
く、反応に関与しない溶媒中、冷却下ないし加
温下、数分〜数時間、酸化剤を作用させること
によつて行なわれる。酸化剤としては例えば二
酸化鉛、過酸化ニツケル、過硫酸カリウム、硝
酸第二タリウム、DDQ(ジシアノ−ジクロロ−
p−ベンゾキノン)等があげられDDQが好ま
しい。 また上の求核試剤の付加反応は、一般式
()で表わされる化合物を酸化して得られた
キノン誘導体()に冷却下〜加温下、数分
〜数時間、求核試剤を作用させることによつて
行なわれる。求核試剤としては、アルコール
類、メルカプタン類、アミン類等があげられ、
好ましくはアルコール類、さらに好ましくはメ
タノールがあげられる。また、これらの求核試
剤を溶媒として用い前述の酸化反応を行なうこ
ともできる。この場合、一段階で付加体(
)を得ることができる。得られた付加体(
)は単離してもよく、また単離せずにひきつ
づき次の加水分解反応を行つてもよい。 また上の加水分解反応は付加体()を含
水アセトン等の水を含む溶媒中、冷却下〜加温
下に、数分〜数時間、塩酸、硫酸、酢酸、p−
トルエンスルホン酸等の酸で処理することによ
り行なうことができる。 上述の(イ),(ロ),(ハ)の段階を経由する方法は、
反応が極めて緩和な条件下で進行するのでこの
間分子の他の部分、例えば、β−ラクタム、ジ
アゾ基、エステル基等は何ら損われることな
く、一般式()で表わされる化合物を高収率
で得ることができる点で優れた方法である。 (15) 一般式()で表される化合物は、テトラ
ヘドロン・レターズ(Tetrahedron Letters)
vol.21,pp31〜34(1980)に記載の反応を利用
して、一般式()で表わされる化合物を、好
ましくは金属塩触媒の存在下に閉環反応に付す
ことにより得ることができる。この反応は通
常、反応無関係な溶媒、例えば、ベンゼン、ト
ルエン、ジオキサン、テトロヒドロフラン中、
好ましくは、60゜〜90℃にて数十分から数時間
行なえばよい。また金属塩触媒としては、酢酸
第二ロジウム〔Rh2(OAC)4〕、RhCl3・3H2O
およびRhCl〔P(Ph)3〕等が使用され、その使
用量は、重量比で一般式()で表わされる化
合物に対し1/100〜1/300で十分である。 また、一般式()で表わされる化合物のR
が、カルボキシル基の保護基である場合は、通
常の加水分解反応、還元反応あるいは緩和な条
件下における処理等により、一般式()で表
わされる化合物のカルボキシル基が遊離の状態
である化合物とするとができる。さらにその遊
離な化合物を通常の方法により、通常の塩とす
るか、あるいは通常のカルボキシル基を保護す
る反応に付すことにより、カルボキシル基が保
護された一般式()で表わされる化合物とす
ることもできる。 以上の方法によつて得られた一般式()で
表わされている化合物は、公知の反応を利用す
れば、その6位に1−ヒドロキシ−エチル基
を、又、3位のオキソ基を、例えばp−トルエ
ンスルホニル化した後、種々のチオール化合物
と反応させれば種々のチエナマイシンタイプの
置換基を、それぞれ導入させることができる。
このように、本発明の一般式()で表わされ
る化合物はカルバペネム類の合成中間体として
極めて有用なものである。 以上述べたように、本発明方法はカルバペネム
類の合成中間体として有用な、あるいはそれ自
体、β−ラクタマーゼ阻害剤として、その有用性
を有する一般式()で表わされる化合物の新規
な製造法を提供するものであり、その特徴として
は緩和な条件下で、高収率で目的物が得られるこ
と、および一般式()で表わされる化合物カル
ボキシル保護基Rとして任意の好ましい基を導入
し得ること等があげられ、極めて有用な方法であ
る。 次に本発明を実施例をあげて説明する。 実施例 1 (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4
−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ジフエニル
メチルオキシカルボニル)−3−(4−ニトロベン
ジルオキシカルボニル)−2−オキソプロピル〕−
2−アゼチジノン1.5gに、氷冷下、アニソール
10mlおよびトリフルオロ酢酸10mlを加え、20分間
撹拌した後、溶媒を減圧下に留去する。次いで、
得られた残留物にトルエン10mlを加え、これを減
圧下に留去する操作を2回行なう。得られた残留
物に、水20ml、酢酸エチル20mlを加え、有機層を
分取し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去する。得られ
た残留物をカラムクロマトグラフイー(シリカゲ
ル C−200;溶出液;ベンゼン:酢酸エチル=
5:1)で精製すれば、油状の(4R)−1−(3,
5−ジ−tert.−ブチル−4−ヒドロキシベンジ
ル)−4−〔3−(4−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−2−オキソプロピル〕−2−アゼチジノ
ン1.04g(収率97.2%)を得る。 IR(ニート)cm-1;νC=O 1740 NMR(CDCl3)δ; 1.4(s,18H,−C(CH33×2) 2.45〜3.1(m,4H,−CH2COCH2COO−,C3
Hα,Hβ) 3.25(s,2H,−COCH2COO−) 3.6〜4.45(m,3H,C4−Hα,
【式】) 5.2(s,3H,−OH,【式】) 6.98(s,2H,【式】) 7.43(d,2H,【式】) 8.13(d,2H,【式】) 同様にして次の化合物を得た。 Γ (4R)−1−(3.5−ジ−tert.−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(フタリジル
オキシカルボニル)−2−オキソプロピル〕−2
−アゼチジノン 収率;82.0% IR(ニート)cm-1;νC=O 1780,1740 NMR(CDCl3)δ; 1.4(s,18H,−C(CH33×2) 2.35〜3.16(m,4H,−CH2 COCH2COO−,C3
Hα,Hβ) 3.27(s,2H,−COCH2 COO−) 3.88(m,1H,C4−Hα) 4.17(bs,2H,【式】) 5.16(s,1H3−OH) 6.94(s,2H,【式】) 7.1〜7.96(m,5H,【式】) Γ (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ピパロ
イルオキシメチルオキシカルボニル)−2−オ
キソプロピル〕−2−アゼチジノン 収率;70.0% IR(ニート)cm-1;νC=O 1740〜1720 NMR(CDCl3)δ; 1.18(s,9H,−COC(CH33) 1.43(s,18H,【式】) 2,30〜3.00(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CCH2
COCH2COO−) 3.20(s,2H,−COCH2 COO−) 3.87〜4.30(m,3H,C4−Hα,
【式】 5.23(s,1H,−OH) 5.68(s,2H,−COCH2 OCO−) 7.00(s,2H,【式】) 実施例 2 (4S)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4
−ヒドロキシベンジル)−4−カルボキシメチル
−2−アゼチジノン1.56gを塩化メチレン15mlに
溶解させ、塩化チオニル0.66mlを加え、25℃で60
分間反応させる。反応液を減圧下に濃縮し、得ら
れた残留物に無水ベンゼンを加え、減圧下に留去
することを2回繰り返せば、油状物の酸クロリド
を得る。 一方、窒素雰囲気下、マロン酸モノベンズヒド
リルエステル3.65gを無水テトラヒドロフラン
146mlに溶解させ、−50℃に冷却する。次に、この
溶液中へn−ブチルリチウムの1.5Mヘキサン溶
液18mlを20分間で滴下し、−10℃まで昇温させる。
滴下終了後、−10℃で3分間撹拌した後、−60℃に
冷却し、この中へ先に調製した酸クロリドを無水
テトラヒドロフラン15mlに溶かした溶液を3分間
で滴下する。 滴下終了後、−60℃で10分間反応させた後、酢
酸1.54mlを加える。次に反応液を減圧下に濃縮
し、得られた残留物をジエチルエーテル50mlおよ
び水20mlの混合溶媒に溶解させた後、有機層を分
取する。分取した有機層を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水、希塩酸、飽和食塩水で順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧
下に留去する。得られた残留物をカラムクロマト
グラフイー(シリカゲル C−200;溶出液;ベ
ンゼン:酢酸エチル=10:1)で精製すれば淡黄
色油状物の(4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブ
チル−4−ヒドロキシベンジル)−4−(3−ジフ
エニルメチルオキシカルボニル−2−オキソプロ
ピル)−2−アゼチジノン1.71g(収率68.6%)
を得る。 IR(ニート)cm-1:νOH 3600,νC=O 1735,
1720 NMR(CDCl3)δ; 1.40(s,18H,−C(CH33×2) 2,18〜3.03(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2
COCH2−COO−) 3.23(s,2H,−COCH2 COO−) 3.85(m,1H,C4−Hα) 4.12(ABq,2H,【式】) 5.18(s,1H,−OH) 6.90(s,1H,【式】) 7.00(s,2H,【式】) 7.28(s,10H,【式】×2) 実施例 3 (1) (4R)−1−(3.5−ジ−tert.−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)−4−〔3,3−ビス(ジ
フエニルメチルオキシカルボニル)−2−オキ
ソプロピル〕−2−アゼチジノン0.350gおよび
炭酸水素ナトリウム0.038gを水5mlおよび酢
酸エチル10mlの混合溶媒に溶かし、これに5%
パルジウム炭素0.200gを加え、25℃で水素存
在下3時間接触還元する。反応終了後、触媒を
別した後、液に炭酸水素ナトリウムを加え
PH7.5に調整し、水層を分取する。分取した水
層に酢酸エチル15mlを加え、2N−塩酸でPH2.0
調整する。有機層を分取し、飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧
下に留去すれば、融点121゜〜122℃(分解)を
示す(4R)−1−(3.5−ジ−tert.ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)−4−(3−カルボキシ−
2−オキソプロピル)−2−アゼチジノン0.12
g(収率67.4%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O 1735,1710 νOH
3580 NMR(d5−DMSO)δ; 1.40(s,18H,−C(CH33×2) 2.35〜3.19(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2COC
H2COOH) 3.32(s,2H,−CH2 COOH) 3.79(m,1H,C4−Hα) 4.14(ABq,2H,【式】) 6.80(s,1H,−OH) 6.97(s,2H,【式】) (2) (1)で得られた(4R)−1−(3,5−ジ−
tert.−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−4
−(3−カルボキシ−2−オキソプロピル)−2
−アゼチジノン0.12gをアセトン5mlに溶か
し、ジフエニルジアゾメタンでエステル化す
る。過剰のジフエニルジアゾメタンを酢酸で処
理した後、反応後を減圧下に濃縮し、得られた
残留物を水5mlおよび酢酸10mlの混合溶媒に溶
かす。次に、これに炭酸水素ナトリウムを加
え、PH7.5に調整し、有機層を分取し、飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。 溶媒を減圧下に留去し、得られた残留物をカ
ラムクロマトグラフイー(シリカゲル C−
200;溶出液;ベンゼン:酢酸エチル=20:1)
で精製すれば油状物の(4R)−1−(3.5−ジ−
tert.−プチル−4−ヒドロキシベンジル)−4
−(3−ジフエニルメチルオキシカルボニル−
2−オキソプロピル)−2−アゼチジノン0.15
g(収率87.7%)を得る。このものは、実施例
2で得たものと同一の物性を示した。 実施例 4 (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4
−ヒドロキシベンジル)−4−(3−ジフエニルメ
チルオキシカルボニル−2−オキソプロピル)−
2−アゼチジノン1.71gおよび4−カルボキシベ
ンゼンスルホニルアジド0.740gをアセトニトリ
ル34mlに加え、氷冷下、トリエチルアミン1.29ml
を加え溶解させた後、25℃で1時間反応させる。 不溶物を別し、液を減圧下に濃縮する。得
られた残留物を酢酸エチル30mlに溶解させ、飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液、水、希塩酸、飽和食
塩水で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を減圧下に留去する。得られた残留物を
カラムクロマトグラフイー(シリカゲル C−
200;溶出液;ベンゼン:酢酸エチル=10:1)
で精製すれば、淡黄色の無定形固体として(4R)
−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジル)−4−(3−ジフエニルメチルオキ
シカルボニル−3−ジアゾ−2−オキソプロピ
ル)−2−アゼチジノン1.54g(収率86%)得る。 IR(ニート)cm-1;νN2 2125 νC=O 1740〜1715,1645 NMR(CDCl3)δ; 1.40(s,18H,−C(CH33×2) 2.30〜3.47(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2
COCN2−) 4.03(m,1H,C4−Hα) 4.22(ABq,2H,【式】) 5.11(s,1H,−OH) 6.89(s,1H,【式】) 6.97(s,2H,【式】 7.26(s,10H,【式】×2) 同様にして次の化合物を得た。 Γ (4R)−1−(3.5−ジ−tert.−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)−3−ジアゾ−2
−オキソプロピル〕−2−アゼチジノン 収率;90.9% 融点;137゜〜142℃(分解) IR(KBr)cm-1;νN2 2130,νC=O 1710 NMR(CDCl3)δ; 1.40(s,18H,−C(CH33×2) 2.4〜3.6(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2 COCN2
−) 3.95(m,1H,C4−Hα) 4.23(ABq,2H,【式】) 5.11(s,1H,−OH) 5.25(s,2H,【式】) 6.97(s,2H,【式】) 7.42(d,2H,【式】) 8.16(d,2H,【式】) Γ 同様にして(4R)−1−(3,5−ジ−tert.
