JPS6355536B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6355536B2 JPS6355536B2 JP21462982A JP21462982A JPS6355536B2 JP S6355536 B2 JPS6355536 B2 JP S6355536B2 JP 21462982 A JP21462982 A JP 21462982A JP 21462982 A JP21462982 A JP 21462982A JP S6355536 B2 JPS6355536 B2 JP S6355536B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ppod
- conductivity
- film
- temperature
- thermal decomposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
Description
a 産業上の利用分野
本発明は新規な電導体の製造法に関する。特に
本発明は電子回路素子用電導体、各種センサー材
料などに利用される熱的および化学的安定性の高
い高電導性電導体に関する。 b 従来例の構成とその問題点 従来絶縁体として知られている高分子材料に電
気伝導性を付与し、新規な機能を発現させようと
いう動きが最近活発に行なわれているが、その手
法としては大きく分けて2つの方法がある。その
第一はポリアセチレン、ポリパラフエニレンなど
に代表される線状の共役高分子に不純物を多量に
添加するいわゆる化学的ドーピングによる方法で
ある。この方法ではポリアセチレンで最高
4000S/cmの電導度が実現されており、一見最良
の方法であるように思われる。しかしながら、高
電導度を達成するには、添加物として5フツ化ヒ
素のような超強酸あるいはヨウ素のようなハロゲ
ン分子を用いることが必須で、このようにして得
られた電導体は空気中での安定性に劣り、エレク
トロニクス部品等の高度の信頼性を要求される分
野で使用することはほとんど不可能である。高電
導性高分子を実現する第2の方法として、高分子
の熱分解がある。この方法は高分子を真空中ある
いは不活性気体中で熱処理し、分解および重縮合
反応を経て、炭素質物を形成させる方法である
が、どのような高分子を出発材料として用いても
高電導性生成物が得られるのではない。たとえば
従来知られている高分子で比較的高い電導度を与
えるものは、ポリアクリロニトリル(以下PAN
と記載する)とポリイミド(以下PIと記載する)
のみである。PANでは900℃の熱分解で20S/cm
の電導度が(N.GrassieおよびJ.C.McHeil氏、
Journal of Polymer Science誌27巻707頁(1958
年))またPIでは800℃48時間の熱分解で100S/
cmの電導度が(H.B.Brom氏等、Solid State
Communications誌35巻135頁(1980年))得られ
ている。このような熱分解高分子は耐熱性および
化学的安定性に優れ、また、出発高分子の性質に
従い、皮膜、粉末、繊維など任意の形状で得られ
るという利点があるため、工業的な利用を考える
場合は、化学ドーピングによつて得られる電導性
高分子より遥かに重要な材料であると言える。従
つて、PANあるいはPI以外で更に高い電導度を
示す高分子材料が望まれる訳である。熱分解によ
り高導電体となる高分子が従来PANとPIに限ら
れていたことは、一方ではそのような高分子を設
計および合成することの難しさを意味し、他方で
は高分子構造が電導性と密接に関係しており、更
に高い電導度の実現が不可能ではないことを示唆
している。熱分解高分子に関する一つの問題点は
熱分解後の化学構造が詳細に決定することが難し
く、従来の多くの発明においては、出発物質と熱
分解条件のみを規定し、生成物を規定している。 c 発明の目的 本発明は、以上のような電導度高分子に関する
いくつかの問題点を解決するためになされたもの
で、熱安定性が高く、高電導性を示す新規な熱分
解電導体を提供することを目的とする。 d 発明の構成 この目的を達成するために本発明者らは、オキ
サジアゾール環を含む高分子が高い結晶性を有
し、比較的単純な熱分解過程を示すことに着目
し、ポリ(p−フエニレン−1,3,4−オキサ
ジアゾール)(以下PPODと略す)を特定の温度
以上で熱分解して得られる、窒素を含む縮合多環
構造を有する化合物は高電導性を有することを知
見した。 PPODは古くから知られている耐熱性高分子で
一般にはテレフタル酸とヒドラジンの重縮合反応
によつて得られるポリヒドラジドを脱水環化させ
て得られるが、ジメチルテレフタレイトと硫酸ヒ
ドラジドの反応、あるいは塩化テレフタル酸とヒ
ドラジンの反応等によつても得ることが可能であ
る。PPODは濃硫酸に可溶で、濃硫酸溶液からキ
ヤストして得られた皮膜は高い結晶性を有してい
る これは極性の高い1,3,4−オキサジアゾ
ール環が双極子相互作用により互いに秩序正しく
配向することによると思われる。PPODの熱分解
はキヤストして得られた約25〜50ミクロンの皮膜
をアルミナセラミツクス等で支持して、真空中あ
るいは不活性気体中で400〜1400℃の温度の範囲
で行なわれた。PPODはこのような処理により黒
色の金属光沢を有する皮膜になつた。得られた皮
膜の電気伝導度、その温度依存性、赤外分光、X
線回折、X線光電子分光(XPS)、元素分析など
の測定を行なつた結果、520℃以上で窒素を含む
ヘテロ環構造が生成し、従来のPI以上の電導度
を示す化合物に転換されることが明らかになつ
た。 e 実施例 以下に本発明を実施例により説明する。 実施例 1 PPODの25ミクロンの皮膜をアルミナ基板でサ
ンドイツチし、アルゴン気流中で、毎分10℃の速
度で昇温し、所望の温度Tpで1時間処理し、毎
分20℃/Mの速度で降温させた。得られた黒色の
皮膜に銀ペーストを用いて4端子電極を付与し、
定電流電源およびデイジタルボルトメータを用い
て電気抵抗を測定した。第1表に常温における電
導度の熱分解温度依存性を示す。ここでは市販の
PI皮膜(デユポン社カプトンHフイルム)を同
じ条件で熱分解した場合のデータを比較のため記
載した。
本発明は電子回路素子用電導体、各種センサー材
料などに利用される熱的および化学的安定性の高
い高電導性電導体に関する。 b 従来例の構成とその問題点 従来絶縁体として知られている高分子材料に電
気伝導性を付与し、新規な機能を発現させようと
いう動きが最近活発に行なわれているが、その手
法としては大きく分けて2つの方法がある。その
第一はポリアセチレン、ポリパラフエニレンなど
に代表される線状の共役高分子に不純物を多量に
添加するいわゆる化学的ドーピングによる方法で
ある。この方法ではポリアセチレンで最高
4000S/cmの電導度が実現されており、一見最良
の方法であるように思われる。しかしながら、高
電導度を達成するには、添加物として5フツ化ヒ
素のような超強酸あるいはヨウ素のようなハロゲ
ン分子を用いることが必須で、このようにして得
られた電導体は空気中での安定性に劣り、エレク
トロニクス部品等の高度の信頼性を要求される分
野で使用することはほとんど不可能である。高電
導性高分子を実現する第2の方法として、高分子
の熱分解がある。この方法は高分子を真空中ある
いは不活性気体中で熱処理し、分解および重縮合
反応を経て、炭素質物を形成させる方法である
が、どのような高分子を出発材料として用いても
高電導性生成物が得られるのではない。たとえば
従来知られている高分子で比較的高い電導度を与
えるものは、ポリアクリロニトリル(以下PAN
と記載する)とポリイミド(以下PIと記載する)
のみである。PANでは900℃の熱分解で20S/cm
の電導度が(N.GrassieおよびJ.C.McHeil氏、
Journal of Polymer Science誌27巻707頁(1958
年))またPIでは800℃48時間の熱分解で100S/
cmの電導度が(H.B.Brom氏等、Solid State
Communications誌35巻135頁(1980年))得られ
ている。このような熱分解高分子は耐熱性および
化学的安定性に優れ、また、出発高分子の性質に
従い、皮膜、粉末、繊維など任意の形状で得られ
るという利点があるため、工業的な利用を考える
場合は、化学ドーピングによつて得られる電導性
高分子より遥かに重要な材料であると言える。従
つて、PANあるいはPI以外で更に高い電導度を
示す高分子材料が望まれる訳である。熱分解によ
り高導電体となる高分子が従来PANとPIに限ら
れていたことは、一方ではそのような高分子を設
計および合成することの難しさを意味し、他方で
は高分子構造が電導性と密接に関係しており、更
に高い電導度の実現が不可能ではないことを示唆
している。熱分解高分子に関する一つの問題点は
熱分解後の化学構造が詳細に決定することが難し
く、従来の多くの発明においては、出発物質と熱
分解条件のみを規定し、生成物を規定している。 c 発明の目的 本発明は、以上のような電導度高分子に関する
いくつかの問題点を解決するためになされたもの
で、熱安定性が高く、高電導性を示す新規な熱分
解電導体を提供することを目的とする。 d 発明の構成 この目的を達成するために本発明者らは、オキ
サジアゾール環を含む高分子が高い結晶性を有
し、比較的単純な熱分解過程を示すことに着目
し、ポリ(p−フエニレン−1,3,4−オキサ
ジアゾール)(以下PPODと略す)を特定の温度
以上で熱分解して得られる、窒素を含む縮合多環
構造を有する化合物は高電導性を有することを知
見した。 PPODは古くから知られている耐熱性高分子で
