JPH0530390B2 - - Google Patents
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- JPH0530390B2 JPH0530390B2 JP61122686A JP12268686A JPH0530390B2 JP H0530390 B2 JPH0530390 B2 JP H0530390B2 JP 61122686 A JP61122686 A JP 61122686A JP 12268686 A JP12268686 A JP 12268686A JP H0530390 B2 JPH0530390 B2 JP H0530390B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ光によつて情報を記録再
生することのできる光記録媒体に関するものであ
る。
生することのできる光記録媒体に関するものであ
る。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素、又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合
金はよく使用されている（特公昭54−41902、特
公昭57−7919、特公昭57−56058）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素、又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合
金はよく使用されている（特公昭54−41902、特
公昭57−7919、特公昭57−56058）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく通
合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
（フイジカ・ステイタス・ソリダイ（phys・
stat・sol・７、189、1964））。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく通
合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
（フイジカ・ステイタス・ソリダイ（phys・
stat・sol・７、189、1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体で信号品質が充分
に良好でかつ半導体レーザ記録に適するものはな
かつた。
に良好でかつ半導体レーザ記録に適するものはな
かつた。
本発明の目的は、耐候性がよく、かつ信号品質
が充分に良好で記録パワー余裕度が大きい半導体
レーザ記録に適した光記録媒体を提供することに
ある。
が充分に良好で記録パワー余裕度が大きい半導体
レーザ記録に適した光記録媒体を提供することに
ある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報を半導体レーザ光に
よつて記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、
シリコン酸化物又はセリウム酸化物又はマグネシ
ウム酸化物又は錫酸化物の層と、テルルとセレン
と窒素を主成分とする層との少なくとも２層を有
していることを特徴とする。
よつて記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、
シリコン酸化物又はセリウム酸化物又はマグネシ
ウム酸化物又は錫酸化物の層と、テルルとセレン
と窒素を主成分とする層との少なくとも２層を有
していることを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来は第２図のような構成になつ
ていた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けら
れている。記録用レーザ光は基板１を通して記録
層２１に集光照射され、ピツト２２が形成され
る。基板１としてはポリカーポネイト、ポリオレ
フイン、ポリメチルペンテル、アクリル、エポキ
シ樹脂等の合成樹脂が使用される。基板には、ピ
ツトが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔
で精度よく記録されるように案内溝が設けられて
いるレーザビーム径程度の幅の溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときより弱いパワーのレー
ザ光をピツト上を通過するように照射することに
より、ピツトの有無に起因する反射率の変化を検
出して行なう。
ていた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けら
れている。記録用レーザ光は基板１を通して記録
層２１に集光照射され、ピツト２２が形成され
る。基板１としてはポリカーポネイト、ポリオレ
フイン、ポリメチルペンテル、アクリル、エポキ
シ樹脂等の合成樹脂が使用される。基板には、ピ
ツトが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔
で精度よく記録されるように案内溝が設けられて
いるレーザビーム径程度の幅の溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときより弱いパワーのレー
ザ光をピツト上を通過するように照射することに
より、ピツトの有無に起因する反射率の変化を検
出して行なう。
記録層２１としては種々の材料を使用できる
が、耐候性を考慮するとテルルセレン系合金膜が
望ましい。しかしながら、テルルセレン合金層の
みでは信号品質が充分に良好ではなかつた。本発
明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主成分
とすることにより、信号品質が良好で半導体レー
ザ記録に適した媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１とテルルセ
レン窒素層３の間に金属酸化物層２を設けること
により、記録により形成されるピツトが大きく拡
がらないようになる。したがつて、ピツトをつめ
て記録できるので高密度記録が可能となる。又、
記録パワー変動に対する余裕度も大きくなるの
で、実用的な光記録媒体となる。さらに又、大き
なピツトが形成されないためトラツキングやフオ
ーカスサーボが不安定にならないので実用的な光
記録媒体となる。ピツトが大きく拡がらない理由
は明確ではないが、テルルセレン窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属酸化物層の形成に
より変化することによつていると考えられる。
が、耐候性を考慮するとテルルセレン系合金膜が
望ましい。しかしながら、テルルセレン合金層の
みでは信号品質が充分に良好ではなかつた。本発
明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主成分
とすることにより、信号品質が良好で半導体レー
ザ記録に適した媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１とテルルセ
レン窒素層３の間に金属酸化物層２を設けること
により、記録により形成されるピツトが大きく拡
がらないようになる。したがつて、ピツトをつめ
て記録できるので高密度記録が可能となる。又、
記録パワー変動に対する余裕度も大きくなるの
で、実用的な光記録媒体となる。さらに又、大き
なピツトが形成されないためトラツキングやフオ
ーカスサーボが不安定にならないので実用的な光
記録媒体となる。ピツトが大きく拡がらない理由
は明確ではないが、テルルセレン窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属酸化物層の形成に
より変化することによつていると考えられる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂デイ
スク基板にSiO2を500Å厚形成し、ひきつづきこ
の上に、テルルセレン合金ターゲツトをアルゴン
と窒素の混合ガスでマグネトロンスパツタして、
テルルとセレンと窒息の比が原子パーセントで90
対４対６のテルルセレン窒素層を240Å厚形成し
た。この光デイスクを95℃の窒素雰囲気中で１時
間アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入
射反射率を測定したところ34％であつた。波長
8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度5.6
ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー7.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅ＫHzのキヤリアーとノ
イズとの比（Ｃ／Ｎ）は52dBと良好であつた。
この光デイスクを70℃80％の高温高湿度の環境に
60分間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂デイ
スク基板にSiO2を500Å厚形成し、ひきつづきこ
の上に、テルルセレン合金ターゲツトをアルゴン
と窒素の混合ガスでマグネトロンスパツタして、
テルルとセレンと窒息の比が原子パーセントで90
対４対６のテルルセレン窒素層を240Å厚形成し
た。この光デイスクを95℃の窒素雰囲気中で１時
間アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入
射反射率を測定したところ34％であつた。波長
8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度5.6
ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー7.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅ＫHzのキヤリアーとノ
イズとの比（Ｃ／Ｎ）は52dBと良好であつた。
この光デイスクを70℃80％の高温高湿度の環境に
60分間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。
比較のためのSiO2層を設けない光デイスクに
比べて、45dB以上のＣ／Ｎが得られる記憶パワ
ー範囲はおそよ３倍大きくなり、記憶パワー変動
に対する余裕度の大きいことが確認された。又、
トラツキングやフオーカスのサーボも不安定にな
ることはなかつた。
比べて、45dB以上のＣ／Ｎが得られる記憶パワ
ー範囲はおそよ３倍大きくなり、記憶パワー変動
に対する余裕度の大きいことが確認された。又、
トラツキングやフオーカスのサーボも不安定にな
ることはなかつた。
金属酸化物としては種々の酸化物を使用するこ
とができるが、その中ではCeO2、MgO、SiO、
SiO2、SnO2がとくに望ましい。膜の内部応力は
小さくするか又はやや圧縮応力となるように作製
することが、膜のクラツクを防止する点で望まし
い。金属酸化物層の膜厚は、５Åから2500Åの範
囲が望ましい。金属酸化物層の屈折率が基板の屈
折率もより小さい場合には膜中波長の1/4の厚さ
に設定することにより媒体反射率を極大にするこ
とができる。金属酸化物層の屈折率が基板の屈折
率よりも大きい場合には膜中波長の1/2の厚さに
設定することにより、媒体反射率が小さくなるこ
とを防ぐことができる。逆に、膜中波長の1/4或
いは3/4の厚さに設定すれば、媒体反射率は小さ
くなるが記録膜での吸収は最大となるので高感度
化することができる。
とができるが、その中ではCeO2、MgO、SiO、
SiO2、SnO2がとくに望ましい。膜の内部応力は
小さくするか又はやや圧縮応力となるように作製
することが、膜のクラツクを防止する点で望まし
い。金属酸化物層の膜厚は、５Åから2500Åの範
囲が望ましい。金属酸化物層の屈折率が基板の屈
折率もより小さい場合には膜中波長の1/4の厚さ
に設定することにより媒体反射率を極大にするこ
とができる。金属酸化物層の屈折率が基板の屈折
率よりも大きい場合には膜中波長の1/2の厚さに
設定することにより、媒体反射率が小さくなるこ
とを防ぐことができる。逆に、膜中波長の1/4或
いは3/4の厚さに設定すれば、媒体反射率は小さ
くなるが記録膜での吸収は最大となるので高感度
化することができる。
テルルセレン窒素層の厚さは180Åから400Åの
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の
含有量は原子パーセントで２パーセント以上10パ
ーセント以下が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、セレンの含有量は原子パーセントで２
パーセント以上30パーセント以下、とくに10パー
セント以上30パーセント以下の範囲が耐候性の観
点で望ましい。
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の
含有量は原子パーセントで２パーセント以上10パ
ーセント以下が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、セレンの含有量は原子パーセントで２
パーセント以上30パーセント以下、とくに10パー
セント以上30パーセント以下の範囲が耐候性の観
点で望ましい。
テルルセレン窒素層には、鉛、ヒ素、スズ、ゲ
ルマニウム、カドミウム、タリウム、リン、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、
銀、マグネシウム、タンタル、金、バラジウム、
コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素
を添加すると、ピツトの形成を良好に整える場合
がある。ただし添加量は原子パーセントで20パー
セント未満が望ましい。
ルマニウム、カドミウム、タリウム、リン、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、
銀、マグネシウム、タンタル、金、バラジウム、
コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素
を添加すると、ピツトの形成を良好に整える場合
がある。ただし添加量は原子パーセントで20パー
セント未満が望ましい。
成膜方法は、スパツタリング法の他に、蒸着
法、反応性蒸着法、イオンプレーテイング法、イ
オンビームデポジシヨン法等でもよい。
法、反応性蒸着法、イオンプレーテイング法、イ
オンビームデポジシヨン法等でもよい。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよくかつ信号品質が充分に良好で記録パ
ワー余裕度が大きく半導体レーザ記録に適した光
記録媒体が得られる。
耐候性がよくかつ信号品質が充分に良好で記録パ
ワー余裕度が大きく半導体レーザ記録に適した光
記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。 図において、１は基板、２は金属酸化物層、３
はテルルセレン窒素を主成分とする層、２１は記
録層、２２はピツトを表わす。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。 図において、１は基板、２は金属酸化物層、３
はテルルセレン窒素を主成分とする層、２１は記
録層、２２はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 情報を半導体レーザ光によつて記録しかつ読
み取る光記録媒体において、シリコン酸化物又は
セリウム酸化物又はマグネシウム酸化物又は錫酸
化物の層と、テルルとセレンと窒素を主成分とす
る層との少なくとも２層を有していることを特徴
とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122686A JPS62278094A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
| US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
| DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
| EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122686A JPS62278094A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278094A JPS62278094A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH0530390B2 true JPH0530390B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14842112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122686A Granted JPS62278094A (ja) | 1986-04-30 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278094A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1657071B1 (en) | 2003-08-21 | 2013-02-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122686A patent/JPS62278094A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62278094A (ja) | 1987-12-02 |
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