JPS6360532B2 - - Google Patents
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- JPS6360532B2 JPS6360532B2 JP56076553A JP7655381A JPS6360532B2 JP S6360532 B2 JPS6360532 B2 JP S6360532B2 JP 56076553 A JP56076553 A JP 56076553A JP 7655381 A JP7655381 A JP 7655381A JP S6360532 B2 JPS6360532 B2 JP S6360532B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- psg
- insulating film
- plasma
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明は絶縁膜、特に半導体装置における層間
絶縁膜として好適なリンシリケートガラス膜（以
下、PSG膜と略記する）に関するものである。 この種のRSG膜を形成する方法として、常圧
CVD（化学的気相成長）法及び低圧CVD法が知
られている。常圧CVD法はバツチ処理式の自公
転装置を用いて実施されるが、得られたPSG膜
は特に段差部での被着性（ステツプカバレジ）が
悪い上に熱によりクラツクが入り易く、層間絶縁
膜としては致命的な欠陥を有していることが分つ
た。また、低圧CVD法によるPSG膜も絶縁耐圧
が不良であり、更に膜強度小、Alヒロツクとい
つた問題があり、層間絶縁膜として不適当である
ことが分つている。なお、PSG以外の絶縁膜に
は、プラズマデポジシヨン（析出法）による窒化
シリコン膜があるが、これを層間絶縁膜に用いる
と誘電率が大であつて分極を生じ、ダメージを受
け易いという欠点がある。 従つて、本発明の目的は信頼性に優れた絶縁膜
を形成することにあり、特に、完成状態の半導体
素子の表面を保護する保護膜（フアイナルパツシ
ベーシヨン膜）としてだけでなく、それより厳し
い条件が要求される層間絶縁膜についての上述し
た諸欠陥を解消することにある。つまり、層間絶
縁膜としては、ステツプカバレジが膜質及び形状
共に良好であり、熱処理時にクラツクが入らず、
絶縁耐圧も充分であつて例えば300V／0.6μｍ以
上のものを形成することにある。 このために、本発明によれば、プラズマデポジ
シヨンで絶縁膜、特にPSG膜を形成するもので
あるが、その際モノシラン等の水素化珪素と共に
酸化性ガスとしてCO2を使用することを特徴とし
ている。 本発明に到達する過程で、本発明者は本出願人
が既に提案した特願昭54−124100号による方法、
即ち、PH3−SiH4−N2O−Ar系を用いたPSG膜
のプラズマデポジシヨン法を検討した結果、
N2Oに代えてCO2を用いると、膜質をも含めたス
テツプカバレジ層間耐圧が特に改善され、高品質
で充分な強度のあるPSG膜を形成できることを
見出した。更に本発明者は、その反応ガス系にホ
スフイン（PH3）を混合せず、Si及びＯを主体と
するガラス膜を成長させても、上記と同等に特性
良好な絶縁膜が得られることも見出した。 以下、本発明を図面の参照下で更に詳細に説明
する。 まず第１図について、本発明の方法を実施する
のに使用するプラズマデポジシヨン用のCVD装
置を例示する。この装置は石英製ベルジヤー１の
周囲に配された誘導コイル２でプラズマ励起を行
なうように構成された誘導コイル型プラズマ励起
方式になつている。ベルジヤー１内には、Al製
のシヤワー型下部電極３と、これに対向したステ
ンレス製の平板状上部電極４とが設置されてい
る。反応ガス系はPH3−SiH4−CO2（或いは比較
例としてN2O）−Ar ＝からなつていて、このうち
PH3とSiH4はArを希釈ガスとして下部電極３の
下方から導入され、他方CO2（或はN2O）はベル
ジヤー１の底部から導入されてシヤワー電極３の
幅狭の貫通孔５を通じて上方の反応室７へ供給さ
れる。半導体ウエハ６はサセプタとしての上部電
極４において、その表面側を下方に向けてセツト
される。なお、８はRF発振器、９は半導体ウエ
ハ搬送駆動部である。反応室７内においては、供
給された反応ガスが夫々プラズマ励起され、ウエ
ハ６上にPSG膜が析出する。 上記のプラズマCVD装置によつて、半導体ウ
エハ６には第２図に例示する如きPSG膜又はSiO
膜１０が析出せしめられる。このウエハ６にはリ
ニアICのバイポーラトランジスタを構成する各
半導体領域が予め形成されていて、１１はＰ型シ
リコン基板、１２はN-型エピタキシヤル層、１
３はN+型埋込み層、１４は素子分離用のP+型ア
イソレーシヨン領域、１５はN+型コレクタ電極
取出し用オーミツクコンタクト領域、１６はＰ型
ベース領域、１７はN+型エミツタ領域、１８は
表面SiO2膜である。PSG膜又はSixOy膜１０は、
各エミツタ電極１９、ベース電極２０、コレクタ
電極２１をアルミニウム蒸着及びパターニングに
よつて形成した後に、上記プラズマCVDで全面
に成長せしめられる。２２は２層目のアルミニウ
ム配線であつて、PSG膜又はSixOy膜１０を層間
絶縁膜とする多層配線構造を形成している。な
お、１層目のアルミニウム電極１９〜２１及びそ
の配線膜厚1μｍ、幅6μｍ、配線間隔2μｍとし、
PSG膜１０の膜厚を0.8μｍとし、更に２層目配線
２２は膜厚1μｍ、幅10μｍ、配線間隔2μｍとして
よい。 上記のプラズマCVDによる析出膜（PSG膜、
SixOy膜）の諸特性を他の常圧、低圧CVDによる
PSG膜と比較したデータを下記表に示した。こ
れによれば、プラズマデポジシヨンにより成長せ
しめられた析出膜は、熱応力が小さく、ステツプ
カバレジ、絶縁耐圧共に良好であつて、特に多層
配線構造における層間絶縁膜として優れているこ
とが分る。
絶縁膜として好適なリンシリケートガラス膜（以
下、PSG膜と略記する）に関するものである。 この種のRSG膜を形成する方法として、常圧
CVD（化学的気相成長）法及び低圧CVD法が知
られている。常圧CVD法はバツチ処理式の自公
転装置を用いて実施されるが、得られたPSG膜
は特に段差部での被着性（ステツプカバレジ）が
悪い上に熱によりクラツクが入り易く、層間絶縁
膜としては致命的な欠陥を有していることが分つ
た。また、低圧CVD法によるPSG膜も絶縁耐圧
が不良であり、更に膜強度小、Alヒロツクとい
つた問題があり、層間絶縁膜として不適当である
ことが分つている。なお、PSG以外の絶縁膜に
は、プラズマデポジシヨン（析出法）による窒化
シリコン膜があるが、これを層間絶縁膜に用いる
と誘電率が大であつて分極を生じ、ダメージを受
け易いという欠点がある。 従つて、本発明の目的は信頼性に優れた絶縁膜
を形成することにあり、特に、完成状態の半導体
素子の表面を保護する保護膜（フアイナルパツシ
ベーシヨン膜）としてだけでなく、それより厳し
い条件が要求される層間絶縁膜についての上述し
た諸欠陥を解消することにある。つまり、層間絶
縁膜としては、ステツプカバレジが膜質及び形状
共に良好であり、熱処理時にクラツクが入らず、
絶縁耐圧も充分であつて例えば300V／0.6μｍ以
上のものを形成することにある。 このために、本発明によれば、プラズマデポジ
シヨンで絶縁膜、特にPSG膜を形成するもので
あるが、その際モノシラン等の水素化珪素と共に
酸化性ガスとしてCO2を使用することを特徴とし
ている。 本発明に到達する過程で、本発明者は本出願人
が既に提案した特願昭54−124100号による方法、
即ち、PH3−SiH4−N2O−Ar系を用いたPSG膜
のプラズマデポジシヨン法を検討した結果、
N2Oに代えてCO2を用いると、膜質をも含めたス
テツプカバレジ層間耐圧が特に改善され、高品質
で充分な強度のあるPSG膜を形成できることを
見出した。更に本発明者は、その反応ガス系にホ
スフイン（PH3）を混合せず、Si及びＯを主体と
するガラス膜を成長させても、上記と同等に特性
良好な絶縁膜が得られることも見出した。 以下、本発明を図面の参照下で更に詳細に説明
する。 まず第１図について、本発明の方法を実施する
のに使用するプラズマデポジシヨン用のCVD装
置を例示する。この装置は石英製ベルジヤー１の
周囲に配された誘導コイル２でプラズマ励起を行
なうように構成された誘導コイル型プラズマ励起
方式になつている。ベルジヤー１内には、Al製
のシヤワー型下部電極３と、これに対向したステ
ンレス製の平板状上部電極４とが設置されてい
る。反応ガス系はPH3−SiH4−CO2（或いは比較
例としてN2O）−Ar ＝からなつていて、このうち
PH3とSiH4はArを希釈ガスとして下部電極３の
下方から導入され、他方CO2（或はN2O）はベル
ジヤー１の底部から導入されてシヤワー電極３の
幅狭の貫通孔５を通じて上方の反応室７へ供給さ
れる。半導体ウエハ６はサセプタとしての上部電
極４において、その表面側を下方に向けてセツト
される。なお、８はRF発振器、９は半導体ウエ
ハ搬送駆動部である。反応室７内においては、供
給された反応ガスが夫々プラズマ励起され、ウエ
ハ６上にPSG膜が析出する。 上記のプラズマCVD装置によつて、半導体ウ
エハ６には第２図に例示する如きPSG膜又はSiO
膜１０が析出せしめられる。このウエハ６にはリ
ニアICのバイポーラトランジスタを構成する各
半導体領域が予め形成されていて、１１はＰ型シ
リコン基板、１２はN-型エピタキシヤル層、１
３はN+型埋込み層、１４は素子分離用のP+型ア
イソレーシヨン領域、１５はN+型コレクタ電極
取出し用オーミツクコンタクト領域、１６はＰ型
ベース領域、１７はN+型エミツタ領域、１８は
表面SiO2膜である。PSG膜又はSixOy膜１０は、
各エミツタ電極１９、ベース電極２０、コレクタ
電極２１をアルミニウム蒸着及びパターニングに
よつて形成した後に、上記プラズマCVDで全面
に成長せしめられる。２２は２層目のアルミニウ
ム配線であつて、PSG膜又はSixOy膜１０を層間
絶縁膜とする多層配線構造を形成している。な
お、１層目のアルミニウム電極１９〜２１及びそ
の配線膜厚1μｍ、幅6μｍ、配線間隔2μｍとし、
PSG膜１０の膜厚を0.8μｍとし、更に２層目配線
２２は膜厚1μｍ、幅10μｍ、配線間隔2μｍとして
よい。 上記のプラズマCVDによる析出膜（PSG膜、
SixOy膜）の諸特性を他の常圧、低圧CVDによる
PSG膜と比較したデータを下記表に示した。こ
れによれば、プラズマデポジシヨンにより成長せ
しめられた析出膜は、熱応力が小さく、ステツプ
カバレジ、絶縁耐圧共に良好であつて、特に多層
配線構造における層間絶縁膜として優れているこ
とが分る。
【表】
【表】
次に、上記のプラズマCVDによる折出膜に関
し、酸化性ガスの種類及びリン濃度に応じた
PSG膜のエツチング速度（エツチヤントは例え
ばバツフアHF）を第３図に示した。この結果か
ら、酸化性ガスがN2Oの場合よりCO2である方が
エツチング速度が大幅に小さく、また膜中のリン
濃度が低くなるにつれてエツチング速度が減少
（リンが0mol％で最小）することが分る。このこ
とは、本発明のようにCO2を使用するプラズマ
CVDによつて、得られたPSG膜又はSixOy膜
（例えばSiO膜）の耐エツチング性が充分となり、
上記第２図で示した２層目アルミニウム配線２２
のパターニング（エツチング）工程時において侵
食され難くなる。また、上記表に示した他の
CVDによるPSG膜と比べても、エツチング速度
が小さくなることも分る。第４図には、反応ガス
中の酸化性ガス（オキサイドガス）の濃度による
PSG膜のエツチング速度が示されているが、CO2
を使用した場合、上記のように耐エツチング性が
増し、酸化性ガスの増量（リン濃度の減少）と共
にエツチング速度が低下することが分る。なお、
O2を使用すると更にエツチング速度が低下する
ようであるが、逆に反応が激しすぎて異物、欠陥
が増加して実際には使用るることが不可能であ
る。 なお、上記のデータから、本発明の方法におい
ては反応ガス組成として、ホスフイン（PH3）と
モノシラン（SiH4）との合計流量に対してCO2
を20〜40の割合で供給するのが望ましいことが分
つた。即ち、CO2が20未満であると、PSG膜中の
酸素含有量が少なくなつてPSGとしての化学量
論的組成比がくずれると共にエツチング速度も上
昇程度が大きくなり、またCO2が40％を越える
と、上記と同様にPSGの酸素含有量が多くなり
すぎてその化学量論的組成比がくずれてしまう。
従つて、CO2量はPH3＋SiH4に対して20〜40とす
るのが好適である。 第５図には、熱処理（アニール）を施した場
合、各生成速度によるPSG膜の欠陥数クラツク
数）が示されている。これによれば、酸化性ガス
としてCO2を用いると、生成速度は遅いものの膜
中のクラツク数が大幅に減少していることが分
る。また、CO2を用いると熱処理前後においても
クラツク数は殆んど変化せずに共に非常に少ない
が、N2Oを用いる場合には欠陥数が著しく多い
上に熱処理条件で大きく変化している。 第６図には、CO2を用いる本発明のプラズマ
CVDによるPSG膜の絶縁耐圧を、その値毎のペ
レツト数（耐圧分布）で示した結果が示されてい
る。これによれば、上述の常圧CVDによるPSG
膜の耐圧が400V程度であるのに比較して、CO2
系のプラズマCVDによるPSG膜の耐圧が大幅に
向上している。 更に第７図には、本発明によるPSG膜の赤外
線吸収スペクトルが示されているが、これによれ
ば、Ａの部分でＰ−Ｏ結合のピークがみられ、Ｐ
が充分に反応して結合していることが分り、非常
に良好なPSG膜が形成されている。 上述したように、本発明の方法によつて形成し
た絶縁膜は特に半導体デバイスに適用した場合、
次の如き顕著な効果を奏することが理解されよ
う。 (1) ステツプカバレジが良好であるから、電極又
は配線用のアルミニウム膜の段切れを防止で
き、歩留が向上する。 (2) 熱処理時にクラツクが入り難く、膜強度が大
きくなる。 (3) 層間絶縁膜として絶縁耐圧が充分となり、耐
圧不良をなくすことができる。 (4) 半導体チツプ又はウエハの信頼性が向上す
る。 (5) 酸化性ガスとしてCO2を用いるので、低コス
ト化が可能となる。 なお、本発明で得られた絶縁膜は上述した層間