一般にはテレフタル酸とヒドラジンの重縮合反応
によつて得られるポリヒドラジドを脱水環化させ
て得られるが、ジメチルテレフタレイトと硫酸ヒ
ドラジドの反応、あるいは塩化テレフタル酸とヒ
ドラジンの反応等によつても得ることが可能であ
る。PPODは濃硫酸に可溶で、濃硫酸溶液からキ
ヤストして得られた皮膜は高い結晶性を有してい
る これは極性の高い1,3,4−オキサジアゾ
ール環が双極子相互作用により互いに秩序正しく
配向することによると思われる。PPODの熱分解
はキヤストして得られた約25〜50ミクロンの皮膜
をアルミナセラミツクス等で支持して、真空中あ
るいは不活性気体中で400〜1400℃の温度の範囲
で行なわれた。PPODはこのような処理により黒
色の金属光沢を有する皮膜になつた。得られた皮
膜の電気伝導度、その温度依存性、赤外分光、X
線回折、X線光電子分光(XPS)、元素分析など
の測定を行なつた結果、520℃以上で窒素を含む
ヘテロ環構造が生成し、従来のPI以上の電導度
を示す化合物に転換されることが明らかになつ
た。 e 実施例 以下に本発明を実施例により説明する。 実施例 1 PPODの25ミクロンの皮膜をアルミナ基板でサ
ンドイツチし、アルゴン気流中で、毎分10℃の速
度で昇温し、所望の温度Tpで1時間処理し、毎
分20℃/Mの速度で降温させた。得られた黒色の
皮膜に銀ペーストを用いて4端子電極を付与し、
定電流電源およびデイジタルボルトメータを用い
て電気抵抗を測定した。第1表に常温における電
導度の熱分解温度依存性を示す。ここでは市販の
PI皮膜(デユポン社カプトンHフイルム)を同
じ条件で熱分解した場合のデータを比較のため記
載した。
【表】
この結果によれば、PPODはPIの約2倍の電導
度を示すことが明らかである。電導度の温度依存
性を測定したところ、熱分解温度が1000℃以上の
ものは−100℃以下で全く温度変化を示さない金
属性電導を示した。 上記の実施例によれば電導度は熱分解温度と共
にほぼ連続的に変化しているため、出発物質と生
成物の間の境界を求めることができず、従つて生
成物の特徴を定義することができない。 そこで実施例1の方法で得られた熱分解PPOD
の赤外分光およびXDS分析を行つた結果を示す。
第1図は種々の温度で熱分解されたPPOD皮膜の
赤外分光スペクトルである。図では熱分解が開始
する450℃付近から2225cm-1にニトリル(−CN)
基による吸収が現われはじめ、550℃以上で1200
〜1000cm-1の微細構造が消失していることが特徴
として見られる。また、第2図は同様の皮膜から
得られる窒素Is電子(NIs)に関するXDSスペク
トルの変化である。図より520℃で2つのNIsピ
ークが出現していることが分る。この2つのピー
クの内低エネルギー側に現われるピークは共鳴構
造を取る窒素に特有なもので、520℃以上で熱分
解されたPPODは などのヘテロ原子を持つ複素環を有することが言
える。第1図の赤外スペクトルでは550℃で大き
な変化(1200〜1600cm-1)が見られるが、520℃
の曲線にもそのような変化の存在を読みとること
ができる。従つて、PPODは520℃を境にして全
く別の含窒素ヘテロ環構造に転換されると結論さ
れる。すなわち、520℃以上で熱処理された
PPODは熱分解物というよりも、新しく生成した
縮合多環化合物であると言える。 比較例 PPODの50ミクロンの皮膜を真空中に熱分解し
た結果、電導度は実施例1とほとんど変化がなか
つた。ところが、酸素気流中で加熱すると、深い
黒色を持つもろい皮膜が得られ、生成収率も真空
中の43%(1000℃)に対し20%前後であつた。ま
た、電導度はその他の場合の約10分の1でPI以
下の値となつた。 以上の結果から熱分解は酸素の存在下で行うこ
とは許されないことが明らかである。不活性気体
としてはアルゴン以外に、ヘリウム、窒素、水素
などが利用できる。又真空中でも行うことができ
る。 f 発明の効果 以上のように、本発明はPPODを520℃以上の
温度で真空中あるいは不活性気体中で熱処理する
ことにより窒素を含む縮合多環化合物に転換させ
従来のポリイミドやポリアクリロニトリル以上の
電導度を有する電導体を得ることができた。本発
明の電導体を用いれば、温度センサー、風流セン
サーなどの各種センサーが製造される一方、高導
電度を利用して、太陽熱吸収体あるいは微小回路
用抵抗体、更には電磁シールド材料などが容易に
製造される。
度を示すことが明らかである。電導度の温度依存
性を測定したところ、熱分解温度が1000℃以上の
ものは−100℃以下で全く温度変化を示さない金
属性電導を示した。 上記の実施例によれば電導度は熱分解温度と共
にほぼ連続的に変化しているため、出発物質と生
成物の間の境界を求めることができず、従つて生
成物の特徴を定義することができない。 そこで実施例1の方法で得られた熱分解PPOD
