JPS6355209B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6355209B2
JPS6355209B2 JP13628680A JP13628680A JPS6355209B2 JP S6355209 B2 JPS6355209 B2 JP S6355209B2 JP 13628680 A JP13628680 A JP 13628680A JP 13628680 A JP13628680 A JP 13628680A JP S6355209 B2 JPS6355209 B2 JP S6355209B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
thin film
base thin
absorber pattern
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP13628680A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5760839A (en
Inventor
Masaki Ito
Sotaro Edokoro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP13628680A priority Critical patent/JPS5760839A/ja
Publication of JPS5760839A publication Critical patent/JPS5760839A/ja
Publication of JPS6355209B2 publication Critical patent/JPS6355209B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に関する
ものである。
Ｘ線露光用マスクは、従来第１図に示す工程で
製造されている。すなわち、 (1) Ｘ線透過性基板、例えばシリコン単結晶基板
１の上にＸ線透過支持体層２を形成する。
(2) そのＸ線透過支持体層２の上に電気めつき用
のベース薄膜３を被着する、 (3) その上に所望のＸ線吸収体パターンと相補の
パターン４を形成する、 (4) その上から金を電気めつきすることによりＸ
線吸収体パターン５を形成し、しかる後、相補
のパターン４を除去する。
(5) Ｘ線吸収体パターン５をマスクとしてベース
薄膜３をエツチング除去する。さらに、基板１
の裏側の一部をエツチンングし、残りの部分を
補強支持梁とする。
ここで(5)の前段の工程はＸ線吸収体パターン５
以外のところのＸ線の透過率を向上させるために
また、(5)の後段の工程もＸ線の透過率を向上させ
るために必要である。
ところが、Ｘ線吸収体パターン５の幅が微細に
なると、ベース薄膜３のエツチング時に生ずるＸ
線吸収体パターン５下のベース薄膜３の浸蝕６が
無視できなくなり、Ｘ線吸収体パターン５が剥離
し、マスク製造の歩留りが低下するという問題が
ある。
本発明の目的は歩留りの良いＸ線露光用マスク
の製造方法を提供することにある。
すなわち、本発明は上記のベース薄膜３をエツ
チング除去する工程(5)の前にＸ線吸収体パターン
５を構成している物質をその直下のベース薄膜３
に拡散させる工程を含むことにより得られる。
以下本発明のＸ線露光用マスクの製造方法につ
いて説明する。
第１図の工程(4)においてベース薄膜３の上にＸ
線吸収体パターン５を被着した後、試料を100℃
以上に加熱する。しかる後、Ｘ線吸収体パターン
５をマスクとしてベース薄膜３をエツチングする
と、第２図のごとくＸ線吸収体パターン５下のベ
ース薄膜３は吸収体物質が拡散されているため、
ほとんどエツチングされない。したがつて、従来
の製造方法を用いたときに起こる浸蝕６がほとん
どないためＸ線吸収体パターン５が剥離してしま
うという現像を防止できる。
本発明ではベース薄膜３に用いる金属膜は、金
よりエツチング速度の速いものが選ばれるがNi
その他の遷移金属やパーマロイなどの合金が適し
ている。
なお、試料の加熱は200℃以上或いは300℃以上
と高温にすればするほど良好な結果が得られる。
また、試料の加熱は相補パターン４の除去前に
行なつてもよく、または試料を加熱しつつ相補パ
ターン４の除去を行なつてもよい。
以上述べたように、本発明によれば歩留り良く
Ｘ線露光用マスクの製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＸ線露光用マスクの製造工程を
示す断面図で、１はＸ線透過性基板上にＸ線透過
支持体層を形成した状態、２はＸ線透過支持体層
上に電気めつき用ベース薄膜を被着した状態、３
は所望のＸ線吸収体パターンと相補のパターンを
形成した状態、４はＸ線吸収体パターンを形成し
相補のパターンを除去した状態、５はベース薄膜
をエツチングした状態を表わす。第２図は本発明
により得られるＸ線露光用マスクの断面図を表わ
す。 図において、１はＸ線透過性基板、２はＸ線透
過支持体層、３はベース薄膜、４は相補パター
ン、５はＸ線吸収体パターン、６はベース薄膜の
浸蝕を表わす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Ｘ線透過支持体層上にＸ線吸収体パターンと
    異なる物質の電気めつき用のベース薄膜を被着す
    る工程と、そのベース薄膜上に電気めつき法によ
    りＸ線吸収体パターンを形成する工程と、そのＸ
    線吸収体パターンをマスクとして前記ベース薄膜
    をエツチング除去する工程とを有するＸ線露光用
    マスクの製造方法において、前記ベース薄膜をエ
    ツチング除去する工程の前にＸ線吸収体パターン
    を構成している物質をその直下のベース薄膜に拡
    散させる工程を含むことを特徴とするＸ線露光用
    マスクの製造方法。
JP13628680A 1980-09-30 1980-09-30 Manufacture of x-ray exposure mask Granted JPS5760839A (en)

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Publication Number Publication Date
JPS5760839A JPS5760839A (en) 1982-04-13
JPS6355209B2 true JPS6355209B2 (ja) 1988-11-01

Family

ID=15171617

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950443A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Hitachi Ltd Ｘ線マスク
JP3073067B2 (ja) * 1991-10-04 2000-08-07 キヤノン株式会社 Ｘ線露光用マスク及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5760839A (en) 1982-04-13

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