絶縁膜としてだけでなく、フアイナルパツシベー
シヨン膜や、電気的に絶縁の必要な箇所に形成す
る絶縁膜としても用いることができ、その用途は
広いものである。
し、酸化性ガスの種類及びリン濃度に応じた
PSG膜のエツチング速度（エツチヤントは例え
ばバツフアHF）を第３図に示した。この結果か
ら、酸化性ガスがN2Oの場合よりCO2である方が
エツチング速度が大幅に小さく、また膜中のリン
濃度が低くなるにつれてエツチング速度が減少
（リンが0mol％で最小）することが分る。このこ
とは、本発明のようにCO2を使用するプラズマ
CVDによつて、得られたPSG膜又はSixOy膜
（例えばSiO膜）の耐エツチング性が充分となり、
上記第２図で示した２層目アルミニウム配線２２
のパターニング（エツチング）工程時において侵
食され難くなる。また、上記表に示した他の
CVDによるPSG膜と比べても、エツチング速度
が小さくなることも分る。第４図には、反応ガス
中の酸化性ガス（オキサイドガス）の濃度による
PSG膜のエツチング速度が示されているが、CO2
を使用した場合、上記のように耐エツチング性が
増し、酸化性ガスの増量（リン濃度の減少）と共
にエツチング速度が低下することが分る。なお、
O2を使用すると更にエツチング速度が低下する
ようであるが、逆に反応が激しすぎて異物、欠陥
が増加して実際には使用るることが不可能であ
る。 なお、上記のデータから、本発明の方法におい
ては反応ガス組成として、ホスフイン（PH3）と
モノシラン（SiH4）との合計流量に対してCO2
を20〜40の割合で供給するのが望ましいことが分
つた。即ち、CO2が20未満であると、PSG膜中の
酸素含有量が少なくなつてPSGとしての化学量
論的組成比がくずれると共にエツチング速度も上
昇程度が大きくなり、またCO2が40％を越える
と、上記と同様にPSGの酸素含有量が多くなり
すぎてその化学量論的組成比がくずれてしまう。
従つて、CO2量はPH3＋SiH4に対して20〜40とす
るのが好適である。 第５図には、熱処理（アニール）を施した場
合、各生成速度によるPSG膜の欠陥数クラツク
数）が示されている。これによれば、酸化性ガス
としてCO2を用いると、生成速度は遅いものの膜
中のクラツク数が大幅に減少していることが分
る。また、CO2を用いると熱処理前後においても
クラツク数は殆んど変化せずに共に非常に少ない
が、N2Oを用いる場合には欠陥数が著しく多い
上に熱処理条件で大きく変化している。 第６図には、CO2を用いる本発明のプラズマ
CVDによるPSG膜の絶縁耐圧を、その値毎のペ
レツト数（耐圧分布）で示した結果が示されてい
る。これによれば、上述の常圧CVDによるPSG
膜の耐圧が400V程度であるのに比較して、CO2
系のプラズマCVDによるPSG膜の耐圧が大幅に
向上している。 更に第７図には、本発明によるPSG膜の赤外
線吸収スペクトルが示されているが、これによれ
ば、Ａの部分でＰ−Ｏ結合のピークがみられ、Ｐ
が充分に反応して結合していることが分り、非常
に良好なPSG膜が形成されている。 上述したように、本発明の方法によつて形成し
た絶縁膜は特に半導体デバイスに適用した場合、
次の如き顕著な効果を奏することが理解されよ
う。 (1) ステツプカバレジが良好であるから、電極又
は配線用のアルミニウム膜の段切れを防止で
き、歩留が向上する。 (2) 熱処理時にクラツクが入り難く、膜強度が大
きくなる。 (3) 層間絶縁膜として絶縁耐圧が充分となり、耐
圧不良をなくすことができる。 (4) 半導体チツプ又はウエハの信頼性が向上す
る。 (5) 酸化性ガスとしてCO2を用いるので、低コス
ト化が可能となる。 なお、本発明で得られた絶縁膜は上述した層間
絶縁膜としてだけでなく、フアイナルパツシベー
シヨン膜や、電気的に絶縁の必要な箇所に形成す
る絶縁膜としても用いることができ、その用途は
広いものである。
図面は本発明を例示するものであつて、第１図
はプラズマCVD装置の概略断面図、第２図は
PSG膜を層間絶縁膜として形成した半導体ウエ
ハの断面図、第３図はプラズマCVDによる析出
膜のリン濃度によるそのエツチング速度の変化を
示すグラフ、第４図はプラズマCVD時の反応ガ
ス組成によるPSG膜のエツチング速度の変化を
示すグラフ、第５図はプラズマCVDによるPSG
膜について熱処理温度と欠陥（クラツク）数との
関係を示すグラフ、第６図は本発明によるPSG
膜の絶縁耐圧分布を示すグラフ、第７図は本発明
によるPSG膜の赤外線吸収スペクトル図である。 なお、図面に用いられている符号において、２
は誘導コイル、３はシヤワー電極、４はサセプ
タ、６は半導体ウエハ、７は反応室、１０は
PSG膜、１９はエミツタ電極、２０はベース電
極、２１はコレクタ電極、２２は２層目アルミニ
ウム配線である。
