JPH0530391B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0530391B2 JPH0530391B2 JP61122687A JP12268786A JPH0530391B2 JP H0530391 B2 JPH0530391 B2 JP H0530391B2 JP 61122687 A JP61122687 A JP 61122687A JP 12268786 A JP12268786 A JP 12268786A JP H0530391 B2 JPH0530391 B2 JP H0530391B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- nitride
- layer
- optical recording
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25713—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00451—Recording involving ablation of the recording layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ光によつて情報を記録再
生することのできる光記録媒体に関するものであ
る。
生することのできる光記録媒体に関するものであ
る。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素、又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合
金はよく使用されている（特公昭54−41902、特
公昭57−7919、特公昭57−56058）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素、又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合
金はよく使用されている（特公昭54−41902、特
公昭57−7919、特公昭57−56058）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく適
合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
（フイジカ・ステイタス・ソリダイ（phys・
stat・sol・７、189、1964））。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく適
合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
（フイジカ・ステイタス・ソリダイ（phys・
stat・sol・７、189、1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体で信号品質が充分
に良好でかつ半導体レーザ記録に適するものはな
かつた。
に良好でかつ半導体レーザ記録に適するものはな
かつた。
本発明の目的は、耐候性がよく、かつ信号品質
が充分に良好で記録パワー余裕度が大きい半導体
レーザ記録に適した光記録媒体を提供することに
ある。
が充分に良好で記録パワー余裕度が大きい半導体
レーザ記録に適した光記録媒体を提供することに
ある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報を半導体レーザ光に
よつて記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、
シリコン窒化物又はジルコニウム窒化物又はクロ
ム窒化物又はチタン窒化物を主成分とする層と、
テルルとセレンと窒素を主成分とする層のと少な
くとも２層を有していることを特徴とする光記録
媒体。
よつて記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、
シリコン窒化物又はジルコニウム窒化物又はクロ
ム窒化物又はチタン窒化物を主成分とする層と、
テルルとセレンと窒素を主成分とする層のと少な
くとも２層を有していることを特徴とする光記録
媒体。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテル、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板に
は、ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設け
られている。レーザビーム径程度の溝に光が入射
すると光は回折され、ビーム中心が溝からずれる
につれて回折光強度の空間分布が変化するので、
これを検出してレーザビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系が構成されている。溝の幅は
通常0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレ
ーザ波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集
光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピツト上を通過するように照射する
ことにより、ピツトの有無に起因する反射率の変
化を検出して行なう。
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテル、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板に
は、ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設け
られている。レーザビーム径程度の溝に光が入射
すると光は回折され、ビーム中心が溝からずれる
につれて回折光強度の空間分布が変化するので、
これを検出してレーザビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系が構成されている。溝の幅は
通常0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレ
ーザ波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集
光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピツト上を通過するように照射する
ことにより、ピツトの有無に起因する反射率の変
化を検出して行なう。
記録層２１としては種々の材料を使用できる
が、耐候性を考慮するとテルルセレン系合金膜が
望ましい。しかしながら、テルルセレン合金層の
みでは信号品質が充分に良好ではなかつた。本発
明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主成分
とすることにより、信号品質が良好で半導体レー
ザ記録に適した媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれらをさらに改善した
ものであり、第１図に示すように基板１とテルル
