JPS635234Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS635234Y2 JPS635234Y2 JP1982111254U JP11125482U JPS635234Y2 JP S635234 Y2 JPS635234 Y2 JP S635234Y2 JP 1982111254 U JP1982111254 U JP 1982111254U JP 11125482 U JP11125482 U JP 11125482U JP S635234 Y2 JPS635234 Y2 JP S635234Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- lead frame
- bonding
- substrate
- supplying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、IC用のガラス封止セラミツクパツ
ケージを用いた半導体装置に関する。
ケージを用いた半導体装置に関する。
従来、サーデイツプ型デユアルインライン型式
のガラス封止セラミツクパツケージを用いた半導
体装置では、セラミツクベースの中央凹部底面に
導電性ペーストを焼き付けたりして半導体基板接
着用金属層を形成し、この時、半導体基板の裏面
に何らかの電位を付加する必要がある場合には、
基板電位供給用のリードフレームをセラミツクベ
ースの周縁部から内部に挿入し絶縁物質のガラス
層によりこのリードフレームをセラミツクベース
に固着すると共に、次のようにリードフレームと
半導体基板接着用金属層が電気的に接続されてい
た。
のガラス封止セラミツクパツケージを用いた半導
体装置では、セラミツクベースの中央凹部底面に
導電性ペーストを焼き付けたりして半導体基板接
着用金属層を形成し、この時、半導体基板の裏面
に何らかの電位を付加する必要がある場合には、
基板電位供給用のリードフレームをセラミツクベ
ースの周縁部から内部に挿入し絶縁物質のガラス
層によりこのリードフレームをセラミツクベース
に固着すると共に、次のようにリードフレームと
半導体基板接着用金属層が電気的に接続されてい
た。
第１図、第２図、第３図は、基板電位供給用の
リードフレームを半導体基板接着用金属層にろう
材等を使用して接続した従来の半導体装置の断面
図を示している。第１図の半導体装置では基板電
位供給用のリードフレーム１と半導体基板接着用
金属層２との間に金属細線３を用いて連結してい
るが、結線後にセラミツクパツケージのキヤツプ
７をガラス層６により封止する時、加熱により、
金属細線３に熱が伝わり、金属細線としてAuを
用いた場合インナーリードとAu細線との結合部
で、Au−Al系合金が生成され、接着の信頼性を
著しく低下させる問題があつた。また、第２図に
示すように、金属細線３と基板接着用金属層２の
間に補助金属片８を介在させて金属細線３を金属
層２上に接着させる方法もあるが、補助金属片８
は金属層２上にろう材によつてろう付けされるた
め、ろう材の補給が必要となると共に、補助金属
片８の位置決めが難かしく、自動化されたワイヤ
ボンデイング装置の使用に支障をきたしていた。
更に、第３図に示すように、リードフレーム１を
基板接着用金属層２の上に直接ろう材によりろう
付けする方法も提案されているが、ろう材が必要
となり、微細な箇所でのろう付け作業は難かし
く、作業性が悪い等の問題があつた。
リードフレームを半導体基板接着用金属層にろう
材等を使用して接続した従来の半導体装置の断面
図を示している。第１図の半導体装置では基板電
位供給用のリードフレーム１と半導体基板接着用
金属層２との間に金属細線３を用いて連結してい
るが、結線後にセラミツクパツケージのキヤツプ
７をガラス層６により封止する時、加熱により、
金属細線３に熱が伝わり、金属細線としてAuを
用いた場合インナーリードとAu細線との結合部
で、Au−Al系合金が生成され、接着の信頼性を
著しく低下させる問題があつた。また、第２図に
示すように、金属細線３と基板接着用金属層２の
間に補助金属片８を介在させて金属細線３を金属
層２上に接着させる方法もあるが、補助金属片８
は金属層２上にろう材によつてろう付けされるた
め、ろう材の補給が必要となると共に、補助金属
片８の位置決めが難かしく、自動化されたワイヤ
ボンデイング装置の使用に支障をきたしていた。
更に、第３図に示すように、リードフレーム１を
基板接着用金属層２の上に直接ろう材によりろう
付けする方法も提案されているが、ろう材が必要
となり、微細な箇所でのろう付け作業は難かし
