JPS6367279B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、バブルメモリ装置用のパツケージ構
造に関する。より具体的には、本発明は、、磁束
密度の均一性を改善して磁気バブル装置の動作特
性を改良するように整形した板状磁石の如く有効
厚さに変化を与えた磁石に関する。

本発明は米国特許第4150440号に示されている
構造に適用できる磁石構造の改良を示しているも
のであるが、本発明の構造は該特許に示したもの
以外のバブルメモリ装置にも使用できるものであ
る。

本発明は、磁束密度のある部分を強化するため
に非均一な有効厚さを有する磁石を用いる。該磁
石は、実施例では、バブルチツプにより均一な磁
界を与えるためにバブルメモリ構造内でバイアス
磁界を局部的に形成・制御できる輪郭（外形状）
を持つた板状磁石である。特に、その一例は、回
転磁界を発生するコイルとバブルメモリチツプに
対して端部と中央部の磁石領域が他の領域よりも
接近した構造とした磁石である。本発明は他の実
施例では、磁石とバブルメモリパツケージの外側
構造との間に適当な形状の充填用の板を配設して
いる。磁石はこの充填用板の輪郭に合わせて形成
されていて、磁界を発生するコイルの近くに置か
れている。この磁石は実際には均一な厚さである
が、有効厚さは充填用板の形状に従つて変化し、
ある点においては磁石はバブルチツプに非常に接
近している。従来の平滑化用の板構造は本発明に
おいては不要となつている。

以下、図面を参照して本発明の実施例を従来技
術とともに説明する。

第１図には、従来のバブルメモリパツケージの
断面図が示されている。バブルメモリ装置１０
は、外側の筐体を構成しているシールド１２を有
している。このシールド１２内には上部磁石１
４、下部磁石１４がある。上部および下部の平滑
化用板１６，１６が磁石１４，１４と磁界コイル
体１８，１８の間に設けられている。バブルメモ
リチツプ２０はパツケージの中央に配設されてい
る。磁石１４，１４は従来の永久磁石型のもので
あり、平らな板で形成されている。平滑化用の板
１６，１６は高透磁性材であつて、従来構造の磁
石の中央部で通常生じる磁束密度の損失を平滑化
するものである。これらの平滑化板は、通常、回
転磁界コイル体に近接されている。これらのコイ
ルは100〜400KHzのオーダーの高い周波数で動作
するので、平滑化板が線形フエライトのような損
失の少い材料で作られていない場合には、高い渦
電流やヒステリシス損失が生じる。

このような従来構造のものの中央部での磁束
は、「自己消磁力」（self−demagnetizing force）
と称される現象により減少する。磁性板の中央部
の磁力を増加することによつてこの自己消磁損失
を相殺することが可能である。磁石の磁力を増加
させる一方法は、バブルメモリ装置の磁石の長さ
を増加（これは厚さの増加することと等価であ
る）することである。一般的には、磁石を構成し
ている磁性材料の量を増やすことで磁束を増加で
きる。

本発明の一実施例を示す第２図のものにおいて
は、磁石は、その長さあるいは厚さを増加した結
果として中央部の強さが比較的増加したものとな
つている。図示した本発明のバブルメモリ装置２
２は、シールド体２４、外形状を特殊構造にした
磁石２６、回転磁界発生コイル体２８およびバブ
ルメモリチツプ３０を有している。、図示の構造
はバブルメモリチツプ３０に対して対称であるの
で、第２図には部分的にしか示されていない。磁
石２６は、セラミツク材のような高い電気抵抗を
有する低透磁性材料で作ることができる。より詳
細には、この磁石はバリウムフエライトセラミツ
クで作ることができる。磁石２６は、バブルメモ
リ装置の磁石を構成して得る、適当な材料を処理
する種々の周知の方法にいづれかで形成できる。
この磁石２６は図中Ａで示した端部では厚さ（そ
の結果として磁界の強さ）が増加されていて、端
部での周縁磁界の影響を相殺している。このよう
に端部周縁効果の影響を修正することは、バブル
メモリチツプ３０に対して磁石の究極の寸法を小
さくしなければならない場合に行なう必要があ
る。さらに、第２図ではＢで示した磁石の中央部
分においても磁石の厚さが増加されていて、比較
的大きい面積対長さの比率の結果として生じる磁
石の自己消磁力を相殺している。上記のような磁
束密度の部分的変更は、バブルチツプに均一な磁
界を与える。

第３図には、本発明の他の実施例によるバブル
メモリ装置３２が示されている。前述したよう
に、シールド体３４が回転磁界コイル体４０とバ
ブルメモリチツプ４２を含む部品を囲んでいる。
充填用の板３６がシールド体３４の内部に設けら
れていて、磁石３８を保持するように適当な形状
をしている。この磁石３８の実際の厚さは均一で
ある（上記第２図に示した磁石２６の厚さは変化
しているが）。しかしながら、この磁石３８の有
効厚さは充填用板３６の形状に従つて変化してい
るとみなすことができる。第３図に示すバブルチ
ツプ４２上に印加される磁界の強さの自己消磁力
を補償するのに必要な変化は、磁石とチツプの間
の距離の変化よつて得られる。すなわち、充填用
板３６は、磁石３８の磁界が最も弱い中央部分に
磁石がよく作用するようにその部分では磁石３８
とチツプ４２間の空隙が小さくなるようにしてい
る。第３図に示す構造における空隙は図解のため
に誇張して示されているけれども、実際の空隙は
図示のものよりもつと小さなものであつて、第３
図の実施例の原理は、磁石自体が最も弱いところ
において、有効厚さを増しそれによつてより短い
有効な磁束路を与えることにより、磁界効果を強
化しようということにある。

第３図に示した本発明の実施例の変化は、充填
用板３６を除去するようにシールド体３４の形状
を変えることである。その場合、シールド体３４
は適当に磁石３８を形成し位置づけるように輪郭
がとられていればよい。磁石の実際の厚さを変え
ることなく本発明の範囲内で磁石の有効厚さを変
える方法は第３図の他にも可能であることは言う
までもない。

本発明に依れば従来の平滑化板を用いることな
く、セラミツク材のような高い電気抵抗を有する
低透磁性材でできた永久磁石の形状を均一な磁束
密度分布が得られる形状に形成することにより均
一な磁束密度分布が得られる。従つて、平滑化板
が線形フエライトのような損失の少い材料で作ら
れていない場合に問題となる高い渦電流やヒステ
リシス損失が発生しない。更に、本発明によるバ
ブルメモリ構造は高精度で構成でき安価であると
いう効果も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリ構造の断面
図、第２図は本発明の一実施例を示すバブルメモ
リ構造の部分断面図、第３図は本発明の他の実施
例を示すバブルメモリ構造の部分断面図である。 ２２，３２……バブルメモリ装置、２４，３４
……シールド体、２６，２８……磁石、２８，４
０……回転磁界発生コイル、３０，４２……バブ
ルメモリチツプ、３６……充填用の板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁界シールド体と、 前記シールド体内のバブルメモリチツプと、 前記バブルメモリチツプの近傍に回転磁界を発
   生する回転磁界発生手段と、 前記バブルメモリチツプの最も近くに配置され
   た成形された表面形状を持つ低透磁性材の１枚の
   板からなる少くとも１つの永久磁石からなりバイ
   アス磁界を発生する手段であつて、前記永久磁石
   はその厚さが前記バブルメモリチツプに隣接した
   中央部においての方が前記チツプの端部に近い側
   に配置された部分においてより厚くなつており、
   前記バイアス磁界発生手段の中央部分が自己消磁
   力を補償し、バイアス磁界は高透磁率平滑化板が
   なくても前記バブルメモリチツプにおいて本質的
   に均一であり、均一厚平坦装置の中央部で発生す
   るであろうバイアス磁界よりも強いバイアス磁界
   を中央部で発生する前記バイアス磁界発生手段
   と、 前記永久磁石を支持し位置づける手段と、 を備えたことを特徴とするバブルメモリ構造。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のバブルメモリ構
   造体は前記バブルメモリチツプの両側に配置され
   た２つの類似に成形された永久磁石を有すること
   を特徴とするバブルメモリ構造。