JPS6356700B2 - - Google Patents
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- JPS6356700B2 JPS6356700B2 JP58251854A JP25185483A JPS6356700B2 JP S6356700 B2 JPS6356700 B2 JP S6356700B2 JP 58251854 A JP58251854 A JP 58251854A JP 25185483 A JP25185483 A JP 25185483A JP S6356700 B2 JPS6356700 B2 JP S6356700B2
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体用シリコンウエハの酸化、拡
散などの熱処理工程に使用するのに用いる半導体
拡散炉管の製造方法に関する。
散などの熱処理工程に使用するのに用いる半導体
拡散炉管の製造方法に関する。
半導体拡散炉管の材質としては石英ガラス、炭
化珪素が知られている。前者は高純度なものとす
ることが出来るが、その材質特性として高温下で
失透、曲りを生じるところから、シリコンウエハ
の大口径化、1200℃以上の高温処理に対して制限
をうけていた。また後者の炭化珪素質拡散炉管に
あつては、高温下での機械強度は大なるものの、
これをガス不透過性とするためにシリコンを含浸
しており、この含浸シリコン相を不純物が拡散、
透過し、拡散炉管内のシリコンウエハを汚染する
という問題があつた。
化珪素が知られている。前者は高純度なものとす
ることが出来るが、その材質特性として高温下で
失透、曲りを生じるところから、シリコンウエハ
の大口径化、1200℃以上の高温処理に対して制限
をうけていた。また後者の炭化珪素質拡散炉管に
あつては、高温下での機械強度は大なるものの、
これをガス不透過性とするためにシリコンを含浸
しており、この含浸シリコン相を不純物が拡散、
透過し、拡散炉管内のシリコンウエハを汚染する
という問題があつた。
また、これまでの炭化珪素質の拡散炉管は純度
の点でも必ずしも満足のいくものではなかつた。
即ち、従来炭化珪素質の半導体拡散炉管の製造に
当つては原料の炭化珪素粉の酸洗、つづいて成
形、純化処理、高純度Siの含浸、最終の酸処理と
いつた工程を経て製造されるのが一般的である
が、このような清浄化処理によつても成形体中に
なお微量の不純物の残留は避けられず、これが得
られる半導体素子の性能劣下に大きな影響を与え
ていた。特に、SiC原料粒子の内部に封じめられ
ていた不純物の除去は著るしく困難であつた。こ
れらのために、従来はシリコンウエハの処理に先
だつて行なわれる拡散炉管のガスパージ、通常は
1200〜1300℃でHCl3％を含むHCl＋O2ガスによ
る処理に100時間以上も要し、経済的かつ時間的
に大きな負担となつていた。
の点でも必ずしも満足のいくものではなかつた。
即ち、従来炭化珪素質の半導体拡散炉管の製造に
当つては原料の炭化珪素粉の酸洗、つづいて成
形、純化処理、高純度Siの含浸、最終の酸処理と
いつた工程を経て製造されるのが一般的である
が、このような清浄化処理によつても成形体中に
なお微量の不純物の残留は避けられず、これが得
られる半導体素子の性能劣下に大きな影響を与え
ていた。特に、SiC原料粒子の内部に封じめられ
ていた不純物の除去は著るしく困難であつた。こ
れらのために、従来はシリコンウエハの処理に先
だつて行なわれる拡散炉管のガスパージ、通常は
1200〜1300℃でHCl3％を含むHCl＋O2ガスによ
る処理に100時間以上も要し、経済的かつ時間的
に大きな負担となつていた。
この発明は炭化珪素質の半導体拡散炉管におけ
る従来のかかる問題を解決し、不純物の透過性を
最小限に止め、かつ高純度の炭化珪素質拡散炉管
の製造方法を得ようとするものである。
る従来のかかる問題を解決し、不純物の透過性を
最小限に止め、かつ高純度の炭化珪素質拡散炉管
の製造方法を得ようとするものである。
即ち、この発明は平均粒径が1μ以下のSiC微粉
末に焼結助剤を外割で0.5〜1.0％添加した原料粉
で管体を成形し、これを1000〜1300℃のハロゲン
又はハロゲン化水素ガスの雰囲気中で純化処理を
し、つづいて純化処理より高い温度で真空脱ガス
処理を行ない、次にこの管の少なくとも内面を
SiCからなるCVDコート膜で被覆することを特徴
とする。以下にこの発明をさらに説明する。
末に焼結助剤を外割で0.5〜1.0％添加した原料粉
で管体を成形し、これを1000〜1300℃のハロゲン
又はハロゲン化水素ガスの雰囲気中で純化処理を
し、つづいて純化処理より高い温度で真空脱ガス
処理を行ない、次にこの管の少なくとも内面を
SiCからなるCVDコート膜で被覆することを特徴
とする。以下にこの発明をさらに説明する。
本発明は、従来の炭化珪素質拡散炉管が炭化珪
素質成形体の気孔にシリコンを含浸したもので、
この含浸シリコン相から不純物が透過、拡散して
いたという事実に着目して、シリコンを含浸しな
いで炭化珪素質成形体自体を緻密化することによ
つてガス不透過性炭化珪素質の管成形体の製造を
行なうものである。即ち、平均粒径が1μ以下の
SiC微粉末に焼結助剤、例えばホウ素又は炭化ホ
ウ素を外割で0.5〜1.0％添加した原料粉で管体を
成形するものである。炭化珪素質成形体の製造に
あたつてホウ素化合物を焼結助剤として用いるこ
とはすでに知られている。かかる超微粒子にホウ
素又は炭化ホウ素を外割で0.5〜1.0％添加して焼
結すると、その密度は炭化珪素の論理密度の95％
以上の高密度でガス不透過性の炭化珪素質管成形
体が得られる。ホウ素或いは炭化ホウ素などの焼
結助剤の添加量は0.5％未満では効果なく、また
1.0％を超えると拡散炉管の純度を低下させるの
で好ましくない。上記で得られた高密度でガス不
透性の炭化珪素質成形体は、これをそのまま次に
純化処理をする。本発明における純化処理は、成
形体をハロゲン又はハロゲン化水素ガスの雰囲気
中で1000〜1300℃に加熱する。ことによつて行な
う。1000℃未満では充分な純化が出来ず、また
1300℃を超えると炭化珪素自体が分解をはじめ炭
素を析出し成形体が変形するおそれがある。1000
〜1300℃の範囲内で加熱することによつて不純物
は低沸点の塩素化合物となつて除去することがで
きる。しかしながら上記した純化処理だけでは必
ずしも充分な純化は出来ない。即ち、上記処理に
よつて例えば塩化鉄、塩化アルミニウムといつた
塩化物の生成は生じても、これらの塩化物の炭化
珪素質成形体からの分離、除去が、上記温度程度
の加熱では充分になされない。しかしこの場合、
加熱温度を更に上げると上記の如く炭化珪素が分
解を開始し炭素の析出を生ずる。そこで本発明で
は、上記純化処理をしたものを、純化処理より高
い温度で加熱して真空脱ガス処理を行なう。この
処理によつて純化処理で生成し、いまだ成形体か
ら分離除去されないでいる不純物が除去されてこ
こに純化処理が終了する。ここでこれを不活性ガ
ス、例えばアルゴンガス気流中の2050〜2100℃の
高温下で焼結を行なう。
素質成形体の気孔にシリコンを含浸したもので、
この含浸シリコン相から不純物が透過、拡散して
いたという事実に着目して、シリコンを含浸しな
いで炭化珪素質成形体自体を緻密化することによ
つてガス不透過性炭化珪素質の管成形体の製造を
行なうものである。即ち、平均粒径が1μ以下の
SiC微粉末に焼結助剤、例えばホウ素又は炭化ホ
ウ素を外割で0.5〜1.0％添加した原料粉で管体を
成形するものである。炭化珪素質成形体の製造に
あたつてホウ素化合物を焼結助剤として用いるこ
とはすでに知られている。かかる超微粒子にホウ
素又は炭化ホウ素を外割で0.5〜1.0％添加して焼
結すると、その密度は炭化珪素の論理密度の95％
以上の高密度でガス不透過性の炭化珪素質管成形
体が得られる。ホウ素或いは炭化ホウ素などの焼
結助剤の添加量は0.5％未満では効果なく、また
1.0％を超えると拡散炉管の純度を低下させるの
で好ましくない。上記で得られた高密度でガス不
透性の炭化珪素質成形体は、これをそのまま次に
純化処理をする。本発明における純化処理は、成
形体をハロゲン又はハロゲン化水素ガスの雰囲気
中で1000〜1300℃に加熱する。ことによつて行な
う。1000℃未満では充分な純化が出来ず、また
1300℃を超えると炭化珪素自体が分解をはじめ炭
素を析出し成形体が変形するおそれがある。1000
〜1300℃の範囲内で加熱することによつて不純物
は低沸点の塩素化合物となつて除去することがで
きる。しかしながら上記した純化処理だけでは必
ずしも充分な純化は出来ない。即ち、上記処理に
よつて例えば塩化鉄、塩化アルミニウムといつた
塩化物の生成は生じても、これらの塩化物の炭化
珪素質成形体からの分離、除去が、上記温度程度
の加熱では充分になされない。しかしこの場合、
加熱温度を更に上げると上記の如く炭化珪素が分
解を開始し炭素の析出を生ずる。そこで本発明で
は、上記純化処理をしたものを、純化処理より高
い温度で加熱して真空脱ガス処理を行なう。この
処理によつて純化処理で生成し、いまだ成形体か
ら分離除去されないでいる不純物が除去されてこ
こに純化処理が終了する。ここでこれを不活性ガ
ス、例えばアルゴンガス気流中の2050〜2100℃の
高温下で焼結を行なう。
次に、この管の内外面の少なくとも内面を高純
度SiCからなるCVDコート膜で被覆する。CVD
コート膜の被覆は、例えば石英外筒管の中に黒鉛
筒を入れた二重管の外周に高周波誘導加熱コイル
を設けた縦型高周波加熱方式の炉の中心に、上記
の焼結した拡散炉用の管を設置して、炉内を真空
脱気後加熱コイルで黒鉛筒を上部より誘導加熱
し、1300〜1400℃に達したところで下方よりトリ
クロルメチルシランヒ水素の混合気をノズルを通
して成形体管の内或いは内外に流入させ、原料ト
リクロルメチルシランの分解によつて管成形体の
表面にSiCコート膜を形成させる。CVDコート膜
の厚さは100〜300μｍが好ましい。この処理によ
つて最終的に本発明になる半導体拡散炉管が得ら
れる。
度SiCからなるCVDコート膜で被覆する。CVD
コート膜の被覆は、例えば石英外筒管の中に黒鉛
筒を入れた二重管の外周に高周波誘導加熱コイル
を設けた縦型高周波加熱方式の炉の中心に、上記
の焼結した拡散炉用の管を設置して、炉内を真空
脱気後加熱コイルで黒鉛筒を上部より誘導加熱
し、1300〜1400℃に達したところで下方よりトリ
クロルメチルシランヒ水素の混合気をノズルを通
して成形体管の内或いは内外に流入させ、原料ト
リクロルメチルシランの分解によつて管成形体の
表面にSiCコート膜を形成させる。CVDコート膜
の厚さは100〜300μｍが好ましい。この処理によ
つて最終的に本発明になる半導体拡散炉管が得ら
れる。
以上の本発明になる拡散炉管は、原料として用
いるSiC粉末を超微粉末とし、これに焼結助剤を
添加して高密度、ガス不透過性の成形体とするの
