JPS6352371B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6352371B2
JPS6352371B2 JP10029779A JP10029779A JPS6352371B2 JP S6352371 B2 JPS6352371 B2 JP S6352371B2 JP 10029779 A JP10029779 A JP 10029779A JP 10029779 A JP10029779 A JP 10029779A JP S6352371 B2 JPS6352371 B2 JP S6352371B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
salicylaldehyde
bis
acid ester
sulfonic acid
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP10029779A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5625731A (en
Inventor
Hayato Katsuragi
Norio Ishikawa
Tomoaki Yamashita
Yoichi Hirai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanto Chemical Co Inc filed Critical Kanto Chemical Co Inc
Priority to JP10029779A priority Critical patent/JPS5625731A/ja
Publication of JPS5625731A publication Critical patent/JPS5625731A/ja
Publication of JPS6352371B2 publication Critical patent/JPS6352371B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なポジ型フオトレジスト組成物に
関する。さらに詳しく言えば、本発明は組成物成
分として(a)ビス−サリチルアルデヒドとo−フエ
ニレンジアミンとの重縮合物と(b)o−ベンゾキノ
ンジアジドスルホン酸エステルまたはo−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルとを組成物成
分として含有せしめることを特徴とする新規なポ
ジ型フオトレジスト組成物に関する。
近年、ICの高密度化に伴い、ポジ型フオトレ
ジストの解像力、感度、耐熱性の向上が望まれて
いる。特に耐熱性に関してはドライエツチングに
関連して、その向上が強く要求されている。
本発明者らは、従来のポジ型フオトレジストの
耐熱性を改善し、前記要求にこたえ得る新規なフ
オトレジストを開発すべく研究を重ねた結果(a)ビ
スーサリチルアルデヒドとo−フエニレンジアミ
ンとの重縮合物と(b)o−ベンゾキノンジアジドス
ルホン酸エステルまたはo−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルとを組成物成分として含有
せしめることによりその目的を達成し得ることを
見出した。
すなわち、本発明は(a)ビス−サリチルアルデヒ
ドとo−フエニレンジアミンとの重縮合物と(b)o
−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステルまた
はo−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
とを組成物成分として含有せしめることを特徴と
するポジ型フオトレジスト組成物を提供するもの
である。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明組成物において用いるビス−サリチルア
ルデヒドとO−フエニレンジアミンの重縮合物
は、例えば以下のようにして製造される。ビス−
サリチルアルデヒドとo−フエニレンジアミンと
を氷酢酸と有機溶剤例えばテトラヒドロフランを
用いて、溶液とし、撹拌すると重縮合物が析出し
てくる。これを取し、有機溶媒を用いて精製
し、減圧乾燥する。
上記のビス−サリチルアルデヒドは、メチレン
基又はスルホン基などを介してサリチルアルデヒ
ド2分子を結合せしめたビス体構造の化合物をい
い、例えば5,5′−メチレン−ビス−サリチルア
ルデヒド、ビス−サリチルアルデヒド5,5′−ス
ルホンなどが例示される。上記のビス−サリチル
アルデヒドおよびo−フエニレンジアミンは、本
発明の目的を害わない範囲で種々の置換基を有す
ることができる。
本発明に使用される、前記(a)の重縮合物は、通
常ポジ型フオトレジスト組成物のベースレジンと
して重用されているアルカリ可溶性フエノールホ
ルムアルデヒドノボラツク樹脂と比較してその分
解点は260℃附近と極めて高く、また前記(b)のo
−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、o
−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとの
相溶性も良い。さらには、アルカリ可溶性フエノ
ールホルムアルデヒドノボラツク樹脂、m−クレ
ゾールホルムアルデヒドノボラツク樹脂など種々
の樹脂との相溶性が良いという利点がある。
本発明のポジ型フオトレジスト組成物は、これ
を用いると、基板上に形成された感光性樹脂膜が
耐熱性において、従来製品と比較し著しく優れて
いるのでポストベークを、より高温で行うことが
可能となり基板と樹脂膜との接着がより強固に行
われることとなる。また、従来製品では、ポスト
ベークを140〜150℃を超えると熱による変化が著
しく、例えば“だれ”、“かぶり”を生じ、画像形
成が不可能であるのに対し、本発明の組成物で
は、200℃に至る温度においてすら、“だれ”、“か
ぶり”を生ずることなく、ポストベークの目的を
充分に達し得る。
なお、本発明の組成物により、基板上に形成さ
れた感光性樹脂膜は、通常の現像液例えば、リン
酸水素ナトリウムとメタケイ酸ナトリウムなどを
主成分とする無機アルカリ現像液または第4級ア
ンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ現像液
を用いて現像処理することができる。
以下に実施例を掲げ、本発明を詳細に説明す
る。
実施例 1 (a) 5,5′−メチレン−ビス−サリチルアルデヒ
ドの合成 蒸留したサリチルアルデヒド80gを氷酢酸50
ml、トリオキサン7.0gの溶液中へ入れよく撹
拌しながら窒素置換する。その後窒素雰囲気中
で90℃まで加熱して濃硫酸0.5mlと氷酢酸2.5ml
の混酸をゆつくりと滴下する。滴下後90〜95℃
で22時間反応を行なう。反応終了後、反応液を
3の氷水中で注ぎ一晩放置する。放置後結晶
を取してエーテルでよく洗浄しアセトンで再
結晶を行なうとm.p.142〜143℃の5,5′−メチ
レン−ビス−サリチルアルデヒドが収率48%で
得られる。
(b) 5,5′−メチレンビス−サリチルアルデヒド
とo−フエニレンジアミンとの重縮合物の合成 上記(a)で得た5,5′−メチレン−ビス−サリ
チルアルデヒド1.507gをテトラヒドロフラン
5ml、氷酢酸20ml中へ入れ、さらにo−フエニ
レンジアミン666mgを氷酢酸20mlに溶かした溶
液を加えて撹拌する。10〜20秒で、目的とする
重縮合物ポリマーが析出してくるので、これを
取してメタノール、エーテルで洗浄し減圧乾
燥すると1.750gのポリマーが得られた。分解
点260℃。
(c) o−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ルの合成 o−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロライド80gとフエノールホルムアルデヒド
ノボラツク樹脂40gをジオキサン900gに溶解
し、40〜50℃でトリエチルアミンを滴下して反
応溶液のPHを8.0程度にする。その後さらに撹
拌反応を約4時間行なうと生成物が析出してく
る。これを取して多量の純水で水洗し減圧乾
燥する。
(d) 感光液の調製 N,N−ジメチルホルムアミド30gとテトラ
ヒドロフラン5gに上記(b)で得たポリマー5g
と上記(c)で得たo−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル5gを溶解し、過する。
(e) 画像形成 上記(d)で得られた感光液を常法により表面処
理したウエハー基板上に、スピンナーで1.5μの
塗膜になるように塗布し、85℃で10分間プリベ
ーク後、マスクを通して超高圧水銀灯で露光
る。露光後、現像液、TMK(関東化学製)を
用いて1分間現像した後、充分に水洗し、180
℃で30分間ポストベークして、フツ化水素酸と
フツ化アンモニウムの混合水溶液でエツチング
したところ、解像力、寸法精度のすぐれたエツ
チング画像が得られた。生成した感光性樹脂膜
は耐エツチング性にもすぐれている。
実施例 2 N,N−ジメチルホルムアミド30gとテトラヒ
ドロフラン5g、メチルセロソルブ10gに実施例
1(b)で得たポリマー5g、実施例1(c)で得た化合
物5g、フエノールホルムアルデヒドノボラツク
樹脂5gを溶解し過する。その後実施例1(e)と
同様の操作を行なつたところ解像力、寸法精度の
すぐれたエツチング画像が得られた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 (a)ビス−サリチルアルデヒドとo−フエニレ
    ンジアミンとの重縮合物と(b)o−ベンゾキノンジ
    アジドスルホン酸エステルまたはo−ナフトキノ
    ンジアジドスルホン酸エステルとを組成物成分と
    して、含有せしめることを特徴とするポジ型フオ
    トレジスト組成物。
JP10029779A 1979-08-08 1979-08-08 Positive type photoresist composition Granted JPS5625731A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10029779A JPS5625731A (en) 1979-08-08 1979-08-08 Positive type photoresist composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10029779A JPS5625731A (en) 1979-08-08 1979-08-08 Positive type photoresist composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5625731A JPS5625731A (en) 1981-03-12
JPS6352371B2 true JPS6352371B2 (ja) 1988-10-18

Family

ID=14270228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10029779A Granted JPS5625731A (en) 1979-08-08 1979-08-08 Positive type photoresist composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5625731A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7123673B2 (ja) * 2018-07-13 2022-08-23 群栄化学工業株式会社 紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、ワニス、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5625731A (en) 1981-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6236663A (ja) ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物
JPH052226B2 (ja)
US4871645A (en) Positive-working photoresist composition
US4894311A (en) Positive-working photoresist composition
JPS6210646A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2569669B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH01309052A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH11263768A (ja) 新規な光活性化合物を有するフォトレジスト
JP2676902B2 (ja) トリフェニルメタン誘導体及びその製法
JPH10168173A (ja) ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾチアゾール前駆体の製造方法
JP3303546B2 (ja) ビスラクトン系化合物及びその製造方法
JPS6352372B2 (ja)
JP3365318B2 (ja) 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2558716B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JPS6210645A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPS63279246A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
EP0460416A1 (en) Positive resist composition
JPH0446947B2 (ja)
JP4206718B2 (ja) 感光性ポリアミド樹脂組成物の製造方法
JPH0527430A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPS63178229A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03185447A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH0820730B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0519466A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPS62270951A (ja) ポジ型フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