JPS6347344A - 低酸素合金成形体の製造法 - Google Patents
低酸素合金成形体の製造法Info
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- JPS6347344A JPS6347344A JP19043286A JP19043286A JPS6347344A JP S6347344 A JPS6347344 A JP S6347344A JP 19043286 A JP19043286 A JP 19043286A JP 19043286 A JP19043286 A JP 19043286A JP S6347344 A JPS6347344 A JP S6347344A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
童栗上皇且度光旦
本発明は電子部品用材料などの不純物含量の少いことが
要求される材料、特に低酸素含量の合金材料の製造法に
関する。
要求される材料、特に低酸素含量の合金材料の製造法に
関する。
監來尖バ五
電子デバイスなどを製作するための材料、いわゆる電子
材料として、不純物含量の少い合金などが必要とされる
。また、かかる材料を用いてICなどの電子デバイスや
各種記憶媒体などを製作しようとするときは、スパッタ
リング用クーゲットの形態で使用されることが多い。
材料として、不純物含量の少い合金などが必要とされる
。また、かかる材料を用いてICなどの電子デバイスや
各種記憶媒体などを製作しようとするときは、スパッタ
リング用クーゲットの形態で使用されることが多い。
スパッタリング用クーゲットは、例えば径がIQcmと
いうような大型の平板として用いられることが多く、材
料がたとえば合金などであるときは、ば熔融体から鋳造
などの方法で成形されることもある。しかし成分が偏析
し易い場合などでは徐冷すると均一な品質が得られずま
た急冷すると内部応力のためにクランク等が生じて大型
の成形品は得られない。
いうような大型の平板として用いられることが多く、材
料がたとえば合金などであるときは、ば熔融体から鋳造
などの方法で成形されることもある。しかし成分が偏析
し易い場合などでは徐冷すると均一な品質が得られずま
た急冷すると内部応力のためにクランク等が生じて大型
の成形品は得られない。
そこで、均質で大型の成形品を得るために、金属粉末を
焼結する方法が採用されるが、金属を粉化するに際して
不純物が混入し易く、また表面積が大きいため酸化を受
は易くて、高純度低酸素含量の焼結成形品が得難いとい
う欠点がある。特に酸化しやすい金属を成分として含有
する合金の場合には、還元性雰囲気で焼結を行っても酸
素含量を低下させることは困難であった。しかもなお、
機械的に粉砕した合金では粒度分布が広く概して粗いた
め、焼結成形品の空隙率が高く成形後でも空気酸化を受
は易いとう欠点を有している。
焼結する方法が採用されるが、金属を粉化するに際して
不純物が混入し易く、また表面積が大きいため酸化を受
は易くて、高純度低酸素含量の焼結成形品が得難いとい
う欠点がある。特に酸化しやすい金属を成分として含有
する合金の場合には、還元性雰囲気で焼結を行っても酸
素含量を低下させることは困難であった。しかもなお、
機械的に粉砕した合金では粒度分布が広く概して粗いた
め、焼結成形品の空隙率が高く成形後でも空気酸化を受
は易いとう欠点を有している。
解ンしようとする問題点
上述の如く、酸化され易い金属成分を含む電子材料用合
金で均質かつ大型の成形品を得ようとすると、どうして
も酸化され易く酸素含量が高いものしか得られないとい
う問題点があり、全ての取扱い作業を無酸素の環境下で
行なう以外に方法がなかった。
金で均質かつ大型の成形品を得ようとすると、どうして
も酸化され易く酸素含量が高いものしか得られないとい
う問題点があり、全ての取扱い作業を無酸素の環境下で
行なう以外に方法がなかった。
そこで、本発明は、かかる合金の大型成形品の酸素含量
を大幅に低下させることができる新規な方法を提供しよ
うとするものである。これを換言すれば、酸化し易い金
属を成分として含有する合金の低酸素含量の成形品であ
って大気中で取扱っても酸化され難いものを製造する方
法を提供することが、本発明の目的である。
を大幅に低下させることができる新規な方法を提供しよ
うとするものである。これを換言すれば、酸化し易い金
属を成分として含有する合金の低酸素含量の成形品であ
って大気中で取扱っても酸化され難いものを製造する方
法を提供することが、本発明の目的である。
〔発明の構成〕
間 屯を解°するための
前記の如き本発明の目的は、少くとも水素化物を形成し
得る金属成分を含む金属配合物を還元性または不活性雰
囲気中で溶融することによって酸素含量の多い部分と酸
素含量の少ない部分とに分離し、該酸素の少い部分を冷
却固化させたのち水素化することにより粉体に転換し、
得られた粉体を真空下または不活性雰囲気中で焼結する
ことを特徴とする低酸素合金成形体の製造法によって達
成される。
得る金属成分を含む金属配合物を還元性または不活性雰
囲気中で溶融することによって酸素含量の多い部分と酸
素含量の少ない部分とに分離し、該酸素の少い部分を冷
却固化させたのち水素化することにより粉体に転換し、
得られた粉体を真空下または不活性雰囲気中で焼結する
ことを特徴とする低酸素合金成形体の製造法によって達
成される。
本発明における合金は、本質的にどのようなものであっ
てもよいが、合金中に含まれる成分の少くとも1種また
は2種あるいはそれ以上が酸化し易い金属であるもので
あるとき、特にすぐれた効果があられれる。更にそれほ
ど酸化し易くはない金属のみからなる合金の場合は、酸
化され易い金属を含む合金に比較して改善効果はそれほ
ど顕著でないが、それでも酸素の含量を低下させるに有
効である。
てもよいが、合金中に含まれる成分の少くとも1種また
は2種あるいはそれ以上が酸化し易い金属であるもので
あるとき、特にすぐれた効果があられれる。更にそれほ
ど酸化し易くはない金属のみからなる合金の場合は、酸
化され易い金属を含む合金に比較して改善効果はそれほ
ど顕著でないが、それでも酸素の含量を低下させるに有
効である。
かかる合金には、その成分のうちの少くとも1種として
水素化物を形成しうる金属が配合されなければならない
。水素化物を形成しうる金属としては、周期律表の2A
、3A、4A、5A、6Aなどに属する金属、とくに希
土類金属やチタン、ジルコニウムなどが好ましく用いら
れるが、このような金属は、合金の本質的な必須成分と
して含有されるものであってもよく、また任意成分であ
っても、あるいは必要成分でないが添加しても無害であ
る成分として含有されてもよい。
水素化物を形成しうる金属が配合されなければならない
。水素化物を形成しうる金属としては、周期律表の2A
、3A、4A、5A、6Aなどに属する金属、とくに希
土類金属やチタン、ジルコニウムなどが好ましく用いら
れるが、このような金属は、合金の本質的な必須成分と
して含有されるものであってもよく、また任意成分であ
っても、あるいは必要成分でないが添加しても無害であ
る成分として含有されてもよい。
このような、水素化物を形成しうる金属を含む金属配合
物は、粉状、粒状あるいはインゴット等であってもよい
が、配合されたのちは還元性または不活性雰囲気、たと
えば水素雰囲気あるいはアルゴン雰囲気またはこのよう
な雰囲気の減圧下もし、くは真空下で一旦溶融され、そ
して金属酸化物を多く含有する部分を浮上させて下層の
酸化物含有量の少い部分を分離し、これを冷却固化する
。
物は、粉状、粒状あるいはインゴット等であってもよい
が、配合されたのちは還元性または不活性雰囲気、たと
えば水素雰囲気あるいはアルゴン雰囲気またはこのよう
な雰囲気の減圧下もし、くは真空下で一旦溶融され、そ
して金属酸化物を多く含有する部分を浮上させて下層の
酸化物含有量の少い部分を分離し、これを冷却固化する
。
この冷却同化の際にも溶融時と同様な還元性または不活
性雰囲気中で固化することが必要である。
性雰囲気中で固化することが必要である。
固化合金は、固化に引き続いて、または固化後適宜の時
に水素と接触させて水素化する。かがる水素化は合金の
種類によってそれぞれ適した条件の下に行なうことがで
きる。合金は高純度の水素を吸収して水素化することに
より膨張し、内部応力によって破砕する。そして水素化
物を形成しうる金属の配合量が少な過ぎない限り水素化
と共に破砕も進行し、すべて粉末となる。このように粉
体化した水素化合金は、通常の室内環境下では酸化され
ることなく安全に取扱うことができる。
に水素と接触させて水素化する。かがる水素化は合金の
種類によってそれぞれ適した条件の下に行なうことがで
きる。合金は高純度の水素を吸収して水素化することに
より膨張し、内部応力によって破砕する。そして水素化
物を形成しうる金属の配合量が少な過ぎない限り水素化
と共に破砕も進行し、すべて粉末となる。このように粉
体化した水素化合金は、通常の室内環境下では酸化され
ることなく安全に取扱うことができる。
以上のようにして得られた水素化合金粉体は、プレスに
よって所望形状にあらかじめ成形するかまたは粉体のま
ま成形用金属性容器等に収容し、真空下または不活性雰
囲気下で加熱し、水素を離脱させながら焼結する。加熱
焼結に当っては、同時に加圧を行なうことにより、更に
空隙率が小さく精密な形状を有する成形−品が得られる
。
よって所望形状にあらかじめ成形するかまたは粉体のま
ま成形用金属性容器等に収容し、真空下または不活性雰
囲気下で加熱し、水素を離脱させながら焼結する。加熱
焼結に当っては、同時に加圧を行なうことにより、更に
空隙率が小さく精密な形状を有する成形−品が得られる
。
作−■
本発明の方法のよれば、得られた成形品は高純度で形状
が精密であり、また内部歪が少ないから、容易に大形の
成形品を得ることができる。そして空隙率が小さいこと
もあって空気中で取扱っても酸化の進行が遅く、極めて
酸素含有率が低く高純度の成形品が得られる。
が精密であり、また内部歪が少ないから、容易に大形の
成形品を得ることができる。そして空隙率が小さいこと
もあって空気中で取扱っても酸化の進行が遅く、極めて
酸素含有率が低く高純度の成形品が得られる。
実施例=し
光磁気記憶媒体層をスパッタ法によって形成するための
ターゲットとして、鉄−テルビウム合金板を製造する例
を以下に説明する。
ターゲットとして、鉄−テルビウム合金板を製造する例
を以下に説明する。
工業的に入手可能な高純度の鉄のインゴット(試料A)
およびテルビウムのインゴット(試料B)中に含有され
る酸素量は、それぞれ重量で20〜30ppmおよび6
00〜700ppm程度のものであり、これらを用いて
アルゴン等の不活性雰囲気中で溶融して合金化(モル比
で、試料A/試料B=8/2)すると、鉄の酸化物はテ
ルビウムにより還元されてテルビウムの酸化物が溶融物
の表面に浮上する。そこで浮上部分を除去して下層部分
を平板状(150mmX L50鶴X20111)とな
るよう鋳造したところ亀裂が発生した。そして、亀裂部
分を削り落して整形したところ、3cmX3cmX2C
I11程度の板状体10個が得られた。このときの鋳造
品(試料C)の酸素含有量は重量で400〜480pp
mであった。
およびテルビウムのインゴット(試料B)中に含有され
る酸素量は、それぞれ重量で20〜30ppmおよび6
00〜700ppm程度のものであり、これらを用いて
アルゴン等の不活性雰囲気中で溶融して合金化(モル比
で、試料A/試料B=8/2)すると、鉄の酸化物はテ
ルビウムにより還元されてテルビウムの酸化物が溶融物
の表面に浮上する。そこで浮上部分を除去して下層部分
を平板状(150mmX L50鶴X20111)とな
るよう鋳造したところ亀裂が発生した。そして、亀裂部
分を削り落して整形したところ、3cmX3cmX2C
I11程度の板状体10個が得られた。このときの鋳造
品(試料C)の酸素含有量は重量で400〜480pp
mであった。
一方、工業的に入手可能な高純度の鉄の粉末く試料D)
およびテルビウムの粉末(試料E)中に含有される酸素
量は、それぞれ重量で0.1%および0.6%〜2%で
あり、粒径はそれぞれ10〜100μmおよび40〜1
20IJmである。これらを配合(モル比で、試料D/
試料E=8/2)して得た粉末配合物(試料F)の酸素
含有率は、重量で0.5〜1%であった。
およびテルビウムの粉末(試料E)中に含有される酸素
量は、それぞれ重量で0.1%および0.6%〜2%で
あり、粒径はそれぞれ10〜100μmおよび40〜1
20IJmである。これらを配合(モル比で、試料D/
試料E=8/2)して得た粉末配合物(試料F)の酸素
含有率は、重量で0.5〜1%であった。
また、試料Cをアルゴン雰囲気中で機械的に粉砕したと
ころ、5〜70μmの粉体(試料G)が得られたが、空
気中の酸素と接触すると直ちに酸化が進行し、酸素含有
量が重量で0.4〜0,6%に達した。この値は、前述
の試料りと試料Eを配合して得た試料Fと比較して僅か
に低目である。
ころ、5〜70μmの粉体(試料G)が得られたが、空
気中の酸素と接触すると直ちに酸化が進行し、酸素含有
量が重量で0.4〜0,6%に達した。この値は、前述
の試料りと試料Eを配合して得た試料Fと比較して僅か
に低目である。
これと別に、試料C(前述の鋳造品およびその砕片など
を含む)を密閉容器に入れ、露点が一85℃の高純度水
素と約400℃で接触させたところ、粒径20〜40μ
m程度の水素化粉体(試料H)を得た。試料Hの酸素含
有量は重量で650〜900ppmであり、空気と接触
しても安定であった。
を含む)を密閉容器に入れ、露点が一85℃の高純度水
素と約400℃で接触させたところ、粒径20〜40μ
m程度の水素化粉体(試料H)を得た。試料Hの酸素含
有量は重量で650〜900ppmであり、空気と接触
しても安定であった。
次に前記のようにして得られたそれぞれの粉末の試料F
(粉末混合品)、試料G(機械粉砕品)、および試料H
(水素化粉体)を予備プレスしてそれぞれ径125mm
X厚さ8■■の円板状に成形し、ついで真空焼結炉中に
入れて真空度io−”トールに保ち、1250°Cまで
加熱して焼結体(それぞれ試料■、試料Jおよび試料K
)を得た。
(粉末混合品)、試料G(機械粉砕品)、および試料H
(水素化粉体)を予備プレスしてそれぞれ径125mm
X厚さ8■■の円板状に成形し、ついで真空焼結炉中に
入れて真空度io−”トールに保ち、1250°Cまで
加熱して焼結体(それぞれ試料■、試料Jおよび試料K
)を得た。
また、別に焼結に際して1500 kg/crAの熱間
ブレスを併用して、それぞれに対応する焼結体(試料り
、試料Mおよび試料N)を得た。
ブレスを併用して、それぞれに対応する焼結体(試料り
、試料Mおよび試料N)を得た。
これらの焼結体の酸素含有量および空隙率を測定して得
た結果を、原料として用いた粉体の酸素含有量と共に第
1表に示す。
た結果を、原料として用いた粉体の酸素含有量と共に第
1表に示す。
この結果をみると、本発明の方法によれば、酸素含量が
少いうえ、特に緻密で酸化を受けにくい合金成形体が得
られ、光磁気記憶媒体層用ターゲットとしての許容酸素
含有量0.2%以下という条件を満足する成形体が得ら
れることがわかる。
少いうえ、特に緻密で酸化を受けにくい合金成形体が得
られ、光磁気記憶媒体層用ターゲットとしての許容酸素
含有量0.2%以下という条件を満足する成形体が得ら
れることがわかる。
第1表
試 料 酸素含有量% 空隙率% 注F
0.05〜1 粉末配合品G
O04〜0.6 機械粉砕品HO
,06〜0,09 水素化粉体I
1 〜2 試料F使用J
O15〜1 25 試料G使用K
O,06〜0.18 13 試料H使用L
1〜2 試料F使用M
O,5〜1 試料G使用N
O,15〜0.20 2 試料H使用
実施例−2 超LSIの電極部をスパッタ法によって形成するに用い
るターゲットとして、チタン・シリコン2合金板を製造
する例について説明する。
0.05〜1 粉末配合品G
O04〜0.6 機械粉砕品HO
,06〜0,09 水素化粉体I
1 〜2 試料F使用J
O15〜1 25 試料G使用K
O,06〜0.18 13 試料H使用L
1〜2 試料F使用M
O,5〜1 試料G使用N
O,15〜0.20 2 試料H使用
実施例−2 超LSIの電極部をスパッタ法によって形成するに用い
るターゲットとして、チタン・シリコン2合金板を製造
する例について説明する。
工業的に入手可能な高純度のスポンジ状チタン(試料○
)およびシリコンインゴット(試料P)をアルゴン等の
不活性雰囲気中で溶融して、モル比1:2の合金(試料
Q)を得たが、このものは脆く、大型の板体を製造する
ことができなかった。
)およびシリコンインゴット(試料P)をアルゴン等の
不活性雰囲気中で溶融して、モル比1:2の合金(試料
Q)を得たが、このものは脆く、大型の板体を製造する
ことができなかった。
酸素含有量は重量で300〜400ppmであった。
試料Qを機械的に粉砕して径60μm以下の粉体く試料
R)したところ、空気と接触して酸化が進み、酸素含有
量が重量で600ppmから0.25%にまで増加した
。
R)したところ、空気と接触して酸化が進み、酸素含有
量が重量で600ppmから0.25%にまで増加した
。
また、試料Qを密閉容器に入れ、露点が一85℃の高純
度水素と約800℃で接触させることにより、径40μ
m以下の水素化粉体(試料S)を得た。試料Sの酸素含
有量は重量で約700ppmであり、空気と接触しても
安定であった。
度水素と約800℃で接触させることにより、径40μ
m以下の水素化粉体(試料S)を得た。試料Sの酸素含
有量は重量で約700ppmであり、空気と接触しても
安定であった。
次に、前記のようにした得た粉末の試料R(m械粉砕品
)および試料S(水素化粉体)を予備プレスして径12
5龍×厚さ8nの円板状に成形し、ついで真空焼結炉中
に入れ、真空度10−6トールに保って1300℃まで
加熱して焼結体(それぞれ試料Tおよび試料U)を得た
。
)および試料S(水素化粉体)を予備プレスして径12
5龍×厚さ8nの円板状に成形し、ついで真空焼結炉中
に入れ、真空度10−6トールに保って1300℃まで
加熱して焼結体(それぞれ試料Tおよび試料U)を得た
。
これらの焼結体の酸素含有量および空隙率を、原料とし
て用いた粉末の酸素含有量と共に第2表に示す。
て用いた粉末の酸素含有量と共に第2表に示す。
この結果をみると、本発明の方法によって酸素含有量が
少くて緻密な合金成形体が得られ、超LSIの電極部形
成用ターゲットとしての許容酸素含有量0.1%以下と
いう条件を充分に満足するものが容易に製造できること
がわかる。
少くて緻密な合金成形体が得られ、超LSIの電極部形
成用ターゲットとしての許容酸素含有量0.1%以下と
いう条件を充分に満足するものが容易に製造できること
がわかる。
第2表
試 料 酸素含有量% 空隙率% 注RO,0
7〜0.2 機械粉砕品S
O,05〜0.06 水素化粉体T
O,15〜0.2 試料R使
用U O,07〜0.08 7
試料S使用〔発明の効果〕 本発明の低酸素合金成形体の製造法によれば、酸化し易
い金属成分を含有する合金の大型成形品を製造するに当
って、酸化を受けにくい水素化粉体の形態で原料を使用
するので、取扱いに格別の配慮をしなくとも酸素含有量
の低い製品を容易に得ることができる。こうして得られ
た成形体は高密度であるため、大気中で取扱っても酸化
され難いものである。更に、水素化粉体の脱水素と同時
に焼結が進むので焼結温度が低いばかりでなく、内部歪
が少く、より大型の成形品をより容易に製造できる利点
がある。
7〜0.2 機械粉砕品S
O,05〜0.06 水素化粉体T
O,15〜0.2 試料R使
用U O,07〜0.08 7
試料S使用〔発明の効果〕 本発明の低酸素合金成形体の製造法によれば、酸化し易
い金属成分を含有する合金の大型成形品を製造するに当
って、酸化を受けにくい水素化粉体の形態で原料を使用
するので、取扱いに格別の配慮をしなくとも酸素含有量
の低い製品を容易に得ることができる。こうして得られ
た成形体は高密度であるため、大気中で取扱っても酸化
され難いものである。更に、水素化粉体の脱水素と同時
に焼結が進むので焼結温度が低いばかりでなく、内部歪
が少く、より大型の成形品をより容易に製造できる利点
がある。
また、本発明の方法は、例示した用途などのほか、水素
化物を形成しうる金属を成分として含む合金、たとえば
希土類金属を含む超電導材料や磁性材料などの成形体を
製造するのに好適に利用できるという特長を有する。
化物を形成しうる金属を成分として含む合金、たとえば
希土類金属を含む超電導材料や磁性材料などの成形体を
製造するのに好適に利用できるという特長を有する。
Claims (1)
- 少くとも水素化物を形成し得る金属成分を含む金属配合
物を還元性または不活性雰囲気中で溶融することによっ
て酸素含量の多い部分と酸素含量の少い部分とに分離し
、該酸素含量の少い部分を冷却固化させたのち水素化す
ることにより粉体に転換し、得られた粉体を真空下また
は不活性雰囲気中で焼結することを特徴とする、低酸素
合金成形体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190432A JPH0742530B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 低酸素合金成形体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190432A JPH0742530B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 低酸素合金成形体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347344A true JPS6347344A (ja) | 1988-02-29 |
| JPH0742530B2 JPH0742530B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=16258033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190432A Expired - Fee Related JPH0742530B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 低酸素合金成形体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742530B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207051U (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-27 | ||
| JP2000038662A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2007119925A (ja) * | 2000-11-09 | 2007-05-17 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ハフニウム粉の製造方法 |
| JP2007169782A (ja) * | 2000-11-09 | 2007-07-05 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ジルコニウム粉の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438079A (en) * | 1977-08-31 | 1979-03-22 | Sekisui Jushi Kk | Method of transporting article to be treated |
| JPS59100201A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-06-09 | キヤボツト・コ−ポレ−シヨン | タンタル組成物粉末 |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP61190432A patent/JPH0742530B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438079A (en) * | 1977-08-31 | 1979-03-22 | Sekisui Jushi Kk | Method of transporting article to be treated |
| JPS59100201A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-06-09 | キヤボツト・コ−ポレ−シヨン | タンタル組成物粉末 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207051U (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-27 | ||
| JP2000038662A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2007119925A (ja) * | 2000-11-09 | 2007-05-17 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ハフニウム粉の製造方法 |
| JP2007169782A (ja) * | 2000-11-09 | 2007-07-05 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ジルコニウム粉の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0742530B2 (ja) | 1995-05-10 |
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