セレン窒素層３の間に窒化物を主成分とする層２
を設けることにより、記録により形成されるピツ
トが大きく拡がらないようになる。したがつて、
ピツトをつめて記録できるので高密度記録が可能
となる。又、記録パワー変動に対する余裕度も大
きくなるので、実用的な光記録媒体となる。さら
に又、大きなピツトが形成されないためトラツキ
ングやフオーカスサーボが不安定にならないので
実用的な光記録媒体となる。ピツトが大きく拡が
らない理由は明確ではないが、テルルセレン窒素
層の有無による表面エネルギーの差が窒化物を主
成分とする層の形成により変化することによつて
いると考えられる。
が、耐候性を考慮するとテルルセレン系合金膜が
望ましい。しかしながら、テルルセレン合金層の
みでは信号品質が充分に良好ではなかつた。本発
明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主成分
とすることにより、信号品質が良好で半導体レー
ザ記録に適した媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれらをさらに改善した
ものであり、第１図に示すように基板１とテルル
セレン窒素層３の間に窒化物を主成分とする層２
を設けることにより、記録により形成されるピツ
トが大きく拡がらないようになる。したがつて、
ピツトをつめて記録できるので高密度記録が可能
となる。又、記録パワー変動に対する余裕度も大
きくなるので、実用的な光記録媒体となる。さら
に又、大きなピツトが形成されないためトラツキ
ングやフオーカスサーボが不安定にならないので
実用的な光記録媒体となる。ピツトが大きく拡が
らない理由は明確ではないが、テルルセレン窒素
層の有無による表面エネルギーの差が窒化物を主
成分とする層の形成により変化することによつて
いると考えられる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂デイ
スク基板にシリコン窒化物を約100Å厚形成し、
ひきつづきこの上に、テルルセレン合金ターゲツ
トをアルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロンス
パツタして、テルルとセレンと窒素の比が原子パ
ーセントで90対４対６のテルルセレン窒素層を約
240Å厚形成した。この光デイスクを95℃の窒素
雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長8300Å
における基板入射反射率を測定したところ32％で
あつた。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通
して入射して記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒
体線速度5.6ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録
パルス幅70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件で記
録し、0.7ｍＷで再生した。バンド幅30KHzのキ
ヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良
好であつた。この光デイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂デイ
スク基板にシリコン窒化物を約100Å厚形成し、
ひきつづきこの上に、テルルセレン合金ターゲツ
トをアルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロンス
パツタして、テルルとセレンと窒素の比が原子パ
ーセントで90対４対６のテルルセレン窒素層を約
240Å厚形成した。この光デイスクを95℃の窒素
雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長8300Å
における基板入射反射率を測定したところ32％で
あつた。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通
して入射して記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒
体線速度5.6ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録
パルス幅70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件で記
録し、0.7ｍＷで再生した。バンド幅30KHzのキ
ヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良
好であつた。この光デイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
比較のためのシリコン窒化物層を設けない光デ
イスクに比べて、45dB以上のＣ／Ｎが得られる
記録パワー範囲はおよそ２倍大きくなり、記録パ
ワー変動に対する余裕度の大きいことが確認され
た。又、トラツキングやフオーカスのサーボも不
安定になることはなかつた。
イスクに比べて、45dB以上のＣ／Ｎが得られる
記録パワー範囲はおよそ２倍大きくなり、記録パ
ワー変動に対する余裕度の大きいことが確認され
た。又、トラツキングやフオーカスのサーボも不
安定になることはなかつた。
窒化物層としては種々の窒化物を使用すること
ができるが、その中では窒化シリコン、窒化ジル
コニウム、窒化クロム、窒化チタンがとくに望ま
しい。吸収のない窒化物の場合の膜厚は５Åから
2000Åの範囲が望ましい。吸収のある窒化物の場
合の膜厚は２Åから1000Åの範囲が望ましい。吸
収のある窒化物を用いた場合の記録ピツトはテル
ルセレン窒素層の孔と窒化物層の変形（孔、凹部
等）とにより形成される。また窒化物層にはピツ
トの径の拡大を抑制する効果を損なわない範囲内
で他の成分が含まれていてもよい。
ができるが、その中では窒化シリコン、窒化ジル
コニウム、窒化クロム、窒化チタンがとくに望ま
しい。吸収のない窒化物の場合の膜厚は５Åから
2000Åの範囲が望ましい。吸収のある窒化物の場
合の膜厚は２Åから1000Åの範囲が望ましい。吸
収のある窒化物を用いた場合の記録ピツトはテル
ルセレン窒素層の孔と窒化物層の変形（孔、凹部
等）とにより形成される。また窒化物層にはピツ
トの径の拡大を抑制する効果を損なわない範囲内
で他の成分が含まれていてもよい。
テルルセレン窒素層の厚さは180Åから400Åの
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の
含有量は原子パーセントで２パーセント以上10パ
ーセント以下が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、セレンの含有量は原子パーセントで２
パーセント以上30パーセント以下、とくに10パー
セント以上30パーセント以下の範囲が耐候性の観
点で望ましい。
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の
含有量は原子パーセントで２パーセント以上10パ
