JPS6350864B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350864B2 JPS6350864B2 JP58154836A JP15483683A JPS6350864B2 JP S6350864 B2 JPS6350864 B2 JP S6350864B2 JP 58154836 A JP58154836 A JP 58154836A JP 15483683 A JP15483683 A JP 15483683A JP S6350864 B2 JPS6350864 B2 JP S6350864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- heat sink
- metal substrate
- semiconductor element
- mounting area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
- H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に樹脂封止型半導体装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来のこの種パワーICは第1図〜第3図に示
すように、ビス穴6を設けた放熱板取付部1aと
半導体取付部1bからなる金属基板1と、その半
導体取付部1b上に取付けられた半導体素子2
と、この半導体素子2および半導体取付部1bを
覆うように金属基板1に一体に結合された樹脂体
5と、この樹脂体5に先端部が埋設されると共
に、金属細線3を介して半導体素子2に接続され
たリード線4により構成されている。
すように、ビス穴6を設けた放熱板取付部1aと
半導体取付部1bからなる金属基板1と、その半
導体取付部1b上に取付けられた半導体素子2
と、この半導体素子2および半導体取付部1bを
覆うように金属基板1に一体に結合された樹脂体
5と、この樹脂体5に先端部が埋設されると共
に、金属細線3を介して半導体素子2に接続され
たリード線4により構成されている。
上記のように金属基板1に第4図に示すように
放熱板7を取付ける際は、放熱板取付部1aのビ
ス穴6にビス8をねじ込むと、放熱板取付部1a
は放熱板7に締付けられるので、放熱板取付部1
aは放熱板7に沿つて反り変形する。
放熱板7を取付ける際は、放熱板取付部1aのビ
ス穴6にビス8をねじ込むと、放熱板取付部1a
は放熱板7に締付けられるので、放熱板取付部1
aは放熱板7に沿つて反り変形する。
この場合、半導体取付部1bはくびれることな
く放熱板取付部1aと一体に形成されているの
で、その放熱板取付部1aと一緒に反つて変形す
るから、半導体素子2および樹脂体5も半導体取
付部1bと一緒に反つて変形することになる。こ
のため半導体素子2および樹脂体5に大きな引張
力を生じてクラツクが発生する恐れがある。
く放熱板取付部1aと一体に形成されているの
で、その放熱板取付部1aと一緒に反つて変形す
るから、半導体素子2および樹脂体5も半導体取
付部1bと一緒に反つて変形することになる。こ
のため半導体素子2および樹脂体5に大きな引張
力を生じてクラツクが発生する恐れがある。
本発明は上記欠点を解消するためになされたも
ので、樹脂封止形半導体装置における樹脂体のク
ラツク等の発生しにくい構造を提供することを目
的とするものである。
ので、樹脂封止形半導体装置における樹脂体のク
ラツク等の発生しにくい構造を提供することを目
的とするものである。
本発明の半導体装置は放熱板取付領域と放熱板
取付領域よりも長手寸法の短い半導体取付領域と
からなる一枚の金属基板と、半導体取付領域上に
取り付けられた半導体素子と、半導体素子に接続
されかつ放熱板取付領域とは反対方向に引き出さ
れるリード線と、このリード線の一部及び半導体
素子並びに半導体取付領域を覆うように金属基板
に一体に結合された樹脂体とからなる半導体装置
において、放熱板取付領域と半導体取付領域との
境界に沿つて金属基板の両側面から矩形状の切込
みを入れたことを特徴とする。
取付領域よりも長手寸法の短い半導体取付領域と
からなる一枚の金属基板と、半導体取付領域上に
取り付けられた半導体素子と、半導体素子に接続
されかつ放熱板取付領域とは反対方向に引き出さ
れるリード線と、このリード線の一部及び半導体
素子並びに半導体取付領域を覆うように金属基板
に一体に結合された樹脂体とからなる半導体装置
において、放熱板取付領域と半導体取付領域との
境界に沿つて金属基板の両側面から矩形状の切込
みを入れたことを特徴とする。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。第5図に示す符号のうち第2図に示す符号と
同一のものは同一部分を示すものとする。
る。第5図に示す符号のうち第2図に示す符号と
同一のものは同一部分を示すものとする。
第5図において、1は放熱板取付部1aと半導
体取付部1bからなる金属基板で、前記両取付部
1aと1bの間に矩形状切込み部1cが設けられ
ている。5は半導体素子2を取付けた半導体取付
部1bの表面およびその周囲に一体に結合された
樹脂体である。その他の構造は第2図に示す従来
例と同一であるから説明を省略する。
