JPS6355560A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6355560A JPS6355560A JP19799986A JP19799986A JPS6355560A JP S6355560 A JPS6355560 A JP S6355560A JP 19799986 A JP19799986 A JP 19799986A JP 19799986 A JP19799986 A JP 19799986A JP S6355560 A JPS6355560 A JP S6355560A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- acid
- resin
- charge generation
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
遺4分更
本発明は電子写真感光体に関するものである。
丈米遺権
従来、アゾ顔料及びポリビニルブチラール樹脂を含有す
る電荷発生層と導電層との中間にポリアミド樹脂を含有
する下引層を設けることは、特開昭58−30757号
に見られるように公知である。しかしながら、このもの
は低温低湿下において、残留電位が上昇してしまう欠点
があった。
る電荷発生層と導電層との中間にポリアミド樹脂を含有
する下引層を設けることは、特開昭58−30757号
に見られるように公知である。しかしながら、このもの
は低温低湿下において、残留電位が上昇してしまう欠点
があった。
また、特開昭58−95744号にはポリアミド樹脂及
び導電性ポリマーを含有する下引層を設けた感光体を開
示しているが、このものは繰返し使用による疲労によっ
て感光体の感度が変化してしまう欠点があった。
び導電性ポリマーを含有する下引層を設けた感光体を開
示しているが、このものは繰返し使用による疲労によっ
て感光体の感度が変化してしまう欠点があった。
目 的
本発明は従来の欠点を克服したもので、繰返し使用して
も、残留電位が上昇したり、感度変化が少ない電子写真
感光体を提供することを目的とする。
も、残留電位が上昇したり、感度変化が少ない電子写真
感光体を提供することを目的とする。
碧−一一戒。
本発明は前記目的を達成するために鋭意研究した結果、
導電性支持体と感光層との間に樹脂を主成分とする下引
層を設けた電子写真感光体において、前記下引層が、ス
ルホン酸基を有する化合物及びポリアミド樹脂を含有す
るものから構成されることを特徴とする電子写真感光体
を提供することによって前記目的が達成できることを見
出した。
導電性支持体と感光層との間に樹脂を主成分とする下引
層を設けた電子写真感光体において、前記下引層が、ス
ルホン酸基を有する化合物及びポリアミド樹脂を含有す
るものから構成されることを特徴とする電子写真感光体
を提供することによって前記目的が達成できることを見
出した。
以下、添付図面に従って本発明をさらに詳しく説明する
。第1図は本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、導電性支持体ll上に下引層12、感光層1
5が設けられている。感光層15は電荷発生層13.電
荷移動層14から構成さる。
。第1図は本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、導電性支持体ll上に下引層12、感光層1
5が設けられている。感光層15は電荷発生層13.電
荷移動層14から構成さる。
下引層12はスルホン酸基を有する化合物及びポリアミ
ド樹脂を含むものから構成される。
ド樹脂を含むものから構成される。
スルホン酸基を有する化合物としては、ポリエチレンス
ルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、パラ−トルエン−スルホン酸、ナフタレンスルホン
酸、アントラセンスルホン酸等が挙げられる。好ましく
は、ポリスチレンスルホン酸、パラ−トルエン−スルホ
ン酸である。
ルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、パラ−トルエン−スルホン酸、ナフタレンスルホン
酸、アントラセンスルホン酸等が挙げられる。好ましく
は、ポリスチレンスルホン酸、パラ−トルエン−スルホ
ン酸である。
ポリアミド樹脂は線状のポリアミドが好ましく、いわゆ
るナイロン及び共重合ナイロンが用いられる。またN−
メトキシメチル化ナイロンも用いられる。
るナイロン及び共重合ナイロンが用いられる。またN−
メトキシメチル化ナイロンも用いられる。
スルホン酸基を有する化合物はポリアミド樹脂に対して
1〜20重量%添加するのが適当であり、好ましくは3
〜10重量%である。
1〜20重量%添加するのが適当であり、好ましくは3
〜10重量%である。
下引層の膜厚は0.1〜5μmが好ましく、特に0.3
〜2μmが好適である。膜厚が薄くなりすぎると支持体
表面のごくわずかな欠陥、汚れ、付着物、傷などによる
異常画像が発生してしまう。
〜2μmが好適である。膜厚が薄くなりすぎると支持体
表面のごくわずかな欠陥、汚れ、付着物、傷などによる
異常画像が発生してしまう。
又、厚くなりすぎると、残留電位が上昇し、コピー上に
地肌汚れが発生してしまう。
地肌汚れが発生してしまう。
電荷発生層13は電荷発生物質のみから形成されていて
も、又、電荷発生物質がバインダーに均一に分散されて
形成されていてもよい。
も、又、電荷発生物質がバインダーに均一に分散されて
形成されていてもよい。
バインダーとしては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ
エステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
ト、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリ
スチレン。
エステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
ト、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリ
スチレン。
ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドな
どが用いられる。
どが用いられる。
電荷発生層としては、例えばシーアイピグメントブルー
25[カラーインデックス(CI)21180) 。
25[カラーインデックス(CI)21180) 。
シーアイピグメントレッド41(CI 21200)、
シーアイアシッドレッド52(CI 45100)、シ
ーアイベーシックレッド3 (CI 45210)、さ
らに、ポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料
、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−9
5033号公報に記載)、ジスチリルベンゼン骨格を有
するアゾ顔料(特開昭53−133455号公報に記載
)、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料(特開昭
53−132547号公報に記載)、ジベンゾチオフェ
ン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−21728号公
報に記載)、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(
特開昭54−12742号公報に記載)、フルオレノン
骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−22834号公報
に記載)、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭54−17733号公報に記載)、ジスチリルオキサ
ジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−212
9号公報に記載)。
シーアイアシッドレッド52(CI 45100)、シ
