JPS614258A - ハイブリツドｉｃのリ−ド接続法 - Google Patents
ハイブリツドｉｃのリ−ド接続法Info
- Publication number
- JPS614258A JPS614258A JP59124694A JP12469484A JPS614258A JP S614258 A JPS614258 A JP S614258A JP 59124694 A JP59124694 A JP 59124694A JP 12469484 A JP12469484 A JP 12469484A JP S614258 A JPS614258 A JP S614258A
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- JP
- Japan
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- metal piece
- welding
- lead
- lead wire
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/002—Resistance welding; Severing by resistance heating specially adapted for particular articles or work
- B23K11/0026—Welding of thin articles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はハイブリッドＩＣのリード接続法に係り、特に
厚膜基板上の電極部に半田付けされた導電体表面に溶接
によりリードを取付ける方法に関する。
厚膜基板上の電極部に半田付けされた導電体表面に溶接
によりリードを取付ける方法に関する。
［発明の技術的背景］
ハイブリッドＩＣのうちで、厚膜基板上から直接入出力
用のリードを取出す構造のものに於いては、厚膜基板上
に設けられた導電体電極からリードを取出すことになる
。この場合、リードの接続方法として、一般的には半田
付けが用いられるが、苛酷な使用条件下では半田付けに
よる接続では信頼性が保てなくなる事態を生じることが
ある。
用のリードを取出す構造のものに於いては、厚膜基板上
に設けられた導電体電極からリードを取出すことになる
。この場合、リードの接続方法として、一般的には半田
付けが用いられるが、苛酷な使用条件下では半田付けに
よる接続では信頼性が保てなくなる事態を生じることが
ある。
このような場合、その対策としてリードを溶接して電−
極に接続する方法が用いられる。従来、ハイブリ、ラド
ＩＣに於いては、外部リードではなく、内部接続用の細
径リード線で溶接が用いられているが、この場合にはリ
ード線が金属片に対し直角ではなく平行に溶接されてい
゛るため、溶接強度が低く、また細線であるため変形し
やすい等の問題があり、外部リードとしては不向きであ
った。
極に接続する方法が用いられる。従来、ハイブリ、ラド
ＩＣに於いては、外部リードではなく、内部接続用の細
径リード線で溶接が用いられているが、この場合にはリ
ード線が金属片に対し直角ではなく平行に溶接されてい
゛るため、溶接強度が低く、また細線であるため変形し
やすい等の問題があり、外部リードとしては不向きであ
った。
別の溶接によるリードの接続法として、従来、第１図に
示すような方法が行われている。同図に於いて、１１は
厚膜基板であり、この厚膜基板１１上の所定位置には導
電性金属からなる電極１２が形成されている。この電極
１２からリードを取出すに際しては、図示のように電極
１２上に半田層１３を介してリード線よりも充分直径の
大きい円盤状の金属片１４を固定し、この金属片１４上
に釘状に成形されたリード１５を溶接する。このとき、
第２図及び第３図に示すようなパラレルギャップ方式の
溶接電極１６ａ１’１６ｂが用いられる。すなわち、左
右の溶接電極１６ａ、１６ｂ間に、リード１５の円盤状
の頭部１５ａを介して溶接電流を流すことにＪ：す、金
属片１４と接触する面を溶融させ結合させるものである
。
示すような方法が行われている。同図に於いて、１１は
厚膜基板であり、この厚膜基板１１上の所定位置には導
電性金属からなる電極１２が形成されている。この電極
１２からリードを取出すに際しては、図示のように電極
１２上に半田層１３を介してリード線よりも充分直径の
大きい円盤状の金属片１４を固定し、この金属片１４上
に釘状に成形されたリード１５を溶接する。このとき、
第２図及び第３図に示すようなパラレルギャップ方式の
溶接電極１６ａ１’１６ｂが用いられる。すなわち、左
右の溶接電極１６ａ、１６ｂ間に、リード１５の円盤状
の頭部１５ａを介して溶接電流を流すことにＪ：す、金
属片１４と接触する面を溶融させ結合させるものである
。
［背景技術の問題点］
前述の従来の方法で、厚膜基板１１にリード１５を接続
する場合、溶接電流は殆ど釘状リード１５の頭部１５ａ
を通って溶接電極１６ａ、１６ｂ間を流れることから、
相当な量（約７〜９ ＫＡ、 （ｉｏｎ＋ｓ）の溶接電
流を必要とし、その結果多量の熱を発生する。
する場合、溶接電流は殆ど釘状リード１５の頭部１５ａ
を通って溶接電極１６ａ、１６ｂ間を流れることから、
相当な量（約７〜９ ＫＡ、 （ｉｏｎ＋ｓ）の溶接電
流を必要とし、その結果多量の熱を発生する。
さらに、リード１５と金属片１４との接触面積が大きい
ため、このとき発生する熱によって厚膜基板１１上の電
極１２と金属片１４を結合している半田層１３が溶融し
てしまう。しかも、このＷＪｍした半田層１３は溶接電
極１６ａ、 １６ｂによって金属片１４と一緒に全体が
押付けられているため、溶融と同時に金属片１４の周囲
に半田が飛散してしまい回路パターン間でショート等を
起こす原因となるという問題があった。
ため、このとき発生する熱によって厚膜基板１１上の電
極１２と金属片１４を結合している半田層１３が溶融し
てしまう。しかも、このＷＪｍした半田層１３は溶接電
極１６ａ、 １６ｂによって金属片１４と一緒に全体が
押付けられているため、溶融と同時に金属片１４の周囲
に半田が飛散してしまい回路パターン間でショート等を
起こす原因となるという問題があった。
また、溶接されるリード１５の形状が釘状であるため、
溶接作業を自動化しようとすると、釘状リードを所定の
位置に搬送して設置し、かつ保持するためのチャックを
溶接電極１６ａ、１６ｂとは別に設けざるを得ない。こ
のため、リード１５に僅かでも曲りがあると、その頭部
１５ａと溶接電極１６ａ１１６ｂとの間に位置ずれを生
じ、その結果溶接自体が不可能になってしまうという問
題があった。
溶接作業を自動化しようとすると、釘状リードを所定の
位置に搬送して設置し、かつ保持するためのチャックを
溶接電極１６ａ、１６ｂとは別に設けざるを得ない。こ
のため、リード１５に僅かでも曲りがあると、その頭部
１５ａと溶接電極１６ａ１１６ｂとの間に位置ずれを生
じ、その結果溶接自体が不可能になってしまうという問
題があった。
［発明の目的］
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、ハイブリッドＩＣに於ける厚膜基板の電極上に半田付
けされている金属片に対しリードを溶接するに際し、金
属片下の半田層を溶融させることなくリードの溶接を行
うことができ、さらには溶接の自動化をも容易に実現で
きるハイブリッドＩＣのリード接続法を提供することに
ある。
、ハイブリッドＩＣに於ける厚膜基板の電極上に半田付
けされている金属片に対しリードを溶接するに際し、金
属片下の半田層を溶融させることなくリードの溶接を行
うことができ、さらには溶接の自動化をも容易に実現で
きるハイブリッドＩＣのリード接続法を提供することに
ある。
［発明の概要］
本発明は、厚膜基板上の電極部に半田付けされた金属片
に直線状のリードの先端を所定の圧力で押付け、溶融電
流を短時間に集中させて流すことにより、リードの先端
部を高電流によって生じた発熱で溶かし、当該リードを
釘状の形にして信頼性のある接続を行うものである。
に直線状のリードの先端を所定の圧力で押付け、溶融電
流を短時間に集中させて流すことにより、リードの先端
部を高電流によって生じた発熱で溶かし、当該リードを
釘状の形にして信頼性のある接続を行うものである。
［発明の実施例］
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
４図はハイブリッドＩ’Ｃの溶接前の状態を示すもので
、厚膜基板３１に印刷された電ｌｌ３２上にその直径が
リード線形より４・−５倍以上大きい金属片３３が、半
田層３４を介して固定されている。
４図はハイブリッドＩ’Ｃの溶接前の状態を示すもので
、厚膜基板３１に印刷された電ｌｌ３２上にその直径が
リード線形より４・−５倍以上大きい金属片３３が、半
田層３４を介して固定されている。
本発明は、この金属片３４の表面にスプール３５から供
給されたリード線３６を直角に突き当て、続いて所定の
圧力（７〜９Ｋｙ）で押し４ｑけ、短詩間に所定の溶接
電流（１〜２ＫＡ）を流して溶接するものである。この
とき、溶接電極３７ａ 、 ３７ｂはリード線３６を挟
持ｊノ、また第５図に示ずアース電極３８ａ、３８ｂは
金属片３３上に押付けるようにづ“る。すなわち、溶接
電極３７ａ、３７ｂに挟まれたリード線３Ｇから金属片
３３を介してアース電極３８ａ、３８ｂに溶接電流を流
すことにより、リード線３６と金属片３３の接触する面
を溶融し結合させるものである。
給されたリード線３６を直角に突き当て、続いて所定の
圧力（７〜９Ｋｙ）で押し４ｑけ、短詩間に所定の溶接
電流（１〜２ＫＡ）を流して溶接するものである。この
とき、溶接電極３７ａ 、 ３７ｂはリード線３６を挟
持ｊノ、また第５図に示ずアース電極３８ａ、３８ｂは
金属片３３上に押付けるようにづ“る。すなわち、溶接
電極３７ａ、３７ｂに挟まれたリード線３Ｇから金属片
３３を介してアース電極３８ａ、３８ｂに溶接電流を流
すことにより、リード線３６と金属片３３の接触する面
を溶融し結合させるものである。
第６図は、その溶接後、リード線３６を切断して所定の
長さのり−ド３９としたもので、従来と同様な外観を呈
している。
長さのり−ド３９としたもので、従来と同様な外観を呈
している。
上記のように、本発明にあっては従来技術に比べ、直線
状のり−げ線３６を通して、溶接電流を集中して流すこ
とにより低エネルギー（従来の約１、／１００）で溶接
ができる。このため、従来、問題となっていた金属片３
３下の半田層３４が溶融して半田が飛散するといったこ
とがなくなり、品質及び信頼性が著しく向上する。
状のり−げ線３６を通して、溶接電流を集中して流すこ
とにより低エネルギー（従来の約１、／１００）で溶接
ができる。このため、従来、問題となっていた金属片３
３下の半田層３４が溶融して半田が飛散するといったこ
とがなくなり、品質及び信頼性が著しく向上する。
また、リード自体もヘッディング加工が不要となるため
、価格も易くなり、溶接そのものの自動化も容易である
。
、価格も易くなり、溶接そのものの自動化も容易である
。
第７図は本発明の他の実施例を示すもので、厚膜基板３
１の電極３２に金属片を半田付けすることなく、直接リ
ード線３６の先端部を溶接するものである。この場合も
上記実施例と同様の効果が得られるものである。
１の電極３２に金属片を半田付けすることなく、直接リ
ード線３６の先端部を溶接するものである。この場合も
上記実施例と同様の効果が得られるものである。
尚、上記実施例に於いては、スプール３５に巻かれたま
まのリード線３６を直接溶接し、その後所定の長さに切
断するようにしたが、こ机に限定するものではなく、先
にリード線３６を所定の長さに切断して部品化した後、
溶接するＪ、うにしてもよい。
まのリード線３６を直接溶接し、その後所定の長さに切
断するようにしたが、こ机に限定するものではなく、先
にリード線３６を所定の長さに切断して部品化した後、
溶接するＪ、うにしてもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、厚膜基板の電極上に半田
付けされている金属片に対しリードを溶接するに際し、
金属片下の半田層を溶融させることな（リードを溶接す
ることができ、さらには溶接の自動化も容易となるハイ
ブリッドＩＣのリード接続法を提供できる。
付けされている金属片に対しリードを溶接するに際し、
金属片下の半田層を溶融させることな（リードを溶接す
ることができ、さらには溶接の自動化も容易となるハイ
ブリッドＩＣのリード接続法を提供できる。
第１図は従来のハイブリッドＩｃの構成を示す側面図、
第２図は従来のリード接続法を示す側面図、第３図は同
平面図、第４図は本発明の一実施例に係るリード接続の
接続直前の状態を示す側面図、第５図は同平面図、第６
図は同リード接続後−の状態を示す側面図、第７図は本
発明の他の実施例に係る側面図である。 ３１・・・厚膜基板、３２・・・電極、３３・・・金属
片、３４・・・半田層、３５・・・スプール、３６・・
・リード線、３７ａ、３７ｂ、・・溶接電極、３８ａ
、’ ３８ｂ・・・アース電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第３図 １４ ’、５．Ｖ３７ａ °°？口柚°。
第２図は従来のリード接続法を示す側面図、第３図は同
平面図、第４図は本発明の一実施例に係るリード接続の
接続直前の状態を示す側面図、第５図は同平面図、第６
図は同リード接続後−の状態を示す側面図、第７図は本
発明の他の実施例に係る側面図である。 ３１・・・厚膜基板、３２・・・電極、３３・・・金属
片、３４・・・半田層、３５・・・スプール、３６・・
・リード線、３７ａ、３７ｂ、・・溶接電極、３８ａ
、’ ３８ｂ・・・アース電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第３図 １４ ’、５．Ｖ３７ａ °°？口柚°。
Claims (1)
- ハイブリッドＩＣに於ける厚膜基板の電極部に半田付
けされた導電体にリードを溶接し、同電極部からリード
を取出す方法に於いて、直線状のリードの先端面と前記
導電体の上面とを密着させ、同リードを前記導電体上面
に対し直角に溶接することを特徴とするハイブリッドＩ
Ｃのリード接続法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124694A JPS614258A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | ハイブリツドｉｃのリ−ド接続法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124694A JPS614258A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | ハイブリツドｉｃのリ−ド接続法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614258A true JPS614258A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14891773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124694A Pending JPS614258A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | ハイブリツドｉｃのリ−ド接続法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614258A (ja) |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59124694A patent/JPS614258A/ja active Pending
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