JPS635566A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS635566A JPS635566A JP15034486A JP15034486A JPS635566A JP S635566 A JPS635566 A JP S635566A JP 15034486 A JP15034486 A JP 15034486A JP 15034486 A JP15034486 A JP 15034486A JP S635566 A JPS635566 A JP S635566A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に高融点金属
シリサイド層の形成方法に関する。
シリサイド層の形成方法に関する。
従来の高融点金属シリサイド層の形成方法の一例を第２
図（ａ）〜（ｅ）にて説明する。
図（ａ）〜（ｅ）にて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１に拡散
層２とゲート絶縁膜３、多結晶シリコンからなるゲート
電極４を形成する。
層２とゲート絶縁膜３、多結晶シリコンからなるゲート
電極４を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜５、たとえば
化学気相成長法による酸化膜を被着する。
化学気相成長法による酸化膜を被着する。
その後、第２図（Ｃ）に示すように、異方性ドライエッ
チング（以下ＲＩＥという）法により絶縁膜５を除去し
拡散層２と多結晶シリコン４の表面を露出させる。この
とき多結晶シリコン４の側面には酸化膜５が残るが基板
あるいは多結晶シリコン中にＲＩＥに用るガスからの不
純物６たとえば炭素、フッ素、塩素などが混入する０次
に、第２図（ｄ）に示すように高融点金属７、例えばチ
タンを被着する。次いで、第２図（ｅ）に示すように、
熱処理により高融点金属と半導体基板あるいは多結晶シ
リコンとを反応させ、高融点金属シリサイド層（チタン
シリサイド）８を形成し、未反応の高融点金属を除去し
ていた。
チング（以下ＲＩＥという）法により絶縁膜５を除去し
拡散層２と多結晶シリコン４の表面を露出させる。この
とき多結晶シリコン４の側面には酸化膜５が残るが基板
あるいは多結晶シリコン中にＲＩＥに用るガスからの不
純物６たとえば炭素、フッ素、塩素などが混入する０次
に、第２図（ｄ）に示すように高融点金属７、例えばチ
タンを被着する。次いで、第２図（ｅ）に示すように、
熱処理により高融点金属と半導体基板あるいは多結晶シ
リコンとを反応させ、高融点金属シリサイド層（チタン
シリサイド）８を形成し、未反応の高融点金属を除去し
ていた。
゛ 〔発明が解決しようとする問題点〕上述した従来
の高融点金属シリサイド層の形成方法は、ＲＩＥ法によ
り絶縁膜を除去したときにエツチングガスからの不純物
が半導体基板あるいは多結晶シリコン中に混入している
ため、その後高融点金属と半導体基板あるいは多結晶シ
リコンと熱反応させ高融点金属シリサイド層を形成して
も、不均一で層抵抗の高い高融点金属シリサイド層にな
っていた。
の高融点金属シリサイド層の形成方法は、ＲＩＥ法によ
り絶縁膜を除去したときにエツチングガスからの不純物
が半導体基板あるいは多結晶シリコン中に混入している
ため、その後高融点金属と半導体基板あるいは多結晶シ
リコンと熱反応させ高融点金属シリサイド層を形成して
も、不均一で層抵抗の高い高融点金属シリサイド層にな
っていた。
本発明の目的は、従来の欠点を除去し、均一で低抵抗な
高融点金属シリサイド層を得ることができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
高融点金属シリサイド層を得ることができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製法方法は半導体基板の主表面側
に高融点金属シリサイド層を有する半導体装置の製造方
法において、前記半導体基板表面あるいは前記半導体基
板上の多結晶シリコン表面に絶縁膜を形成する工程と、
異方性ドライエツチング方により前記絶縁膜を除去し高
融点シリサイド層を形成する前記半導体基板あるいは基
板上の多結晶シリコン表面を露出させる工程と、前記半
導体基板を熱処理する工程と、前記半導体基板表面ある
いは前記多結晶シリコン表面に高融点金属を被着させ熱
処理により高融点金属シリサイド層を形成する工程とを
含んで構成される。
に高融点金属シリサイド層を有する半導体装置の製造方
法において、前記半導体基板表面あるいは前記半導体基
板上の多結晶シリコン表面に絶縁膜を形成する工程と、
異方性ドライエツチング方により前記絶縁膜を除去し高
融点シリサイド層を形成する前記半導体基板あるいは基
板上の多結晶シリコン表面を露出させる工程と、前記半
導体基板を熱処理する工程と、前記半導体基板表面ある
いは前記多結晶シリコン表面に高融点金属を被着させ熱
処理により高融点金属シリサイド層を形成する工程とを
含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示したペレットの縦断面図である。
。第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示したペレットの縦断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、拡散層２．ゲート酸
化膜３．多結晶シリコン４を形成した表面に化学気相成
長法により酸化膜を形成した後異方性エツチングにより
露出した後、窒素雰囲気中で９００℃、３０分の熱処理
を行なう。この熱処理によりエツチングガスにより混入