ーアイベーシックレッド3 (CI 45210)、さ
らに、ポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料
、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−9
5033号公報に記載)、ジスチリルベンゼン骨格を有
するアゾ顔料(特開昭53−133455号公報に記載
)、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料(特開昭
53−132547号公報に記載)、ジベンゾチオフェ
ン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−21728号公
報に記載)、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(
特開昭54−12742号公報に記載)、フルオレノン
骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−22834号公報
に記載)、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭54−17733号公報に記載)、ジスチリルオキサ
ジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−212
9号公報に記載)。
ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭
54−17734号公報に記載)、 さらに、シーアイ
ピグメントブルー16 (CI 74100)等のフタ
ロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン5 (CI
73410)、シーアイバットダイ(cエフ3030
)等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレ□ットB(バイ
オレット社製)、インダンスレンスカーレットR(バイ
エル社製)等のペリレン系顔料などが挙げられる。これ
らの電荷発生物質は単独であるいは2種以上併用して用
いられる。
54−17734号公報に記載)、 さらに、シーアイ
ピグメントブルー16 (CI 74100)等のフタ
ロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン5 (CI
73410)、シーアイバットダイ(cエフ3030
)等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレ□ットB(バイ
オレット社製)、インダンスレンスカーレットR(バイ
エル社製)等のペリレン系顔料などが挙げられる。これ
らの電荷発生物質は単独であるいは2種以上併用して用
いられる。
バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対して
5〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは1
0〜50重量部である。
5〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは1
0〜50重量部である。
電荷発生層は、電荷発生物質単独又は電荷発生物質とバ
インダーとを、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、
ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどにより分散し1分散
液を適度に希釈して、塗布することにより形成できる。
インダーとを、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、
ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどにより分散し1分散
液を適度に希釈して、塗布することにより形成できる。
電荷発生層13の膜厚は、0.1〜1μm程度が適当で
ある。
ある。
電荷移動層14は、電荷移動物質およびバインダーを適
当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層13上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。
当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層13上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。
電荷移動物質としては、ポリ−N−ビニルカルバゾール
およびその誘導体、ポリ−ツーカルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、9−(p−ジエチルアミノスチリル)アントラ
セン、1,1−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニル
)プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリ
ン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘
導体等の電子供与性物質が挙げられる。
およびその誘導体、ポリ−ツーカルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、9−(p−ジエチルアミノスチリル)アントラ
セン、1,1−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニル
)プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリ
ン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘
導体等の電子供与性物質が挙げられる。
バインダーとしてはポリスチレン、スチレン−アクリロ
ニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、ス
チレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢
酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポレアリレート樹脂、
フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹
脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂。
ニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、ス
チレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢
酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポレアリレート樹脂、
フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹
脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂。
アルキレッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙
げられる。溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン
、塩化メチレンなどが用いられる。
げられる。溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン
、塩化メチレンなどが用いられる。
電荷移動層14の厚さは、 5〜30μI程度が適当で
ある。
ある。
導電性支持体11としてはアルミニウム、ニッケル、ク
ロム、ニクロム、銅、酸化スズ、酸化インジウム等をプ
ラスチックフィルムに蒸着したもの、アルミニウム、ニ
ッケル、ステンレス等の板およびそれら゛をり、1..