く、作業性が悪い等の問題があつた。
本考案は、上記の問題点を解決するためになさ
れたもので、セラミツクベース上の半導体基板接
着用金属層に対し、高い作業性でかつ確実に基板
電位供給用のリードフレームを熔着することがで
きる半導体装置を提供することを目的とし、この
ために、基板電位供給用リードフレームの先端を
半導体基板接着用金属層に直接レーザ溶接により
熔着するようにしたものである。
れたもので、セラミツクベース上の半導体基板接
着用金属層に対し、高い作業性でかつ確実に基板
電位供給用のリードフレームを熔着することがで
きる半導体装置を提供することを目的とし、この
ために、基板電位供給用リードフレームの先端を
半導体基板接着用金属層に直接レーザ溶接により
熔着するようにしたものである。
以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第４図はセラミツクパツケージを用いた半導体
装置の部分斜視図を示し、第５図は同半導体装置
の断面図を示している。５はAl2O3を主成分とす
る粉体を加圧成形し焼成したセラミツクベースで
あり、中央に凹部が形成され、その凹部の底面に
導電性ペーストを焼き付け、あるいは表面にAg
めつきされた金属板により半導体基板接着用金属
層２が形成され、この基板接着用金属層２上に半
導体基板４が接着される。１１は基板電位供給用
リードフレームであつて、外部からその先端をセ
ラミツクベース５内に挿入され、このリードフレ
ーム１１は熔着用の低融点のガラス層６によりセ
ラミツクベース５の縁部にガラス熔着される。そ
してこの基板電位供給用リードフレーム１１の内
方先端部は、セラミツクベース５の中央凹部の底
面に向けてほぼ直角に曲折され、基板接着用金属
層２上に当接される。この状態で、基板電位供給
用リードフレーム１１と基板接着用金属層２の接
触箇所にレーザ熔接機から細いレーザ光が照射さ
れ、リードフレーム１１と金属層２の接触箇所が
溶融され、短時間でレーザ熔接が行われる。よつ
て、リードフレーム１１の内方先端部は基板接着
用金属層２に十分な強度をもつて電気的に接続さ
れる。これにより、高温ろう材を利用して金属層
２上に接着された半導体基板４には、リードフレ
ーム１１を介して直ちに基板電位が供給されるこ
とになる。尚、実験によればレーザ熔接に使用す
るレーザ発振器として、レーザ光の発振波長を
1.06μm、ビーム径を200μmφ、発振出力を0.2Jと
するNd・YAGレーザ発振器を使用し、リードフ
レーム１１と金属層２の材質を42ALLOYとした
場合、短時間で信頼性の高い確実な熔接を行うこ
とができた。
装置の部分斜視図を示し、第５図は同半導体装置
の断面図を示している。５はAl2O3を主成分とす
る粉体を加圧成形し焼成したセラミツクベースで
あり、中央に凹部が形成され、その凹部の底面に
導電性ペーストを焼き付け、あるいは表面にAg
めつきされた金属板により半導体基板接着用金属
層２が形成され、この基板接着用金属層２上に半
導体基板４が接着される。１１は基板電位供給用
リードフレームであつて、外部からその先端をセ
ラミツクベース５内に挿入され、このリードフレ
ーム１１は熔着用の低融点のガラス層６によりセ
ラミツクベース５の縁部にガラス熔着される。そ
してこの基板電位供給用リードフレーム１１の内
方先端部は、セラミツクベース５の中央凹部の底
面に向けてほぼ直角に曲折され、基板接着用金属
層２上に当接される。この状態で、基板電位供給
用リードフレーム１１と基板接着用金属層２の接
触箇所にレーザ熔接機から細いレーザ光が照射さ
れ、リードフレーム１１と金属層２の接触箇所が
溶融され、短時間でレーザ熔接が行われる。よつ
て、リードフレーム１１の内方先端部は基板接着
用金属層２に十分な強度をもつて電気的に接続さ
れる。これにより、高温ろう材を利用して金属層
２上に接着された半導体基板４には、リードフレ
ーム１１を介して直ちに基板電位が供給されるこ
とになる。尚、実験によればレーザ熔接に使用す
るレーザ発振器として、レーザ光の発振波長を
1.06μm、ビーム径を200μmφ、発振出力を0.2Jと
するNd・YAGレーザ発振器を使用し、リードフ
レーム１１と金属層２の材質を42ALLOYとした
場合、短時間で信頼性の高い確実な熔接を行うこ
とができた。
一方、信号伝送用リードフレーム１２はセラミ
ツクベース５の縁部にガラス熔着され、その内方
先端部は図示しないボンデイングワイヤにより半
導体基板４上の対応する電極層に接続される。
ツクベース５の縁部にガラス熔着され、その内方
先端部は図示しないボンデイングワイヤにより半
導体基板４上の対応する電極層に接続される。
半導体基板４の基板接着用金属層２に対する接
着処理とワイヤのボンデイング処理が終了した
後、セラミツクベース５上にセラミツクキヤツプ
７が被せられ、キヤツプ７がガラス層６によりセ
ラミツクベース上に封着される。
着処理とワイヤのボンデイング処理が終了した
後、セラミツクベース５上にセラミツクキヤツプ
７が被せられ、キヤツプ７がガラス層６によりセ
ラミツクベース上に封着される。
以上のように、本発明に係る半導体装置によれ
ば、基板電位供給用リードフレームの内方先端部
を基板接着用金属層に直接レーザ熔接により熔着
した構造としたから、従来のように金属細線を介
してリードフレームを金属層に接続するものに比
べ接着の信頼性が著しく向上し、また、ろう付け
によりリードフレームを基板接着用金属層上に接
着する従来のものに比べ、ろう材を不要とすると
共に、基板電位供給用のリードフレームの接続作
業性を大きく向上させることができる。つまり、
微細な接続箇所へのろう材の供給や接続部材の加
熱等を必要とせず、工程を簡素化できるので、作
業時間の短縮が可能となり、自動化も容易にな
る。さらに、ろう付けによる接続でないため、半
導体基板を金属層に接着する際の熱によつて、リ
ードフレームと金属層を接続するろう材が溶けて
接続不良を起こすこともない。
ば、基板電位供給用リードフレームの内方先端部
を基板接着用金属層に直接レーザ熔接により熔着
した構造としたから、従来のように金属細線を介
してリードフレームを金属層に接続するものに比
べ接着の信頼性が著しく向上し、また、ろう付け
によりリードフレームを基板接着用金属層上に接
着する従来のものに比べ、ろう材を不要とすると
共に、基板電位供給用のリードフレームの接続作
業性を大きく向上させることができる。つまり、
微細な接続箇所へのろう材の供給や接続部材の加
熱等を必要とせず、工程を簡素化できるので、作
業時間の短縮が可能となり、自動化も容易にな
る。さらに、ろう付けによる接続でないため、半
導体基板を金属層に接着する際の熱によつて、リ
ードフレームと金属層を接続するろう材が溶けて
接続不良を起こすこともない。
第１図、第２図、第３図は各々従来の半導体装
置の断面図、第４図は本考案の実施例を示す半導
体装置の部分斜視図、第５図は同断面図である。 ２……基板接着用金属層、４……半導体基板、
５……セラミツクベース、６……ガラス層、１１
……基板電位供給用リードフレーム。
置の断面図、第４図は本考案の実施例を示す半導
体装置の部分斜視図、第５図は同断面図である。 ２……基板接着用金属層、４……半導体基板、
５……セラミツクベース、６……ガラス層、１１
……基板電位供給用リードフレーム。
Claims (1)
- セラミツクベースの中央凹部底面上に形成した
半導体基板接着用金属層に基板電位供給用リード
フレームの先端をレーザ溶接により熔着したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11125482U JPS5916147U (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11125482U JPS5916147U (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916147U JPS5916147U (ja) | 1984-01-31 |
| JPS635234Y2 true JPS635234Y2 (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=30258401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11125482U Granted JPS5916147U (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916147U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582456A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP11125482U patent/JPS5916147U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5916147U (ja) | 1984-01-31 |
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