はプラズマCVD装置の概略断面図、第２図は
PSG膜を層間絶縁膜として形成した半導体ウエ
ハの断面図、第３図はプラズマCVDによる析出
膜のリン濃度によるそのエツチング速度の変化を
示すグラフ、第４図はプラズマCVD時の反応ガ
ス組成によるPSG膜のエツチング速度の変化を
示すグラフ、第５図はプラズマCVDによるPSG
膜について熱処理温度と欠陥（クラツク）数との
関係を示すグラフ、第６図は本発明によるPSG
膜の絶縁耐圧分布を示すグラフ、第７図は本発明
によるPSG膜の赤外線吸収スペクトル図である。 なお、図面に用いられている符号において、２
は誘導コイル、３はシヤワー電極、４はサセプ
タ、６は半導体ウエハ、７は反応室、１０は
PSG膜、１９はエミツタ電極、２０はベース電
極、２１はコレクタ電極、２２は２層目アルミニ
ウム配線である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水素化珪素及び酸化性ガスを含む反応ガスを
プラズマ化することによつて、Si及びＯを含有す
るガラスからなる絶縁膜を基体上に形成するに際
し、前記酸化性ガスとしてCO2を使用することを
特徴とする絶縁膜の形成方法。 ２ 反応ガス中に所定量のホスフインを混合し、
これによつてリンシリケートガラス膜を形成する
ようにした、特許請求の範囲の第１項に記載した
方法。 ３ ホスフインとモノシランとの合計流量に対し
て20〜40の容量比でCO2を供給する、特許請求の
範囲の第２項に記載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56076553A JPS57192032A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Forming method for insulating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56076553A JPS57192032A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Forming method for insulating film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57192032A JPS57192032A (en) | 1982-11-26 |
| JPS6360532B2 true JPS6360532B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=13608443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56076553A Granted JPS57192032A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Forming method for insulating film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57192032A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0419053B1 (en) * | 1989-08-31 | 1997-12-29 | AT&T Corp. | Dielectric film deposition method and apparatus |
| DE69231390D1 (de) * | 1991-06-10 | 2000-10-05 | At & T Corp | Anisotropische Ablagerung von Dielektrika |
| FR2704558B1 (fr) * | 1993-04-29 | 1995-06-23 | Air Liquide | Procede et dispositif pour creer un depot d'oxyde de silicium sur un substrat solide en defilement. |
| JP4533304B2 (ja) | 2005-11-29 | 2010-09-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-05-22 JP JP56076553A patent/JPS57192032A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57192032A (en) | 1982-11-26 |
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