JPS6364053U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の薄膜トランジスタを備える液
晶表示装置の部分平面図、第２図は第１図中の
―部分の拡大断面図である。第３図は従来の薄
膜トランジスタを備える液晶表示装置の部分断面
図である。 １……基板、３……ゲート電極、４……ゲート
絶縁膜、５……半導体膜、６……絶縁膜、７……
ドレイン電極、８……ソース電極。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
   体膜、並びにドレイン電極及びソース電極を順次
   積層して設けると共に、前記半導体膜上に該半導
   体膜を被覆する絶縁膜を設けてなる薄膜トランジ
   スタにおいて、前記絶縁膜はその厚さｔが、前記
   半導体膜を構成する半導体の受光感度が最大とな
   る波長λの光に対して反射特性を呈する大きさに
   選定されていることを特徴とする薄膜トランジス
   タ。 (2) 前記絶縁膜はその厚さｔが、ｔ＝（ｎλ／
   ２±λ／８）／ｋ（ここでｋは絶縁膜の屈折率）
   であることを特徴とする実用新案登録請求の範囲
   第(1)項記載の薄膜トランジスタ。 (3) 前記絶縁膜は前記半導体膜に対するパツシ
   ベーシヨン作用を呈すると共に、薄膜トランジス
   タ上の液晶に対する配向作用を呈するものである
   ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)
   項又は第(2)項記載の薄膜トランジスタ。