−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3
−(フタリジルオキシカルボニル)−3−ジアゾ
−2−オキソプロピル〕−2−アゼチジノンを
ジアステレオマーの混合物として得、この2つ
をカラムクロマトグラフイー(シリカゲル)で
分離精製する。その上部スポツトである異性体
の物性は以下の通りである。 Rf=0.5
(展開溶媒、ベンゼン:酢酸エチル=1:1) 収率;45.0% IR(ニート)cm-1;νN2 2130,νC=O 1785,
1735 NMR(CDCl3)δ; 1.45(s,18H,−C(CH33×2) 2.4〜3.5(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2 COCN2
−) 3.97(m,1H,C4−Hα) 4.22(bs,2H,【式】) 5.15(s,1H,−OH) 6.95(s,2H,【式】) 7.1〜8.0(m,5H,【式】 また、下部スポツトである異性体の物性は、以
下の通りである。 Rf=0.4(展開溶媒、ベンゼン:酢酸エチル=
1:1) 収率;45.0% 融点;132゜〜133℃(分解) IR(KBr)cm-1;νN2 2130,νC=O 1785,
1735 NMR(CDCl3)δ; 1.42(s,18H,−C(CH33×2) 2.4〜3.5(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2 COCN2
−) 3.97(m,1H,C4−Hα) 4.25(ABq,2H,【式】) 5.13(s,1H,−OH) 6.97(s,2H,【式】) 7.1〜8.0(m,5H,【式】) Γ (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ピバロ
イルオキシメチルオキシカルボニル)−3−ジ
アゾ−2−オキソプロピル〕−2−アゼチジノ
ン 収率;90.1% IR(CH2Cl2)cm-1;νN2 2130,νC=O 1732 NMR(CDCl3)δ; 1.2(s,9H,−C(CH33) 1.41(s,18H,−C(CH33×2) 2.37〜3.37(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2
COCN2−) 3.77〜4.4(m,3H,C4−Hα,
【式】) 5.12(s,1H,−OH) 5.78(s,2H,−COOCH2 OCO−) 7.0(s,2H,【式】) 実施例 5 (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4
−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ジフエニル
メチルオキシカルボニル)−3−ジアゾ−2−オ
キソプロピル〕−2−アゼチジノン1.45gを塩化
メチレン11mlおよびメタノール22mlの混合溶媒に
溶かし、これにトリエチルアミン0.347mlを加え
た後、2,3−ジクロル−5,6−ジシアノ−p
−ベンゾキノン0.596gを加え、25℃で60分間反
応させる。反応液を減圧下に濃縮し、得られた残
留物にクロロホルム30mlを加え撹拌後、不溶物を
別する。液を減圧下に濃縮し、得られた残留
物をカラムクロマトグラフイー(シリカゲル C
−200;溶出液;クロロホルム)で精製すれば、
無定形固体の(4R)−1−(3,5−ジ−tert.−
ブチル−4−ヒドロキシ−α−メトキシベンジ
ル)−4−〔3−(ジフエニルメチルオキシカルボ
ニル)−3−ジアゾ−2−オキソプロピル〕−2−
アゼチジノンを得る。次に、これを、アセトン36
mlおよび水10mlの混合溶媒に溶かし、p−トルエ
ンスルホン酸を加え、PH0.8に調製したのち、25
℃で60分間反応させる。反応液に飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液を加え、PH6.5に調整する。不溶
物を別したのち、液を減圧下に濃縮し、得ら
れた残留物に酢酸エチルを加え、水、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液・希塩酸、飽和食塩水で順次
洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を
減圧下に留去する。得られた残留物をカラムクロ
マトグラフイー(シリカゲル C−200;溶出
液;ベンゼン:酢酸エチル=5:1〓2:1)で
精製すれば、融点110゜〜113℃(分解)を示す
(4R)−4−〔3−(ジフエニルメチルオキシカル
ボニル)−3−ジアゾ−2−オキソプロピル〕−2
−アゼチジノンの白色結晶0.615g(収率75.4%)
を得る。 IR(KBr)cm-1;νN2 2140 νC=O 1750,1700 NMR(CDCl3)δ; 2.3〜3.6(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2 COCN2
−) 3.90(m,1H,C4−Hα) 6.35(bs,1H,NH) 6.95(s,1H,【式】) 7.30(s,10H,【式】×2) 実施例 6 (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4
−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(4−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)−3−ジアゾ−2−
オキソプロピル〕−2−アゼチジノン1.8gを塩化
メチレン14mlおよびメタノール30mlの混合溶媒に
溶かし、これにトリエチルアミン0.46mlを加えた
後、2,3−ジクロル−5,6−ジシアノ−p−
ベンゾキノン0.780gを加え、25℃で60分間反応
させる。反応液を減圧下に濃縮し、得られた残留
物にクロロホルム35mlを加え撹拌後、不溶物を
別する。液を減圧下に濃縮し、得られた残留物
をカラムクロマトグラフイー(シリカゲル C−
200;溶出液;クロロホルム)で精製すれば、無
定形固体の(4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブ
チル−4−ヒドロキシ−α−メトキシベンジル)
−4−〔3−(4−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)−3−ジアゾ−2−オキソプロピル〕−2−ア
ゼチジノン1.76g(収率92.7%)をジアステレオ
マーの混合物として得る。 IR(CH2Cl2)cm-1;νN2 2130 νC=O 1745,1720 NMR(CDCl3)δ; 1.42(s,18H,−C(CH33×2 2.4〜3.5(m,4H,−CH2 CON2−,C3−Hα,
Hβ) 3.45,3.48(s,s,3H,−OCH 3) 3.6〜4.3(m,1H,C4−Hα) 5.21,5.33(s,s,2H,
【式】) 5.25(s,1H,−OH) 5.74,5.79(s,s,1H,【式】) 7.10,7.17(s,s,2H,
【式】) 7.42,7.50(d,d,2H,【式】) 8.18,8.20(d,d,2H,【式】) 実施例 7 (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4
−ヒドロキシ−α−メトキシベンジル)−4−〔3
−(4−ニトロベンジルオキシカルボニル)−3−
ジアゾ−2−オキソプロピル〕−2−アゼチジノ
ン1.4gをアセトン40mlおよび水20mlの混合溶媒
に溶かし、p−トルエンスルホン酸を加えて、PH
0.8に調整した後、25℃で60分間反応させる。反
応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えPH
6.5調整する。不溶物を別したのち液を減圧
下に濃縮し、得られた残留物に酢酸エチルを加
え、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、希塩
酸、飽和食塩水で、順次洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去する。得ら
れた残留物をカラムクロマトグラフイー(シリカ
ゲル C−200;溶出液;ベンゼン:酢酸エチル
=5:1→1:1)で精製すれば、(4R)−4−
〔3−(4−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
3−ジアゾ−2−オキソプロピル〕−2−アゼチ
ジノンの白色結晶0.57g(収率71.1%)を得る。 融点;90゜〜92℃(分解) IR(KBr)cm2-1;νN2 2130 νC=O 1710 NMR(CDCl3)δ; 2.4〜3.6(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2 COCN2
−) 3.95(m,1H,C4−Hα) 5.35(s,2H,【式】 6.62(bs,1H,NH) 7.45(d,2H,【式】) 8.14(d,2H,【式】) 〔α〕20 D=+45.2゜(C=0.500、ベンゼン) 上記の反応において、p−トルエンスルホン酸
に代えて、塩酸、又は酢酸を用いても、同様に
(4R)−4−〔3−(p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)−3−ジアゾ−2−オキソプロピル〕−
2−アゼチジノンを得た。 同様にして次の化合物を得た。 Γ (4R)−4−〔3−フタリジルオキシカルボ
ニル−3−ジアゾ−2−オキソプロピル)−2
−アゼチジノンのジアステレオマーの混合物。 収率;66% IR(ニート)cm-1;νN2 2130 νC=O 1780,1730 NMR(CDCl3)δ; 2.2〜3.5(m,4H,C3−Hα,Hβ,−C 2COCN2
−) 3.92(m,1H,C4〜Hα) 6.41(bs,1H,NH) 7.1〜8.0(m,5H,【式】) Γ (4R)−4−〔3−(ピバロイルオキシメチル
オキシカルボニル)−3−ジアゾ−2−オキソ
プロピル〕−2−アゼチジノン 収率;65.6% IR(ニート)cm-1;νN2 2130 νC=O 1760〜1720 NMR(CDCl3)δ; 1.23(s,9H,−C 33) 2.25〜3.40(m,4H,C3−Hα,Hβ,−C 2
−COCH2−) 4.00(m,1H,C4−Hα) 5.83(s,2H,−OC 2OCO−) 6.38(bs,1H,NH) 実施例 8 (4R)−4−(3−ジフエニルメチルオキシカ
ルボニル−3−ジアゾ−2−オキソプロピル)−
2−アゼチジノン0.48gを無水ベンゼン24mlに溶
解させ、これに酢酸第二ロジウム0.002gを加え、
75゜〜78℃で1時間反応させる。反応終了後、室
温まで冷却し、不溶物を別する。この液を減
圧下に濃縮し、得られた残留物をカラムクロマト
グラフイー(シリカゲル C200;溶出液;ベン
ゼン:酢酸エチル=10:1)で精製し、ジエチル
エーテルで処理すれば、融点95゜〜97℃を示すジ
フエニルメチル(2R,5R)−3,7−ジオキソ
−1−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘプタン−2−カ
ルボキシラート0.4g(収率90.0%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O 1767,1740 NMR(CDCl3)δ; 2.27(d,d,1H,C4−Hβ) 2.57〜3.05(m,2H,C4−Hα,C6−Hβ) 3.52(d,d,1H,C6−Hα) 4.02(m,1H,C5−Hα) 4.74(s,1H,C2−H) 6.79(s,1H,【式】) 7.23(s,10H,【式】) 〔α〕20 D=+166.5゜(C=1.0,ベンゼン) 同様にして次の化合物を得た。 Γ 4−ニトロベンジル=(2R,5R)−3,7−
ジオキソ−1−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘプタ
ン−2−カルボキシラート(油状物)。 収率;89.8% IR(ニート)cm-1;νC=O 1775〜1730 NMR(CDCl3)δ; 2.1〜3.24(m,3H,C4−H×2,C6−Hβ) 3.58(d,d,1H,C6−Hα) 4.10(m,1H,C5−Hα) 4.74(s,1H,C2−H) 5.31(s,2H,【式】) 7.59(d,2H,【式】) 8.17(d,2H,【式】) Γ フタリジル=(2R,5R))−3,7−ジオキ
ソ−1−アゼビシクロ〔3.2.0〕ヘプタン−2
−カルボキシラート(油状物)。 収率;97.3% IR(ニート)cm-1;νC=O 1780〜1740 NMR(CDCl3)δ; 2.40(d,d,1H,C4−Hβ) 2.65〜3.25(m,2H,C4−Hα,C6−Hβ) 3.56(d,d,1H,C6−Hα) 4.10(m,1H,C5−Hα) 4.72(s,1H,C2−H) 7.15〜7.95(m,5H,【式】 Γ ピバロイルオキシメチル=(2R,5R)−3,
7−ジオキソ−1−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘ
プタン−2−カルボキシラート。 収率;94.1% IR(ニート)cm-1;νC=O 1780〜1740 NMR(CDCl3)δ; 1.23(s,9H,−C(C 33) 2.44(d,d,1H,C4−Hβ) 2.70〜3.20(m,2H,C4−Hα,C6−Hβ) 3.64(d,d,1H,C6−Hα) 4.10(m,1H,C5−H) 4.70(s,1H,C2−H) 5.78(s,2H,−OC 2OCO−) 参考例 1 (1) L−アスパラギン酸100gに80%硫酸および
ベンジルアルコール250g順次加え、70℃の湯
浴上で撹拌する。同温度で2時間30分撹拌後、
減圧下に濃縮する。残留物を炭酸水素ナトリウ
ム140gを含む冷水500ml中に投入する。ジエチ
ルエーテル300mlを加えよく撹拌し、析出する
結晶を取する。得られた結晶を冷水150mlで
洗浄し、水から再結晶すれば融点222℃を示す
L−アスパラギン酸−β−ベンジルエステル86
g(収率52%)を得る。 (2) L−アスパラギン酸−β−ベンジルエステル
106gをアセトン300mlおよび水300mlの混合溶
液を加え、さらにトリエチルアミン99mlを加え
て溶解させる。得られた溶液に2−tert.−ブト
キシカルボニルオキシイミノ−2−フエニルア
セトニトリル117gを加え、室温下2時間撹拌
する。アセトンを減圧下に留去した溶液に水
200mlを加え、酢酸エチル150mlずつで3回洗浄
する。洗浄後に、クエン酸にて酸性とした後、
酢酸エチル500mlを加え抽出後、有機層を分取
する。分取した有機層を飽和食塩水100mlで洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
減圧下に留去する。得られた残留物に酢酸エチ
ル−石油エーテル(1:5)400mlを加えて結
晶を取すれば、融点102〜103℃を示すN−
tert.−ブトキシカルボニル−L−アスパラギン
酸−β−ベンジルエステル122g(収率80%)
を得る。 (3) N−tert.−ブトキシカルボニル−L−アスパ
ラギン酸−β−ベンジルエステル10.3gを無水
ベンゼン120ml中に加え、さらにテトラメチル
エチレンジアミン2.4mlを加えて溶解させる。
得られた溶液に5゜〜7℃でイソブチルクロロホ
ルメート4.6mlを5分間を要して滴下する。同
温度で40分間撹拌したたのち、これを別に調製
しておいたジアゾメタンのジエチルエーテル溶
液(ニトロソメチル尿素22gを使用して調製し
た)中へ−10℃にて加える。0〜5℃で1時
間、さらに撹拌下30分間を要して室温まで徐々
に昇温させる。その後過剰のジアゾメタンを減
圧下に留去し、不溶物を別する。液の溶媒
を減圧下に留去すれば、ベンジル=(3S)−5
−ジアゾ−3−(tert.−ブトキシカルボニル)
アミノ−4−オキソペンタノエート11.9gを得
る。これを無水メタノール45mlに溶解させ、こ
れに安息香酸銀のトリエチルアミン溶液(安息
香酸銀0.5gをトリエチルアミン4.5mlに溶かし
て調製した)0.45mlを加え撹拌する。さらに1
時間撹拌した後、活性炭0.5gを加え10分間還
流させた後、不溶物を別する。液の溶媒を
減圧下に留去し、得られた残留物をジエチルエ
ーテル120mlに溶解させる。ジエチルエーテル
溶液を水20ml、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
20ml、飽和食塩水20mlで順次洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去す
る。得られた残留物をカラムクロマトグラフイ
ー(シリカゲル C−200;溶出液;ベンゼ
ン:酢酸エチル=35:1)にて精製すれば、油
状のベンジル=(3R)−3−(tert.−ブトキシカ
ルボニル)アミノ−4−メトキシカルボニルブ
タノエート7.8g(収率69%)を得る。 IR(ニート)cm-1;νNH 3360,νC=O 1670
〜1740 NMR(CDCl3)δ; 1.43(s,9H,−CH3×3) 2.55〜2.85(m,4H,CH2×2) 3.65(s,3H,−OCH3) 4.33(m,1H,CH) 5.13(s,2H,【式】) 5.35(d,1H,−NH−) 7.35(s,5H,【式】) 元素分析値(C18H25NO6) C H N 計算値(%) 61.52 7.17 3.99 実測値(%) 61.22 7.18 3.82 〔α〕20 D=+3.4゜(C=4.05,ベンゼン) (4) ベンジル=(3R)−3−(tert.−ブトキシカル
ボニル)アミノ−4−メトキシカルボニルブタ
ノエート35gに氷冷下2.6Nの塩化水素−酢酸
エチル溶液115mlを加える。その後室温で1.5時
間撹拌する。得られた溶液に水100mlを加え、
水層を分取する。分取した水層を酢酸エチルで
洗浄する。得られた水層に酢酸にエチル100ml
を加え、これに炭酸水素ナトリウムを加えてア
ルカリ性とする。酢酸エチル層を分取し、これ
を飽和食塩水20mlで洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒を留去すれば、油状のベン
ジル=(3R)−3−アミノ−4−メトキシカル
ボニルブタノエート22.5g(収率90%)を得
る。 IR(ニート)cm-1;νNH 3300〜3400 νC=O 1720 NMR(CDCl3)δ; 1.85(bs,2H,−NH2) 2.30〜2.65(m,4H,CH2×2) 3.65(m,1H,CH) 3.67(s,3H,−OCH3) 5.15(s,2H,【式】) 7.36(s,5H,【式】) 〔α〕20 D=−2.6゜(C=2.22,ベンゼン) (5) ベンジル=(3R)−3−アミノ−4−メトキ
シカルボニルブタノエート37.2gと3.5−ジ−
tert.−ブチル−4−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド38gをベンゼン300ml中に加え、共沸脱水し
ながら2.5時間反応させる。 反応液を減圧下に留去し、得られた残留物に
メタノール500mlを加え、不溶物を別する。
液に5%パラジウム炭素15gを加え、室温で
水素存在下接触還元する。反応終了後、パルジ
ウム炭素を別し、溶媒を減圧下に留去する。
得られた残留物を酢酸エチル300mlに溶解させ、
これを、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去
する。得られた残留物をアセトン150mlで処理
すれば、融点135℃を示す(3S)−3−(3,5
−ジ−tert.−ブチル−4−ヒドロキシベンジル
アミノ)−4−メトキシカルボニルブタノイツ
クアシツド37.1gを得る。(収率66.1%) IR(ニート)cm-1;νC=O 1718,νNH 3450,
νOH 33620 NMR(d6−DMSO)δ; 1.45(s,18H,−C(CH33×2) 2.15〜2.82(m,5H,【式】) 3.56(m,2H,【式】) 3.63(s,3H,−OCH3) 3.78(s,1H,−OH) 6.95(bs,1H,−NH−) 7.09(s,2H,【式】) 〔α〕20 D=−7.7゜(C=1,メタノール) (6) (3S)−3−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジルアミノ)−4−メトキ
シカルボニルブタノイツクアシツド6.0gを塩
化メチレン60mlに加えた後、塩化チオニル3.45
mlを氷冷下滴下する。 室温で3時間撹拌した後、溶媒を減圧下に留
去する。得られた残留物に無水ベンゼンを加
え、減圧下に留去することを2回繰り返す。得
られた残留物を塩化メチレン160mlを溶解させ、
この溶液中に、25℃でトリエチルアミン2.75ml
を含む塩化メチレン溶液23mlを1時間で滴下す
る。滴下終了後、さらに30分間撹拌した後、反
応液を減圧下に濃縮する。得られた残留物を酢
酸エチル90mlおよび水50mlの混合溶媒に溶かし
た後、有機層を分取する。分取した有機層に水
30mlを加え、撹拌下2N−塩酸を滴下し、PH2
に調整する。有機層を分取し、水および飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。溶媒を減圧下に留去し、得られた残留物を
h−ヘキサンで処理すれば、融点75゜〜77℃を
示す(4S)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル
−4−ヒドロキシベンジル)−4−メトキシカ
ルボニルメチル−2−アゼチジノン5.2g(収
率91.0%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O 1720,1740 νOH
3550 NMR(CDCl3)δ; 1.40(s,18H,−C(CH33×2) 2.30〜4.00(m,5H,C3−Hα,Hβ,C4−Hα,−
H2 CO2CH3) 3.55(s,3H,−OCH3) 4.21(q,2H,【式】) 5.14(s,1H,【式】) 6.96(s,2H,【式】) 〔α〕20 D=+28.0(C=1,ベンゼン) (7) (4S)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−メトキシカル
ボニルメチル−2−アゼチジノン7.40gをテト
ラヒドロフラン22mlに溶解させ、氷冷下N−水
酸化ナトリウム水溶液40.95mlおよびメタノー
ル7.4mlを加えた後、室温で20分間撹拌下反応
させる。反応液に2N−塩酸を加えPH6.5とした
後、減圧下液量が約1/2になるまで濃縮する。
得られた残留液に酢酸エチル20mlを加え、炭酸
カリウムでPH8.0にした後、水層を分取し、分
取した水層を酢酸エチル20mlで洗浄する。この
水層に酢酸エチル30mlを加え、次に2N−塩酸
を滴下してPH2.0に調整する。有機層を分取し、
飽和食塩水で洗浄後、カーボンで脱色し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧下に
留去し結晶化させ、これをジエチルエーテルで
処理すれば、融点158℃を示す(4S)−1−
(3,5−ジ−tert.−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)−4−カルボキシメチル−2−アゼ
チジノン5.9g(収率84.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O 1680,1725 νOH
3620 NMR(CDCl3)δ; 1.44(s,18H,−C(CH33×2) 2.15〜4.05(m,5H,C3−Hα,Hβ,C4−Hα,−
H2 COOH) 4.25(q,2H,【式】) 5.23(bs,1H,【式】) 6.99(s,2H,【式】) 10.50(bs,1H,−COO) 〔α〕20 D=+17.9゜(C=1,エタノール) (8) (4S)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−カルボキシメ
チル−2−アゼチジノン1gを無水塩化メチレ
ン5mlに溶解させ、氷冷下塩化チオニル0.42ml
を加え、室温で1時間反応させる。反応終了
後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残留物に
無水ベンゼンを加え減圧下に留去することを2
回繰り返し、油状の酢クロリド〔IR(CH2Cl2
cm-1;νC=O 1780,1750〕を得る。これを
塩化メチレン10mlに溶解させる。 一方、ジフエニルメチル−4−ニトロベンジ
ル−マロネート2.5gを無水テトラヒドロフラ
ン20mlに溶解させ、−20℃で水素化ナトリウム
(純度50%)0.300gを加え、1時間で水素約
140c.c.を発生させながら0℃まで昇温させる。
これを、−30℃に冷却し、先に調製した酸クロ
リドの塩化メチレン10mlの溶液を、約2分間で
滴下する。さらに−20゜〜−10℃で30分間反応
させた後、酢酸0.165mlを加え、昇温させ、溶
媒を減圧下に留去する。得られた残留物に水30
ml、酢酸エチル30mlを加え、炭酸水素ナトリウ
ムでPH7.5に調整し、有機層を分取する。さら
に分取した有機層に水30mlを加え、2N−塩酸
でPH2.0調整し有機層を分取する。分取した有
機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去する。得ら
れた残留物をカラムクロマトグラフイー(シリ
カゲル C−200;溶出液;ベンゼン〓ベンゼ
ン;酢酸エチル=10:1)で精製すれば油状の
(4R)−1−(3.5−ジ−tert.−ブチル−4−ヒド
ロキシベンジル)−4−〔3−(ジフエニルメチ
ルオキシカルボニル)−3−(4−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル)−2−オキソプロピル〕−
2−アゼチジノン1.46g(収率69.03%)を得
る。 IR(KBr)cm-1;νC=O 1740 NMR(CDCl3)δ; 1.4(s,18H,−C(CH33×2) 2.5〜3.2(m,4H,【式】C3 −Hα,Hβ) 3.6〜4.7(m,4H,C4−H,
【式】【式】) 5.13(s,1H,−OH) 5.2(s,2H,【式】) 6.9(s,3H,【式】 【式】) 7.2(s,10H,【式】×2) 7.25(d,2H,【式】) 7.9(d,2H,【式】) (9) (4S)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−カルボキシメ
チル−2−アゼチジノン0.5gを塩化メチレン
5mlに溶解させ、N−メチルモルホリン0.16ml
を加え、次いで−20℃でクロル炭酸エチル0.14
mlを加え、−10℃〜−20℃で1時間反応させる。 一方、先の参考例1−(8)と同様に調製したナ
トリウムジフエニル−p−ニトロベンジルマロ
ネートの無水テトロヒドロフラン溶液を−30℃
冷却し、これを先に調製した混合酸無水物の−
30℃に冷却した溶液中に約1分間で滴下した
後、先の参考例1−(8)と同様に処理すれば、
(4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ジフエニル
メチルオキシカルボニル)−3−(4−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)−2−オキソプロピ
ル〕−2−アゼチジノン0.74g(収率69.8%)
を得る。 同様にして次の化合物を得た。 Γ (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3,3−ビス
(ジフエニルメチルオキシカルボニル)−2−オ
キソプロピル〕−2−アゼチジノン 収率;79.2% 融点;126゜〜127℃ IR(KBr)cm-1;νC=O 1740,1715 NMR(CDCl3)δ; 1.38(s,18H,−C(CH33×2) 2.23〜2.9(m,4H,C3−Hα,Hβ,
【式】) 3.65〜4.6(m,3H,C4−Hα,
【式】) 5.13(s,1H,−OH) 6.93(s,2H,【式】) 6.98(s,2H,【式】) 7.2(s,20H,【式】×4) 13.78(s,1H,【式】) 〔α〕20 D=+29.4゜(C=1.0,ベンゼン) Γ (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3,3−ビス
(4−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−
オキソプロピル〕−2−アゼチジノン 収率;67.1% IR(ニート)cm-1;νC=O 1730 NMR(CDCl3)δ; 1.43(s,18H,−C(CH33×2) 2.35〜3.3(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2
COCH) 3.7〜4.7(m,3H,C4−Hα,
【式】) 5.15〜5.35(m,5H,−OH,
【式】×2) 6.98(s,2H,【式】) 7.4(d,4H,【式】×2) 8.18(d,4H,【式】×2) 13.64(s,1H,【式】) Γ (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ジフエ
ニルメチルオキシカルボニル)−3−(フタリジ
ルオキシカルボニル)−2−オキソプロピル〕−
2−アゼチジノン 収率;57.3% IR(ニート)cm-1;νC=O 1785,1740 NMR(CDCl3)δ; 1.40(s,18H,−C(CH33×2) 2.4〜3.3(m,4H,C3−Hα,Hβ,−CH2 CO−) 3.5〜4.6(m,3H,C4−Hα,
【式】) 5.13(s,1H,−OH) 6.82(s,1H,【式】) 6.94(s,2H,【式】) 7.05(s,10H,【式】×2) 7.1〜8.0(m,5H,【式】) 13.7(s,1H,【式】) Γ (4R)−1−(3,5−ジ−tert.−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)−4−〔3−(ジフエ
ニルメチルオキシカルボニル)−3−(ピバロイ
ルオキシメチルオキシカルボニル)−2−オキ
ソプロピル〕−2−アゼチジノン 収率;30.0% IR(ニート)cm-1;νC=O 1740 NMR(CDCl3)δ; 1.19(s,9H,−OCOC(CH3 3) 1.41(s,18H,【式】) 2.21〜3.02(m,4H,C3−Hα,Hβ,
【式】) 3.60〜4.60(m,3H,C4−H,
【式】) 5.20(s,1H,−OH) 5.86(s,2H,−OCH2 OCOC(CH33) 7.00(s,3H,【式】 【式】) 7.31(s,10H,【式】×2) 13.70(s,1H,【式】)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、R1はカルボキシル基の保護基を、R2
    はアミノ基の保護基を示す。〕 で表わされる(4R)−ジアゾ−2−アゼチジノン
    類のアミノ基の保護基を脱離させて、一般式 〔式中、R1は前述の意味を示す。〕 で表わされる(4R)−ジアゾ−2−アゼチジノン
    類を得、ついで閉環反応させ、所望により、カル
    ボキシル基の保護基を脱離させるか、あるいは脱
    離させたのち塩化又は保護基を導入することを特
    徴とする、一般式 〔式中、Rは水素原子、カルボキシル基の保護
    基又は塩形成陽イオンとを示す。〕 で表わされる(2R,5R)−3−オキソ−7−オ
    キソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン
    −2−カルボン酸類の製造法。 2 閉環反応を触媒の存在下に行なうことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の(2R,5R)
    −3−オキソ−7−オキソ−1−アザビシクロ
    〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸類の製
    造法。 3 触媒が酢酸第二ロジウムであることを特徴と
    する特許請求の範囲第2項記載の(2R,5R)−
    3−オキソ−7−オキソ−1−アザビシクロ
    〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸類の製
    造法。 4 R2が少なくとも水酸基で置換されたアルア
    ルキル基である特許請求の範囲第1〜3項いずれ
    か記載の(2R,5R)−3−オキソ−7−オキソ
    −1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2
    −カルボン酸類の製造法。 5 R2が一般式 〔式中、A,B,C,Dは、それぞれ水素原
    子、アルキル基、水酸基、ハロゲン原子、アミノ
    基、アシルアミノ基、ニトロ基、アシルオキシ
    基、アルコキシ基であるか、あるいは、AとB
    (又はCとD)が結合して、C5〜C7の炭素環式環
    を形成していることを示す。〕 で表わされる基であることを特徴とする特許請求
    の範囲第4項記載の(2R,5R)−3−オキソ−
    7−オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘ
    プタン−2−カルボン酸類の製造法。 6 アミノ保護基の脱離を○イ酸化剤を作用させて
    R2をキノン誘導体とし、○ロつぎに、それに求核
    試剤を付加させ、○ハついで、酸の存在下加水分解
    する、という段階を経て行なうことを特徴とする
    特許請求の範囲第4項または第5項記載の(2R,
    5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−アザビシク
    ロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸類の
    製造法。 7 酸化剤がDDQ(ジシアノ−ジクロロ−P−ベ
    ンゾキノン)である特許請求の範囲第6項記載の
    (2R,5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−アザ
    ビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン
    酸類の製造法。 8 求核試剤がアルコール類である特許請求の範
    囲第6項記載の(2R,5R)−3−オキソ−7−
    オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタ
    ン−2−カルボン酸類の製造法。 9 求核試剤がメタノールである特許請求の範囲
    第7項記載の(2R,5R)−3−オキソ−7−オ
    キソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン
    −2−カルボン酸類の製造法。 10 一般式 〔式中、R2はアミノ基の保護基を、R3および
    R4は水素原子またはカルボキシル基の保護基を
    示す。〕 で表わされる(4R)−4−〔3,3−ビス(カル
    ボキシ)−2−オキソ−プロピル〕−2−アゼチジ
    ノン誘導体を、所望によりカルボキシル基の保護
    基R3および/またはR4を脱離させてから脱炭酸
    させ、脱炭酸後、所望により生成物のカルボキシ
    ル基を保護して、一般式 〔式中、R1はカルボキシ基の保護基を、R2
    前述の意味を示す。〕 で表わされる(4R)−4−(3−カルボキシ−2
    −オキソ−プロピル)−2−アゼチジノン誘導体
    を得、ついでこれにジアゾ化剤を作用させて、一
    般式 〔式中、R1およびR2は前述した意味を示す。〕 で表わされ(4R)−4−(3−カルボキシ−3−
    ジアゾ−2−オキソ−プロピル)−2−アゼチジ
    ノン誘導体を得、その後、アミノ基の保護基を脱
    離させて、一般式 〔式中、R1は前述した意味を示す。〕 で表わされる(4R)−4−(3−カルボキシ−3
    −ジアゾ−2−オキソ−プロピル)−2−アゼチ
    ジノン誘導体を得、これを閉環させ、所望によ
    り、カルボキシル基の保護基を脱離させるか、あ
    るいは脱離させたのち塩化又は保護基を導入する
    ことを特徴とする、一般式 〔式中、Rは水素原子、カルボキシル基の保護
    基、又は塩形成陽イオンを示す。〕 で表わされる(2R,5R)−3−オキソ−7−オ
    キソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン
    −2−カルボン酸類の製造法。 11 R3,R4のいずれか一方が水素原子である
    特許請求の範囲第10項記載の(2R,5R)−3
    −オキソ−7−オキソ−1−アザビシクロ〔3,
    2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸類の製造法。 12 R3,R4が相異なるカルボキシル保護基で
    あつて、かつ脱離反応条件下において、一方のの
    みが選択的に脱離され、他方が安定に残存する組
    み合わせである特許請求の範囲第10項記載の
    (2R,5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−アザ
    ビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン
    酸類の製造法。 13 R3が酸又は水によつて脱離され、R4が還
    元処理によつて脱離される基である特許請求の範
    囲第12項記載の(2R,5R)−3−オキソ−7
    −オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプ
    タン−2−カルボン酸類の製造法。 14 R3が酸又は水によつて脱離され、R4が酵
    素によつて脱離される基である特許請求の範囲第
    12項記載の(2R,5R)−3−オキソ−7−オ
    キソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン
    −2−カルボン酸類の製造法。 15 R3が還元処理によつて脱離され、R4が酵
    素によつて脱離される基である特許請求の範囲第
    12項記載の(2R,5R)−3−オキソ−7−オ
    キソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン
    −2−カルボン酸類の製造法。 16 R3,R4が、同一のカルボキシル保護基で
    ある特許請求の範囲第10項記載の(2R,5R)
    −3−オキソ−7−オキソ−1−アザビシクロ
    〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸類の製
    造法。 17 閉環反応を触媒の存在下に行なうことを特
    徴とする特許請求の範囲第10項記載の(2R,
    5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−アザビシク
    ロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン酸類の
    製造法。 18 触媒が酢酸第二ロジウムである特許請求の
    範囲第17項記載の(2R,5R)−3−オキソ−
    7−オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘ
    プタン−2−カルボン酸類の製造法。 19 R2が少なくとも水酸基で置換されたアル
    アルキル基である特許請求範囲第10項記載の
