JPS6355182A - ガラス状炭素被覆体の製造法 - Google Patents
ガラス状炭素被覆体の製造法Info
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の製造工程におAて使用されるサセプタ
ー、黒鉛ヒーター等の半導体処理治具の構成材料として
用いられるガラス状炭素被覆体に関する。
ー、黒鉛ヒーター等の半導体処理治具の構成材料として
用いられるガラス状炭素被覆体に関する。
サセプター、黒鉛ヒーターなどはシリコンなどの半導体
を製造する際に欠くことのできなhものである。例えば
、サセプターは高純度のシリコン基板等の製品に接触す
る之め、その製品を汚染しないと云う特性が要求される
。又高温における塩化水素雰囲スての1酎エツチング性
、はぼ1200°Cまでの繰返し使用に術える耐熱衝掌
性も要求される。
を製造する際に欠くことのできなhものである。例えば
、サセプターは高純度のシリコン基板等の製品に接触す
る之め、その製品を汚染しないと云う特性が要求される
。又高温における塩化水素雰囲スての1酎エツチング性
、はぼ1200°Cまでの繰返し使用に術える耐熱衝掌
性も要求される。
更に、チョクラルスキー法などで使用される黒鉛ヒータ
ーは、その加熱温度が1000°Cを包えるので、黒鉛
中に含まれる金属などの不純物が揮散し易く、シリコン
などの半導体製品を汚染する欠点があった。
ーは、その加熱温度が1000°Cを包えるので、黒鉛
中に含まれる金属などの不純物が揮散し易く、シリコン
などの半導体製品を汚染する欠点があった。
この欠点を補うものとして、従来から炭素成形品、若く
はセラミックス成形品の上に化学気相蒸着(CVD )
法による炭化ケイ素を被覆した被覆体が使用されている
(g考文献;特開昭56−10921号公報)。
はセラミックス成形品の上に化学気相蒸着(CVD )
法による炭化ケイ素を被覆した被覆体が使用されている
(g考文献;特開昭56−10921号公報)。
しかし、炭化ケイ素被覆体は炭化ケイ素皮模と炭素若し
くはセラミックスとの熱膨張係数が異なっているため、
繰返し使用による熱サイクルにより皮膜にクラックが発
生し、そのクラックを通して炭素若しくけセラミックス
成型品から不純物が浸み出し、製品を汚染する欠点を有
していた。
くはセラミックスとの熱膨張係数が異なっているため、
繰返し使用による熱サイクルにより皮膜にクラックが発
生し、そのクラックを通して炭素若しくけセラミックス
成型品から不純物が浸み出し、製品を汚染する欠点を有
していた。
これ等の欠点を克服する手段として、炭素又はセラミッ
クス成形品にガラス状炭素を被覆する提案がある(特公
昭52−39684号公報)。
クス成形品にガラス状炭素を被覆する提案がある(特公
昭52−39684号公報)。
この方法で得られるプラス状炭素被グ体は上記炭化ケイ
素被覆体と比較して皮膜の均一性が優れており、更に皮
膜の厚味が10μmと炭化ケイ素皮膜の約100μmと
比較して薄めため、熱サイクルによるクラック、剥離が
生じ堆いという数々の利点を有している。
素被覆体と比較して皮膜の均一性が優れており、更に皮
膜の厚味が10μmと炭化ケイ素皮膜の約100μmと
比較して薄めため、熱サイクルによるクラック、剥離が
生じ堆いという数々の利点を有している。
しかしながら、上記のガラス状炭素被覆体は膜厚が薄力
が故に、下地の黒鉛基材の影響を受は易く、黒鉛基材の
物性:直の、バラツキにより被覆が十分に行なわれず、
ピンホール等が発生し易い欠点があった。
が故に、下地の黒鉛基材の影響を受は易く、黒鉛基材の
物性:直の、バラツキにより被覆が十分に行なわれず、
ピンホール等が発生し易い欠点があった。
本発明は上記の欠点を解消し、ピンホールがきわめて少
ないガラス状炭素被覆体を提供することを目的としてい
る。
ないガラス状炭素被覆体を提供することを目的としてい
る。
本発明者等は鋭童研究を重ねた結果、上記のピンホール
の有無と、黒鉛基材との間に明確な相関があることを把
握し、ピンホールの発生を抑えるには黒鉛基材を厳選す
れば良いことが判明し友。
の有無と、黒鉛基材との間に明確な相関があることを把
握し、ピンホールの発生を抑えるには黒鉛基材を厳選す
れば良いことが判明し友。
すなわち、本発明は黒鉛基材上知がラス状炭素を被覆し
てなるガラス状炭素被覆体において、前記黒鉛基材は、
かさ密度が1.6597cm3以上であり、黒鉛の粒径
が100μmlJ、下であフ、かつ、開気孔率と全気孔
率との比が0.1以上0.8以下であることを特徴とす
るガラス状炭素被覆体である0本発明のガラス状炭素被
覆体は有機重合体の不完全熱分解生成物(以下、PC物
質という)を溶剤に溶かしt溶液に、必要ならば無機質
粉末を配合してスラリーとし、該スラリーを黒鉛基材の
表面に塗布し焼成することにより得られる。
てなるガラス状炭素被覆体において、前記黒鉛基材は、
かさ密度が1.6597cm3以上であり、黒鉛の粒径
が100μmlJ、下であフ、かつ、開気孔率と全気孔
率との比が0.1以上0.8以下であることを特徴とす
るガラス状炭素被覆体である0本発明のガラス状炭素被
覆体は有機重合体の不完全熱分解生成物(以下、PC物
質という)を溶剤に溶かしt溶液に、必要ならば無機質
粉末を配合してスラリーとし、該スラリーを黒鉛基材の
表面に塗布し焼成することにより得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。
この発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹脂、ポリ
ビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフ
ェノール樹脂、塩素化/マラフイン、塩素化ポリプロピ
レン、酢酸ビニル樹脂ま几はポリカーゴネート樹脂が好
適である。
ビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフ
ェノール樹脂、塩素化/マラフイン、塩素化ポリプロピ
レン、酢酸ビニル樹脂ま几はポリカーゴネート樹脂が好
適である。
とくに不浸透性炭素被覆を施した物品の使途が半導体製
造用サセプターの場合には、不純物の面から上記のうち
塩化ビニル樹脂がとりわけ好ましい0 これら有機重合体の熱分解はその種類を問わず粒状品又
は粉末を、不活性雰囲気例えばアルゴンガス中で200
〜500”Cで30分以上加熱して行う。しかしながら
、完全に炭化させないほうが好ましAoこの加熱の望ま
しい温度・時間は加熱装置および有機重合体の種類によ
って異なるが、分解生成物の炭素原子と水素原子の重量
比(C/H比)が結果的に10〜25:1の範囲に入る
よう実験により定めればよい0 このようにして得られるピッチ状物質(以下、PC物質
という)に瘍剤を加えて磐かし、濃度200〜500
ji/lのm液?作る。溶剤は溶解性の点から脂肪族塩
素系の溶剤が好ましい。不容解物が残ればろ過して不溶
解物を覗除くO上記溶液に配合する耐熱性無機質粉末(
ぽ下、骨材という)とは黒鉛、炭化珪素、アルミナなど
の物質であり、その形態は直径が50μm以下の球形ま
之は不定形でよく、ま念、長径500μm以下の棒状ま
之は繊維状でもよい。骨材として前記有機重合体を炭化
し之ものを用いると、最終的に被覆層内がほぼ均質とな
るtめ不浸遡性の点でとくに好ましい。その平均粒径は
20μm1g下になるよう出来るだけ細かく粉砕したほ
うが塗布層の表面状態の点で好ましい。このようにして
得られた溶液を黒鉛基材に塗布する。
造用サセプターの場合には、不純物の面から上記のうち
塩化ビニル樹脂がとりわけ好ましい0 これら有機重合体の熱分解はその種類を問わず粒状品又
は粉末を、不活性雰囲気例えばアルゴンガス中で200
〜500”Cで30分以上加熱して行う。しかしながら
、完全に炭化させないほうが好ましAoこの加熱の望ま
しい温度・時間は加熱装置および有機重合体の種類によ
って異なるが、分解生成物の炭素原子と水素原子の重量
比(C/H比)が結果的に10〜25:1の範囲に入る
よう実験により定めればよい0 このようにして得られるピッチ状物質(以下、PC物質
という)に瘍剤を加えて磐かし、濃度200〜500
ji/lのm液?作る。溶剤は溶解性の点から脂肪族塩
素系の溶剤が好ましい。不容解物が残ればろ過して不溶
解物を覗除くO上記溶液に配合する耐熱性無機質粉末(
ぽ下、骨材という)とは黒鉛、炭化珪素、アルミナなど
の物質であり、その形態は直径が50μm以下の球形ま
之は不定形でよく、ま念、長径500μm以下の棒状ま
之は繊維状でもよい。骨材として前記有機重合体を炭化
し之ものを用いると、最終的に被覆層内がほぼ均質とな
るtめ不浸遡性の点でとくに好ましい。その平均粒径は
20μm1g下になるよう出来るだけ細かく粉砕したほ
うが塗布層の表面状態の点で好ましい。このようにして
得られた溶液を黒鉛基材に塗布する。
このとき特に留意すべきことは黒鉛基材の選択である。
即ち、基材のかさ密度が1,659 /cr113を下
まわると、全体の気孔率が大きくなジすぎて、塗布が均
一には行なわれず、ピンホールが発生し易くなる。
まわると、全体の気孔率が大きくなジすぎて、塗布が均
一には行なわれず、ピンホールが発生し易くなる。
更に、黒鉛の粒径が100μmを越えると、友とえかさ
密度が1.6597cm3以上であったとしても、非常
に大きな径の開気孔が存在する確率が大きくなり、これ
もまた塗布が均一に行なわれない原因となる。
密度が1.6597cm3以上であったとしても、非常