の赤外分光およびXDS分析を行つた結果を示す。
第1図は種々の温度で熱分解されたPPOD皮膜の
赤外分光スペクトルである。図では熱分解が開始
する450℃付近から2225cm-1にニトリル(−CN)
基による吸収が現われはじめ、550℃以上で1200
〜1000cm-1の微細構造が消失していることが特徴
として見られる。また、第2図は同様の皮膜から
得られる窒素Is電子(NIs)に関するXDSスペク
トルの変化である。図より520℃で2つのNIsピ
ークが出現していることが分る。この2つのピー
クの内低エネルギー側に現われるピークは共鳴構
造を取る窒素に特有なもので、520℃以上で熱分
解されたPPODは などのヘテロ原子を持つ複素環を有することが言
える。第1図の赤外スペクトルでは550℃で大き
な変化(1200〜1600cm-1)が見られるが、520℃
の曲線にもそのような変化の存在を読みとること
ができる。従つて、PPODは520℃を境にして全
く別の含窒素ヘテロ環構造に転換されると結論さ
れる。すなわち、520℃以上で熱処理された
PPODは熱分解物というよりも、新しく生成した
縮合多環化合物であると言える。 比較例 PPODの50ミクロンの皮膜を真空中に熱分解し
た結果、電導度は実施例1とほとんど変化がなか
つた。ところが、酸素気流中で加熱すると、深い
黒色を持つもろい皮膜が得られ、生成収率も真空
中の43%(1000℃)に対し20%前後であつた。ま
た、電導度はその他の場合の約10分の1でPI以
下の値となつた。 以上の結果から熱分解は酸素の存在下で行うこ
とは許されないことが明らかである。不活性気体
としてはアルゴン以外に、ヘリウム、窒素、水素
などが利用できる。又真空中でも行うことができ
る。 f 発明の効果 以上のように、本発明はPPODを520℃以上の
温度で真空中あるいは不活性気体中で熱処理する
ことにより窒素を含む縮合多環化合物に転換させ
従来のポリイミドやポリアクリロニトリル以上の
電導度を有する電導体を得ることができた。本発
明の電導体を用いれば、温度センサー、風流セン
サーなどの各種センサーが製造される一方、高導
電度を利用して、太陽熱吸収体あるいは微小回路
用抵抗体、更には電磁シールド材料などが容易に
製造される。
第1図は種々の温度で熱処理されたPPOD皮膜
の赤外吸収スペクトル、第2図はX線光電子分光
スペクトルである。
の赤外吸収スペクトル、第2図はX線光電子分光
スペクトルである。
Claims (1)
- 1 ポリ(p−フエニレン1,3,4−オキサジ
アゾール)を真空中あるいは不活性気体中で520
〜1400℃に熱処理して窒素を含む多環化合物とす
ることを特徴とする電導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21462982A JPS59105029A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21462982A JPS59105029A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105029A JPS59105029A (ja) | 1984-06-18 |
| JPS6355536B2 true JPS6355536B2 (ja) | 1988-11-02 |
Family
ID=16658897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21462982A Granted JPS59105029A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105029A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6287407A (ja) * | 1985-10-12 | 1987-04-21 | Res Dev Corp Of Japan | フイルム状グラフアイト層間化合物及びその製造方法 |
| CA1332972C (en) * | 1987-12-28 | 1994-11-08 | Yasuyuki Aihara | Cooling control system for internal combustion engines equipped with superchargers |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP21462982A patent/JPS59105029A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59105029A (ja) | 1984-06-18 |
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