JPS6363152A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS6363152A JPS6363152A JP61208195A JP20819586A JPS6363152A JP S6363152 A JPS6363152 A JP S6363152A JP 61208195 A JP61208195 A JP 61208195A JP 20819586 A JP20819586 A JP 20819586A JP S6363152 A JPS6363152 A JP S6363152A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
−本発明はレーザ光によって情報を記録再生することの
できる光記録媒体の製造方法に関するものである。
できる光記録媒体の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
する光デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。
量記録装置として優れた特徴を有している。
この光記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使
用された(サイエンス(Science)154.15
50゜1966) )。それ以来様々の材料が使用され
ているが、テルル(Te)等のカルコゲン元素またはこ
れらの化合物はよく使用されてあり(特公昭47−26
897号公報)、とくにテルル−セレン系合金はよく使
用されている(特公昭54−41902号公報、特公昭
57−7919号公報、特公昭57−56058号公報
)。
用された(サイエンス(Science)154.15
50゜1966) )。それ以来様々の材料が使用され
ているが、テルル(Te)等のカルコゲン元素またはこ
れらの化合物はよく使用されてあり(特公昭47−26
897号公報)、とくにテルル−セレン系合金はよく使
用されている(特公昭54−41902号公報、特公昭
57−7919号公報、特公昭57−56058号公報
)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がaooo人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ(phys、 5tat。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がaooo人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ(phys、 5tat。
sol、 7.189.1964) )。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第1図に示すような構成になっ+rJ Xr
−1−f−モ4− fit蚤C’1l−IT來位+
?二11.11. Jwl。
録媒体は第1図に示すような構成になっ+rJ Xr
−1−f−モ4− fit蚤C’1l−IT來位+
?二11.11. Jwl。
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。記録用
レーザ光は基板1を通して記録層21に集光照射され、
ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボネ
ート、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル
、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用され、基板
1にはピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように通常案内溝が設けられて
いる。
レーザ光は基板1を通して記録層21に集光照射され、
ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボネ
ート、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル
、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用され、基板
1にはピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように通常案内溝が設けられて
いる。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3Aunであり、溝の深
さは使用するレーザ波長の1712から174の範囲に
設定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成され
ている。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワ
ーのレーザ光をピット上を通過するように照射すること
により、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出し
て行う。
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3Aunであり、溝の深
さは使用するレーザ波長の1712から174の範囲に
設定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成され
ている。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワ
ーのレーザ光をピット上を通過するように照射すること
により、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出し
て行う。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、テルル−セレン合金層を記録層として用
いた光記録媒体では耐候性と感度と信号品質のすべてを
満足するものではなかった。
いた光記録媒体では耐候性と感度と信号品質のすべてを
満足するものではなかった。
本発明は以上のような問題点を解決するためになされた
もので、耐候性がよく、かつ高感度で信号品質が良好で
安定な光記録媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。
もので、耐候性がよく、かつ高感度で信号品質が良好で
安定な光記録媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明は基板上に、レーザ光によって一部が選択的に除
去されて情報を記録する記録層を形成することよりなる
光記録媒体の製造方法において、前記記録層中に、テル
ルとセレンを含む物質をターゲットとし、窒素ガスおよ
び水素ガスを含むガス中でスパッタリングしてテルルと
セレンと窒素とを主成分とする層を少なくとも設けるこ
とを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
去されて情報を記録する記録層を形成することよりなる
光記録媒体の製造方法において、前記記録層中に、テル
ルとセレンを含む物質をターゲットとし、窒素ガスおよ
び水素ガスを含むガス中でスパッタリングしてテルルと
セレンと窒素とを主成分とする層を少なくとも設けるこ
とを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層(以下、テル
ル−セレン−窒素層と略す)の厚さは100人からi
ooo人の範囲が記録再生特性の観点から望ましく、セ
レンの含有量は原子数パーセントで2パーセントから5
0パーセントの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、窒素の含有量は原子数パーセントで2パ一セ
ント以上20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の
観点から望ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の
元素の組成比は、ターゲットの組成比や窒素(N2)ガ
スと水素(N2)ガスのガス分圧に依存するのは勿論で
あるが、スパッタ装置の大きさくスパッタ室の表面積等
)ヤスバッタ時間等にも依存するので、所望の記録膜組
成を得るためには各スパッタ装置ごとにN2ガスとN2
ガスの分圧等を適宜設定することが望ましい。
ル−セレン−窒素層と略す)の厚さは100人からi
ooo人の範囲が記録再生特性の観点から望ましく、セ
レンの含有量は原子数パーセントで2パーセントから5
0パーセントの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、窒素の含有量は原子数パーセントで2パ一セ
ント以上20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の
観点から望ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の
元素の組成比は、ターゲットの組成比や窒素(N2)ガ
スと水素(N2)ガスのガス分圧に依存するのは勿論で
あるが、スパッタ装置の大きさくスパッタ室の表面積等
)ヤスバッタ時間等にも依存するので、所望の記録膜組
成を得るためには各スパッタ装置ごとにN2ガスとN2
ガスの分圧等を適宜設定することが望ましい。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層には、鉛、ア
ンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウ
ム、リン、カドミウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、
ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タン
タル、金、パラジウム、コバルトの群から選ばれた少な
くとも1種の元素が添加されていてもよい。この場合、
ピットの形状を良好に整える場合がある。ただし、添加
量は原子数パーセントで20パ一セント未満が望ましい
。
ンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウ
ム、リン、カドミウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、
ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タン
タル、金、パラジウム、コバルトの群から選ばれた少な
くとも1種の元素が添加されていてもよい。この場合、
ピットの形状を良好に整える場合がある。ただし、添加
量は原子数パーセントで20パ一セント未満が望ましい
。
スパッタガスはN2ガスとN2ガスのみでもよいが、放
電や成膜の安定性の観点からは不活性ガスとの混合ガス
が望ましい。また、ざらにその他のガスを混合してもよ
い。
電や成膜の安定性の観点からは不活性ガスとの混合ガス
が望ましい。また、ざらにその他のガスを混合してもよ
い。
テルル−セレン−窒素層と基板との間に、酸化物、窒化
物、フッ化物、炭化物、硫化物またはホウ化物で形成さ
れた層を少なくとも1層設けてもよい。この場合記録パ
ワー変動に対する余裕度が大きくなり、トラッキングや
フォーカスのサーボが安定になることがある。
物、フッ化物、炭化物、硫化物またはホウ化物で形成さ
れた層を少なくとも1層設けてもよい。この場合記録パ
ワー変動に対する余裕度が大きくなり、トラッキングや
フォーカスのサーボが安定になることがある。
また、基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられ
る。
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられ
る。
[実施例]
以下本発明の実施例について説明する。
100 ’Cで2時間アニール処理した内径15mm、
外径130m1厚ざ1.2mmの案内溝付きポリカーポ
ネ−ト樹脂ディスク基板上に、テルル−セレン合金ター
ゲットをアルゴン(Ar>とN2とN2どの混合ガスで
マグネトロンスパッタして、テルル(Te)とセレン(
Se)と窒素(N)の比が原子数パーセントで85対9
対6のテルル−セレン−窒素層を約240人厚形成し、
しかる後、温度85℃、相対湿度90%の環境に12時
間保存して光記録媒体を作製した。この光ディスクの波
長8300八における基板入射の反射率を測定したとこ
ろ、約26%であった。波長8300Aの半導体レーザ
光を基板を通して入射して記録層上で1.61J!rI
φ程度に絞り、媒体線速度5.65m/sec 、記録
周波数3.778H2,記録パルス幅70nsec、記
録パワー6、0mWの条件で記録し、0.7mWで再生
した。バンド幅30kH2のキャリアーとノイズとの比
(C/N)は48dBと良好であった。
外径130m1厚ざ1.2mmの案内溝付きポリカーポ
ネ−ト樹脂ディスク基板上に、テルル−セレン合金ター
ゲットをアルゴン(Ar>とN2とN2どの混合ガスで
マグネトロンスパッタして、テルル(Te)とセレン(
Se)と窒素(N)の比が原子数パーセントで85対9
対6のテルル−セレン−窒素層を約240人厚形成し、
しかる後、温度85℃、相対湿度90%の環境に12時
間保存して光記録媒体を作製した。この光ディスクの波
長8300八における基板入射の反射率を測定したとこ
ろ、約26%であった。波長8300Aの半導体レーザ
光を基板を通して入射して記録層上で1.61J!rI
φ程度に絞り、媒体線速度5.65m/sec 、記録
周波数3.778H2,記録パルス幅70nsec、記
録パワー6、0mWの条件で記録し、0.7mWで再生
した。バンド幅30kH2のキャリアーとノイズとの比
(C/N)は48dBと良好であった。
この光ディスクを70’C180%の高温高湿度の環境
に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく
、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された。
に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく
、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の方法によれば耐候性がよ
く、かつ高感度で信号品質が良好で安定な光記録媒体を
製造することができる。
く、かつ高感度で信号品質が良好で安定な光記録媒体を
製造することができる。
第1図は光記録媒体の1例を示す部分断面図である。
1・・・基板
21・・・記録層
22・・・ピット
Claims (1)
- (1)基板上に、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する記録層を形成することよりなる光
記録媒体の製造方法において、前記記録層中に、テルル
とセレンを含む物質をターゲットとし、窒素ガスおよび
水素ガスを含むガス中でスパッタリングしてテルルとセ
レンと窒素とを主成分とする層を少なくとも設けること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208195A JPS6363152A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208195A JPS6363152A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363152A true JPS6363152A (ja) | 1988-03-19 |
| JPH048859B2 JPH048859B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=16552232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61208195A Granted JPS6363152A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6363152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171446A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208195A patent/JPS6363152A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171446A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048859B2 (ja) | 1992-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |