JPS6389964U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6389964U JPS6389964U JP18184186U JP18184186U JPS6389964U JP S6389964 U JPS6389964 U JP S6389964U JP 18184186 U JP18184186 U JP 18184186U JP 18184186 U JP18184186 U JP 18184186U JP S6389964 U JPS6389964 U JP S6389964U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- thin film
- ionization section
- lid
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例の要部正断面図、
第２図は従来の薄膜形成装置の正断面図、第３図
は第２図のものの要部正断面図である。 １……真空槽、４……蒸着物質、５……るつぼ
、１１……イオン化フイラメント、１６……加速
電極、１８……中性クラスター、１９……イオン
化クラスター、２７……小孔、２８……るつぼふ
た、２９……るつぼ内隔壁、３０……開口、３１
……隙間。なお、各図中、同一符号は同一又は相
当部分を示す。
第２図は従来の薄膜形成装置の正断面図、第３図
は第２図のものの要部正断面図である。 １……真空槽、４……蒸着物質、５……るつぼ
、１１……イオン化フイラメント、１６……加速
電極、１８……中性クラスター、１９……イオン
化クラスター、２７……小孔、２８……るつぼふ
た、２９……るつぼ内隔壁、３０……開口、３１
……隙間。なお、各図中、同一符号は同一又は相
当部分を示す。
Claims (1)
- 高真空領域内にるつぼ、イオン化部、加速電極
および薄膜を被着すべき基板を配置し、前記るつ
ぼおよび前記イオン化部と前記加速電極との間に
前者が正、後者が負となるように加速電圧が印加
され、前記るつぼ内の蒸着物質が加熱により蒸気
化されて前記るつぼのるつぼふたに設けられた小
孔より蒸気を高真空中に噴射して断熱膨張による
過冷却状態によつて発生したクラスターに対し、
前記イオン化部でクラスターイオンを発生させ、
これを加速して前記基板に前記薄膜を付着させる
薄膜形成装置において、前記るつぼ内に設けられ
前記るつぼふたとの間に隙間を形成し、かつ、上
端に開口を有したるつぼ内隔壁を備えてなること
を特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18184186U JPH0516214Y2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18184186U JPH0516214Y2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389964U true JPS6389964U (ja) | 1988-06-10 |
| JPH0516214Y2 JPH0516214Y2 (ja) | 1993-04-28 |
Family
ID=31127084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18184186U Expired - Lifetime JPH0516214Y2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0516214Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP18184186U patent/JPH0516214Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0516214Y2 (ja) | 1993-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6389964U (ja) | ||
| JPS6251735U (ja) | ||
| JPS63115063U (ja) | ||
| JPH03287761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS63123667U (ja) | ||
| JPH0214357U (ja) | ||
| JPS6251736U (ja) | ||
| JPS5974659U (ja) | イオン注入装置のイオン発生装置 | |
| JPS61133558U (ja) | ||
| JPS61177439U (ja) | ||
| JPS61187373U (ja) | ||
| JPS61279668A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS63216967A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0453052U (ja) | ||
| JPS6425973A (en) | Vapor deposition device of thin film | |
| JPS61256623A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS62182970U (ja) | ||
| JPS6450344A (en) | Ion beam generator | |
| JPS62157968U (ja) | ||
| JPS62203263U (ja) | ||
| JPS62190334U (ja) | ||
| JPS63115061U (ja) | ||
| JPH01141760U (ja) | ||
| JPS6389962U (ja) | ||
| JPH03110752U (ja) |