体取付部1bからなる金属基板で、前記両取付部
1aと1bの間に矩形状切込み部1cが設けられ
ている。5は半導体素子2を取付けた半導体取付
部1bの表面およびその周囲に一体に結合された
樹脂体である。その他の構造は第2図に示す従来
例と同一であるから説明を省略する。
本実施例は上記のように放熱板取付部1aと半
導体取付部1bの間に矩形状切込み部1cを設け
たので、放熱板取付部1aのビス穴6にビス(図
示せず)をねじ込み、放熱板(図示せず)に放熱
板取付部1aを締付けた場合に、放熱板取付部1
aは放熱板に沿つて反り変形する。しかし、放熱
板取付部1aに放熱板を締付けた場合の変形の生
じる部分と生じない部分の境界は、最も切込まれ
た部分のうちの最も放熱板取付部に近い部分(即
ち、最も半導体素子に遠い部分)に位置する。従
つて、半導体素子2および樹脂体5の取付けられ
た半導体取付部1bは変形しないから、半導体取
付部1bと一体に結合された半導体素子2および
樹脂体5もほとんど変形しない。
導体取付部1bの間に矩形状切込み部1cを設け
たので、放熱板取付部1aのビス穴6にビス(図
示せず)をねじ込み、放熱板(図示せず)に放熱
板取付部1aを締付けた場合に、放熱板取付部1
aは放熱板に沿つて反り変形する。しかし、放熱
板取付部1aに放熱板を締付けた場合の変形の生
じる部分と生じない部分の境界は、最も切込まれ
た部分のうちの最も放熱板取付部に近い部分(即
ち、最も半導体素子に遠い部分)に位置する。従
つて、半導体素子2および樹脂体5の取付けられ
た半導体取付部1bは変形しないから、半導体取
付部1bと一体に結合された半導体素子2および
樹脂体5もほとんど変形しない。
以上説明したように本発明によれば、金属基板
を放熱板に取付けた際に、半導体素子および樹脂
体は変形しないので、その両者に生ずる引張応力
は小さいからクラツクが発生するのを防止するこ
とができる。
を放熱板に取付けた際に、半導体素子および樹脂
体は変形しないので、その両者に生ずる引張応力
は小さいからクラツクが発生するのを防止するこ
とができる。
第1図〜第3図は従来の樹脂封止型パワーIC
の正面図、横断面および側断面図、第4図は従来
の樹脂封止型パワーICを放熱板に取付けた状態
を示す正面図、第5図は本発明の半導体装置の一
実施例として樹脂封止型パワーICを示す横断面
図である。 1……金属基板、1a……放熱板取付部、1b
……半導体取付部、1c……矩形状切込み部。
の正面図、横断面および側断面図、第4図は従来
の樹脂封止型パワーICを放熱板に取付けた状態
を示す正面図、第5図は本発明の半導体装置の一
実施例として樹脂封止型パワーICを示す横断面
図である。 1……金属基板、1a……放熱板取付部、1b
……半導体取付部、1c……矩形状切込み部。
Claims (1)
- 1 放熱板取付領域1aと該放熱板取付領域1a
よりも長手寸法の短い半導体取付領域1bとから
なる一枚の金属基板1と、半導体取付領域1b上
に取り付けられた半導体素子2と、該半導体素子
2に接続されかつ前記放熱板取付領域1aとは反
対方向に引き出されるリード線4と、このリード
線4の一部及び半導体素子2並びに前記半導体取
付領域1bを覆うように金属基板1に一体に結合
された樹脂体5とからなる半導体装置において、
前記放熱板取付領域1aと半導体取付領域1bと
の境界に沿つて金属基板1の両側面から矩形状の
切込み1cを入れたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154836A JPS5956751A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154836A JPS5956751A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956751A JPS5956751A (ja) | 1984-04-02 |
| JPS6350864B2 true JPS6350864B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=15592939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154836A Granted JPS5956751A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956751A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238915Y2 (ja) * | 1972-08-02 | 1977-09-03 | ||
| JPS5434551Y2 (ja) * | 1975-04-22 | 1979-10-22 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154836A patent/JPS5956751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956751A (ja) | 1984-04-02 |
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