に大きな径の開気孔が存在する確率が大きくなり、これ
もまた塗布が均一に行なわれない原因となる。
又、上記の2つの特性を有していても開気孔率と、全気
孔率の比が0.1より小さいと、PC物質を塗布し焼成
した際に、黒鉛基材のアンカー効果が発現し雅く、ガラ
ス状炭素皮1@の剥離が生じて好ましくない。前記比が
0゜8を越える場合は、やはり、PC物質の塗布が困雉
となり、これもピンホールの原因となる。
孔率の比が0.1より小さいと、PC物質を塗布し焼成
した際に、黒鉛基材のアンカー効果が発現し雅く、ガラ
ス状炭素皮1@の剥離が生じて好ましくない。前記比が
0゜8を越える場合は、やはり、PC物質の塗布が困雉
となり、これもピンホールの原因となる。
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例1〜7
表に示すように、かさ密度が1.65g/cm3以上で
あり、黒鉛の粒径が100μm以下であり、かつ、開気
孔率と全気孔率との比が0.1以上0.8以下である黒
鉛基材を用意し、これを10口×50cmx1cInの
板状に加工した。つぎに、塩化ビニル樹脂(を気化学工
業(抹)製5s−110)をアルデフ雰囲気下、380
℃の温度で40分間、不完全な熱分解を行なった。
あり、黒鉛の粒径が100μm以下であり、かつ、開気
孔率と全気孔率との比が0.1以上0.8以下である黒
鉛基材を用意し、これを10口×50cmx1cInの
板状に加工した。つぎに、塩化ビニル樹脂(を気化学工
業(抹)製5s−110)をアルデフ雰囲気下、380
℃の温度で40分間、不完全な熱分解を行なった。
得られ九PC物質を200 g/lの割合でトリクンン
に溶解して答液とした。前記黒鉛基材をこの啓液に浸漬
することによって黒鉛基本上にPC物質の塗膜を設は之
。
に溶解して答液とした。前記黒鉛基材をこの啓液に浸漬
することによって黒鉛基本上にPC物質の塗膜を設は之
。
これを真空中で@度1200℃で45分間の焼成を行な
い、ガラス状炭素被覆体の試験片を得た。
い、ガラス状炭素被覆体の試験片を得た。
これら試験片のガラス状炭素被嘆の1厚さはいずれも5
μmであつ之。
μmであつ之。
得られた試験片の表裏全回を100倍の光学顕微鏡で観
察することによりピンホールの数を算え友。その結果、
表に示すとおジビンホールは皆無であった。
察することによりピンホールの数を算え友。その結果、
表に示すとおジビンホールは皆無であった。
比較列1〜7
表に示すとおり、比f!2例1および6は黒鉛基材のか
さ密度が1.65.97cm3未満のものを用いた。
さ密度が1.65.97cm3未満のものを用いた。
比較例2.6および7は黒鉛基材中に粒径が100μm
を越える大きな黒鉛粒子分含むものを用いた。
を越える大きな黒鉛粒子分含むものを用いた。
比較例6は黒鉛基材の開気孔率と全気孔率の比が0.1
未嘴のものを用いた。比較例4および5は黒8基材の開
気孔率と全気孔率の比が0.8を越えるものを用いt。
未嘴のものを用いた。比較例4および5は黒8基材の開
気孔率と全気孔率の比が0.8を越えるものを用いt。
上記の外は実施列と違いはなく、実施例1〜7に準拠し
て行なった。その結果、表に示すとおり試験片1枚当9
1〜20個のピンホールが観察された。
て行なった。その結果、表に示すとおり試験片1枚当9
1〜20個のピンホールが観察された。
なお、上記実権列および比較例におけるかさ密度、最大
粒径および開気孔率と全気孔率の比は下記の方法により
測定し九〇 かさ密度の測定法・・・まず前記黒鉛基材を温度110
±5℃の空気浴中で約2時間渫ち、これをデシケータ中
で室温まで冷却した後、ただちに、重さW C&)をは
かった。次に、黒鉛基材の寸法をはかり、体積V(cI
n3)を計算した。次にがさ密度=w7vの式からかさ
密度を計算した。
粒径および開気孔率と全気孔率の比は下記の方法により
測定し九〇 かさ密度の測定法・・・まず前記黒鉛基材を温度110
±5℃の空気浴中で約2時間渫ち、これをデシケータ中
で室温まで冷却した後、ただちに、重さW C&)をは
かった。次に、黒鉛基材の寸法をはかり、体積V(cI
n3)を計算した。次にがさ密度=w7vの式からかさ
密度を計算した。
最大粒径の測定法・・・まず、黒鉛基材表面をバフ境面
研磨し友。久に100倍の偏光顕微暁により、表面を観
察し、無作為に選んだ20個の結晶粒の長軸と短軸の和
を2で割った直をそれぞれの粒径とした。この内、その
直が最大となるものを、最大粒径とした。
研磨し友。久に100倍の偏光顕微暁により、表面を観
察し、無作為に選んだ20個の結晶粒の長軸と短軸の和
を2で割った直をそれぞれの粒径とした。この内、その
直が最大となるものを、最大粒径とした。
開気孔率と全気孔率との比の測定法・・・まず、黒鉛の
真比重を2.26と仮定。次に前記黒鉛材のかさ凹度を
上記の方法で求めfc後に、20±5℃の水中に5時間
以上保持し、これを直径1 mx以下の針金で水中につ
るしたまま重量を求め、針金の重量を差引いた飽水水中
重責(w2.9 )を求めた。
真比重を2.26と仮定。次に前記黒鉛材のかさ凹度を
上記の方法で求めfc後に、20±5℃の水中に5時間
以上保持し、これを直径1 mx以下の針金で水中につ
るしたまま重量を求め、針金の重量を差引いた飽水水中
重責(w2.9 )を求めた。
つAで、黒鉛基材を水中から取出し、湿布で手早く表面
をぬぐい水滴を除去しt後、飽水型t (W3、りを求
めた。黒鉛基材の乾燥重量をWl (g)とすると水中
見掛比ji dWはdw = W1/ (W3− W2
)となる。
をぬぐい水滴を除去しt後、飽水型t (W3、りを求
めた。黒鉛基材の乾燥重量をWl (g)とすると水中
見掛比ji dWはdw = W1/ (W3− W2
)となる。
次に、開気孔率は、かさ比重をdとすると、(dw−d
)/aw x 100 (%)で与えられる。
)/aw x 100 (%)で与えられる。
又、全気孔率はd/2.26X100(%)で与えられ
るから、開気孔率と、全気孔率の比はとなる。
るから、開気孔率と、全気孔率の比はとなる。
本発明のガラス状炭素被覆体はピンホールがな−ので、
黒M1基材から不純物が浸み出してくるおそれがなく、
とくに半導体処理治具の構成材料として適している。
黒M1基材から不純物が浸み出してくるおそれがなく、
とくに半導体処理治具の構成材料として適している。
Claims (1)
- 黒鉛基材上にガラス状炭素を被覆してなるガラス状炭素
被覆体において、前記黒鉛基材は、かさ密度が1.65
g/cm^3以上であり、黒鉛の粒径が100μm以下
であり、かつ、開気孔率と全気孔率との比が0.1以上
0.8以下であることを特徴とするガラス状炭素被覆体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198061A JPS6355182A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | ガラス状炭素被覆体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198061A JPS6355182A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | ガラス状炭素被覆体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355182A true JPS6355182A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0224794B2 JPH0224794B2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=16384877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198061A Granted JPS6355182A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | ガラス状炭素被覆体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450185A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ガラス状炭素被覆物品 |
| JP2021508659A (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61198061A patent/JPS6355182A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450185A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ガラス状炭素被覆物品 |
| JP2021508659A (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス |
| US12077441B2 (en) | 2017-12-27 | 2024-09-03 | Applied Materials, Inc. | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224794B2 (ja) | 1990-05-30 |
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