1.1.、押出し。
ロム、ニクロム、銅、酸化スズ、酸化インジウム等をプ
ラスチックフィルムに蒸着したもの、アルミニウム、ニ
ッケル、ステンレス等の板およびそれら゛をり、1..
1.1.、押出し。
引抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で
表面処理した管等を使用するここができる。
表面処理した管等を使用するここができる。
以下、本発明を下記の実施例によってさらに具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではないこ
とを理解すべきである。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではないこ
とを理解すべきである。
実施例1
0.2mm厚のアルミニウム板(JIS1070住友軽
金属製)に下記組成、 共重合ナイロン CM 8000(東し) 6.4
gメタノール 51・5gブタノ
ール 22.1g30%水溶液
(R紡N5C) 1.4gからなる下引
層用塗工液を乾燥後の膜厚が1μになる様に浸漬塗工し
た。
金属製)に下記組成、 共重合ナイロン CM 8000(東し) 6.4
gメタノール 51・5gブタノ
ール 22.1g30%水溶液
(R紡N5C) 1.4gからなる下引
層用塗工液を乾燥後の膜厚が1μになる様に浸漬塗工し
た。
一方、次の組成、
シクロヘキサノン 19gから成る
混合物をボールミルポットに取り、ミル部材としてlO
φSUSボールを使用し、48時間ボールミリングした
後、さらにシクロヘキサノン20gを加えて1時間ミリ
ングした。
混合物をボールミルポットに取り、ミル部材としてlO
φSUSボールを使用し、48時間ボールミリングした
後、さらにシクロヘキサノン20gを加えて1時間ミリ
ングした。
ミリングした後、ミルベースを取出し、固形分濃度が1
重量%になる様にミクロヘキサノンを加えて希釈、攪拌
して電荷発生層形成用の分散液を調整した。
重量%になる様にミクロヘキサノンを加えて希釈、攪拌
して電荷発生層形成用の分散液を調整した。
この電荷発生層形成液を下引層上に浸漬塗布し、乾燥後
の厚さが0.2μの電荷発生層を形成した。 続いて、
下記組成、 下記構造式のヒドラゾン化合物 9g塩化メチレン
75gからなる電荷移動層形成
液を作成し、電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥後の厚さ
が約22μの電荷移動層を設け、導電性支持体−下引層
一電荷発生層一電荷移動層より成る電子写真感光体を作
成した。
の厚さが0.2μの電荷発生層を形成した。 続いて、
下記組成、 下記構造式のヒドラゾン化合物 9g塩化メチレン
75gからなる電荷移動層形成
液を作成し、電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥後の厚さ
が約22μの電荷移動層を設け、導電性支持体−下引層
一電荷発生層一電荷移動層より成る電子写真感光体を作
成した。
実施例2
実施例1の下引層塗工液において、ポリスチレンX/L
/ホン酸(VER3A−TL &72g紡N5C) ノ
代りにパラ−トルエンスルホン酸(関東化学層)を用い
て、膜厚1μの下引層を作成した。
/ホン酸(VER3A−TL &72g紡N5C) ノ
代りにパラ−トルエンスルホン酸(関東化学層)を用い
て、膜厚1μの下引層を作成した。
また、下記の組成、
〔実施例1〕の電荷発生層形成液 50gからなる
電荷発生層形成液を下引層上に浸漬塗布し、乾燥後の厚
さが0.15μの電荷発生層を設けた。
電荷発生層形成液を下引層上に浸漬塗布し、乾燥後の厚
さが0.15μの電荷発生層を設けた。
続いて、下記組成、
1.1−ビス(4−ジベンジル
アミノフェニル)プロパン 9g(にF2O
、信越化学> 0.002g塩化メチ
レン 76gからなる電荷移動層
形成液を用意し、電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥後の
膜厚が約22μの電荷移動層を設け、導電性支持体−下
引層一電荷発生層一電荷移動層より成る電子写真感光体
を作成した。
、信越化学> 0.002g塩化メチ
レン 76gからなる電荷移動層
形成液を用意し、電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥後の
膜厚が約22μの電荷移動層を設け、導電性支持体−下
引層一電荷発生層一電荷移動層より成る電子写真感光体
を作成した。
比較例1
実施例1の下引層塗工液においてポリスチレンスルホン
酸(VER5A−TL &72M紡N5C) (7)代
りにポリスチレンスルホン酸ナトリウム(ケミスタット
6120、三洋化成)を用いた以外は実施例1と全く同
一の材料、条件で電子写真感光体を作成した。
酸(VER5A−TL &72M紡N5C) (7)代
りにポリスチレンスルホン酸ナトリウム(ケミスタット
6120、三洋化成)を用いた以外は実施例1と全く同
一の材料、条件で電子写真感光体を作成した。
比較例2
実施例1の下引層塗工液においてポリスチレンスルホン
酸(VER3A−TL Na12M、紡NSC)を除い
た以外は実施例1と全く同一の材料1条件で電子写真感
光体を作成した。
酸(VER3A−TL Na12M、紡NSC)を除い
た以外は実施例1と全く同一の材料1条件で電子写真感