で、成形体にSiを含浸させた従来のものと相違し
てSi相を不純物が透過して半導体素子を汚染する
といつたことは生じなくなつた。また、成形体の
純化もハロゲン又はハロゲン化水素ガスによる純
化処理に加えて、高温下での真空脱ガス処理によ
つて成形体を構成する炭化珪素粒子の分解反応を
伴なうことなく高純度化を行なうことが出来る。
更に、本発明による拡散炉管は少なくとも管内面
をCVD膜で被覆したので、拡散炉管内へ不純物
が透過して半導体素子を汚染することもなく、そ
の高純度化は一層促進されることになつた。
いるSiC粉末を超微粉末とし、これに焼結助剤を
添加して高密度、ガス不透過性の成形体とするの
で、成形体にSiを含浸させた従来のものと相違し
てSi相を不純物が透過して半導体素子を汚染する
といつたことは生じなくなつた。また、成形体の
純化もハロゲン又はハロゲン化水素ガスによる純
化処理に加えて、高温下での真空脱ガス処理によ
つて成形体を構成する炭化珪素粒子の分解反応を
伴なうことなく高純度化を行なうことが出来る。
更に、本発明による拡散炉管は少なくとも管内面
をCVD膜で被覆したので、拡散炉管内へ不純物
が透過して半導体素子を汚染することもなく、そ
の高純度化は一層促進されることになつた。
本発明によつて得られた半導体拡散炉管につい
て、シリコンウエハを用いてMOS−Varactor法
による評価をした。評価は拡散炉管を用いて得ら
れるシリコンウエハについて所定のNFB値を得る
に必要な拡散炉管に対するHClガスパージ時間の
比率で行つた。なお、ガスパージは1200℃でO2
中にHCl3％含むガスで行つた。結果は図に示す
通りであつた。図中１は従来の炭化珪素質成形体
中にシリコンを含浸した従来公知のプロセスチユ
ーブ、２は本発明になるプロセスチユーブであ
る。これによつても明らかな通り本発明になる拡
散炉管は、半導体素子ウエハを汚染するような不
純物の拡散はほとんどなく、また清浄化のための
ガスパージ時間を従来のSiC−Siのプロセスチユ
ーブと比較すると半減することができる。以下に
実施例をあげて更に説明する。
て、シリコンウエハを用いてMOS−Varactor法
による評価をした。評価は拡散炉管を用いて得ら
れるシリコンウエハについて所定のNFB値を得る
に必要な拡散炉管に対するHClガスパージ時間の
比率で行つた。なお、ガスパージは1200℃でO2
中にHCl3％含むガスで行つた。結果は図に示す
通りであつた。図中１は従来の炭化珪素質成形体
中にシリコンを含浸した従来公知のプロセスチユ
ーブ、２は本発明になるプロセスチユーブであ
る。これによつても明らかな通り本発明になる拡
散炉管は、半導体素子ウエハを汚染するような不
純物の拡散はほとんどなく、また清浄化のための
ガスパージ時間を従来のSiC−Siのプロセスチユ
ーブと比較すると半減することができる。以下に
実施例をあげて更に説明する。
実施例
平均粒径が1μ以下、比表面10m2／gr以上のSiC
微粉末にホウ素を外割で0.7重量％添加し、カー
ボン原としてフエノールレジンを外割で20重量％
加えて充分に混練した。次にこれを粒径500μに
造粒してから乾燥した。ついでこれをアイソスタ
テイツクプレスで成形して外径150mm、内径136
mm、長さ2000mmの管を造つた。この管を純化され
た炉内に入れ1000℃に加熱して２時間HClガスを
供給して純化し、その後別の炉内に入れ炉内を
1350℃に加熱しつつ５mmHgにして２時間脱ガス
処理をした。これらの純化の終えた管を、次に
2050〜2100℃の高温下アルゴンガス気流中で焼結
を行つた。この焼結管を石英外筒管の中に黒鉛筒
を入れた二重管の中心部に設置し、内部を脱気し
て４mmHgとした。次に石英外筒管の外周に設け
た高周波誘導加熱コイルで炉内の炭化珪素質成形
体管を1350℃に加熱し、ここにH2ガスをキヤリ
アガスとしてトリクロルメチルシランを供給して
管内面を高純度SiCからなるCVDコート膜で被覆
した。CVDコート膜は200μｍとした。ここに得
た管でシリコンウエアを処理して、これの半導体
素子としての評価を行つたところ、その結果は石
英ガラスのプロセスチユーブを用いて得た半導体
素子と同等の純度であることを確認した。
微粉末にホウ素を外割で0.7重量％添加し、カー
ボン原としてフエノールレジンを外割で20重量％
加えて充分に混練した。次にこれを粒径500μに
造粒してから乾燥した。ついでこれをアイソスタ
テイツクプレスで成形して外径150mm、内径136
mm、長さ2000mmの管を造つた。この管を純化され
た炉内に入れ1000℃に加熱して２時間HClガスを
供給して純化し、その後別の炉内に入れ炉内を
1350℃に加熱しつつ５mmHgにして２時間脱ガス
処理をした。これらの純化の終えた管を、次に
2050〜2100℃の高温下アルゴンガス気流中で焼結
を行つた。この焼結管を石英外筒管の中に黒鉛筒
を入れた二重管の中心部に設置し、内部を脱気し
て４mmHgとした。次に石英外筒管の外周に設け
た高周波誘導加熱コイルで炉内の炭化珪素質成形
体管を1350℃に加熱し、ここにH2ガスをキヤリ
アガスとしてトリクロルメチルシランを供給して
管内面を高純度SiCからなるCVDコート膜で被覆
した。CVDコート膜は200μｍとした。ここに得
た管でシリコンウエアを処理して、これの半導体
素子としての評価を行つたところ、その結果は石
英ガラスのプロセスチユーブを用いて得た半導体
素子と同等の純度であることを確認した。
図は拡散炉管に対するHClガスパージ時間と、
この拡散炉管を用いて得られた半導体素子ウエハ
のNFB値の関係を示す線図 １……SiC−Si質拡散炉管におけるもの、２…
…本発明になる拡散炉管におけるもの。
この拡散炉管を用いて得られた半導体素子ウエハ
のNFB値の関係を示す線図 １……SiC−Si質拡散炉管におけるもの、２…
…本発明になる拡散炉管におけるもの。
Claims (1)
- １ 平均粒径が1μ以下のSiC微粉末に焼結助剤を
外割で0.5〜1.0％添加した原料で管体を成形し、
これを1000〜1300℃のハロゲン又はハロゲン化水
素ガスの雰囲気中で純化処理をし、つづいて純化
処理よりも高い温度で真空脱ガス処理を行ない、
その後焼結を行つて次にこの管の少なくとも内面
をSiCからなるCVDコート膜で被覆することを特
徴とする半導体拡散炉管の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251854A JPS60138914A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体拡散炉管の製造方法 |
| US06/685,800 US4619798A (en) | 1983-12-26 | 1984-12-24 | Method of manufacturing parts for use to the heat processing furnace |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251854A JPS60138914A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体拡散炉管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138914A JPS60138914A (ja) | 1985-07-23 |
| JPS6356700B2 true JPS6356700B2 (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=17228904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251854A Granted JPS60138914A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体拡散炉管の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4619798A (ja) |
| JP (1) | JPS60138914A (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138913A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
| JPS60246264A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-05 | 東芝セラミツクス株式会社 | 炭化珪素質材料の製造方法 |
| JPS6212666A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体用炉芯管の製造方法 |
| JPS6212667A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体用部材の製造方法 |
| JPS6236067A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-17 | 東海高熱工業株式会社 | 高純度な再結晶炭化珪素質焼成体の製造方法 |
| JPH0670977B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1994-09-07 | 三井造船株式会社 | ＳｉＣ被膜を有する構造材 |
| IT1215202B (it) * | 1986-12-03 | 1990-01-31 | G E V I P I A G | Organo di tenuta in materiale duro sinterizzato da un semilavorato formato con un legante organico |
| US4761134B1 (en) * | 1987-03-30 | 1993-11-16 | Silicon carbide diffusion furnace components with an impervious coating thereon | |
| DE68919113T2 (de) * | 1988-04-29 | 1995-03-09 | Norton Co | Bauteil für die Verwendung in einem Diffusionsofen. |
| US4999228A (en) * | 1988-05-06 | 1991-03-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon carbide diffusion tube for semi-conductor |
| DE4003219A1 (de) * | 1989-10-24 | 1991-08-08 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von formulierungen aus keramischen und/oder metallischen fasern |
| JPH0831427B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-03-27 | 東芝セラミックス株式会社 | スタッキングボート |
| US5043121A (en) * | 1990-05-03 | 1991-08-27 | Hoechst Celanese Corp. | Process for removing polyacetal binder from molded ceramic greenbodies with acid gases |
| JP2565024B2 (ja) * | 1991-07-18 | 1996-12-18 | 住友金属工業株式会社 | 半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法 |
| US5589116A (en) * | 1991-07-18 | 1996-12-31 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment |
| WO1993025495A1 (en) * | 1992-06-12 | 1993-12-23 | The Carborundum Company | Porous silicon carbide |
| JP3583812B2 (ja) * | 1994-09-05 | 2004-11-04 | 東京電力株式会社 | セラミックコーティング部材とその製造方法 |
| US5537505A (en) * | 1994-11-25 | 1996-07-16 | Corning Incorporated | Transparent glass-ceramics |
| US5770324A (en) * | 1997-03-03 | 1998-06-23 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method of using a hot pressed silicon carbide dummy wafer |
| EP0885859B1 (en) * | 1997-06-20 | 2002-03-13 | Bridgestone Corporation | Member for semiconductor equipment |
| US6051169A (en) * | 1997-08-27 | 2000-04-18 | International Business Machines Corporation | Vacuum baking process |
| EP0908932B1 (en) * | 1997-09-03 | 2003-11-19 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Semiconductor wafer holder with cvd silicon carbide film coating |
| CN101386551B (zh) * | 2008-10-29 | 2011-12-28 | 陕西科技大学 | 碳/碳复合材料纳米碳化硅-硅化钼复合涂层的制备方法 |
| CN103073304B (zh) * | 2013-01-16 | 2014-04-30 | 郑州大学 | 一种ZrB2-SiC复合粉体的电熔法制备工艺 |
| CN109894617B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-03-19 | 江苏精研科技股份有限公司 | 粉末注射成型Ti基产品的烘炉工艺及成型工艺 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2349512C3 (de) * | 1973-10-02 | 1978-06-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse |
| US4238434A (en) * | 1978-02-16 | 1980-12-09 | Ibigawa Electric Industry Co., Ltd. | Method of producing a silicon carbide sintered body |
| JPS55158662A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory storage |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58251854A patent/JPS60138914A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-24 US US06/685,800 patent/US4619798A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4619798A (en) | 1986-10-28 |
| JPS60138914A (ja) | 1985-07-23 |
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