JPS6362404A - 電流増幅回路 - Google Patents
電流増幅回路Info
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- JPS6362404A JPS6362404A JP61206524A JP20652486A JPS6362404A JP S6362404 A JPS6362404 A JP S6362404A JP 61206524 A JP61206524 A JP 61206524A JP 20652486 A JP20652486 A JP 20652486A JP S6362404 A JPS6362404 A JP S6362404A
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電流増幅回路に関するものである。
［従来の技術］
従来、検波回路等に用いられる電流増幅回路として第３
図のものがあり、以下この動作について説明する。トラ
ンジスタＴ５．Ｔ６に流れるバイアス電流をＩとしたと
き常温におけるトランジスタＴ７のベース電位ｖｂは ｖｂ＝ｚ ・（ＫＴ／Ｑ−、ｆ！Ｊｎ／ＩＳ ）となる
、但し、Ｋ；ボルツマン定数、Ｔ；絶対温度、ｑ；電荷
であり、Ｔ−３００°にとしたとき、ＫＴ／ｑ−２６Ｘ
１０−３となるため、■ｂ−２・（２６×１２・ＬｎＩ
／ＩＳ）となり、これはトランジスタＴ 、Ｔ の
ベース−エミッタ電圧の和に等しく、 ２・ （２６×１０−３・ＬｎＩ／■５）−２６ｘｔｏ
−３（込ｎｘＢｘＩｓ＋＃ｎｘｘ／Ｉｓ） となる。この式を変形すると、 ２４ｎ （１／ＩＳ ）−Ｊ２／ｎ （ＩＢ −ＩＸ
／ＩＳ ２＞、°、Ｉ ２−ＩＢ−ＩＸ となり、ここでＩＢ−ＩＸ／ｈＦＥとすると、Ｉ ２
− ＩＸ ２／ｈＰＥ となり、 Ｉｘ−Ｉ Ｇｉ口 となる。
図のものがあり、以下この動作について説明する。トラ
ンジスタＴ５．Ｔ６に流れるバイアス電流をＩとしたと
き常温におけるトランジスタＴ７のベース電位ｖｂは ｖｂ＝ｚ ・（ＫＴ／Ｑ−、ｆ！Ｊｎ／ＩＳ ）となる
、但し、Ｋ；ボルツマン定数、Ｔ；絶対温度、ｑ；電荷
であり、Ｔ−３００°にとしたとき、ＫＴ／ｑ−２６Ｘ
１０−３となるため、■ｂ−２・（２６×１２・ＬｎＩ
／ＩＳ）となり、これはトランジスタＴ 、Ｔ の
ベース−エミッタ電圧の和に等しく、 ２・ （２６×１０−３・ＬｎＩ／■５）−２６ｘｔｏ
−３（込ｎｘＢｘＩｓ＋＃ｎｘｘ／Ｉｓ） となる。この式を変形すると、 ２４ｎ （１／ＩＳ ）−Ｊ２／ｎ （ＩＢ −ＩＸ
／ＩＳ ２＞、°、Ｉ ２−ＩＢ−ＩＸ となり、ここでＩＢ−ＩＸ／ｈＦＥとすると、Ｉ ２
− ＩＸ ２／ｈＰＥ となり、 Ｉｘ−Ｉ Ｇｉ口 となる。
すなわち、トランジスタＴ８のバイアス電流ＩＸはバイ
アス電流Ｉの ５倍となるものである。
アス電流Ｉの ５倍となるものである。
また電流ゲインは入力電流をｉとすると、はぼｈＦＥ倍
となる。
となる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記の構成では、出力トランジスタＴ８のバイアス電流
ＩＸおよび電流ゲインがｈＦＥに強く依存するため、素
子のばらつきに弱く、設計が難しいものであった。そし
てこれが集積化を妨げる要因となっていた。
ＩＸおよび電流ゲインがｈＦＥに強く依存するため、素
子のばらつきに弱く、設計が難しいものであった。そし
てこれが集積化を妨げる要因となっていた。
本発明は設計が容易で素子のばらつきによる影響を受は
難く、集積化に適した電流増幅回路を提供するものであ
る。
難く、集積化に適した電流増幅回路を提供するものであ
る。
［問題を解決するための手段］
本発明は、ダイオード接続した第１および第２のトラン
ジスタを直列に接続し、第１のトランジスタのコレクタ
を第３のトランジスタのベースに接続するとともに第２
のトランジスタのコレクタを第４のトランジスタのベー
スに抵抗を介して接続し、第３および第４のトランジス
タを直列に接続するようにしたものである。
ジスタを直列に接続し、第１のトランジスタのコレクタ
を第３のトランジスタのベースに接続するとともに第２
のトランジスタのコレクタを第４のトランジスタのベー
スに抵抗を介して接続し、第３および第４のトランジス
タを直列に接続するようにしたものである。
［実施例］
第１図において、ダイオード接続した第１のトランジス
