JPH051747B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ光によつて情報を記録再
生することのできる光記録媒体に関するものであ
る。
生することのできる光記録媒体に関するものであ
る。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.sata.sol.7，1891，964））。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.sata.sol.7，1891，964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体で信号品質が充分
に良好でかつ半導体レーザ記録に適するものはな
かつた。本発明の目的は、耐候性がよくかつ信号
品質が充分に良好でありかつ半導体レーザ記録に
適する光記録媒体を提供することにある。
に良好でかつ半導体レーザ記録に適するものはな
かつた。本発明の目的は、耐候性がよくかつ信号
品質が充分に良好でありかつ半導体レーザ記録に
適する光記録媒体を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報を半導体レーザ光に
よつて記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、
記録層がテルルと、セレンと、窒素に加えて、
鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニウム、カドミウム、タ
リウム、リン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ア
ルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、
金、パラジウムからなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素からなることを特徴とする。
よつて記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、
記録層がテルルと、セレンと、窒素に加えて、
鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニウム、カドミウム、タ
リウム、リン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ア
ルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、
金、パラジウムからなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素からなることを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は第１図のような構成になつてい
る。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板には
ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように案内溝が設けられ
ている。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射
すると光は回折され、ビーム中心が溝からずれる
につれて回折光強度の空間分布が変化するので、
これを検出してレーザビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系が構成されている。溝の幅は
通常0.3〜1.3umであり、溝の深さは使用するレー
ザ波長の１／12から１／４の範囲に設定されてい
る。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱い
パワーのレーザ光をピツト上を通過するように照
射することにより、ピツトの有無に起因する反射
率の変化を検出して行なう。記録層２１としては
種々の材料を使用できるが、耐候性を考慮すると
テルルセレン系合金膜が望ましい。しかしなが
ら、テルルセレン合金では信号品質が充分に良好
ではなかつた。本発明者らは記録層をテルルとセ
レンと窒素とすることにより、耐候性が良好なま
ま、信号品質が良好となることを見出したが、本
発明はこれをさらに改善したものであり、テルル
とセレンと窒素に加えて、鉛、ヒ素、スズ、ゲル
マニウム、カドミウム、タリウム、リン、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、銀、
マグネシウム、タンタル、金、パラジウムからな
る群から選ばれた少なくとも１種の元素を添加す
ることによりピツトの形状をさらに良好に整える
ことを見出し、本発明に到つたものである。
る。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板には
ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように案内溝が設けられ
ている。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射
すると光は回折され、ビーム中心が溝からずれる
につれて回折光強度の空間分布が変化するので、
これを検出してレーザビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系が構成されている。溝の幅は
通常0.3〜1.3umであり、溝の深さは使用するレー
ザ波長の１／12から１／４の範囲に設定されてい
る。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱い
パワーのレーザ光をピツト上を通過するように照
射することにより、ピツトの有無に起因する反射
率の変化を検出して行なう。記録層２１としては
種々の材料を使用できるが、耐候性を考慮すると
テルルセレン系合金膜が望ましい。しかしなが
ら、テルルセレン合金では信号品質が充分に良好
ではなかつた。本発明者らは記録層をテルルとセ
レンと窒素とすることにより、耐候性が良好なま
ま、信号品質が良好となることを見出したが、本
発明はこれをさらに改善したものであり、テルル
とセレンと窒素に加えて、鉛、ヒ素、スズ、ゲル
マニウム、カドミウム、タリウム、リン、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、銀、
マグネシウム、タンタル、金、パラジウムからな
る群から選ばれた少なくとも１種の元素を添加す
ることによりピツトの形状をさらに良好に整える
ことを見出し、本発明に到つたものである。
（実施例）
以下本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーポネート樹脂デイ
スク基板上に、テルルセレン合金板上に鉛のチツ
プを分散配置したターゲツトをアルゴンと窒素の
混合ガスでスパツタすることによりテルルとセレ
ンと窒素と鉛の比が原子数パーセントで86対４対
６対４のテルルセレン窒素鉛層を約250Å厚形成
した。この光デイスクを95℃の窒素雰囲気中で１
時間アニールしたのち、波長8300Åにおける基板
入射反射率を測定したところ約31％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6um〓程度に絞り、媒体線速度5.6
ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.5mWの条件で記録し、
0.7mWで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアー
とノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は55dBと良好であつ
た。これはピツト形状が良好となつたためであ
る。この光デイスクを70℃80％の高温高湿度の環
境に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが
確認された。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーポネート樹脂デイ
スク基板上に、テルルセレン合金板上に鉛のチツ
プを分散配置したターゲツトをアルゴンと窒素の
混合ガスでスパツタすることによりテルルとセレ
ンと窒素と鉛の比が原子数パーセントで86対４対
６対４のテルルセレン窒素鉛層を約250Å厚形成
した。この光デイスクを95℃の窒素雰囲気中で１
時間アニールしたのち、波長8300Åにおける基板
入射反射率を測定したところ約31％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6um〓程度に絞り、媒体線速度5.6
ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.5mWの条件で記録し、
0.7mWで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアー
とノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は55dBと良好であつ
た。これはピツト形状が良好となつたためであ
る。この光デイスクを70℃80％の高温高湿度の環
境に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが
確認された。
同様の方法で、タンタル、スズ、ゲルマニウ
ム、タリウム、イソジウム、亜鉛、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、金、パラジウムを添
加したり、テルル又はセレンとの化合物という形
でヒ素、カドミウム、ガリウムの少なくとも１以
上を添加すると、同様にピツトの形状を良好に整
えること判つた。ただし添加量は原子数パーセン
トで20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の
観点から望ましい。
ム、タリウム、イソジウム、亜鉛、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、金、パラジウムを添
加したり、テルル又はセレンとの化合物という形
でヒ素、カドミウム、ガリウムの少なくとも１以
上を添加すると、同様にピツトの形状を良好に整
えること判つた。ただし添加量は原子数パーセン
トで20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の
観点から望ましい。
記録層の厚さは80Åから400Åの範囲が記録再
生特性の観点から望ましく、窒素の含有量は原子
数パーセントで２パーセント以上10パーセント以
下の範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ま
しく、セレンの含有量は原子数パーセントで10パ
ーセント以上30パーセント以下の範囲が耐候性の
観点で望ましい。
生特性の観点から望ましく、窒素の含有量は原子
数パーセントで２パーセント以上10パーセント以
下の範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ま
しく、セレンの含有量は原子数パーセントで10パ
ーセント以上30パーセント以下の範囲が耐候性の
観点で望ましい。
（発明の構成）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよくかつ信号品質が充分に良好で半導体
レーザ記録に適した光記録媒体が得られる。
耐候性がよくかつ信号品質が充分に良好で半導体
レーザ記録に適した光記録媒体が得られる。
第１図は光記録媒体の一例を示す断面概略図で
ある。図において１は基板、２１は記録層、２２
はピツトを表わす。
ある。図において１は基板、２１は記録層、２２
はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 情報を半導体レーザ光によつて記録しかつ読
み取る光記録媒体において記録層がテルルと、セ
レンと、窒素に加えて、鉛、ヒ素、スズ、ゲルマ
ニウム、カドミウム、タリウム、リン、インジウ
ム、ガリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、銀、マ
グネシウム、タンタル、金、パラジウムからなる
群から選ばれた少なくとも１種の元素からなるこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101370A JPS62256692A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光記録媒体 |
| US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
| EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
| DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101370A JPS62256692A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256692A JPS62256692A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH051747B2 true JPH051747B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14298931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61101370A Granted JPS62256692A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256692A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7407696B2 (en) * | 2003-01-24 | 2008-08-05 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Phase change materials for storage media |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61101370A patent/JPS62256692A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256692A (ja) | 1987-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |