JPS636707A - 架橋ポリオレフイン絶縁ケ−ブル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ヒートサイクルによる電力ＪＭ失増加を防止
し、かつ安定した耐電圧特性を付与した架（１ポリオレ
フイン絶縁ケーブルに関する。

（従来の技術） 従来から、大サイズＣＶケーブル等の架橋ポリオレフィ
ン絶縁ケーブルを製造するにあたり、導体上に半導電性
テープを巻回し、その上に三層同時押出により内部半導
電層、架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を形成し
架橋させることが行なわれている。

しかしてこの方法では、内部半導電層および外部半導電
層を、絶縁層との密着性を高め、またダイス内面との滑
りを良くするために導電性カーボンの母を減らし、また
滑剤を添加する等して、結果的に無機分の少ない材料で
形成している。

（発明が解決しようとする問題点） このため半導電層自体の体積固有抵抗か大きく、そのた
め誘電正接が大きくなり、また使用時のヒートサイクル
により電力損失が増加するという問題を生じる。

この主な原因は、第２図および第３図に示すように、ヒ
ートサイクルにともない導体１と内部半導電層２間ある
いは外部半導電層３とその外側の金属シース４間に、熱
膨張率の差による隙間を生じ、この隙間に同図矢印に示
すような充電電流が流れることによるものと考えられて
いる。なお第２図および第３図は、それぞれ温１宴上昇
時および温度下降時における上記充電電流の流れを示し
たものであり、５は架橋ポリオレフィン絶縁層を示して
いる。

このような問題を解決するためには、内部半導電層２お
よび外部半導電層３を形成する月利の導電性カーボン配
合但を増加させて電気抵抗を下げればよいのであるが、
その場合には、材料の押出抵抗が大きくなり、また表面
の平滑性が失われるなど、ケーブルの耐電圧特性を低下
さける結果になり好ましくない。

本発明はこのような従来の問題に対処してなされた：し
ので、ヒートサイクルにともなう電力損失増加を防止し
、かつ安定した良好な耐電圧特性を得られるようにした
架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルを提供することを目的
とする。

［発明の構成１ （問題点を解決するための手段） 本発明の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルは、導体上に
内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁層、外部半導電
層を順に形成してなる架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル
において、前記内部半導電層および外部半導電層のうち
の少なくとも一つの半導電層を、導電率の高い第１の半
導電層とこの第１の半導電層より導電率の低い第２の半
導電層の二層構造としかつ導電率の低い前記第２の半導
電層を前記架橋ポリオレフィン絶縁層に密着させて形成
したことを特徴としている。

上記第１の内部半導電層および第１の外部半導電層の体
積固有抵抗は１０５Ω・ＣＵｔ以下とすることが好まし
い。

また、第２の半導電層に使用される半導電性材料として
は、たとえばポリオレフィンのような絶縁性ポリマー１
００重量部に対し、導電性カーボンとしてアセチーンカ
ーボン６０重帛部以下を分散させ、さらに滑材として、
金属９２計または脂肪酸アミド０．０１〜１重量部を添
加したものが適している。

（作用） 本発明の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルでは、使用時
のヒートサイクルにともなう電力損失の増加が防止され
、ｈつ安定した良好な耐電圧特性が得られる。

（実施例） 以下本発明を図面に示す一実施例について説明する。

第１図は、本発明の一実施例の架（ｎポリオレフィン絶
縁ケーブルを示す横断面図である。

第１図において、１は断面積３．０００ｍイ以上の導体
を示し、この導体１上には、半導電性テープ６を介して
、内部半導電層２、栗ｉ・Ａポリオレフィン絶縁層５、
外部半導電層３が順に形成され、さらにその外周に金属
シース４が施されている。

しかしてこの架（ｎポリオレフィン絶縁ケーブルの内部
半導電層２および外部半導電層３はそれぞれ次のような
二層構造とされている。

すなわち、内部半導電層２は、導体１側の導電率の高い
半導電性材料からなる第１の内部半導電層２ａと、架、
矯ポリオレフィン絶縁層５側の導電率の低い半導電性材
料からなる第２の内部半導電層２ｂから構成され、他方
、外部半導電層３は、金属シース４側の導電率の高い半
導電性材料からなる第１の外部半導電層３ａと、架橋ポ
リオレフィン絶縁層５側の導電率の低い半導電性材料か
らなる第２の外部半導電層３ｂから構成されている。

このような内部半導電層２および外部半導電層３はそれ
ぞれ二層同時押出しにより形成することができる。

なお、第１の半導電層２ａ、３ａの形成には、体積固有
抵抗１０５Ω・ｃｍ以下となる通常の半導電性材料が使
用される。

また、第２の半導電層２ｂ、３ｂの形成に使用される半
導電性材料としては、たとえばポリオレフィンのような
絶縁性ポリマー１００重足部に対し、導電性カーボンと
してアセチレンカーボン６０手量部以下を分散させ、さ
らに滑材として、金属石鹸または脂肪酸アミド０．０１
〜１重母部を添加したものが使用される。このような材
料から形成された第２の半導電層は、絶縁層との密着性
が良好で、またカーボン粒子により生ずる表面の微小突
起も少なく平滑な表面を有している。

しかして、このように構成された架橋ポリオレフィン絶
縁ケーブルでは、導体１および金属シース４にぞれぞれ
接する導電率の高い第１の内部半導電層２ａおよび第１
の外部半導電層３ａは、使用時のヒートサイクルにより
電力損失が増加するのを防止し、また架橋ポリオレフィ
ン絶縁層５に接する導電率の低い第２の内部半導電層２
ｂおよび第２の外部半導電層３ｂは、平滑な表面を有し
、ケーブルの耐電圧特性を保持、向上させる効果を有す
る。

なお上記実施例において、図示は省略したが、外部半導
電層３の第１の外部半導電層３ａの外側に銅線編込布テ
ープを巻回するようにすれば、さらに良好な結果が得ら
れる。

また上記実施例は、内部半導電層２および外部半導電層
３のいずれをも二層＠造とした例であるが、本発明は必
ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、ど
ちらか−方の半導電層を二層構造にするようにしてもよ
い。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の架橋ポリオレフィン絶縁ケ
ーブルによれば、内部半導電層および外部半導電層のう
ちの少なくとも一つの半導電層を導電率の高い第１の半
導電層と導電率の低い第２の半導電層の二層構造としカ
つ導電率の低い第２の半導電層を絶縁層に密着させて形
成したので、ヒートサイクルにともなう電力損失の増加
が防止され、かつ安定した良好な耐電圧特性が得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の架橋ポリオレフィン絶縁ケ
ーブルを示す横断面図、第２図および第３図は従来の架
橋ポリオレフィン絶縁ケーブルにおけるヒートサイクル
にともなう充電電流の流れを示す図である。 １・・・・・・・・・導体 ２・・・・・・・・・内部半導電層 ２ａ・・・・・・第１の内部半導電層 ２ｂ・・・・・・第２の内部半導電層 ３・・・・・・・・・外部半導電層 ３ａ・・・・・・第１の外部半導電層 ３ｂ・・・・・・第２の外部半導電層 ５・・・・・・・・・架橋ポリオレフィン絶縁層出願人
　　　　　　昭和電線電纜株式会社代理人　弁理士　　
須　山　佐　− （ほか１名） 第１図 第２図 第３図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）導体上に内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁
   層、外部半導電層を順に形成してなる架橋ポリオレフィ
   ン絶縁ケーブルにおいて、前記内部半導電層および外部
   半導電層のうちの少なくとも一つの半導電層を、導電率
   の高い第１の半導電層とこの第１の半導電層より導電率
   の低い第２の半導電層の二層構造とし、かつ導電率の低
   い前記第２の半導電層を前記架橋ポリオレフィン絶縁層
   に密着させて形成したことを特徴とする架橋ポリオレフ
   ィン絶縁ケーブル。
2. （２）第１の半導電層の体積固有抵抗が１０＾５Ω・ｃ
   ｍ以下である特許請求の範囲第１項記載の架橋ポリオレ
   フィン絶縁ケーブル。
3. （３）第１の半導電層と第２の半導電層が二層同時押出
   により形成されている特許請求の範囲第１項または第２
   項記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル。
4. （４）内部半導電層と外部半導電層のいずれも二層構造
   とされている特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか
   １項記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル。
5. （５）外部半導電層の外周に銅線編込布テープが巻回さ
   れている特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項
   記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル。
6. （６）導体上に半導電性テープが巻回され、その外周に
   内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁層、外部半導電
   層が順に形成されている特許請求の範囲第１項〜第５項
   のいずれか１項記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル
   。