タＴ１と抵抗Ｒ１を介してダイオード接続した第２のト
ランジスタＴ２を直列に接続してあり、トランジスタＴ
１のコレクタはトランジスタのベースに、トランジスタ
Ｔ２のコレクタはトランジスタＴ のベースに抵抗Ｒ２
を介して接続しである。トランジスタＴ４のベースに入
力電流ｌを供給してこれをトランジスタＴ３の出力電流
として増幅する構成となっている。
タＴ１と抵抗Ｒ１を介してダイオード接続した第２のト
ランジスタＴ２を直列に接続してあり、トランジスタＴ
１のコレクタはトランジスタのベースに、トランジスタ
Ｔ２のコレクタはトランジスタＴ のベースに抵抗Ｒ２
を介して接続しである。トランジスタＴ４のベースに入
力電流ｌを供給してこれをトランジスタＴ３の出力電流
として増幅する構成となっている。
以上の構成において、トランジスタＴ 、Ｔ２に流れる
バイアス電流をＩとし、トランジスタＴ 、Ｔ に
流れるバイアス電流をＩＸとすると、トランジスタＴ２
のコレクタ電位Ｖｂ２は２６ Ｘ １０’ムＩ／ＩＳ
＋Ｒ１Ｉ／ｈＰＥとなり、これは抵抗Ｒ２の両端電圧お
よびトランジスタＴ４のベース−エミッタ電圧の和と等
・しいから、 ＝２６Ｘ１０−３ａ２ｎＩＸ／ＩＳ＋ＲＩＸ／ｈＦＥ■ となる。この式を整理すると、 １／ＩＸ −ＥＸＰ Ｒ−（ＩＸ−Ｉ） ／ｈＰＥ２６
×１０″″３ となり、この式が成り立つのは −ＩＸ の場合であり、これによりバイアス電流ＩとＩＸとが等
しくなることがわかる。
バイアス電流をＩとし、トランジスタＴ 、Ｔ に
流れるバイアス電流をＩＸとすると、トランジスタＴ２
のコレクタ電位Ｖｂ２は２６ Ｘ １０’ムＩ／ＩＳ
＋Ｒ１Ｉ／ｈＰＥとなり、これは抵抗Ｒ２の両端電圧お
よびトランジスタＴ４のベース−エミッタ電圧の和と等
・しいから、 ＝２６Ｘ１０−３ａ２ｎＩＸ／ＩＳ＋ＲＩＸ／ｈＦＥ■ となる。この式を整理すると、 １／ＩＸ −ＥＸＰ Ｒ−（ＩＸ−Ｉ） ／ｈＰＥ２６
×１０″″３ となり、この式が成り立つのは −ＩＸ の場合であり、これによりバイアス電流ＩとＩＸとが等
しくなることがわかる。
つぎにこの回路による電流ゲインについて説明する。入
力電流をｉとし、このうちトランジスタＴ のベース側
に流れる電流を１１抵抗Ｒ２側に流れる電流を１２とす
ると、 １−１ｌ＋１２ となり、これによってトランジスタＴ４に流れる電流を
ｉＳとすると、 １ｓ＝ｈＰＥ・ｉｌ となる。またこれによるトランジスタＴ４のベース電位
の変化分は、トランジスタＴ４のエミッタ抵抗をＲＥと
すると、 ＲＥＩＩＩＳｗｍＲＥｌｌｈＦＥ・１１となり、この結
果、抵抗Ｒ２側に流れる電流１２は １２−ＲＥ −ＩＳ／Ｒ−ＲＥ ＠ｈＦＥ・ｉ ／ Ｒ
となる。
力電流をｉとし、このうちトランジスタＴ のベース側
に流れる電流を１１抵抗Ｒ２側に流れる電流を１２とす
ると、 １−１ｌ＋１２ となり、これによってトランジスタＴ４に流れる電流を
ｉＳとすると、 １ｓ＝ｈＰＥ・ｉｌ となる。またこれによるトランジスタＴ４のベース電位
の変化分は、トランジスタＴ４のエミッタ抵抗をＲＥと
すると、 ＲＥＩＩＩＳｗｍＲＥｌｌｈＦＥ・１１となり、この結
果、抵抗Ｒ２側に流れる電流１２は １２−ＲＥ −ＩＳ／Ｒ−ＲＥ ＠ｈＦＥ・ｉ ／ Ｒ
となる。
ここでトランジスタＴ４の電流ゲインはｉｓ／ｉ−ｉ
−ｈＦＥ／ｉ 一１ｔ−ｈＰＥ／ｉ、＋ＲＥ −１ｌ−ｈ ＦＥ／ Ｒ −Ｒ／ （Ｒ／ｈＦＥ＋ＲＥ ） となり、ｈＦＥが大きい場合には、はぼＲ／ＲＥとなり
、ｈＰＥに無関係にゲインが決まることがゎがる。
−ｈＦＥ／ｉ 一１ｔ−ｈＰＥ／ｉ、＋ＲＥ −１ｌ−ｈ ＦＥ／ Ｒ −Ｒ／ （Ｒ／ｈＦＥ＋ＲＥ ） となり、ｈＦＥが大きい場合には、はぼＲ／ＲＥとなり
、ｈＰＥに無関係にゲインが決まることがゎがる。
このようにこの回路構成によれば、バイアス電流および
電流ゲインがトランジスタのｈＦＥに依存しないため、
回路素子のばらつきによる影響を受けず、回路設計がし
易く集積化に適した構成となっている。
電流ゲインがトランジスタのｈＦＥに依存しないため、
回路素子のばらつきによる影響を受けず、回路設計がし
易く集積化に適した構成となっている。
第２図には第１図の例の抵抗Ｒ１を除去した構成例を示
しである。この構成においても先の実施例と同じ電流ゲ
インが得られる。但し、バイアス電流ＩとＩＸの関係は
、 Ｉ／ＩＸ −ＥＸＰ （（Ｒ−ＩＸ ／ｈＦＥ） ／
２６Ｘ１０−”１ となり、Ｒ２が０のときにＩ−ＩＸとなる。
しである。この構成においても先の実施例と同じ電流ゲ
インが得られる。但し、バイアス電流ＩとＩＸの関係は
、 Ｉ／ＩＸ −ＥＸＰ （（Ｒ−ＩＸ ／ｈＦＥ） ／
２６Ｘ１０−”１ となり、Ｒ２が０のときにＩ−ＩＸとなる。
なお上記の実施例ではトランジスタにＮＰＮトランジス
タを用いた場合について説明したが、ＰＮＰトランジス
タを用いても同様の回路を構成することができる。
タを用いた場合について説明したが、ＰＮＰトランジス
タを用いても同様の回路を構成することができる。
［発明の効果］
本発明によれば、バイアス電流および電流ゲインのｈＰ
Ｅ依存性がすくなく、素子のばらつきによる影響を受は
難く、回路設計がし易いものとなる。
Ｅ依存性がすくなく、素子のばらつきによる影響を受は
難く、回路設計がし易いものとなる。
そのため、集積化が容易に行える利点がある。
第１図は本発明の一実施例を示した電気回路図、第２図
は他の実施例を示した電気回路図、第３図は従来令を示
した電気回路図である。 Ｔ１・・・第１のトランジスタ Ｔ２・・・第２のトランジスタ Ｔ３・・・第３のトランジスタ Ｔ４・・・第４のトランジスタ Ｒ２・・・抵抗 以 上 （他１名）
は他の実施例を示した電気回路図、第３図は従来令を示
した電気回路図である。 Ｔ１・・・第１のトランジスタ Ｔ２・・・第２のトランジスタ Ｔ３・・・第３のトランジスタ Ｔ４・・・第４のトランジスタ Ｒ２・・・抵抗 以 上 （他１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同一極性の第１〜第４のトランジスタのうち第１および
第２のトランジスタをそれぞれダイオード接続するとと
もにこの第１および第２のトランジスタを直列に接続し
、 第３および第４のトランジスタを直列に接続し、第１の
トランジスタのコレクタを第３のトランジスタのベース
に接続し、第２のトランジスタのコレクタを抵抗を介し
て第４のトランジスタのベースに接続したことを特徴と
する電流増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206524A JPH0624298B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 電流増幅回路 |
| US07/091,608 US4804927A (en) | 1986-09-02 | 1987-08-31 | Current amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206524A JPH0624298B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 電流増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362404A true JPS6362404A (ja) | 1988-03-18 |
| JPH0624298B2 JPH0624298B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16524792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206524A Expired - Fee Related JPH0624298B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 電流増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4804927A (ja) |
| JP (1) | JPH0624298B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4975632A (en) * | 1989-03-29 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Stable bias current source |
| DE3935844A1 (de) * | 1989-10-27 | 1991-05-02 | Philips Patentverwaltung | Integrierte begrenzerschaltung fuer wechselspannungen |
| US5258703A (en) * | 1992-08-03 | 1993-11-02 | Motorola, Inc. | Temperature compensated voltage regulator having beta compensation |
| JP3631060B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2005-03-23 | 株式会社東芝 | 線形増幅器及びこれを用いた無線通信装置 |
| RU2428786C1 (ru) * | 2010-05-24 | 2011-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Каскодный усилитель |
| RU2421882C1 (ru) * | 2010-05-24 | 2011-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Двухкаскадный вч-усилитель |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932570A (ja) * | 1972-07-22 | 1974-03-25 | ||
| JPS5043870A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-04-19 | ||
| JPS53105163A (en) * | 1978-03-06 | 1978-09-13 | Sony Corp | Current amplifier circuit |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3364434A (en) * | 1965-04-19 | 1968-01-16 | Fairchild Camera Instr Co | Biasing scheme especially suited for integrated circuits |
| US3835410A (en) * | 1972-12-26 | 1974-09-10 | Rca Corp | Current amplifier |
| US3992676A (en) * | 1975-12-10 | 1976-11-16 | Rca Corporation | Current amplifiers |
| US4461989A (en) * | 1982-08-27 | 1984-07-24 | Motorola, Inc. | Voltage sense circuit for a bubble memory voltage booster |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61206524A patent/JPH0624298B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-08-31 US US07/091,608 patent/US4804927A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932570A (ja) * | 1972-07-22 | 1974-03-25 | ||
| JPS5043870A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-04-19 | ||
| JPS53105163A (en) * | 1978-03-06 | 1978-09-13 | Sony Corp | Current amplifier circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4804927A (en) | 1989-02-14 |
| JPH0624298B2 (ja) | 1994-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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