された不純物が外拡散する。
化膜３．多結晶シリコン４を形成した表面に化学気相成
長法により酸化膜を形成した後異方性エツチングにより
露出した後、窒素雰囲気中で９００℃、３０分の熱処理
を行なう。この熱処理によりエツチングガスにより混入
された不純物が外拡散する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、高融点金属であるチ
タン７をスパッタリング法により被着する。
タン７をスパッタリング法により被着する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、チタンと半導体基板
、多結晶シリコンとを熱反応させ、高融点金属シリサイ
ド層であるチタンシリサイド層１８を形成し、未反応の
チタンを除去する。
、多結晶シリコンとを熱反応させ、高融点金属シリサイ
ド層であるチタンシリサイド層１８を形成し、未反応の
チタンを除去する。
以上説明したように本発明は、絶縁膜をＲＩＥ法により
除去した後、熱処理を行なうことにより、半導体基板あ
るいは多結晶シリコン中に混入した不純物を外拡散させ
た後、高融点金属と反応させ高融点金属シリサイド層を
形成するため均一で、低抵抗な高融点金属シリサイド層
を得ることができる。
除去した後、熱処理を行なうことにより、半導体基板あ
るいは多結晶シリコン中に混入した不純物を外拡散させ
た後、高融点金属と反応させ高融点金属シリサイド層を
形成するため均一で、低抵抗な高融点金属シリサイド層
を得ることができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示したベレットの縦断面図、第２図（ａ）
〜（ｅ）は従来の半導体装置の製造方法の一例を説明す
るために工程順に示した縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・ゲート
絶縁膜、４・・・多結晶シリコン、５・・化学気相成長
法による酸化膜、６・・・エツチングにより混入した不
純物、７・・・チタン、８，１８・・・チタンシリサイ
ド層。 茅 ！ 凹 第 ２ 回
めに工程順に示したベレットの縦断面図、第２図（ａ）
〜（ｅ）は従来の半導体装置の製造方法の一例を説明す
るために工程順に示した縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・ゲート
絶縁膜、４・・・多結晶シリコン、５・・化学気相成長
法による酸化膜、６・・・エツチングにより混入した不
純物、７・・・チタン、８，１８・・・チタンシリサイ
ド層。 茅 ！ 凹 第 ２ 回
Claims (3)
- （１）半導体基板の主表面側に高融点金属シリサイド層
を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基
板表面あるいは前記半導体基板上の多結晶シリコン表面
に絶縁膜を形成する工程と、異方性ドライエッチング法
により前記絶縁膜を除去し高融点金属シリサイド層を形
成する前記半導体基板あるいは基板上の多結晶シリコン
表面を露出させる工程と、前記半導体基板を熱処理する
工程と、前記半導体基板表面あるいは前記多結晶シリコ
ン表面に高融点金属を被着させ熱処理により高融点金属
シリサイド層を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - （２）熱処理を行う雰囲気が不活性雰囲気である特許請
求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）熱処理を酸素雰囲気で行ない、半導体基板あるい
は多結晶シリコン上に薄い酸化膜を形成した後前記薄い
酸化膜をケミカルウェットエッチング法により除去する
特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15034486A JPS635566A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15034486A JPS635566A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635566A true JPS635566A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15494940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15034486A Pending JPS635566A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635566A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154270A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5961182A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP15034486A patent/JPS635566A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154270A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5961182A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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