JPH0160935B2 - - Google Patents
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- JPH0160935B2 JPH0160935B2 JP7046281A JP7046281A JPH0160935B2 JP H0160935 B2 JPH0160935 B2 JP H0160935B2 JP 7046281 A JP7046281 A JP 7046281A JP 7046281 A JP7046281 A JP 7046281A JP H0160935 B2 JPH0160935 B2 JP H0160935B2
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- thin film
- film
- spacer
- electroplating
- ray
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に関する
ものである。Ｘ線露光用マスクは、従来第１図に
示す工程で製造されている。
ものである。Ｘ線露光用マスクは、従来第１図に
示す工程で製造されている。
すなわち、
(1) マスク支持体１、例えばシリコン単結晶基板
の上にＸ線透過支持体層２を形成する。
の上にＸ線透過支持体層２を形成する。
(2) そのＸ線透過支持体層２の上に電気めつき用
ベース薄膜３を被着する。
ベース薄膜３を被着する。
(3) さらに、その上に電気めつき用スペーサ厚膜
４を被着し、そのスペーサ厚膜４にイオン照射
５を行なう。
４を被着し、そのスペーサ厚膜４にイオン照射
５を行なう。
(4) イオン照射されたスペーサ厚膜４はエツチン
グされ、開口６が形成される。
グされ、開口６が形成される。
(5) ベース薄膜３を電極として電気めつきを行な
うことにより、Ｘ線吸収体パターン７を形成
し、しかる後、スペーサ厚膜４を除去する。
うことにより、Ｘ線吸収体パターン７を形成
し、しかる後、スペーサ厚膜４を除去する。
以上の工程によりＸ線露光用マスクの吸収体パ
ターンが形成される。その後、吸収体パターンの
下以外のベース薄膜３を除去し、マスク支持体１
の一部を除去することにより、Ｘ線露光用マスク
が完成する。
ターンが形成される。その後、吸収体パターンの
下以外のベース薄膜３を除去し、マスク支持体１
の一部を除去することにより、Ｘ線露光用マスク
が完成する。
ところで、イオン照射によりスペーサ厚膜４に
開口６を形成するときに過度にエツチングを行な
うと、ベース薄膜３までスパツタされ、このスパ
ツタされた物質が、第２図のごとく、スペーサ厚
膜４の側壁に２１のように付着する。この付着さ
れた層２１は電気めつきの際に電極となるので、
電気めつきより形成される吸収体パターンは第３
図のごとく、開口の周辺に、もりあがり３１を発
生するという問題が生ずる。
開口６を形成するときに過度にエツチングを行な
うと、ベース薄膜３までスパツタされ、このスパ
ツタされた物質が、第２図のごとく、スペーサ厚
膜４の側壁に２１のように付着する。この付着さ
れた層２１は電気めつきの際に電極となるので、
電気めつきより形成される吸収体パターンは第３
図のごとく、開口の周辺に、もりあがり３１を発
生するという問題が生ずる。
本発明の目的は、良好なＸ線露光用マスクを高
歩留りで製造する方法を提供することにある。
歩留りで製造する方法を提供することにある。
すなわち、本発明はＸ線透過支持体層上に電気
めつき用のベース膜を被着し、そのベース薄膜の
上に設けられたスペーサ厚膜の開口を通して電気
めつきにより前記ベース薄膜上にＸ線吸収体パタ
ーンを形成する工程を有するＸ線露光用マスクの
製造方法において前記ベース薄膜と前記スペーサ
厚膜の間に前記ベース薄膜よりイオン照射エツチ
ング速度の小さい物質からなる補助薄膜を設け、
この補助薄膜をストツパーとして前記スペーサ厚
膜の開口を設け、前記電気めつきの前にその開口
部の補助薄膜を除去する工程を含むＸ線露光用マ
スクの製造方法である。
めつき用のベース膜を被着し、そのベース薄膜の
上に設けられたスペーサ厚膜の開口を通して電気
めつきにより前記ベース薄膜上にＸ線吸収体パタ
ーンを形成する工程を有するＸ線露光用マスクの
製造方法において前記ベース薄膜と前記スペーサ
厚膜の間に前記ベース薄膜よりイオン照射エツチ
ング速度の小さい物質からなる補助薄膜を設け、
この補助薄膜をストツパーとして前記スペーサ厚
膜の開口を設け、前記電気めつきの前にその開口
部の補助薄膜を除去する工程を含むＸ線露光用マ
スクの製造方法である。
以下、本発明のＸ線露光用マスクの製造方法に
ついて実施例を用いて説明する。
ついて実施例を用いて説明する。
第４図は本発明の一実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
(1) マスク支持体１、例えばシリコン単結晶基板
の上にＸ線透過支持体層２、例えばシリコン窒
化膜を形成する。
の上にＸ線透過支持体層２、例えばシリコン窒
化膜を形成する。
(2) その上に電気めつき用のベース薄膜３として
金膜を、さらにその上に補助薄膜４１としてク
ロム膜を被着する。
金膜を、さらにその上に補助薄膜４１としてク
ロム膜を被着する。
(3) さらに、その上に電気めつき用スペーサ厚膜
４としてポリイミド樹脂膜を形成し、その上に
エツチングマスクを形成した後、試料全面に酸
素イオンビーム照射５を行なう。
４としてポリイミド樹脂膜を形成し、その上に
エツチングマスクを形成した後、試料全面に酸
素イオンビーム照射５を行なう。
(4) 加速された酸素イオンに照射された部分のス
ペーサ厚膜４は、エツチングされ、開口６が形
成される。
ペーサ厚膜４は、エツチングされ、開口６が形
成される。
(5) 開口６が形成されたスペーサ厚膜４をマスク
としてクロム膜４１を硝酸第２セリウムアンモ
ニウム系のエツチング液で除去し、ベース薄膜
３の金を部分的に露出せしめる。
としてクロム膜４１を硝酸第２セリウムアンモ
ニウム系のエツチング液で除去し、ベース薄膜
３の金を部分的に露出せしめる。
(6) ベース薄膜３を電極として電気めつきを行な
うことによりＸ線吸収体パターン７を形成し、
しかる後、スペーサ厚膜４を除去する。
うことによりＸ線吸収体パターン７を形成し、
しかる後、スペーサ厚膜４を除去する。
その後、補助薄膜４１を除去すれば、通常の製
造工程で得られるものと同じＸ線露光用マスクが
得られる。補助薄膜として用いたクロムのエツチ
ング速度は、ベース薄膜である金のエツチング速
度より、はるかに小さいので、同じオーバーエツ
チング時間では、スペーサ厚膜の開口に付着する
クロムの量は、従来の場合に比べると、はるかに
少ない。したがつて、電気めつきにより吸収体パ
ターンを形成しても開口の周辺に、もりあがりが
発生せず、良好な吸収体パターンを形成できる。
造工程で得られるものと同じＸ線露光用マスクが
得られる。補助薄膜として用いたクロムのエツチ
ング速度は、ベース薄膜である金のエツチング速
度より、はるかに小さいので、同じオーバーエツ
チング時間では、スペーサ厚膜の開口に付着する
クロムの量は、従来の場合に比べると、はるかに
少ない。したがつて、電気めつきにより吸収体パ
ターンを形成しても開口の周辺に、もりあがりが
発生せず、良好な吸収体パターンを形成できる。
ここで、補助薄膜として用いる金属は、クロム
の他、ベース薄膜として用いられる金属よりイオ
ン照射エツチング速度の小さい金属であれば、適
宜選択して用いることができる。
の他、ベース薄膜として用いられる金属よりイオ
ン照射エツチング速度の小さい金属であれば、適
宜選択して用いることができる。
以上説明したように、本発明によれば、良好な
Ｘ線吸収体パターンを有するＸ線露光用マスクを
歩留りよく製造することができる。
Ｘ線吸収体パターンを有するＸ線露光用マスクを
歩留りよく製造することができる。
第１図は従来のＸ線露光用マスクの製造工程を
示す断面図で、１はマスク支持体上にＸ線透過支
持体層を形成した状態、２はその上に電気めつき
用ベース薄膜を形成した状態、３はその上にスペ
ーサ厚膜を被着した後、加速されたイオンを照射
した状態、４はイオン照射されたスペーサ厚膜に
開口が形成された状態、５はＸ線吸収体パターン
を形成した後、スペーサ厚膜を除去した状態を表
わす。第２図はイオン照射を過度に行なつたとき
にスパツタされたベース薄膜物質がスペーサ厚膜
の側壁に付着した状態を表わす。第３図はスペー
サ厚膜の側壁に付着したベース薄膜物質が、電気
めつき時の電極となり、吸収体がスペーサ厚膜の
開口の周辺にもりあがつた状態を表わす。第４図
は本発明の一実施例を説明するための断面図で、
１はマスク支持体上にＸ線透過支持体層を形成し
た状態、２はその上に電気めつき用ベース薄膜
と、さらにその上に補助薄膜を形成した状態、３
は、さらにその上にスペーサ厚膜を被着した後加
速されたイオンを照射した状態、４はイオン照射
されたスペーサ厚膜に開口が形成された状態、５
は、開口が形成されたスペーサ厚膜をマスクとし
て前記補助薄膜をエツチングした状態、６はＸ線
吸収体パターンを形成した後、スペーサ厚膜を除
去した状態を表わす。 図において、１はマスク支持体、２はＸ線透過
支持体層、３はベース薄膜、４はスペーサ厚膜、
５はイオン照射、６は開口、７はＸ線吸収体パタ
ーン、２１はスペーサ厚膜の側壁に付着したベー
ス薄膜物質、３１は吸収体のもりあがり、４１は
補助薄膜を表わす。
示す断面図で、１はマスク支持体上にＸ線透過支
持体層を形成した状態、２はその上に電気めつき
用ベース薄膜を形成した状態、３はその上にスペ
ーサ厚膜を被着した後、加速されたイオンを照射
した状態、４はイオン照射されたスペーサ厚膜に
開口が形成された状態、５はＸ線吸収体パターン
を形成した後、スペーサ厚膜を除去した状態を表
わす。第２図はイオン照射を過度に行なつたとき
にスパツタされたベース薄膜物質がスペーサ厚膜
の側壁に付着した状態を表わす。第３図はスペー
サ厚膜の側壁に付着したベース薄膜物質が、電気
めつき時の電極となり、吸収体がスペーサ厚膜の
開口の周辺にもりあがつた状態を表わす。第４図
は本発明の一実施例を説明するための断面図で、
１はマスク支持体上にＸ線透過支持体層を形成し
た状態、２はその上に電気めつき用ベース薄膜
と、さらにその上に補助薄膜を形成した状態、３
は、さらにその上にスペーサ厚膜を被着した後加
速されたイオンを照射した状態、４はイオン照射
されたスペーサ厚膜に開口が形成された状態、５
は、開口が形成されたスペーサ厚膜をマスクとし
て前記補助薄膜をエツチングした状態、６はＸ線
吸収体パターンを形成した後、スペーサ厚膜を除
去した状態を表わす。 図において、１はマスク支持体、２はＸ線透過
支持体層、３はベース薄膜、４はスペーサ厚膜、
５はイオン照射、６は開口、７はＸ線吸収体パタ
ーン、２１はスペーサ厚膜の側壁に付着したベー
ス薄膜物質、３１は吸収体のもりあがり、４１は
補助薄膜を表わす。
Claims (1)
- １ Ｘ線透過支持体層上に電気めつき用のベース
薄膜を被着し、そのベース薄膜の上に設けられた
スペーサ厚膜の開口を通して電気めつきにより前
記ベース薄膜上にＸ線吸収体パターンを形成する
工程を有するＸ線露光用マスクの製造方法におい
て前記ベース薄膜と前記スペーサ厚膜の間に前記
ベース薄膜よりイオン照射エツチング速度の小さ
い物質からなる補助薄膜を設け、この補助薄膜を
ストツパーとして前記スペーサー厚膜の開口を設
け前記電気めつきの前に、その開口部の補助薄膜
を除去する工程を含むことを特徴とするＸ線露光
用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7046281A JPS57185438A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Production of x-ray exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7046281A JPS57185438A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Production of x-ray exposure mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57185438A JPS57185438A (en) | 1982-11-15 |
| JPH0160935B2 true JPH0160935B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=13432203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7046281A Granted JPS57185438A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Production of x-ray exposure mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57185438A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4899660B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2012-03-21 | 株式会社デンソー | 熱交換器用コルゲートフィンの成形方法、およびコルゲートフィン成形用ローラ |
-
1981
- 1981-05-11 JP JP7046281A patent/JPS57185438A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57185438A (en) | 1982-11-15 |
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