ーセント以下が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、セレンの含有量は原子パーセントで２
パーセント以上30パーセント以下、とくに10パー
セント以上30パーセント以下の範囲が耐候性の観
点で望ましい。
テルルセレン窒素層には、鉛、ヒ素、スズ、ゲ
ルマニウム、カドミウム、タリウム、リン、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛、アルミニムウ、銅、
銀、マグネシウム、タンタル、金、バラジウム、
コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素
を添加すると、ピツトの形状を良好に整える場合
がある。ただし添加量は原子パーセントで20パー
セント未満が望ましい。
ルマニウム、カドミウム、タリウム、リン、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛、アルミニムウ、銅、
銀、マグネシウム、タンタル、金、バラジウム、
コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素
を添加すると、ピツトの形状を良好に整える場合
がある。ただし添加量は原子パーセントで20パー
セント未満が望ましい。
成膜方法は、スパツタリング法の他に、蒸発
法、反応性蒸着法、イオン、プレーテンイング
法、イオンビームデポジシヨン法等でもよい。
法、反応性蒸着法、イオン、プレーテンイング
法、イオンビームデポジシヨン法等でもよい。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよくかつ信号品質が充分に良好で記録パ
ワー余裕度が大きく半導体レーザ記録に適した光
記録媒体が得られる。
耐候性がよくかつ信号品質が充分に良好で記録パ
ワー余裕度が大きく半導体レーザ記録に適した光
記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
図、第２図は従来の光記録媒体の断面図である。 図において、１は基板、２は窒化物を主成分と
する層、３はテルルセレン窒素を主成分とする
層、２１は記録層、２２はピツトを表わす。
図、第２図は従来の光記録媒体の断面図である。 図において、１は基板、２は窒化物を主成分と
する層、３はテルルセレン窒素を主成分とする
層、２１は記録層、２２はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 情報を半導体レーザ光によつて記録しかつ読
み取る光記録媒体において、シリコン窒化物又は
ジルコニウム窒化物又はクロム窒化物又はチタン
窒化物を主成分とする層と、テルルとセレンと窒
素を主成分とする層の少なくとも２層を有してい
ることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122687A JPS62278095A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
| US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
| EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
| DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122687A JPS62278095A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278095A JPS62278095A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH0530391B2 true JPH0530391B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14842138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122687A Granted JPS62278095A (ja) | 1986-04-30 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278095A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1657071B1 (en) | 2003-08-21 | 2013-02-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122687A patent/JPS62278095A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62278095A (ja) | 1987-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6363153A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH0481955B2 (ja) | ||
| JP2689429B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0530391B2 (ja) | ||
| JP2581086B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2581087B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2508056B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPH0530390B2 (ja) | ||
| JPH0553018B2 (ja) | ||
| JPH0528675B2 (ja) | ||
| JP2560711B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0581976B2 (ja) | ||
| JPH048859B2 (ja) | ||
| JPH051747B2 (ja) | ||
| JPS6313786A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0481953B2 (ja) | ||
| JPS6331039A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2508053B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPH0533675B2 (ja) | ||
| JP2508054B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPS6314336A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0481954B2 (ja) | ||
| JPH0481958B2 (ja) | ||
| JPH0481957B2 (ja) | ||
| JPH0481956B2 (ja) |