    (2R,5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−アザ
    ビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カルボン
    酸類の製造法。 20 R2が、一般式 〔式中、A,B,C,Dはそれぞれ、水素原
    子、アルキル基、水酸基、ハロゲン原子、アミノ
    基、アシルアミノ基、ニトロ基、アシルオキシ
    基、アルコキシ基であるか、あるいは、AとB
    (又はCとD)が結合して、C5〜C7の炭素環式環
    を形成していることを示す。〕 で表わされる基であることを特徴とする特許請求
    の範囲第20項記載の(2R,5R)−3−オキソ
    −7−オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕
    ヘプタン−2−カルボン酸類の製造法。 20 アミノ保護基の脱離を○イ酸化剤を作用させ
    てR2をキノン誘導体とし、○ロつぎに、それに求
    核試剤を付加させ、ついで○ハ酸の存在下、加水分
    解する、という各段階を経て行なうことを特徴と
    する特許請求の範囲第19項または第20項記載
    の(2R,5R)−3−オキソ−7−オキソ−1−
    アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カル
    ボン酸類の製造法。 22 酸化剤がDDQ(ジシアノ−ジクロロ−p−
    ベンゾキノン)である特許請求の範囲第21項記
    載の(2R,5R)−3−オキソ−7−オキソ−1
    −アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2−カ
    ルボン酸類の製造法。 23 求核試剤がアルコール類である特許請求の
    範囲第21項記載の(2R,5R)−3−オキソ−
    7−オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘ
    プタン−2−カルボン酸類の製造法。 24 求核試剤がメタノールである特許請求の範
    囲第22項記載の(2R,5R)−3−オキソ−7
    −オキソ−1−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプ
    タン−2−カルボン酸類の製造法。
JP10187080A 1980-07-26 1980-07-26 Preparation of (2r,5r)-3-oxo-7-oxo-1-azabicyclo (3. 2. 0 heptane-2-carboxylic acids) Granted JPS5728090A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10187080A JPS5728090A (en) 1980-07-26 1980-07-26 Preparation of (2r,5r)-3-oxo-7-oxo-1-azabicyclo (3. 2. 0 heptane-2-carboxylic acids)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10187080A JPS5728090A (en) 1980-07-26 1980-07-26 Preparation of (2r,5r)-3-oxo-7-oxo-1-azabicyclo (3. 2. 0 heptane-2-carboxylic acids)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5728090A JPS5728090A (en) 1982-02-15
JPS634542B2 true JPS634542B2 (ja) 1988-01-29

Family

ID=14312013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10187080A Granted JPS5728090A (en) 1980-07-26 1980-07-26 Preparation of (2r,5r)-3-oxo-7-oxo-1-azabicyclo (3. 2. 0 heptane-2-carboxylic acids)

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5728090A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5728090A (en) 1982-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Knapp et al. Synthesis and reactions of iodo lactams
JPS6135197B2 (ja)
FR2676446A1 (fr) Nouveaux derives du thiopyranopyrrole, leur preparation et les compositions pharmaceutiques qui les contiennent.
FR2550533A1 (fr) Procede pour la fabrication de derives de type penem
JPH0557980B2 (ja)
CA1238331A (fr) Ethers dont les restes organiques comportent des atomes chiraux, leur preparation et leur application au dedoublement d'alcools ou de certains composes hemiacetaliques
BE881862A (fr) Composes antibacteriens et inhibiteurs de beta-lactamase, procede pour les preparer et leur usage comme medicaments
FR2518098A1 (fr) Procede pour la preparation de derives penem optiquement actifs
CH644101A5 (fr) Analogues de la prostaglandine e(1) et compositions pharmaceutiques les contenant.
JPS634542B2 (ja)
JPH0123460B2 (ja)
JPS6254310B2 (ja)
JPH0135823B2 (ja)
US6867297B1 (en) Process for synthesizing 4-substituted azetidinone derivatives
JPS6328423B2 (ja)
Nishi VERSATILE SYNTHESIS OF AN INTERMEDIATE FOR THE 1 b-METHYLCARBAPENEM SYNTHESIS
JPS5946288A (ja) β−ラクタム誘導体の製造方法
JPS6310758A (ja) 光学活性ピロリジン誘導体、その製造方法及びその使用
JPH06104672B2 (ja) ペネム類の製造方法
JPH0147466B2 (ja)
JPH0250107B2 (ja)
JPS63277655A (ja) スルホンアミド置換不飽和脂肪酸
CH633290A5 (en) Process for preparing derivatives of 7-oxo-1,3-diazabicyclo[3.2.0]heptane-2-carboxylic acid
EP0638552B1 (en) Process for synthesizing 4-substituted azetidinone derivative
JPH0254356B2 (ja)