光体を作成した。
以上のようにして作成した4種の電子写真感光体を静電
複写紙試験袋@ (SP 428型、川口電気製作所)
を使用し、以下の条件で電子写真特性を評価した(ダイ
ナミックモードで測定)。
複写紙試験袋@ (SP 428型、川口電気製作所)
を使用し、以下の条件で電子写真特性を評価した(ダイ
ナミックモードで測定)。
まず、−6KVのコロナ放電を20秒間行ない、感光体
を帯電させた。帯電2秒後、20秒後の表面電位V2
(V) 、V+a(V)を測定し、更に20秒間暗所に
放置後の表面電位V、(V)を測定し、ついで4 、5
Luxのタングステン光を照射し、voが1/lOに減
衰する露光量E工、。(Lux−s、ec)および照射
30秒後の表面電位V、。(V)を測定し、初期特性と
した。
を帯電させた。帯電2秒後、20秒後の表面電位V2
(V) 、V+a(V)を測定し、更に20秒間暗所に
放置後の表面電位V、(V)を測定し、ついで4 、5
Luxのタングステン光を照射し、voが1/lOに減
衰する露光量E工、。(Lux−s、ec)および照射
30秒後の表面電位V、。(V)を測定し、初期特性と
した。
更に、専用の疲労試験機に感光体サンプルを移し、−6
KVのコロナ放電と50Luxの光照射を40回/分、
約5000回繰返した後、直ちに感光体サンプルを前述
の静電複写紙試験装置に移し、初期特性を測定したとき
と同一条件でV z HV m gV、、E□、。、■
、。を測定し疲労特性とした。
KVのコロナ放電と50Luxの光照射を40回/分、
約5000回繰返した後、直ちに感光体サンプルを前述
の静電複写紙試験装置に移し、初期特性を測定したとき
と同一条件でV z HV m gV、、E□、。、■
、。を測定し疲労特性とした。
測定結果を表−1に示す。
表 −1
表−1より、本発明の電子写真感光体は優れた電子写真
特性を示し、疲労により特性の変化も少ない、一方、比
較例1、比較例2の電子写真感光体は疲労により残留電
位V、。の上昇が大きく、また、感度E工、。の変化が
大きい。
特性を示し、疲労により特性の変化も少ない、一方、比
較例1、比較例2の電子写真感光体は疲労により残留電
位V、。の上昇が大きく、また、感度E工、。の変化が
大きい。
効 果
以上、述べたように、ポリアミド樹脂にスルホン酸基を
有する化合物を添加した下引層を形成することにより、
繰返し使用によっても残留電位の上昇や感度変化の少な
い電子写真感光体を実現できる。
有する化合物を添加した下引層を形成することにより、
繰返し使用によっても残留電位の上昇や感度変化の少な
い電子写真感光体を実現できる。
第1図は本発明の電子写真感光体の概略図を示す。
11・・・導電性支持体 12・・・下引層13・
・・電荷発生層 14・・・電荷移動層15・・
・感光層
・・電荷発生層 14・・・電荷移動層15・・
・感光層
Claims (1)
- 1、導電性支持体と感光層との間に樹脂を主成分とする
下引層を設けた電子写真感光体において、前記下引層が
、スルホン酸基を有する化合物及びポリアミド樹脂を含
有することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19799986A JPS6355560A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19799986A JPS6355560A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355560A true JPS6355560A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16383828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19799986A Pending JPS6355560A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655654A1 (en) * | 1993-11-24 | 1995-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photosensitive body for electrophotography |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP19799986A patent/JPS6355560A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655654A1 (en) * | 1993-11-24 | 1995-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photosensitive body for electrophotography |
| US5456989A (en) * | 1993-11-24 | 1995-10-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photosensitive body for electrophotography |
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