JPS6364351A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6364351A JPS6364351A JP61208585A JP20858586A JPS6364351A JP S6364351 A JPS6364351 A JP S6364351A JP 61208585 A JP61208585 A JP 61208585A JP 20858586 A JP20858586 A JP 20858586A JP S6364351 A JPS6364351 A JP S6364351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- grooves
- resin
- projections
- molding resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の１．１的〕
（産業上の利用分野）
本発明はリードフレームに係り、特にモールド樹脂で封
止される半導体装置に好適なリードル−ムに関する。
止される半導体装置に好適なリードル−ムに関する。
（従来の技術）
第５図は従来の半導体装置を示したもので、リードフレ
ーム１，１と半導体素子２とをボンデイングワイ１７３
で接続し、この半導体素子２の接続部分をモールド樹脂
４で封止して構成されている。
ーム１，１と半導体素子２とをボンデイングワイ１７３
で接続し、この半導体素子２の接続部分をモールド樹脂
４で封止して構成されている。
一般に、樹脂と金属との密着性はあまり強いしのではな
く、通常、金型との離型性を向上させるため、モールド
樹脂には、離型剤が混入されていることから、樹脂と金
属との密着力はざらに低下することとなる。
く、通常、金型との離型性を向上させるため、モールド
樹脂には、離型剤が混入されていることから、樹脂と金
属との密着力はざらに低下することとなる。
そのため、モールド樹脂とリードフレームとの密着性を
向上させるため、従来、第５図および第６図に示すよう
に、リードフレーム１のモールド樹脂４による封止部分
に、断面形状長方形の満５を複数形成して、リードフレ
ーム１の投錨効果を高めるようにしている。
向上させるため、従来、第５図および第６図に示すよう
に、リードフレーム１のモールド樹脂４による封止部分
に、断面形状長方形の満５を複数形成して、リードフレ
ーム１の投錨効果を高めるようにしている。
また、上記リードフレーム１の満５を、第７図に示づよ
うに、断面形状台形状に形成したものも用いられている
。
うに、断面形状台形状に形成したものも用いられている
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上記いずれの溝形状によっても、」−分な投錨
効果を得ることができず、モールド樹脂４とリードフレ
ーム１との１１止端部が開いてしまい密着性を向上させ
ること１よできなかった。
効果を得ることができず、モールド樹脂４とリードフレ
ーム１との１１止端部が開いてしまい密着性を向上させ
ること１よできなかった。
本発明は上記した点に鑑みてなされた乙ので、モールド
樹脂に対する投錨効果を高め、モールド樹脂との密着性
を向上させることのできるリードフレームを１足供する
ことを目的とするものである。
樹脂に対する投錨効果を高め、モールド樹脂との密着性
を向上させることのできるリードフレームを１足供する
ことを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため本発明に係るリードフレームは
、半導体索子にボンディングワイＡ７で１ａ続され、こ
の半導体素子接続部分をモールド樹脂で封止して固定さ
れるリードフレームにＪ７いて、上記モールド樹脂によ
る封止部分に、傾斜面を石する？Ｕ数の突起または溝を
形成して五号成されている。
、半導体索子にボンディングワイＡ７で１ａ続され、こ
の半導体素子接続部分をモールド樹脂で封止して固定さ
れるリードフレームにＪ７いて、上記モールド樹脂によ
る封止部分に、傾斜面を石する？Ｕ数の突起または溝を
形成して五号成されている。
（作 用）
本発明によれば、上記突起または溝を、リードフレーム
の軸線に対して鋭角に傾斜するように形成したごとによ
り、１・２錨効宋が呂しく向１し、その結果、リードフ
レームとモールド樹脂との密着性を高めることができる
。
の軸線に対して鋭角に傾斜するように形成したごとによ
り、１・２錨効宋が呂しく向１し、その結果、リードフ
レームとモールド樹脂との密着性を高めることができる
。
（実施例）
以下、本発明の実施例を第１図乃至第１図を参照し、第
５図乃至第７図と同一部分には同−符＞３を付して説明
する。
５図乃至第７図と同一部分には同−符＞３を付して説明
する。
第１図は本発明の一実施例を示し／Ｃらので、リードフ
レーム１のモールド樹脂４封止部分にｔよ、リードフレ
ーム１の＠線に対して同一ノノ向に鋭角的に傾斜する？
！２数の突起６・・・が形成されて−いる。
レーム１のモールド樹脂４封止部分にｔよ、リードフレ
ーム１の＠線に対して同一ノノ向に鋭角的に傾斜する？
！２数の突起６・・・が形成されて−いる。
この突起６・・・は、その形状の突起部材をリードフレ
ーム１に、溶接またはろうト」（）等で固着づ−ること
により形成される。
ーム１に、溶接またはろうト」（）等で固着づ−ること
により形成される。
また、第２図１５よび第１４は本発明の他の実施例を示
したもので、第２図はリードフレーム１に、同一方向に
傾斜する複枚の溝５・・・を形成９るようにしたもので
ある。そして、第３図はリードフレーム１に、外方に拡
がる断面逆台形状のｉｈの突起６・・・を形成するよう
にしたものである。
したもので、第２図はリードフレーム１に、同一方向に
傾斜する複枚の溝５・・・を形成９るようにしたもので
ある。そして、第３図はリードフレーム１に、外方に拡
がる断面逆台形状のｉｈの突起６・・・を形成するよう
にしたものである。
上記第３図に示すリードフレーム１の突起６は、トン第
１図に示すリードフレーム１どｆｉ’ｉｌ ｌ＆に、逆
台形状の突起部材を溶接あるいはろう匈けにより固着す
ることにより形成することができ、第２図に示１リード
フレーム１のｉＭ ５は、溝形成用の刃を傾斜さゼーＣ
用いることにより容易に形成することができる。ざらに
、上記第１図および第３図のリードフレーム１は、上記
第６図に示す従来のリードフレーム１のｉＭ ５を、斜
め方向からポンチで叩くことによってｂ形成することが
できる。
１図に示すリードフレーム１どｆｉ’ｉｌ ｌ＆に、逆
台形状の突起部材を溶接あるいはろう匈けにより固着す
ることにより形成することができ、第２図に示１リード
フレーム１のｉＭ ５は、溝形成用の刃を傾斜さゼーＣ
用いることにより容易に形成することができる。ざらに
、上記第１図および第３図のリードフレーム１は、上記
第６図に示す従来のリードフレーム１のｉＭ ５を、斜
め方向からポンチで叩くことによってｂ形成することが
できる。
上記実施例に３３いては、リードフレーム１に突起６あ
るいは満５を形成したいずれの場合であっても、突起６
あるいは：：？ｒ ５が傾斜面をイｉしているため、リ
ードフレーム］のモールド樹脂４に対する投錨効果が向
上する。
るいは満５を形成したいずれの場合であっても、突起６
あるいは：：？ｒ ５が傾斜面をイｉしているため、リ
ードフレーム］のモールド樹脂４に対する投錨効果が向
上する。
この投錨効果が低い場合、第１１図に示づように、モー
ルド樹脂４のリードフレーム１村止端部に開きが生じて
しまう。
ルド樹脂４のリードフレーム１村止端部に開きが生じて
しまう。
この聞き部分の幅ト」法をＸ、長さ＝１法をｙとした場
合、従来のリードフレームＪ３よび本実施例のリードフ
レームの測定結果を下表に示づ。
合、従来のリードフレームＪ３よび本実施例のリードフ
レームの測定結果を下表に示づ。
これによれば、本実施例においては、投！′ＩＩｌ効宋
が向トし、先端部におりる密着性が高まったことがわか
る。
が向トし、先端部におりる密着性が高まったことがわか
る。
（発明の効果〕
以上述べたように本弁明に係るリードフレームは、その
軸線に対して傾斜づる而を行づる突起まＩこは猫を形成
づるようにしたので、モールド樹脂に対する投錨効果が
高まり、その結末、し−ルド樹脂との密６ ｔ’ｌが向
上する′、、＋７の効果を奏づる。
軸線に対して傾斜づる而を行づる突起まＩこは猫を形成
づるようにしたので、モールド樹脂に対する投錨効果が
高まり、その結末、し−ルド樹脂との密６ ｔ’ｌが向
上する′、、＋７の効果を奏づる。
第１図は本発明の一実施例を示ず縦断面図、第２図Ｊ３
よひ第３図は本発明のリードフレームの他の実施例を示
すそれぞれ側面図、第４図はリードフレームとモールド
樹脂との密着性を示す説明図、第５図は従来の半導体装
置の一部を示す縦断面図、第６図４３よび第７図は従来
のリードフレームを示１それぞれ側面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体素子、３・・
・ボンディングワイヤ、４・・・モールド樹脂、５・・
・溝、６・・・突起。 出願人代理人 仏 藤 −離 乳 Ｉ Ｚ ６２ 図 も３ 図
よひ第３図は本発明のリードフレームの他の実施例を示
すそれぞれ側面図、第４図はリードフレームとモールド
樹脂との密着性を示す説明図、第５図は従来の半導体装
置の一部を示す縦断面図、第６図４３よび第７図は従来
のリードフレームを示１それぞれ側面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体素子、３・・
・ボンディングワイヤ、４・・・モールド樹脂、５・・
・溝、６・・・突起。 出願人代理人 仏 藤 −離 乳 Ｉ Ｚ ６２ 図 も３ 図
Claims (1)
- 半導体素子にボンディングワイヤで接続され、この半導
体素子接続部分をモールド樹脂で封止して固定されるリ
ードフレームにおいて、上記モールド樹脂による封止部
分に、傾斜面を有する複数の突起または溝を形成したこ
とを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208585A JPS6364351A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208585A JPS6364351A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364351A true JPS6364351A (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=16558624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61208585A Pending JPS6364351A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364351A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04124864A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Matsushita Electric Works Ltd | リードフレーム |
| WO1995024732A1 (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | National Semiconductor Corporation | A molded lead frame and method of making same |
| WO1999000826A3 (en) * | 1997-06-27 | 1999-05-27 | Matsushita Electronics Corp | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| WO2015012188A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 株式会社日立製作所 | 接合構造およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2016058611A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2018064051A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社トーキン | 電気二重層コンデンサ |
| CN111448653A (zh) * | 2017-12-13 | 2020-07-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及电力转换装置 |
| WO2024135227A1 (ja) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP61208585A patent/JPS6364351A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04124864A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Matsushita Electric Works Ltd | リードフレーム |
| WO1995024732A1 (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | National Semiconductor Corporation | A molded lead frame and method of making same |
| US5518684A (en) * | 1994-03-09 | 1996-05-21 | National Semiconductor Corporation | Method of making a molded lead frame |
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| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6900524B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same |
| US7538416B2 (en) | 1997-06-27 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| WO2015012188A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 株式会社日立製作所 | 接合構造およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2016058611A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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| US10566146B2 (en) | 2016-10-14 | 2020-02-18 | Tokin Corporation | Electric double-layer capacitor including a terminal having a protruding portion in an exterior body thereof |
| CN111448653A (zh) * | 2017-12-13 | 2020-07-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及电力转换装置 |
| CN111448653B (zh) * | 2017-12-13 | 2024-05-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及电力转换装置 |
| WO2024135227A1 (ja) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
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