JPS6355182A - ガラス状炭素被覆体の製造法 - Google Patents

ガラス状炭素被覆体の製造法

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JPS6355182A
JPS6355182A JP61198061A JP19806186A JPS6355182A JP S6355182 A JPS6355182 A JP S6355182A JP 61198061 A JP61198061 A JP 61198061A JP 19806186 A JP19806186 A JP 19806186A JP S6355182 A JPS6355182 A JP S6355182A
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graphite
glassy carbon
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寺崎 隆一
征彦 中島
和己 野澤
陽一 尾形
佐藤 新世
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Denki Kagaku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体の製造工程におAて使用されるサセプタ
ー、黒鉛ヒーター等の半導体処理治具の構成材料として
用いられるガラス状炭素被覆体に関する。
〔従来の技術〕
サセプター、黒鉛ヒーターなどはシリコンなどの半導体
を製造する際に欠くことのできなhものである。例えば
、サセプターは高純度のシリコン基板等の製品に接触す
る之め、その製品を汚染しないと云う特性が要求される
。又高温における塩化水素雰囲スての1酎エツチング性
、はぼ1200°Cまでの繰返し使用に術える耐熱衝掌
性も要求される。
更に、チョクラルスキー法などで使用される黒鉛ヒータ
ーは、その加熱温度が1000°Cを包えるので、黒鉛
中に含まれる金属などの不純物が揮散し易く、シリコン
などの半導体製品を汚染する欠点があった。
この欠点を補うものとして、従来から炭素成形品、若く
はセラミックス成形品の上に化学気相蒸着(CVD )
法による炭化ケイ素を被覆した被覆体が使用されている
(g考文献;特開昭56−10921号公報)。
しかし、炭化ケイ素被覆体は炭化ケイ素皮模と炭素若し
くはセラミックスとの熱膨張係数が異なっているため、
繰返し使用による熱サイクルにより皮膜にクラックが発
生し、そのクラックを通して炭素若しくけセラミックス
成型品から不純物が浸み出し、製品を汚染する欠点を有
していた。
これ等の欠点を克服する手段として、炭素又はセラミッ
クス成形品にガラス状炭素を被覆する提案がある(特公
昭52−39684号公報)。
この方法で得られるプラス状炭素被グ体は上記炭化ケイ
素被覆体と比較して皮膜の均一性が優れており、更に皮
膜の厚味が10μmと炭化ケイ素皮膜の約100μmと
比較して薄めため、熱サイクルによるクラック、剥離が
生じ堆いという数々の利点を有している。
しかしながら、上記のガラス状炭素被覆体は膜厚が薄力
が故に、下地の黒鉛基材の影響を受は易く、黒鉛基材の
物性:直の、バラツキにより被覆が十分に行なわれず、
ピンホール等が発生し易い欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は上記の欠点を解消し、ピンホールがきわめて少
ないガラス状炭素被覆体を提供することを目的としてい
る。
〔問題点を解決する之めの手段〕
本発明者等は鋭童研究を重ねた結果、上記のピンホール
の有無と、黒鉛基材との間に明確な相関があることを把
握し、ピンホールの発生を抑えるには黒鉛基材を厳選す
れば良いことが判明し友。
すなわち、本発明は黒鉛基材上知がラス状炭素を被覆し
てなるガラス状炭素被覆体において、前記黒鉛基材は、
かさ密度が1.6597cm3以上であり、黒鉛の粒径
が100μmlJ、下であフ、かつ、開気孔率と全気孔
率との比が0.1以上0.8以下であることを特徴とす
るガラス状炭素被覆体である0本発明のガラス状炭素被
覆体は有機重合体の不完全熱分解生成物(以下、PC物
質という)を溶剤に溶かしt溶液に、必要ならば無機質
粉末を配合してスラリーとし、該スラリーを黒鉛基材の
表面に塗布し焼成することにより得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。
この発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹脂、ポリ
ビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフ
ェノール樹脂、塩素化/マラフイン、塩素化ポリプロピ
レン、酢酸ビニル樹脂ま几はポリカーゴネート樹脂が好
適である。
とくに不浸透性炭素被覆を施した物品の使途が半導体製
造用サセプターの場合には、不純物の面から上記のうち
塩化ビニル樹脂がとりわけ好ましい0 これら有機重合体の熱分解はその種類を問わず粒状品又
は粉末を、不活性雰囲気例えばアルゴンガス中で200
〜500”Cで30分以上加熱して行う。しかしながら
、完全に炭化させないほうが好ましAoこの加熱の望ま
しい温度・時間は加熱装置および有機重合体の種類によ
って異なるが、分解生成物の炭素原子と水素原子の重量
比(C/H比)が結果的に10〜25:1の範囲に入る
よう実験により定めればよい0 このようにして得られるピッチ状物質(以下、PC物質
という)に瘍剤を加えて磐かし、濃度200〜500 
ji/lのm液?作る。溶剤は溶解性の点から脂肪族塩
素系の溶剤が好ましい。不容解物が残ればろ過して不溶
解物を覗除くO上記溶液に配合する耐熱性無機質粉末(
ぽ下、骨材という)とは黒鉛、炭化珪素、アルミナなど
の物質であり、その形態は直径が50μm以下の球形ま
之は不定形でよく、ま念、長径500μm以下の棒状ま
之は繊維状でもよい。骨材として前記有機重合体を炭化
し之ものを用いると、最終的に被覆層内がほぼ均質とな
るtめ不浸遡性の点でとくに好ましい。その平均粒径は
20μm1g下になるよう出来るだけ細かく粉砕したほ
うが塗布層の表面状態の点で好ましい。このようにして
得られた溶液を黒鉛基材に塗布する。
このとき特に留意すべきことは黒鉛基材の選択である。
即ち、基材のかさ密度が1,659 /cr113を下
まわると、全体の気孔率が大きくなジすぎて、塗布が均
一には行なわれず、ピンホールが発生し易くなる。
更に、黒鉛の粒径が100μmを越えると、友とえかさ
密度が1.6597cm3以上であったとしても、非常
に大きな径の開気孔が存在する確率が大きくなり、これ
もまた塗布が均一に行なわれない原因となる。
又、上記の2つの特性を有していても開気孔率と、全気
孔率の比が0.1より小さいと、PC物質を塗布し焼成
した際に、黒鉛基材のアンカー効果が発現し雅く、ガラ
ス状炭素皮1@の剥離が生じて好ましくない。前記比が
0゜8を越える場合は、やはり、PC物質の塗布が困雉
となり、これもピンホールの原因となる。
〔実施列〕
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明
する。
実施例1〜7 表に示すように、かさ密度が1.65g/cm3以上で
あり、黒鉛の粒径が100μm以下であり、かつ、開気
孔率と全気孔率との比が0.1以上0.8以下である黒
鉛基材を用意し、これを10口×50cmx1cInの
板状に加工した。つぎに、塩化ビニル樹脂(を気化学工
業(抹)製5s−110)をアルデフ雰囲気下、380
℃の温度で40分間、不完全な熱分解を行なった。
得られ九PC物質を200 g/lの割合でトリクンン
に溶解して答液とした。前記黒鉛基材をこの啓液に浸漬
することによって黒鉛基本上にPC物質の塗膜を設は之
これを真空中で@度1200℃で45分間の焼成を行な
い、ガラス状炭素被覆体の試験片を得た。
これら試験片のガラス状炭素被嘆の1厚さはいずれも5
μmであつ之。
得られた試験片の表裏全回を100倍の光学顕微鏡で観
察することによりピンホールの数を算え友。その結果、
表に示すとおジビンホールは皆無であった。
比較列1〜7 表に示すとおり、比f!2例1および6は黒鉛基材のか
さ密度が1.65.97cm3未満のものを用いた。
比較例2.6および7は黒鉛基材中に粒径が100μm
を越える大きな黒鉛粒子分含むものを用いた。
比較例6は黒鉛基材の開気孔率と全気孔率の比が0.1
未嘴のものを用いた。比較例4および5は黒8基材の開
気孔率と全気孔率の比が0.8を越えるものを用いt。
上記の外は実施列と違いはなく、実施例1〜7に準拠し
て行なった。その結果、表に示すとおり試験片1枚当9
1〜20個のピンホールが観察された。
なお、上記実権列および比較例におけるかさ密度、最大
粒径および開気孔率と全気孔率の比は下記の方法により
測定し九〇 かさ密度の測定法・・・まず前記黒鉛基材を温度110
±5℃の空気浴中で約2時間渫ち、これをデシケータ中
で室温まで冷却した後、ただちに、重さW C&)をは
かった。次に、黒鉛基材の寸法をはかり、体積V(cI
n3)を計算した。次にがさ密度=w7vの式からかさ
密度を計算した。
最大粒径の測定法・・・まず、黒鉛基材表面をバフ境面
研磨し友。久に100倍の偏光顕微暁により、表面を観
察し、無作為に選んだ20個の結晶粒の長軸と短軸の和
を2で割った直をそれぞれの粒径とした。この内、その
直が最大となるものを、最大粒径とした。
開気孔率と全気孔率との比の測定法・・・まず、黒鉛の
真比重を2.26と仮定。次に前記黒鉛材のかさ凹度を
上記の方法で求めfc後に、20±5℃の水中に5時間
以上保持し、これを直径1 mx以下の針金で水中につ
るしたまま重量を求め、針金の重量を差引いた飽水水中
重責(w2.9 )を求めた。
つAで、黒鉛基材を水中から取出し、湿布で手早く表面
をぬぐい水滴を除去しt後、飽水型t (W3、りを求
めた。黒鉛基材の乾燥重量をWl (g)とすると水中
見掛比ji dWはdw = W1/ (W3− W2
 )となる。
次に、開気孔率は、かさ比重をdとすると、(dw−d
)/aw x 100 (%)で与えられる。
又、全気孔率はd/2.26X100(%)で与えられ
るから、開気孔率と、全気孔率の比はとなる。
〔発明の効果〕
本発明のガラス状炭素被覆体はピンホールがな−ので、
黒M1基材から不純物が浸み出してくるおそれがなく、
とくに半導体処理治具の構成材料として適している。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 黒鉛基材上にガラス状炭素を被覆してなるガラス状炭素
    被覆体において、前記黒鉛基材は、かさ密度が1.65
    g/cm^3以上であり、黒鉛の粒径が100μm以下
    であり、かつ、開気孔率と全気孔率との比が0.1以上
    0.8以下であることを特徴とするガラス状炭素被覆体
JP61198061A 1986-08-26 1986-08-26 ガラス状炭素被覆体の製造法 Granted JPS6355182A (ja)

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JPS6355182A true JPS6355182A (ja) 1988-03-09
JPH0224794B2 JPH0224794B2 (ja) 1990-05-30

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0450185A (ja) * 1990-06-20 1992-02-19 Denki Kagaku Kogyo Kk ガラス状炭素被覆物品
JP2021508659A (ja) * 2017-12-27 2021-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0450185A (ja) * 1990-06-20 1992-02-19 Denki Kagaku Kogyo Kk ガラス状炭素被覆物品
JP2021508659A (ja) * 2017-12-27 2021-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス
US12077441B2 (en) 2017-12-27 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Process for manufacturing a silicon carbide coated body

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JPH0224794B2 (ja) 1990-05-30

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